CN108604770B - 激光器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明能够提供一种激光器装置，在该激光器装置中,抑制在产生冷却用气流的部分产生的振动传递到激光器部，并且高效地对从激光器部产生的热进行散热。激光器部(35)容纳于包含多个面的箱状的壳体的内部。框架(33)在壳体的内部经由第1底座(40)支承激光器部(35)。框架(33)具有从一个面侧向另一面侧贯穿的贯穿孔。送风风扇(39)产生用于冷却激光器部(35)的冷却用气体流。送风风扇(39)与激光器部(35)对置并安装于例如在第2壳体(32)。冷却用气体在送风风扇(39)与激光器部(35)之间通过框架(33)的贯穿孔而移动。

Description

激光器装置
技术领域
本发明涉及一种激光器装置，更详细地说，涉及一种具有冷却机构的激光器装置。
背景技术
作为能够以非侵入方式检查活体内部的状态的图像检查法的一种，已知有超声波检查法。在超声波检查中使用能够进行超声波的发送以及接收的超声波探头。若从超声波探头向受检体(活体)发送超声波，则该超声波在活体内部前进，并在组织界面上进行反射。由超声波探头接收该反射超声波并根据反射超声波返回到超声波探头为止的时间计算距离，由此能够将内部的样子进行成像化。
并且，已知有利用光声效应将活体的内部成像化的光声成像。通常在光声成像中，将脉冲激光束照射到活体内。在活体内部，活体组织吸收脉冲激光束的能量，并通过基于该能量的绝热膨胀而产生超声波(光声波)。由超声波探针等检测该光声波，并根据检测信号构成光声图像，由此能够基于光声波使活体内可视化。
在光声波的测量中，需要照射强度较强的脉冲激光束的情况较多，光源大多使用进行Q开关脉冲振荡的固体激光器装置。固体激光器装置例如具有激光棒(激光介质)和用于激发激光棒的闪光灯(激发灯)。并且，激光器装置具有用于Q开关脉冲振荡的Q开关。作为能够用于测量光声的激光器装置，例如在专利文献1中记载有激光介质中使用金绿宝石晶体的激光器装置。在专利文献1中记载有使金绿宝石晶体的体积变小且使激光器装置小型化的内容。
在此，越使激光器装置小型化，发热的问题越大，重要的是如何高效地进行冷却。关于小型且高输出的激光器装置的冷却，在专利文献2中记载有将从半导体激光器射出的光作为激发光入射到光纤激光器用光纤而获得输出激光的激光振荡装置中的冷却构造。专利文献2中记载的激光振荡装置具有：射出激发激光的半导体激光器阵列；以及具有激光活性物质并且当被入射激发激光时产生被入射的激发激光激发的输出激光的光纤激光器用光纤。激光振荡装置容纳于大致箱状的壳体(壳)，并通过脚部载置于水平面。
专利文献2中记载的冷却构造具备：对从半导体激光器阵列产生的热进行散热的半导体激光器散热部件；对从光纤激光器用光纤产生的热进行散热的光纤激光器散热部件；以及向半导体激光器散热部件和光纤激光器散热部件输送冷却风的冷却风扇。冷却风扇与半导体激光器散热部件对置配置，从冷却风扇输送的冷却风与半导体激光器散热部件接触。冷却风在与半导体激光器散热部件接触之后，经由引导部件向光纤激光器散热部件引导。在专利文献2中，通过这样的结构，利用冷却风扇对半导体激光器阵列和光纤激光器用光纤进行冷却。
关于包含激光器的光学系统的冷却，在专利文献3中记载有全息立体图制作装置中的冷却构造。专利文献3中记载的全息立体图制作装置具备：将通过物体激光和参照激光产生的干涉条纹作为要素全息图记录于记录介质的光学系统；至少将光学系统防振支承于壳体的防振支承构件；以及至少对光学系统进行冷却的冷却构件。光学系统包含激光光源。冷却构件由配置于壳体侧的送风风扇等的驱动部以及导管构成，该导管由设置于该驱动部与光学系统之间的非刚性体构成。在专利文献3中，由于包含激光光源的光学系统通过防振支承构件防振支承于壳体，因此能够抑制因风扇的旋转而产生的振动传递到光学系统。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-111660号公报
专利文献2：日本特开2008-21899号公报
专利文献3：日本特开平11-84992号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在专利文献2中，冷却用风扇配置于与载置面垂直的侧面。侧面的面积比与载置面平行的底面的面积窄，所能配置的风扇的数量有限，冷却能力受限制。并且，在专利文献2中，还存在从冷却用风扇产生的振动传递到半导体激光器阵列的问题。
在专利文献3中，由于激光光源防振支承于壳体，并且风扇等的驱动部配置于壳体侧，因此从风扇产生的振动不易传递到激光光源等。但是，在专利文献3中，在导管的一个端部配置有送风风扇，并且在另一端部配置有排气风扇，激光光源被流过导管内的冷却风冷却。在专利文献3中，冷却风只流过导管内，冷却风的风量根据导管的直径(面积)决定，冷却能力的提高有限。
本发明鉴于上述情况，其目的在于提供一种激光器装置，该激光器装置能够抑制在产生冷却用气流的部分产生的振动传递到激光器部，并且能够高效地对从激光器部产生的热进行散热。
用于解决技术课题的手段
