RU2169977C2 - Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров - Google Patents

Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров Download PDF

Info

Publication number
RU2169977C2
RU2169977C2 RU99117691A RU99117691A RU2169977C2 RU 2169977 C2 RU2169977 C2 RU 2169977C2 RU 99117691 A RU99117691 A RU 99117691A RU 99117691 A RU99117691 A RU 99117691A RU 2169977 C2 RU2169977 C2 RU 2169977C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat
array
channels
transfer
micro channels
Prior art date
Application number
RU99117691A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99117691A (ru
Inventor
В.В. Аполлонов
С.И. Державин
В.В. Кузьминов
Д.А. Машковский
А.М. Прохоров
В.Н. Тимошкин
В.А. Филоненко
Original Assignee
ЗАО "Энергомаштехника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ЗАО "Энергомаштехника" filed Critical ЗАО "Энергомаштехника"
Priority to RU99117691A priority Critical patent/RU2169977C2/ru
Priority to PCT/RU2000/000153 priority patent/WO2001013478A1/ru
Priority to AU44415/00A priority patent/AU4441500A/en
Priority to JP2001517471A priority patent/JP2003507893A/ja
Application granted granted Critical
Publication of RU2169977C2 publication Critical patent/RU2169977C2/ru
Publication of RU99117691A publication Critical patent/RU99117691A/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2260/00Heat exchangers or heat exchange elements having special size, e.g. microstructures
    • F28F2260/02Heat exchangers or heat exchange elements having special size, e.g. microstructures having microchannels
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/12Elements constructed in the shape of a hollow panel, e.g. with channels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области систем охлаждения мощных полупроводниковых лазеров. Устройство предназначено для жесткого крепления с целью охлаждения активного слоя лазерных линеек, решеток лазерных диодов и т.п. Теплообменник состоит из сдвоенной решетки прямых щелевых микроканалов и теплоотводящей пластины, изготовленной из высокотеплопроводного материала, закрывающей сдвоенную решетку прямых щелевых микроканалов. Дополнительно введена решетка прямых щелевых микроканалов теплоотводящая, соединенная с теплоотводящей пластиной, ориентированная перпендикулярно сдвоенной решетке прямых щелевых микроканалов, имеющая открытые снизу микроканалы, непосредственно сообщающиеся с микроканалами сдвоенной гидравлической решетки, обеспечивающей подвод и отвод охлаждающей жидкости к верхней теплоотводящей решетке. Такая конструкция значительно интенсифицирует теплоотдачу стенка-жидкость и увеличивает равномерность теплоотвода по сечению устройства благодаря наличию турбулентного потока жидкости. 5 ил.

