CN108538600A - 一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及铝电解电容器用阳极箔腐蚀技术领域，具体地说是一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法。该方法包括前处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀、三级扩孔腐蚀、后处理和化成处理6个步骤，其特征在于将一级发孔腐蚀后的铝箔经过二级和三级的混酸扩孔腐蚀，充分利用盐酸和硝酸的各自特性进行共同扩孔，可以弥补单一酸扩孔腐蚀存在的不足，铝箔的520 Vt比容为0.750～0.799 uF/cm2，比单一酸体系扩孔腐蚀的铝箔的比容提高1.57‑3.03%，375 Vt比容为1.265～1.293 uF/cm2，比单一酸体系扩孔腐蚀的铝箔的比容提高1.59‑3.60%。

Description

一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法
技术领域
本发明涉及铝电解电容器用阳极箔腐蚀技术领域，具体地说是一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法。
背景技术
铝电解电容器是电子信息产业基础元器件类产品的电子主要材料，其品质直接影响电容器的性能，而铝电解阳极箔生产工艺决定了阳极箔性能水平。腐蚀箔制造工序的主要过程是将铝光箔置于特定的腐蚀液中进行预腐蚀、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、纯化学腐蚀等处理，其目的是在铝箔表面形成一定数量的孔，以此获得较大的表面积，从而得到一定容量的阳极箔。这些工序中最为关键的是发孔腐蚀和扩孔腐蚀，其中扩孔腐蚀是影响阳极箔孔型大小的关键。因而在腐蚀箔制造工序中，要获得高比容、高质量的阳极箔，就需要在扩孔阶段获得均匀一致和一定大小的的蚀孔，如果不能得到均匀一致和一定大小的蚀孔，会导致后阳极箔并孔、表面严重削失或孔径小等现象，从而使生产出来的腐蚀箔静电容量低而无法满足铝电解电容器生产需要。
目前铝电解电容器行业市场竞争越来越激烈，除了生产高水平高质量产品外，生产的成本越来越受厂家的重视。目前一般采用化成节电技术、节水技术以及提高阳极箔生产效率等降低生产成本，但从腐蚀工艺角度来调整工艺方式或条件来降低生产成本的举措还未见有相关的报道。
国内传统的阳极箔扩孔一般采用在单一酸体系下进行直流电化学腐蚀扩孔的工艺，生产流程为电子铝光箔→预处理→一级腐蚀→二级扩孔腐蚀→后处理四个步骤组成。二级扩孔腐蚀一般使用一段或多段单一酸扩孔，高压阳极箔扩孔工艺普遍使用硝酸体系进行电化学扩孔，中压阳极箔普遍使用盐酸体系进行电化学扩孔，也有部分使用盐酸或硝酸进行纯化学腐蚀扩孔。这些传统的生产工艺存在一个相同的缺陷，即扩孔在单一酸体系中进行，其扩孔行为易造成孔过大和表面损失或孔小而不能满足产品需求，制约了阳极箔容量的提升。
因此，开发一种混酸扩孔腐蚀工艺，解决单一酸体系中进行扩孔腐蚀的阳极箔缺陷，有利于提高阳极箔生产的效率和质量，从而降低阳极箔的生产成本，提高市场竞争力。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中采用单一酸体系中进行扩孔腐蚀的阳极箔孔过大或过小的问题，提供一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法。
本发明的方案是通过这样实现的：
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝箔放在温度为65-85℃，含有质量百分比为2%-5%盐酸和30%-35%硫酸的混合溶液或质量百分比为5%-10%的盐酸溶液中浸泡30～120 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为75～90℃，含有质量百分比为1%～10%盐酸和20%～50%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为200～1000 mA/cm2的间断式脉冲电流，一级发孔腐蚀总时间30～120 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为60～90℃、质量百分比为5～10%的酸溶液中，所述酸溶液为盐酸或硝酸溶液，或盐酸与硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为1.0~1.25%的缓蚀剂，施加扩孔电流为25～300 mA/cm2，扩孔时间为30～600 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为60～80℃、质量百分比为5～10%的酸溶液中，所述酸溶液为盐酸或硝酸溶液，或盐酸与硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为1.0~1.25%的缓蚀剂，施加扩孔电流为25～300 mA/cm2A，扩孔时间为30～660 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为65~75 ℃，含有质量百分比为3~8%的硝酸溶液中浸泡30~90 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入80-90℃，含有质量百分比为5-15%的硼酸溶液中，以 0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
优选的，步骤（1）中所述的铝箔为铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔。
优选的，步骤（2）中所述的间断式脉冲电流其间断时间为加电2～20 s，断电200～1000 ms。
优选的，步骤（3）中所述的酸溶液为盐酸溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为硝酸溶液。
优选的，步骤（3）中所述的酸溶液为硝酸溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为盐酸溶液。
优选的，步骤（3）中所述的酸溶液为盐酸与硝酸混合溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为盐酸与硝酸混合溶液。