为了实现上述目的，本发明提供一种激光器装置，其具备：激光器部，容纳于包含多个面的箱状的壳体的内部；框架，在壳体的内部经由第1底座支承激光器部；以及冷却用气流产生部，安装于与框架不同的部件，并产生用于冷却激光器部的冷却用气体流，冷却用气流产生部在壳体的多个面中的面积最大的面或与该面对置的面侧与激光器部对置配置，框架具有贯穿孔，所述贯穿孔从作为支承激光器部的一侧的面的一个面朝向另一面贯穿，冷却用气体在冷却用气流产生部与激光器部之间通过框架的贯穿孔而移动。
本发明的激光器装置也可以还具备搭载激光器部的基板，所述激光器装置还具有散热器，所述散热器安装于基板的作为与搭载有激光器部的一个面相反的一侧的另一面。
上述中，优选基板经由第1底座支承于框架。
在激光器装置为具有搭载激光器部的基板的结构的情况下，该基板也可以包含搭载有激光器部的第1部分、从第1部分向搭载有激光器部的一个面侧立起的第2部分以及经由第2部分与第1部分连接的第3部分，基板在第3部分经由第1底座支承于框架。
也可以在基板还搭载有用于与光声测量用的探针连接的传输光学系统、耦合光学系统以及光纤连接器中的至少一个。
上述中，优选基板的第1部分的至少一部分和/或散热器的至少一部分进入框架的贯穿孔中。
本发明的激光器装置也可以还具有导热部件，所述导热部件与激光器部以及基板中的至少一个连接，并将激光器部产生的热传递给框架。
上述的导热部件也可以包含编组屏蔽线，所述编组屏蔽线由导热率比激光器部以及基板中的至少一个的导热率高的材料构成。
或者，导热部件也可以包含薄膜，所述薄膜由导热率比激光器部以及基板中的至少一个的导热率高的材料构成。
在本发明的激光器装置中，冷却用气流产生部的至少一部分也可以进入框架的贯穿孔中。
本发明的激光器装置也可以还具有分隔部件，所述分隔部件将壳体的内部空间分隔成激光器部所在的空间和冷却用气体流动的空间。
上述的分隔部件例如可以包含空气过滤器，也可以包含薄膜部件。
在本发明的激光器装置中，该壳体可以包含能够相互分离的第1壳体部分和第2壳体部分，第1壳体部分和第2壳体部分也可以分别安装于框架。
在本发明的激光器装置中，框架也可以具有从第1壳体部分以及第2壳体部分突出的突出部。
在本发明的激光器装置中，第2壳体部分可以具有使冷却用气体通过的通气口，冷却用气流产生部也可以安装于第2壳体部分。
在本发明的激光器装置中，框架也可以经由第2底座安装于壳体。
本发明的激光器装置也可以还具有支承冷却用气流产生部的冷却用气流产生部支承部件。
上述的冷却用气流产生部支承部件也可以经由第3底座安装于壳体的内部。
发明效果
本发明的激光器装置能够抑制在产生冷却用的冷却用气流的部分产生的振动传递到激光器部，并且能够高效地对从激光器部产生的热进行散热。
附图说明
图1是表示包含本发明的第1实施方式所涉及的激光器装置的光声测量装置的框图。
图2是表示本发明的第1实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图3是从底面侧观察激光器装置的图。
图4是表示本发明的第2实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图5是表示本发明的第3实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图6是表示本发明的第4实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图7是表示本发明的第5实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图8是从壳体的上表面侧观察激光器装置的内部的图。
图9是表示本发明的第6实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
图10是表示变形例所涉及的激光器装置的内部的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。图1表示包含本发明的第1实施方式所涉及的激光器装置的光声测量装置。光声测量装置10具备探针(超声波探头)11、超声波单元12以及激光器装置13。另外，在本发明的实施方式中，将超声波用作声波，但是并不限定于超声波，只要根据被检对象和/或测量条件等选择适当的频率，则也可以使用可听频率的声波。
激光器装置13射出被照射到活体组织等受检体的测量光。测量光的波长根据观察对象的活体组织等而适当地设定。激光器装置13例如为固体激光光源。光源的类型并无特别限定，激光器装置13可以是激光二极管光源(半导体激光光源)，或者也可以是以激光二极管光源为种子光源的光放大型激光光源。从激光器装置13射出的测量光利用例如光纤等导光构件被导光至探针11，并从探针11朝向受检体照射。测量光的照射位置并无特别限定，也可以从探针11以外的位置进行测量光的照射。