Description

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров.
Заявляемое устройство предназначено для жесткого крепления и охлаждения активного слоя полупроводниковых лазерных линеек и решеток лазерных диодов. Также оно может использоваться для охлаждения планарных полупроводниковых элементов и произвольных тепловыделяющих устройств.
Вследствие сильной зависимости характеристик излучения, надежности и срока функционирования полупроводниковых лазеров от температуры теплообменник является обязательным элементом их конструкции [1]. Для получения высоких значений мощности излучения в непрерывном режиме необходимо использовать микроканальные теплообменники из высокотеплопроводных материалов [2, 3].
Характерным примером конструкции такого теплообменника может служить устройство для охлаждения линеек лазерных диодов, описанное в [4] (см. фиг. 1). Оно представляет собой корпус в форме прямоугольного параллелепипеда, заполненный решеткой прямых щелевых каналов, ориентированных по нормали к продольной оси линейки, которая закреплена на верхней грани корпуса у самого края, что необходимо для вывода излучения. Прокачка охлаждающей жидкости осуществлена по направлению оси каналов. Подобный теплообменник обеспечивает достаточно высокую степень однородности охлаждения линейки и имеет небольшое гидравлическое сопротивление вследствие ламинарного режима течения в каналах. Кроме того, он прост и технологичен в изготовлении. Однако интенсивность теплоотвода, обеспечиваемая подобным устройством, сильно ограничена вследствие формирования в участках каналов под местом крепления линейки области застоя жидкости, в которой ее скорость много меньше, чем в основной части потока. В случае использования такого теплообменника для решеток лазерных диодов невозможно обеспечить равномерность их охлаждения из-за нагрева потока жидкости вдоль оси каналов.
Чтобы устранить эти недостатки, в конструкции микроканального теплообменника, предложенной в [5] (см. фиг. 2), использована сдвоенная решетка каналов, которая образована двумя вложенными друг в друга одинаковыми решетками прямых каналов. Решетки не сообщаются между собой и охлаждающая жидкость прокачивается через них во встречных направлениях таким образом, что направление потока в каналах попеременно чередуется. Благодаря тому что каждое из ребер теплообменника с разных сторон омывается потоками противоположного направления, удается сильно сгладить неоднородность охлаждения вдоль оси каналов. Жидкость подводится и отводится через систему отверстий 1 и 2, расположенных на краях теплообменника. Благодаря этому зоны застоя, которые образуются на конечных участках каналов, вынесены на периферию охлаждаемой поверхности.
Из известных аналогов описанная конструкция по своему техническому содержанию является наиболее близкой к заявляемому устройству и выбрана в качестве прототипа, при этом следует отметить следующие ее недостатки. Несмотря на компенсирующее действие противоположных потоков, неоднородность нагрева сохраняется. Она должна увеличиваться с удлинением каналов, что определяет некоторый предельный размер охлаждаемой поверхности. В случае прибора с одной линейкой лазерных диодов этот теплообменник не имеет никаких преимуществ по сравнению с аналогом с однонаправленным потоком [4]. Так же, как и в случае последнего, достижение высоких плотностей отводимых тепловых потоков возможно только при использовании турбулентного режима протекания охлаждающей жидкости в каналах, что требует обеспечения высокого расхода жидкости или гидравлического напора, а потому усложняет эксплуатацию устройства.
Технической задачей изобретения является обеспечение высокой плотности и однородности теплового потока, отводимого теплообменником от активной области мощных полупроводниковых лазеров, при учете требований эксплуатационной надежности устройства, технологичности и возможной автоматизации его производства. Для ее решения предлагается использование новой конфигурации микроканалов теплообменника, которая обуславливает турбулентную структуру потока жидкости в области, непосредственно примыкающей к нагревающей поверхности, т.е. месту крепления лазера.
Основной элемент конструкции заявляемого устройства представлен на фиг. 3. Так же, как и прототип, оно содержит сдвоенную решетку прямых щелевых каналов 1, ориентированных по нормали к охлаждаемой поверхности 3. Выход каналов решетки 1 соединен с открытыми снизу каналами решетки 2, ребра которой соединены с охлаждаемой поверхностью 3. Оси каналов решеток 1 (далее - гидравлической) и 2 (далее - теплоотводящей) перпендикулярны. Гидравлическая решетка соединена с каналами подачи и стока охлаждающей жидкости.
На фиг. 4 приведен чертеж варианта устройства, в котором использованы боковые каналы подачи и стока. Решетки 1 и 2 заключены в герметичный корпус. Отдельные части теплообменника жестко соединены, швы герметичны. Он изготовлен из высокотеплопроводного материала, например меди или бериллиевой керамики. Размеры устройства и его отдельных частей могут варьироваться в зависимости от размеров лазера. Приведенные на фиг. 4 размеры соответствуют варианту, предназначенному для крепления линейки лазерных диодов длиной 1 см.