优选的，步骤（3）和步骤（4）中所述的缓蚀剂为十二烷基苯磺酸钠、四聚磷酸、硫脲或咪唑啉中的任一种或两种及两种以上的组合。
优选的，步骤（3）中将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为82℃、质量百分比为4%的盐酸和2%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.7%的十二烷基苯磺酸钠和0.4%的四聚磷酸，施加扩孔电流为150 mA/cm2，扩孔时间为330 s。
优选的，步骤（4）中把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为75℃、质量百分比为2.5%的盐酸和6.5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.4%的十二烷基苯磺酸钠和0.7%的四聚磷酸，施加扩孔电流为180 mA/cm2A，扩孔时间为330 s。在以上优选条件下，本发明所制备的PVC导电复合材料电阻率最低，导电性能优。
本发明实现的技术原理是：在单一盐酸或硝酸腐蚀液中阳极电解扩孔的实质就是将铝箔控制在钝化状态，通过铝箔表面不断形成钝化膜和钝化膜不断地溶解，达到扩大隧道孔直径的目的。因此，在盐酸溶液中发孔箔的临界点蚀电流密度就是最大的扩孔电流密度，大于此电流密度将发生二次发孔。在硝酸溶液中的最大钝化电流密度代表最大的扩孔电流密度，但在最大钝化电流密度下电解过电位很大，电解耗能高。本发明充分利用了盐酸和硝酸的扩孔特性，将二者结合起来共同扩孔，因氯离子Cl-的直径只有0.36 nm，在氧化膜表面特性吸附的阴离子的感应下，铝基体在M/0界面产生相应的正电荷，从而在膜内形成强大的内建电场。在电场力的驱动下， Cl-容易通过晶格缺陷到达金属界面从而破坏钝化形成点蚀，当然钝化也在进行，二者相互竞争，但在外加电流维持了孔底的溶解，使得钝化难以进行，即溶解占绝对优势。与此相反，孔壁的钝化过程强于溶解过程，这个钝化过程得益于孔底溶解而保护壁面。而在硝酸溶液中光箔与发孔箔的阳极极化曲线均呈现出完全阳极钝化的特征，不发生点蚀。本专利主要通过优化盐酸与硝酸浓度比例、扩孔时间占比和温度等参数的调整，可以有效的在混酸扩孔过程中使溶解和钝化达到一定的平衡，以提高扩孔效率，从而有效地增加电子铝箔的表面积，提高了电子铝箔的比容，改善了电子铝箔的外观。
本发明具备以下良好效果：
（1）本发明将一级发孔腐蚀后的铝箔经过二级和三级的混酸扩孔腐蚀，充分利用了盐酸和硝酸的各自特性进行共同扩孔，可以弥补单一酸扩孔腐蚀存在的不足，铝箔的520 Vt比容为0.750～0.799 uF/cm2，比单一酸体系扩孔腐蚀的铝箔的比容提高1.57-3.03%，375Vt比容为1.265～1.293 uF/cm2，比单一酸体系扩孔腐蚀的铝箔的比容提高1.59-3.60%。
（2）本发明的铝箔弯曲强度为60～70.5回，比单一酸体系扩孔腐蚀的铝箔的弯曲强度提高6-12回。
（3）硝酸价格较盐酸价格高约4倍，本发明的混酸扩孔方法使用盐酸代替部分硝酸进行扩孔，能有效降低腐蚀酸液成本。
（4）本发明工艺简单、成本较低、铝箔质量优良，适合工业化推广。
具体实施方式
以下结合实施例和描述本发明一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，这些描述并不是对本发明内容作进一步的限定。
实施例1
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔放在温度为75℃，含有质量百分比为3%盐酸和35%硫酸的混合溶液中浸泡90 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为80℃，含有质量百分比为3%盐酸和35%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为600 mA/cm2的间断式脉冲电流，其间断时间为加电8 s，断电400 ms，一级发孔腐蚀总时间80 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为82℃、质量百分比为4%的盐酸和2%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.7%的十二烷基苯磺酸钠和0.4%的四聚磷酸，施加扩孔电流为150 mA/cm2，扩孔时间为330 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为75℃、质量百分比为2.5%的盐酸和6.5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.4%的十二烷基苯磺酸钠和0.7%的四聚磷酸，施加扩孔电流为180 mA/cm2A，扩孔时间为330 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为70 ℃，含有质量百分比为5%的硝酸溶液中浸泡60 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入90℃，含有质量百分比为10%的硼酸溶液中，以0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
对比例1
对比例1与实施例1的区别在于，将实施例1的步骤（3）和步骤（4）替换成如下步骤：二次扩孔腐蚀为将经一级发孔腐蚀后的铝箔放入温度为70℃，含有质量百分比为3%硝酸的溶液中，施加电流密度为250 mA/cm2的直流电进行扩孔腐蚀600s。其他步骤与实施例1相同。
实施例2