探针11具有例如一维排列的多个检测器元件(超声波振子)。探针11对通过受检体内的光吸收体吸收朝向受检体射出的测量光而产生的光声波进行检测。探针11除了检测光声波之外，还进行相对于受检体的声波(超声波)的发送以及相对于发送出去的超声波的反射声波(反射超声波)的接收。超声波的收发也可以在分离的位置进行。例如，也可以从与探针11不同的位置进行超声波的发送，并利用探针11接收相对于该发送出去的超声波的反射超声波。探针11的类型并无特别限定，可以是线性探针，也可以是凸形探针或扇形探针。
超声波单元12具有接收电路21、接收存储器22、数据分离构件23、光声图像生成构件24、超声波图像生成构件25、图像输出构件26、控制构件28以及发送电路29。超声波单元12构成信号处理装置。超声波单元12被构成为例如具有处理器、存储器以及总线等的计算机装置。超声波单元12中编入有与光声图像生成相关的程序，通过该程序的工作而实现超声波单元12内的各部的至少一部分的功能。
接收电路21接收探针11输出的检测信号，并将接收到的检测信号存储到接收存储器22中。接收电路21代表性地包含低噪声放大器、可变增益放大器、低通滤波器以及AD转换器(Analog to Digital convertor：模数转换器)。探针11的检测信号由低噪声放大器放大之后，由可变增益放大器进行与深度相应的增益调整，并由低通滤波器截止高频分量，之后利用AD转换器存储成数字信号，并存储于接收存储器22中。接收电路21例如由1个IC(Integrated Circuit：集成电路)构成。
探针11输出光声波的检测信号和反射超声波的检测信号，在接收存储器22中存储有经AD变换的光声波以及反射超声波的检测信号(采样数据)。数据分离构件23从接收存储器22中读出光声波的检测信号的采样数据，并发送到光声图像生成构件24。并且，从接收存储器22读出反射超声波的采样数据，并发送到超声波图像生成构件(反射声波图像生成构件)25。
光声图像生成构件24根据由探针11检测出的光声波的检测信号生成光声图像。光声图像的生成例如包含相位匹配加算等图像重构、检波以及对数转换等。超声波图像生成构件25根据由探针11检测出的反射超声波的检测信号生成超声波图像(反射声波图像)。超声波图像的生成也包含相位匹配加算等图像重构、检波以及对数转换等。图像输出构件26将光声图像和超声波图像输出到显示装置等图像显示构件14。
控制构件28对超声波单元12内的各部进行控制。控制构件28例如在获取光声图像的情况下，向激光器装置13发送光触发信号，并使激光器装置13射出测量光。并且，与测量光的射出相应地向接收电路21发送采样触发信号，对光声波的采样开始时刻等进行控制。
控制构件28在获取超声波图像的情况下，向发送电路29发送指示超声波发送的超声波发送触发信号。发送电路29若接收超声波发送触发信号，则向探针11输出用于从探针11发送超声波的发送信号，并使超声波从探针11发送。探针11例如一边逐条挪动声线，一边进行扫描来进行反射超声波的检测。控制构件28与超声波发送的时刻相应地向接收电路21发送采样触发信号，使反射超声波的采样开始进行。
图2是表示激光器装置13的内部的剖视图。在图2中，对从激光器装置13射出的测量光利用例如光纤等导光构件被导光至探针11的情况进行说明。另外，以下对与超声波单元和探针的连接相关的部分省略说明。图3是从底面侧观察激光器装置13的图。如图2所示，激光器装置13具有激光器部35、传输光学系统36以及光纤连接光学系统37。激光器部35是生成激光的部分。激光器部35例如被构成为DPSS(Diode Pumped Solid State：二极管泵浦固体)激光光源。激光器部35例如具有激发用激光二极管光源、激光棒以及激光谐振器光学系统。激光谐振器光学系统例如包含反射镜和Q开关。激光器部35也可以包含激发用激光二极管光源的电源、Q开关的电源、传输光学系统、耦合光学系统和/或光纤连接器。
激光器部35容纳于包含多个面的箱状的壳体(壳)的内部。在本实施方式中，壳体包含能够相互分离的上部壳体(第1壳体部分)31和下部壳体(第2壳体部分)32。上部壳体31以及下部壳体32分别安装于框架33。上部壳体31以及下部壳体32例如分别利用螺钉固定于框架33。在本实施方式中，框架33具有从上部壳体31以及下部壳体32突出的突出部。通过具有突出部，即使在激光器装置13碰撞障碍物的情况下，也能够抑制冲击力传递到壳体部分。在下部壳体32安装有脚部41(还参照图3)，激光器装置13以下部壳体32为下侧并载置于水平面等。以下，为方便起见，将壳体的脚部41所在的一侧的面称作底面，将与该底面对置的面称作上表面。并且，将与上表面以及底面垂直的面称作侧面。
从激光器部35射出的激光经由传输光学系统36入射到光纤连接光学系统37。耦合光学系统例如包含透镜等。传输光学系统36也可以包含扩散板和/或扩束器等。传输光学系统36并非必需，激光器装置13也可以不具有传输光学系统36。光纤连接光学系统37例如包含耦合光学系统以及光纤连接器。在光纤连接光学系统37的光纤连接器连接有从探针11延伸的光纤。光纤例如使用将多个素线捆扎而成的束状光纤。探针11例如包含对测量光进行导光的导光板和/或使测量光扩散的扩散板等，经由它们朝向受检体射出测量光。