В отличие от прототипа, гидравлическая решетка 1 служит преимущественно для подачи/отвода жидкости к/от теплоотводящей решетки 2 (см. фиг. 3). Поступая через общий канал (5 на фиг. 4), охлаждающая жидкость поднимается по подающим каналам 4 и под давлением фонтанирует в щелевые каналы 5 теплоотводящей решетки, а затем перетекает в каналы 6 и по ним отводится в общий сток (6 на фиг. 4). Каналы подачи/отвода 4 и 6 в гидравлической решетке последовательно чередуются. В каждом из каналов теплоотводящей решетки поток жидкости имеет периодическую вихревую структуру с периодом порядка расстояния между соседними каналами подачи 4. Таким образом, за счет организации прокачки жидкости ликвидированы застойные участки и достигнута сильная турбулизация потока в теплоотводящей решетке, что в совокупности обеспечивает увеличение коэффициента теплоотдачи на стенках ее каналов, а в конечном счете - интенсификацию теплоотвода от нагревающей поверхности. Учитывая периодичность потока вдоль оси каналов теплоотводящей решетки, период подрешетки каналов подачи 4 выбран равным периоду упаковки лазерных диодов в линейках. При креплении лазерной структуры совмещением позиций диодов с выходами каналов 4, обеспечена максимальная однородность охлаждения линейки при оптимальных условиях для каждого из диодов, входящих в ее состав. Хотя основной теплосъем осуществляется в пределах решетки 2, верхняя часть ребер решетки 1 дополнительно усиливает его.
Анализ доступных источников информации и сопоставление с прототипом показывают, что заявляемое устройство находится в соответствии с критерием "новизна".
При сравнении формулы изобретения с другими техническими решениями аналогичных технических задач в данной области техники не обнаружено решений, обладающих сходными признаками, что позволяет сделать вывод о соответствии предлагаемого решения критерию "изобретательский уровень".
На приводимых в описании фигурах изображено следующее.
Фиг. 1. Схема теплообменника, описанного в [4], (аналог).
1 - лазер (линейка лазерных диодов), 2 - щелевые каналы, 3 - отверстия для подачи и отвода жидкости (стрелками показано направление потока), 4 - направление вывода излучения лазера.
Фиг. 2. Схема теплообменника, описанного в [5], (прототип).
1 - отверстия для подачи и 2 - отводы жидкости. Стрелками показано направление потока.
Фиг. 3. Фрагмент внутренней структуры системы микроканалов (разрез).
1 - гидравлическая решетка, 2 - теплоотводящая решетка; 3 - охлаждаемая поверхность, 4 - каналы подачи жидкости в 2; 5 - каналы теплосъема; 6 - каналы отвода жидкости из 5. Линиями со стрелками показано направление потоков охлаждающей жидкости.
Фиг. 4. Чертеж предлагаемого теплообменника (вариант).
1 - гидравлическая решетка щелевых каналов; 2 - теплоотводящая решетка щелевых каналов; 3 - охлаждаемая поверхность, 4 - каналы подачи жидкости в 1; 5 - каналы теплосъема; 6 - каналы отвода жидкости из 5; 7 - каналы подачи охлаждающей жидкости в теплообменник от внешнего источника; 8 - канал отвода жидкости из теплообменника; 9 - пластина, закрывающая каналы; 10 - крепежные отверстия; 11 - направление вывода излучения. Линиями со стрелками показано направление потоков охлаждающей жидкости.
Фиг. 5. Экспериментальная зависимость мощности излучения линейки P в непрерывном режиме от тока накачки I.
Опытный образец предлагаемого устройства был выполнен из меди и испытан в работе с серийной линейкой лазерных диодов фирмы Coherent, описанной в [6] (длина - 1 см, ширина - 500 мкм). Последняя крепилась с помощью индиевого припоя с толщиной слоя около 5 мкм. Период каналов подачи жидкости в гидравлической решетке (4 на фиг. 4) выбран равным периоду упаковки диодов в линейке. Испытания проводились как в импульсно-периодическом (с длиной импульсов 200-500 мкс и частотой следования до 1 кГц), так и в непрерывном режимах излучения линейки. В качестве охлаждающей жидкости использовалась вода при температуре 16-20oC, подаваемая в каналы при напоре в 1-1,5 атм. Испытания подтвердили высокую эффективность предложенной конструкции теплообменника во всем интервале рабочих значений тока накачки 10-50 А (см. фиг. 5). Получена выходная мощность в непрерывном режиме 50,5 Вт при КПД 62,5%. Во всем интервале рабочих токов не обнаружено тепловое ограничение выходной мощности. Полученное значение удельного теплового сопротивления составило (1,4±0,25)10-2 К см2/Вт.
Литература.
1. Кейси Х. , Паниш М. "Лазеры на гетероструктурах" В 2 т. - М., Мир, 1981.
2. Байков И. С., Безотосный В.В. "Полупроводниковые диодные лазеры". - Прикл. физ. (1995), N 2, 3 - 35.
3. "Мощные полупроводниковые лазеры и системы на их основе". - Зарубежн. электрон. техн. (1998), N 4, 60-65.
4. Аполлонов В.В., Бабаянц Г.И., Грудень М.Н., Державин С.И., Казаков А. А., Кишмахов Б.Ш., Коваль Ю.П., Кузьминов В.В., Машковский Д.А., Прохоров А. М. , Смекалин В. П., Тимошкин В.Н. "Исследование тепловых свойств лазерной диодной линейки на теплообменнике из карбида кремния". - Квант. электр. (1997) 24, N 10, 869-674.
5. Walpole J.N., Missaggia L.J. "MicroChannel heat sink with alternating flow directions" US Patent N 5, 099, 910 (1992).
6. Jansen M., Bournes P., Corvini P., Fang F., Finander M., Hmelar M., Johnston Т. , Jordan C., Nabiev R., Nightingale J., Widman M., Asonen H., Aarik J. , Salokatve A., Nappi J. and Rakennus K. "High performance laser diode bars with aluminum-free active regions" Optics Express (1999) 4, N. 1, 3-11.