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔放在温度为75℃，含有质量百分比为6%的盐酸溶液中浸泡120 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为75～90℃，含有质量百分比为5%盐酸和30%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为800 mA/cm2的间断式脉冲电流，其间断时间为加电12 s，断电600 ms，一级发孔腐蚀总时间90 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为84℃、质量百分比为5%的盐酸溶液，并添加质量百分比为0.5%的十二烷基苯磺酸钠和质量百分比为0.5%的四聚磷酸，施加扩孔电流为120 mA/cm2，扩孔时间为360 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为68℃、质量百分比为10%的硝酸溶液中，并添加质量百分比为0.75%的十二烷基苯磺酸钠和质量百分比为0.5%的四聚磷酸，施加扩孔电流为200 mA/cm2A，扩孔时间为300 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为75 ℃，含有质量百分比为6%的硝酸溶液中浸泡30 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入80℃，含有质量百分比为5%的硼酸溶液中，以0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
对比例2
对比例2与实施例2的区别在于，将实施例2的步骤（3）和步骤（4）替换成如下步骤：二次扩孔腐蚀为将经一级发孔腐蚀后的铝箔放入温度为85℃，含有质量百分比为6%盐酸的溶液中，施加电流密度为180 mA/cm2的直流电进行扩孔腐蚀660s。其他步骤与实施例2相同。
实施例3
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔放在温度为65℃，含有质量百分比为2%盐酸和35%硫酸的混合溶液中浸泡30 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为75℃，含有质量百分比为1%盐酸和50%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为1000 mA/cm2的间断式脉冲电流，其间断时间为加电2 s，断电1000 ms，一级发孔腐蚀总时间30 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为68℃、质量百分比为10%的硝酸溶液中，并添加质量百分比为0.75%的十二烷基苯磺酸钠，施加扩孔电流为200 mA/cm2，扩孔时间为300 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为80℃、质量百分比为5%的盐酸溶液中，并添加质量百分比为0.5%的十二烷基苯磺酸钠，施加扩孔电流为120 mA/cm2A，扩孔时间为360 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为75 ℃，含有质量百分比为3%的硝酸溶液中浸泡30 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入90℃，含有质量百分比为15%的硼酸溶液中，以0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
对比例3
对比例3与实施例3的区别在于，将实施例3的步骤（3）和步骤（4）替换成如下步骤：二次扩孔腐蚀为将经一级发孔腐蚀后的铝箔放入温度为70℃，含有质量百分比为10%盐酸的溶液中，施加电流密度为150 mA/cm2的直流电进行扩孔腐蚀660s。其他步骤与实施例3相同。
实施例4
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔放在温度为65℃，含有质量百分比为10%的盐酸溶液中浸泡120 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为75℃，含有质量百分比为10%盐酸和20%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为200 mA/cm2的间断式脉冲电流，其间断时间为加电2 s，断电200 ms，一级发孔腐蚀总时间30 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为60℃、质量百分比为4%的盐酸与质量百分比为2.5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.7%的十二烷基苯磺酸钠、质量百分比为0.4%的四聚磷酸、质量百分比为0.1%的硫脲，施加扩孔电流为25mA/cm2，扩孔时间为600 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为60℃、质量百分比为2%的盐酸与质量百分比为8%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.4%的十二烷基苯磺酸钠、质量百分比为0.7%的四聚磷酸、质量百分比为0.1%的咪唑啉，施加扩孔电流为25 mA/cm2A，扩孔时间为660 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为65 ℃，含有质量百分比为8%的硝酸溶液中浸泡30 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入85℃，含有质量百分比为10%的硼酸溶液中，以0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
对比例4
对比例4与实施例4的区别在于，将实施例4的步骤（3）和步骤（4）替换成如下步骤：二次扩孔腐蚀为将经一级发孔腐蚀后的铝箔放入温度为85℃，含有质量百分比为8%硝酸的溶液中，施加电流密度为200 mA/cm2的直流电进行扩孔腐蚀600s。其他步骤与实施例4相同。
实施例5