激光器部35、传输光学系统36以及光纤连接光学系统37搭载于光学基板34。光学基板34由例如铝类合金、镁类合金、钛类合金或铜类合金等导热率高的材料构成。在光学基板34的与搭载有激光器部35的面相反的一侧的面安装有散热器38。散热器38例如包含多个散热风扇。散热器38由例如铝类合金、镁类合金、钛类合金或铜类合金等导热率高的材料构成。
光学基板34经由底座(第1底座)40安装于框架33。换句话说，框架33经由底座40对搭载于光学基板34的激光器部35进行支承。底座40例如使用防振橡胶。框架33具有从作为支承激光器部35(光学基板34)的一侧的面的一个面朝向另一面贯穿的贯穿孔。
作为冷却用气流产生部的一个例子的送风风扇39是用于产生激光器部35的冷却用的冷却用气体流(冷却用气流)的风扇。送风风扇39安装于与框架33不同的部件。另外，冷却用气流产生部并不限于此，也可以使用送风机等。送风风扇39在激光器装置13的壳体的多个面中的面积最大的面或与该面对置的面侧与激光器部35对置配置。在此，壳体的多个面各自的面积是指将各面从与其面垂直的方向观察时的面积。换句话说，各面的面积被定义为将各面投影到与该面平行的面时的面积。
在本实施方式中，送风风扇39在下部壳体32与光学基板34对置配置。在下部壳体32安装有例如共6个送风风扇39。送风风扇39经框架33的贯穿孔向搭载有激光器部35的光学基板34输送冷却用气体。如图3所示，下部壳体32在配置有送风风扇39的部分具有用于使冷却用气体通过的通气口。送风风扇39从通气口吸入冷却用气流。如图2中虚线箭头所示，送风风扇39所吸入的冷却用气体经框架33的贯穿孔输送到散热器38。
激光器部35等产生的热经光学基板34到达散热器38，通过向散热器38输送冷却用气体，激光器部35等被冷却。优选送风风扇39的至少一部分进入框架33的贯穿孔中。在该情况下，还能够缩短送风风扇与散热器38之间的距离，能够高效地冷却激光器部35。被输送到散热器38的冷却用气体经设置于上部壳体31的排气口向壳体的外部排出。
在本实施方式中，送风风扇39配置于激光器装置13的壳体的多个面中的面积最大的面或与该面对置的面侧。在该情况下，与将送风风扇39配置于其他面的情况相比，能够配置多个送风风扇。或者，与配置于其他面的情况相比，能够配置大型的送风风扇39。在本实施方式中，由于能够配置多个送风风扇39和/或大型的送风风扇，因此能够增加在每单位时间内可输送的冷却用气体，从而能够高效地实施激光器部35的冷却。
在本实施方式中，送风风扇39安装于与框架33不同的部件，例如下部壳体32。送风风扇39随着旋转动作而产生振动。由于在送风风扇39中产生的振动经下部壳体32传递到框架33，因此与在框架33直接安装送风风扇39的情况相比，能够抑制框架33振动。其结果是，能够抑制从框架33向搭载有激光器部35的光学基板34传递的振动。而且，在本实施方式中，框架33经由防振橡胶等底座40支承光学基板34。通过底座40抑制从框架33向光学基板34传递的振动，能够进一步抑制在送风风扇39中产生的振动向激光器部35传递。
而且，在本实施方式中，送风风扇39与光学基板34对置配置。框架33具有贯穿孔，送风风扇39输送的冷却用气流经该贯穿孔被送到安装于光学基板34的散热器38。通过在框架33设置贯穿孔，能够在与光学基板34对置的位置设置送风风扇39，并从与光学基板34对置的位置向光学基板34输送冷却用气流。在采用这样的结构的情况下，与经导管进行冷却的情况相比，能够使冷却用气流高效地与光学基板34(散热器38)接触，从而能够抑制振动的传递，并且能够提高冷却效率。
接下来，对本发明的第2实施方式进行说明。图4是表示本发明的第2实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。在本实施方式所涉及的激光器装置13a中，框架33容纳于壳体43的内部，与图2所示的第1实施方式所涉及的激光器装置13不同，框架33不具有从壳体向外部突出的突出部。并且，框架33经由底座(第2底座)45安装于壳体43。
本实施方式所涉及的激光器装置13a除了具有第1实施方式所涉及的激光器装置13的构成要素之外，还具有支承送风风扇39的送风风扇支承部件(冷却用气流产生部支承部件)44。送风风扇支承部件44经由底座(第3底座)46安装于壳体43的内部。送风风扇支承部件44例如使用由金属材料或树脂材料构成的较薄的基板。
在本实施方式所涉及的激光器装置13a中，代替在壳体43的底面设置用于吸入冷却用气流的通气口(吸气口)，或者除此以外，还在壳体43的侧面设置有吸气口。如图4中虚线箭头所示，从壳体43的侧面吸入到壳体43的内部的冷却用气体从送风风扇39经框架33的贯穿孔输送到散热器38。在本实施方式中，也优选送风风扇39的至少一部分进入框架33的贯穿孔中。
在本实施方式中，送风风扇39安装于送风风扇支承部件44。在送风风扇39中产生的振动在从送风风扇支承部件44经底座46传递到壳体43之后，经由底座45传递到框架33。在本实施方式中，由于在从送风风扇39至框架33的振动的传递路径上存在两个底座，因此具有与第1实施方式相比能够更加抑制传递到框架33的振动的效果。其他效果与第1实施方式相同。
