CN108531880B - 一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，包括机体、安装架和支撑杆，所述机体的顶部固定有气缸，且气缸的一端连接有推杆，所述推杆上安装有固定箱，且固定箱位于机体内，所述固定箱内设置有电机，所述安装架安装于沉积板内，所述夹块的内侧安装有弹簧，且弹簧的一端连接有卡块，所述支撑杆固定于沉积板的一侧，且支撑杆上安装有滑块，所述机体的内侧开设有凹槽，且凹槽内连接有滑块，所述机体内固定有靶材，且靶材位于沉积板的一侧。该多晶硅薄膜低温物理气相沉积用固定装置，通过设置的气缸和电机，使得多晶硅薄膜的沉积更均匀，可以进行双面沉积，同时可以同时处理多个多晶硅薄膜，提高了沉积效率。
Description
技术领域
本发明涉及物理气相沉积技术领域，具体为一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置。
背景技术
物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源，固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。
然而现有的物理气相沉积装置，不能同时处理多个沉积材料，根据不同材料的大小，固定起来比较麻烦，不能对材料进行双面沉积。针对上述问题，急需在原有物理气相沉积的基础上进行创新设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，以解决上述背景技术提出现有的物理气相沉积装置，不能同时处理多个沉积材料，根据不同材料的大小，固定起来比较麻烦，不能对材料进行双面沉积的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，包括机体、安装架和支撑杆，所述机体的顶部固定有气缸，且气缸的一端连接有推杆，所述推杆上安装有固定箱，且固定箱位于机体内，所述固定箱内设置有电机，且电机的一端固定有沉积板，并且沉积板位于固定箱的外侧，所述安装架安装于沉积板内，且安装架的内侧设置有伸缩杆，并且伸缩杆的顶端固定有夹块，所述夹块的内侧安装有弹簧，且弹簧的一端连接有卡块，所述支撑杆固定于沉积板的一侧，且支撑杆上安装有滑块，并且支撑杆与滑块的连接处设置有轴承，所述机体的内侧开设有凹槽，且凹槽内连接有滑块，所述机体内固定有靶材，且靶材位于沉积板的一侧。
优选的，所述气缸与推杆构成伸缩结构，且气缸与固定箱之间的最远距离小于沉积板的底部到机体的顶部之间的距离。
优选的，所述电机与沉积板之间构成旋转结构，且沉积板的长度小于电机与靶材之间的水平距离。
优选的，所述伸缩杆设置有4组，且伸缩杆每组个数为4个，并且伸缩杆关于安装架对角分布。
优选的，所述夹块为“凹”字型结构设计，且夹块的边侧与弹簧之间相互垂直，并且夹块的边侧与靶材之间相互平行。
优选的，所述滑块设计为“T”字型结构，且滑块与凹槽之间吻合连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该多晶硅薄膜低温物理气相沉积用固定装置，设置有沉积板，沉积板内安装有四个安装架，可以同时固定四个多晶硅薄膜，提高了该装置的工作效率，同时安装架内设置的四个对角分布的伸缩杆，可以对多晶硅薄膜的四个边角进行固定，同时可以根据多晶硅薄膜的大小调节伸缩杆和弹簧的位置，方便卡块固定住不同大小的多晶硅薄膜，通过设置的气缸，带动沉积板在机体内上下运行，使得多晶硅薄膜单面的沉积更均匀，同时设置的电机，可以使得多晶硅薄膜的双面均可以受到沉积，避免了需要重复调整多晶硅薄膜的位置，提高了工作效率，通过设置的支撑杆和滑块，使得沉积板在上下运行和旋转的同时更具稳固性。
附图说明
图1为本发明正面结构示意图；
图2为本发明侧面结构示意图；
图3为本发明安装架结构示意图；
图4为本发明夹块结构示意图；
图5为本发明支撑杆安装结构示意图；
图6为本发明滑块安装结构示意图。
图中：1、机体；2、气缸；3、推杆；4、固定箱；5、电机；6、沉积板；7、安装架；8、伸缩杆；9、夹块；10、弹簧；11、卡块；12、支撑杆；13、滑块；14、轴承；15、凹槽；16、靶材。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6，本发明提供一种技术方案：一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，包括机体1、气缸2、推杆3、固定箱4、电机5、沉积板6、安装架7、伸缩杆8、夹块9、弹簧10、卡块11、支撑杆12、滑块13、轴承14、凹槽15和靶材16，机体1的顶部固定有气缸2，且气缸2的一端连接有推杆3，推杆3上安装有固定箱4，且固定箱4位于机体1内，固定箱4内设置有电机5，且电机5的一端固定有沉积板6，并且沉积板6位于固定箱4的外侧，安装架7安装于沉积板6内，且安装架7的内侧设置有伸缩杆8，并且伸缩杆8的顶端固定有夹块9，夹块9的内侧安装有弹簧10，且弹簧10的一端连接有卡块11，支撑杆12固定于沉积板6的一侧，且支撑杆12上安装有滑块13，并且支撑杆12与滑块13的连接处设置有轴承14，机体1的内侧开设有凹槽15，且凹槽15内连接有滑块13，机体1内固定有靶材16，且靶材16位于沉积板6的一侧，