Claims (1)

  1. Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров, состоящий из сдвоенной решетки прямых щелевых микроканалов и теплоотводящей пластины, изготовленной из высокотеплопроводного материала, закрывающей сдвоенную решетку прямых щелевых микроканалов, отличающийся тем, что дополнительно введена решетка прямых щелевых микроканалов теплоотводящая, соединенная с теплоотводящей пластиной, ориентированная перпендикулярно сдвоенной решетке прямых щелевых микроканалов, имеющая открытые снизу микроканалы, непосредственно сообщающиеся с микроканалами сдвоенной гидравлической решетки, обеспечивающей подвод и отвод охлаждающей жидкости к верхней теплоотводящей решетке
RU99117691A 1999-08-16 1999-08-16 Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров RU2169977C2 (ru)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99117691A RU2169977C2 (ru) 1999-08-16 1999-08-16 Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров
PCT/RU2000/000153 WO2001013478A1 (fr) 1999-08-16 2000-04-26 Echangeur de chaleur pour lasers semi-conducteurs puissants
AU44415/00A AU4441500A (en) 1999-08-16 2000-04-26 Heat exchanger for high-power semiconductor lasers
JP2001517471A JP2003507893A (ja) 1999-08-16 2000-04-26 高出力半導体レーザー用ヒートシンク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99117691A RU2169977C2 (ru) 1999-08-16 1999-08-16 Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2169977C2 true RU2169977C2 (ru) 2001-06-27
RU99117691A RU99117691A (ru) 2001-07-20

Family

ID=20223885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99117691A RU2169977C2 (ru) 1999-08-16 1999-08-16 Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2003507893A (ru)
AU (1) AU4441500A (ru)
RU (1) RU2169977C2 (ru)
WO (1) WO2001013478A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2545015C2 (ru) * 2011-02-08 2015-03-27 Александр Александрович Мягков Генератор на энтропии
US10270220B1 (en) * 2013-03-13 2019-04-23 Science Research Laboratory, Inc. Methods and systems for heat flux heat removal
RU2703814C2 (ru) * 2015-05-27 2019-10-22 Ланда Лэбс (2012) Лтд. Устройство формирования изображения
RU2754393C1 (ru) * 2020-11-12 2021-09-01 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, устройство для его осуществления и коннектор

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7331378B2 (en) * 2006-01-17 2008-02-19 Delphi Technologies, Inc. Microchannel heat sink
JP6609643B2 (ja) 2016-01-26 2019-11-20 富士フイルム株式会社 レーザ装置
CN108346964B (zh) * 2018-02-05 2019-08-09 西北大学 一种旋转湍流微气泡式分水装置及其分水方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758926A (en) * 1986-03-31 1988-07-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Fluid-cooled integrated circuit package
US4881237A (en) * 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
US5099910A (en) * 1991-01-15 1992-03-31 Massachusetts Institute Of Technology Microchannel heat sink with alternating flow directions
US5801442A (en) * 1996-07-22 1998-09-01 Northrop Grumman Corporation Microchannel cooling of high power semiconductor devices
RU2117371C1 (ru) * 1996-09-30 1998-08-10 Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" Матрица лазерных диодов

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2545015C2 (ru) * 2011-02-08 2015-03-27 Александр Александрович Мягков Генератор на энтропии
US10270220B1 (en) * 2013-03-13 2019-04-23 Science Research Laboratory, Inc. Methods and systems for heat flux heat removal
RU2703814C2 (ru) * 2015-05-27 2019-10-22 Ланда Лэбс (2012) Лтд. Устройство формирования изображения
US10591822B2 (en) 2015-05-27 2020-03-17 Landa Labs (2012) Ltd. Imaging device
RU2754393C1 (ru) * 2020-11-12 2021-09-01 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, устройство для его осуществления и коннектор

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001013478A8 (fr) 2002-03-14
WO2001013478A1 (fr) 2001-02-22
AU4441500A (en) 2001-03-13
JP2003507893A (ja) 2003-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8472193B2 (en) Semiconductor device
JP4305406B2 (ja) 冷却構造体
US7537047B2 (en) Liquid-cooling heat sink
KR100772381B1 (ko) 히트싱크
JP5611334B2 (ja) レーザ用冷却モジュール、製造方法および該モジュールで製造した半導体レーザ
JPH1084139A (ja) 熱電変換装置
BR102012015581A2 (pt) Dispositivo de resfriamento, módulo de energia e método
JP2006310363A (ja) パワー半導体装置
RU2169977C2 (ru) Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров
CN216482394U (zh) 一种分-合流式矩形微通道换热器系统
JP5332115B2 (ja) パワー素子搭載用ユニット
JP2003008264A (ja) 電子部品の冷却装置
JP2012060002A (ja) 半導体素子の冷却構造
CN117937231A (zh) 一种半导体激光器
JPH0918059A (ja) 熱電変換装置
JP7388145B2 (ja) 半導体冷却装置
JP2006179771A (ja) 電気デバイス及び冷却ジャケット
JP2008071800A (ja) 放熱板、冷却構造体およびヒートシンク
CN105305225B (zh) 一种半导体激光器冷却热沉装置
JP2008300447A (ja) 放熱装置
RU80071U1 (ru) Теплообменник для мощных полупроводниковых лазеров
RU227597U1 (ru) Лазерный излучатель
JP2019160849A (ja) 液冷ヒートシンク
CN219873497U (zh) 一种碳化硅芯片模块及其散热结构
US20230304750A1 (en) Heat sink with removable inserts