接着，对本发明的第3实施方式进行说明。图5是表示本发明的第3实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。在本实施方式所涉及的激光器装置13b中，光学基板34包含：搭载有激光器部35的第1部分34a；从第1部分向搭载有激光器部35的面侧立起的第2部分34b；以及经由该第2部分34b与第1部分34a连接的第3部分34c。第1部分34a和第3部分34c大致平行地构成。光学基板34在第3部分34c经由底座40支承于框架33。其他方面也可以与第1实施方式相同。
在本实施方式中，光学基板34具有从光学基板的第1部分34a折弯的第2部分34b。由于光学基板34向送风风扇39侧折弯，因此能够使搭载有作为热源的激光器部35的光学基板的第1部分34a的位置比框架33和光学基板34的连接位置更向靠近送风风扇39的位置移动。在本实施方式中，优选光学基板的第1部分34a的至少一部分和/或安装于该光学基板的散热器38的至少一部分进入框架33的贯穿孔中。
在本实施方式所涉及的激光器装置13b中，在下部壳体32的侧面设置有排气口。如图5中虚线箭头所示，从设置于下部壳体32的底面的吸气口吸入的冷却用气体输送到从框架33的贯穿孔突出的散热器38。被输送到散热器38的冷却用气体经设置于下部壳体32的侧面的排气口向壳体的外部排出。
在本实施方式中，光学基板34具有第2部分34b，该第2部分34b从搭载有激光器部35的第1部分34a向搭载有激光器部35的面侧折弯。并且，光学基板34在从第2部分34b向与第1部分34a相反的一侧折弯的第3部分34c经由底座40支承于框架33。通过设成这样的结构，与光学基板34未折弯的情况相比，散热器38与送风风扇39之间的距离也能够缩短。能够与缩短散热器38和送风风扇39之间的距离的量相应地高效地冷却激光器部35等产生的热。并且，与第1实施方式相比，能够缩短从壳体的底面至上表面为止的距离，从而能够使装置的纵向的尺寸小型化。其他效果与第1实施方式相同。
接着，对本发明的第4实施方式进行说明。图6是表示本发明的第4实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。与图2所示的第1实施方式所涉及的激光器装置13不同，本实施方式所涉及的激光器装置13c不具有下部壳体32(参照图2)。在本实施方式中，送风风扇39安装于框架33的贯穿孔内。其他方面也可以与第1实施方式相同。
在本实施方式所涉及的激光器装置13c中，如图6中虚线箭头所示，冷却用气体从安装于框架33的贯穿孔的送风风扇39输送到散热器38。被输送到散热器38的冷却用气体经设置于壳体43的侧面的排气口向壳体43的外部排出。
在本实施方式中，在送风风扇39中产生的振动不经由由防振橡胶等构成的底座传递到框架33。因此，与在从送风风扇39至框架33的振动的传递路径上存在底座40(参照图2)的第1实施方式相比，存在被传递到激光器部35的振动增加的可能性。但是，与在第1实施方式中进行的说明相同地，能够得到可高效地实施激光器部35的冷却的效果以及与经导管进行冷却的情况相比可提高冷却效率的效果。
接下来，对本发明的第5实施方式进行说明。图7是表示本发明的第5实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。本实施方式所涉及的激光器装置13d除了具有图2所示的第1实施方式所涉及的激光器装置的结构之外，还具有分隔部件47。分隔部件47连接光学基板34与上部壳体31的内壁。图8是从壳体的上表面侧观察激光器装置13d的内部的图。如图8所示，分隔部件47在光学基板34的全周连接光学基板34与上部壳体31的内壁。其他方面也可以与第1实施方式相同。
如图7中虚线箭头所示，在激光器装置13d中，冷却用气流从下部壳体32的底面吸入到壳体的内部，并从上部壳体31的侧面向壳体的外部排出。分隔部件47将壳体内部空间分隔成激光器部35所在的空间和冷却用气流流动的空间。分隔部件47例如包含使冷却用气流通过但防止悬浮垃圾等通过的空气过滤器。空气过滤器例如能够使用HEPA过滤器(HighEfficiency Particulate Air Filter：高效微粒空气过滤器)。分隔部件47也可以包含防止冷却用气流和悬浮垃圾通过的薄膜部件。薄膜部件例如能够使用铝胶带、铜胶带、聚酰亚胺薄膜或PTFE(聚四氟乙烯：polytetrafluoroethylene)片等薄薄膜胶带或薄薄膜片。
在本实施方式中，通过分隔部件47分隔激光器部35所在的空间和冷却用气流流动的空间。在不存在分隔部件47的情况下，存在冷却用气体中所含的悬浮垃圾等进入激光器部35所在的空间的可能性。通过分隔部件47分隔激光器部35所在的空间和冷却用气流流动的空间，能够防止悬浮垃圾进入壳体内部的激光器部35所在的空间。此外，在将空气过滤器和/或薄膜部件用于分隔部件47时，具有即使在对壳体施加冲击的情况下也能够抑制该冲击传递到光学基板34的效果。其他效果与第1实施方式相同。