气缸2与推杆3构成伸缩结构，且气缸2与固定箱4之间的最远距离小于沉积板6的底部到机体1的顶部之间的距离，通过气缸2与推杆3的伸缩结构，使得沉积板6上安装的4个多晶硅薄膜可以均匀的受到靶材16的气相沉积，
电机5与沉积板6之间构成旋转结构，且沉积板6的长度小于电机5与靶材16之间的水平距离，通过电机5与沉积板6的旋转结构，使得沉积板6上安装的4个多晶硅薄膜的双面都可以受到靶材16的气相沉积，
伸缩杆8设置有4组，且伸缩杆8每组个数为4个，并且伸缩杆8关于安装架7对角分布，使得该固定装置可以同时固定4个多晶硅薄膜，同时通过设置的4个对角分布的伸缩杆8，方便将多晶硅薄膜固定住，同时可根据不同大小的多晶硅薄膜进行调节，
夹块9为“凹”字型结构设计，且夹块9的边侧与弹簧10之间相互垂直，并且夹块9的边侧与靶材16之间相互平行，使得靶材16可以正面喷至固定在夹块9内的多晶硅薄膜，
滑块13设计为“T”字型结构，且滑块13与凹槽15之间吻合连接，通过设置的滑块13和凹槽15，使得沉积板6在旋转时得到固定。
工作原理：在使用该多晶硅薄膜低温物理气相沉积用固定装置时，首先将需要气相沉积的4个多晶硅薄膜放置在沉积板6的安装架7内，根据多晶硅薄膜的大小调节伸缩杆8和弹簧10的位置，使得多晶硅薄膜的四角被夹紧，然后启动气缸2，通过推杆3带动固定箱4上下运行，使得沉积板6上下运动，同时沉积板6一端连接的支撑杆12和滑块13在凹槽15内上下运动，保持了沉积板6的稳定性，通过靶材16对多晶硅薄膜进行气相沉积，使得4个多晶硅薄膜的一面沉积更均匀，然后启动电机5，带动沉积板6的转动，同时沉积板6上连接的支撑杆12通过轴承14在滑块13上转动，使得多晶硅薄膜的双面都可以得到沉积，同时当多晶硅薄膜沉积完成后，直接将多晶硅薄膜从卡块11指间拿出，方便快捷。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，包括机体（1）、安装架（7）和支撑杆（12），其特征在于：所述机体（1）的顶部固定有气缸（2），且气缸（2）的一端连接有推杆（3），所述推杆（3）上安装有固定箱（4），且固定箱（4）位于机体（1）内，所述固定箱（4）内设置有电机（5），且电机（5）的一端固定有沉积板（6），并且沉积板（6）位于固定箱（4）的外侧，沉积板（6）内安装有四个安装架（7）；所述安装架（7）安装于沉积板（6）内，且安装架（7）的内侧设置有伸缩杆（8），并且伸缩杆（8）的顶端固定有夹块（9），所述夹块（9）的内侧安装有弹簧（10），且弹簧（10）的一端连接有卡块（11），所述支撑杆（12）固定于沉积板（6）的一侧，且支撑杆（12）上安装有滑块（13），并且支撑杆（12）与滑块（13）的连接处设置有轴承（14），所述机体（1）的内侧开设有凹槽（15），且凹槽（15）内连接有滑块（13），所述机体（1）内固定有靶材（16），且靶材（16）位于沉积板（6）的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，其特征在于：所述气缸（2）与推杆（3）构成伸缩结构，且气缸（2）与固定箱（4）之间的最远距离小于沉积板（6）的底部到机体（1）的顶部之间的距离。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，其特征在于：所述电机（5）与沉积板（6）之间构成旋转结构，且沉积板（6）的长度小于电机（5）与靶材（16）之间的水平距离。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，其特征在于：所述伸缩杆（8）设置有4组，且伸缩杆（8）每组个数为4个，并且伸缩杆（8）关于安装架（7）对角分布。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，其特征在于：所述夹块（9）为“凹”字型结构设计，且夹块（9）的边侧与弹簧（10）之间相互垂直，并且夹块（9）的边侧与靶材（16）之间相互平行。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，其特征在于：所述滑块（13）设计为“T”字型结构，且滑块（13）与凹槽（15）之间吻合连接。
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