一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔放在温度为85℃，含有质量百分比为5%的盐酸溶液中浸泡120 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为90℃，含有质量百分比为6%盐酸和40%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为1000 mA/cm2的间断式脉冲电流，其间断时间为加电20 s，断电1000 ms，一级发孔腐蚀总时间120 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为90℃、质量百分比为4.5%的盐酸与质量百分比为1.5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.7%的十二烷基苯磺酸钠、质量百分比为0.4%的四聚磷酸、质量百分比为0.1%的咪唑啉，施加扩孔电流为300 mA/cm2，扩孔时间为30 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为80℃、质量百分比为3%的盐酸与质量百分比为5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.4%的十二烷基苯磺酸钠、质量百分比为0.7%的四聚磷酸、质量百分比为0.1%的硫脲，施加扩孔电流为300 mA/cm2A，扩孔时间为30 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为75 ℃，含有质量百分比为5%的硝酸溶液中浸泡60 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入90℃，含有质量百分比为10%的硼酸溶液中，以0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
对比例5
对比例5与实施例5的区别在于，将实施例5的步骤（3）和步骤（4）替换成如下步骤：二次扩孔腐蚀为将经一级发孔腐蚀后的铝箔放入温度为75℃，含有质量百分比为3%硝酸的溶液中，施加电流密度为250 mA/cm2的直流电进行扩孔腐蚀660s。其他步骤与实施例5相同。
实施例与对比例得到的铝箔性能对比如表1所示：
表1 不同腐蚀方法的铝箔性能
从表1可以看出，实施例得到的铝箔比对比例得到的铝箔其520Vt比容提高1.57-3.03%，375Vt比容提高1.59-3.60%，折曲强度提高6-12回，因此，本发明的混酸扩孔腐蚀工艺比传统的单一酸体系腐蚀更有利于提高铝箔的电学性能和物理性能。

Claims (9)

1.一种铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）前处理：将铝箔放在温度为65-85℃，含有质量百分比为2%-5%盐酸和30%-35%硫酸的混合溶液或质量百分比为5%-10%的盐酸溶液中浸泡30～120 s；
（2）一级发孔腐蚀：将前处理过的铝箔放在温度为75～90℃，含有质量百分比为1%～10%盐酸和20%～50%硫酸的混合溶液中，施加电流密度为200～1000 mA/cm2的间断式脉冲电流，一级发孔腐蚀总时间30～120 s；
（3）二级扩孔腐蚀：将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为60～90℃、质量百分比为5～10%的酸溶液中，所述酸溶液为盐酸或硝酸溶液，或盐酸与硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为1.0~1.25%的缓蚀剂，施加扩孔电流为25～300 mA/cm2，扩孔时间为30～600 s；
（4）三级扩孔腐蚀：把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为60～80℃、质量百分比为5～10%的酸溶液中，所述酸溶液为盐酸或硝酸溶液，或盐酸与硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为1.0~1.25%的缓蚀剂，施加扩孔电流为25～300 mA/cm2A，扩孔时间为30～660 s；
（5）后处理：将三级扩孔腐蚀后的铝箔放入温度为65~75 ℃，含有质量百分比为3~8%的硝酸溶液中浸泡30~90 s；
（6）化成处理：将后处理过的铝箔放入80-90℃，含有质量百分比为5-15%的硼酸溶液中，以 0.05A/cm2、Vfe=520V或0.05A/cm2、Vfe=375V进行化成。
2.根据权利要求1所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（1）中所述的铝箔为铝含量≥99.99%、{100}面占有率≥95.6%、厚度为125 um的软态铝箔。
3.根据权利要求1所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（2）中所述的间断式脉冲电流其间断时间为加电2～20 s，断电200～1000 ms。
4.根据权利要求1所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（3）中所述的酸溶液为盐酸溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为硝酸溶液。
5.根据权利要求1所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（3）中所述的酸溶液为硝酸溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为盐酸溶液。
6.根据权利要求1所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（3）中所述的酸溶液为盐酸与硝酸混合溶液，步骤（4）中所述的酸溶液为盐酸与硝酸混合溶液。
7.根据权利要求1或6所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（3）和步骤（4）中所述的缓蚀剂为十二烷基苯磺酸钠、四聚磷酸、硫脲或咪唑啉中的任一种或两种及两种以上的组合。
8.根据权利要求7所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（3）中将一级发孔腐蚀后的铝箔用纯水洗净，放入温度为82℃、质量百分比为4%的盐酸和2%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.7%的十二烷基苯磺酸钠和0.4%的四聚磷酸，施加扩孔电流为150 mA/cm2，扩孔时间为330 s。
9.根据权利要求7所述的铝电解中高压阳极箔混酸扩孔腐蚀方法，其特征在于，步骤（4）中把经过二级扩孔腐蚀的铝箔用纯水洗净，放入温度为75℃、质量百分比为2.5%的盐酸和6.5%的硝酸混合溶液中，并添加质量百分比为0.4%的十二烷基苯磺酸钠和0.7%的四聚磷酸，施加扩孔电流为180 mA/cm2A，扩孔时间为330 s。
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