接着，对本发明的第6实施方式进行说明。图9是表示本发明的第6实施方式所涉及的激光器装置的内部的剖视图。本实施方式所涉及的激光器装置13e除了具有图2所示的第1实施方式所涉及的激光器装置的结构之外，还具有导热部件48。导热部件48连接激光器部35以及光学基板34中的至少一个与框架33。导热部件48将激光器部35等发出的热传递到框架33。其他方面也可以与第1实施方式相同。
导热部件48由导热率比激光器部35以及光学基板34中的至少一个的导热率高的材料构成。通过导热部件48使用导热率高的材料，能够从激光器部35以及光学基板34中的至少一个与导热部件48连接的部分向框架33传递热。导热部件48例如包含编组屏蔽线。导热部件48也可以包含由导热率高的材料构成的薄膜。由导热率高的材料构成的薄膜例如能够使用铝胶带、铜胶带或石墨片等。
在本实施方式中，使用导热部件48使从激光器部35等发出的热传递到框架33。在本实施方式中，由于除了通过输送冷却用气流来冷却激光器部35之外，还从激光器部35和/或光学基板34向框架33转移热，因此能够更高效地实施激光器部35的冷却。其他效果与第1实施方式相同。
另外，上述各实施方式能够适当地组合。例如，在第3实施方式、第5实施方式以及第6实施方式的各实施方式所涉及的激光器装置中，也可以与第2实施方式所涉及的激光器装置13a(参照图4)相同地采用框架33容纳于壳体43的内部的结构。或者，也可以采用送风风扇支承部件44支承送风风扇39的结构。并且，也可以在第2实施方式、第3实施方式、第4实施方式、第5实施方式以及第6实施方式的各实施方式所涉及的激光器装置中采用第3实施方式中说明的光学基板34具有第1部分34a、第2部分34b以及第3部分34c的结构。
而且，也可以组合第5实施方式和第6实施方式，使激光器装置具有分隔部件47和导热部件48这两者。图10是表示变形例所涉及的激光器装置的内部的剖视图。该变形例所涉及的激光器装置13f的结构是在图5所示的第3实施方式所涉及的激光器装置13b的结构中追加了第5实施方式中说明的分隔部件47和第6实施方式中说明的导热部件48的结构。在该变形例所涉及的激光器装置13f中，除了得到第3实施方式中说明的效果之外，还得到第5实施方式中说明的效果和第6实施方式中说明的效果。
上述中，对在第3实施方式所涉及的激光器装置13b的结构中追加了分隔部件47和导热部件48的变形例所涉及的激光器装置进行了说明，但是还能够设成在其他实施方式所涉及的激光器装置的结构中追加分隔部件47和导热部件48的结构。例如，能够采用在图4所示的第2实施方式所涉及的激光器装置13a的结构中追加分隔部件47和导热部件48的结构，还能够采用在图6所示的第4实施方式所涉及的激光器装置13c的结构中追加分隔部件47和导热部件48的结构。
在上述各实施方式中，在光学基板34安装有散热器38，但是并不限定于此，光学基板34和散热器38也可以一体地构成。并且，散热器38并不限定于安装于光学基板34的平坦的基板表面，散热器38也可以进入光学基板34中。
在上述各实施方式中，对从壳体的外部向壳体的内部吸入空气并从送风风扇39向散热器38输送冷却用气体的例子进行了说明，但是冷却用气体的流动方向也可以相反。即，也可以使用送风风扇39从壳体的内部向外部产生冷却用气体流，并使散热器38的热经送风风扇39向壳体的外部排出。即使在该情况下，也能够关于激光器部35的冷却得到与上述各实施方式中说明的效果相同的效果。
在上述各实施方式中，对激光器装置13用于光声测量装置10的例子进行了说明，但是并不限定于此。上述各实施方式所涉及的激光器装置也可以用于与光声测量装置10不同的装置。
以上，根据优选的实施方式对本发明进行了说明，但是本发明的激光器装置并不仅限于上述实施方式，从上述实施方式的结构实施了各种各样的修正以及变更的结构也包含于本发明的范围内。
符号说明
10-光声测量装置，11-探针，12-超声波单元，13-激光器装置，13a～f-激光器装置，14-图像显示构件，21-接收电路，22-接收存储器，23-数据分离构件，24-光声图像生成构件，25-超声波图像生成构件，26-图像输出构件，28-控制构件，29-发送电路，31-上部壳体，32-下部壳体，33-框架，34-光学基板，34a-第1部分，34b-第2部分，34c-第3部分，35-激光器部，36-传输光学系统，37-光纤连接光学系统，38-散热器，39-送风风扇，40-底座，41-脚部，43-壳体，44-送风风扇支承部件，45-底座，46-底座，47-分隔部件，48-导热部件。

Claims (19)

1.一种激光器装置，其具备：
激光器部，其容纳于包含多个面的箱状的壳体的内部；
框架，其在所述壳体的内部借助第1底座支承所述激光器部；以及
冷却用气流产生部，其安装于与所述框架不同的部件，并产生用于冷却所述激光器部的冷却用气体流，
所述冷却用气流产生部在所述壳体的多个面中的面积最大的面或与该面积最大的面对置的面侧处与所述激光器部对置配置，
所述框架具有从作为支承所述激光器部的一侧的面的一个面朝向另一面贯穿的贯穿孔，
所述冷却用气体在所述冷却用气流产生部与所述激光器部之间通过所述框架的贯穿孔而移动。
2.根据权利要求1所述的激光器装置，其中，
所述激光器装置还具备搭载所述激光器部的基板，
所述激光器装置还具有散热器，所述散热器安装于所述基板的作为与搭载有所述激光器部的一个面相反的一侧的另一面。
3.根据权利要求2所述的激光器装置，其中，
所述基板借助所述第1底座支承于所述框架。
4.根据权利要求3所述的激光器装置，其中，
所述基板包含搭载有所述激光器部的第1部分、从所述第1部分向搭载有所述激光器部的一个面侧立起的第2部分以及经由该第2部分与第1部分连接的第3部分，所述基板在所述第3部分借助所述第1底座支承于所述框架。
5.根据权利要求4所述的激光器装置，其中，
所述基板的第1部分的至少一部分和/或所述散热器的至少一部分进入所述框架的贯穿孔中。
6.根据权利要求2至5中任意一项所述的激光器装置，其中，
在所述基板还搭载有用于与光声测量用的探针连接的传输光学系统、耦合光学系统以及光连接器中的至少一个。
7.根据权利要求2至5中任意一项所述的激光器装置，其中，
所述激光器装置还具有导热部件，所述导热部件与所述激光器部以及所述基板中的至少一方连接，并将所述激光器部产生的热传递给所述框架。
8.根据权利要求7所述的激光器装置，其中，
所述导热部件包含编组屏蔽线，所述编组屏蔽线由导热率比所述激光器部以及所述基板中的至少一方的导热率高的材料构成。
9.根据权利要求7所述的激光器装置，其中，
所述导热部件包含由导热率比所述激光器部以及所述基板中的至少一方的导热率高的材料构成的薄膜。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的激光器装置，其中，
所述冷却用气流产生部的至少一部分进入所述框架的贯穿孔中。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的激光器装置，其中，
所述激光器装置还具有分隔部件，所述分隔部件将所述壳体的内部空间分隔成所述激光器部所在的空间和所述冷却用气体流动的空间。
12.根据权利要求11所述的激光器装置，其中，
所述分隔部件包含空气过滤器。
13.根据权利要求11所述的激光器装置，其中，
所述分隔部件包含薄膜部件。
14.根据权利要求1至5中任意一项所述的激光器装置，其中，
所述壳体包含能够相互分离的第1壳体部分和第2壳体部分，所述第1壳体部分和所述第2壳体部分分别安装于所述框架。
15.根据权利要求14所述的激光器装置，其中，
所述框架具有从所述第1壳体部分以及所述第2壳体部分突出的突出部。
16.根据权利要求15所述的激光器装置，其中，
所述第2壳体部分具有使所述冷却用气体通过的通气口，所述冷却用气流产生部安装于所述第2壳体部分。
17.根据权利要求1至5中任意一项所述的激光器装置，其中，
所述框架借助第2底座安装于所述壳体。
18.根据权利要求17所述的激光器装置，其中，
所述激光器装置还具有支承所述冷却用气流产生部的冷却用气流产生部支承部件。
19.根据权利要求18所述的激光器装置，其中，
所述冷却用气流产生部支承部件借助第3底座安装于所述壳体的内部。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6446118B1 (ja) * 2017-12-05 2018-12-26 馬鞍山市明珠電子科技有限公司 レーザー加工機
CN110600975A (zh) * 2019-09-06 2019-12-20 南京罗默激光科技有限公司 一种固体激光器用空气净化装置及固体激光器
DE102020103615A1 (de) * 2020-02-12 2021-08-12 Bundesdruckerei Gmbh Hologrammbelichtungsmaschine zum einbringen eines volumenreflexionshologramm in einen hologrammfilm
CN112636134A (zh) * 2020-12-21 2021-04-09 北京遥测技术研究所 一种空间激光器结构
DE102021206107A1 (de) 2021-06-15 2022-12-15 Bundesdruckerei Gmbh Vorrichtung zum Herstellen von Hologrammen im Kontaktkopieverfahren mit hoher Beugungseffizienz
CN113698093B (zh) * 2021-07-29 2023-03-10 杭州富通通信技术股份有限公司 光纤的加工工艺
CN114221214A (zh) * 2021-12-22 2022-03-22 山东宝鑫达电子科技有限公司 一种半导体激光器用的双通道冷却装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2003744B1 (de) * 2007-06-14 2009-08-05 Trumpf Laser Marking Systems AG Gasgekühltes Lasergerät für hochkompakte Laserstrahlquellen
CN105186267A (zh) * 2015-10-23 2015-12-23 惠州市杰普特电子技术有限公司 激光散热器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3810044A (en) * 1973-02-22 1974-05-07 Hughes Aircraft Co Methods for protecting laser optical elements from surface damage
US4578792A (en) * 1982-09-30 1986-03-25 Metalworking Lasers International Ltd. High-power lasers
CH667556A5 (de) * 1983-12-29 1988-10-14 Amada Eng & Service Hochgeschwindigkeits gaslaser-oszillator.
JPS61163679A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Fuji Photo Film Co Ltd レ−ザケ−ス
JP3900612B2 (ja) 1997-09-03 2007-04-04 ソニー株式会社 ホログラフィックステレオグラム作製装置
RU2169977C2 (ru) * 1999-08-16 2001-06-27 ЗАО "Энергомаштехника" Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров
US7145926B2 (en) * 2003-01-24 2006-12-05 Peter Vitruk RF excited gas laser
JP4419646B2 (ja) * 2004-03-30 2010-02-24 セイコーエプソン株式会社 光学装置およびプロジェクタ
US20050254537A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Eins Oe-Tech Co., Ltd. High power semiconductor laser lighting device
JP4835294B2 (ja) 2006-07-14 2011-12-14 株式会社ジェイテクト レーザ発振装置
JP2010153198A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Nec Lighting Ltd 照明器具
JP6219258B2 (ja) 2013-10-31 2017-10-25 富士フイルム株式会社 レーザ装置、及び光音響計測装置
JP6146335B2 (ja) * 2014-02-17 2017-06-14 ソニー株式会社 走査ユニット、レーザ走査型顕微鏡及び温度調節方法
JP6396199B2 (ja) * 2014-12-18 2018-09-26 株式会社アマダミヤチ レーザ加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2003744B1 (de) * 2007-06-14 2009-08-05 Trumpf Laser Marking Systems AG Gasgekühltes Lasergerät für hochkompakte Laserstrahlquellen
CN105186267A (zh) * 2015-10-23 2015-12-23 惠州市杰普特电子技术有限公司 激光散热器

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"大功率半导体激光器全固态风冷散热系统";张云鹏;《光电工程》;20041230;全文 *
"激光器中压气体风冷系统的实验研究";郭新生;《光学学报》;19880131;全文 *
Afonin."Thermal instability of glow discharge in the gas loop of CO2 laser with extended disk fans-heat exchangers".《THERMOPHYSICS AND AEROMECHANICS》.2009, *
El-Sherif."Experimental studies for improvement of thermal effects in a high power fiber-coupled diode laser module operating at 808 nm".《Proceedings of SPIE》.2012, *

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Publication number Publication date
JPWO2017130806A1 (ja) 2018-08-09
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