CN108474985B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的液晶显示面板(100)具有用于保持第一基板(10)与第二基板(30)之间的间隙的多个间隔物。多个间隔物包含位于显示区域的多个第一间隔物和位于非显示区域的多个第二间隔物(55)。第一基板具有：第一金属层(12)以及第二金属层(16)；形成于第二金属层上；与第二金属层直接接触的第一透明导电层(22)；形成于第一透明导电层上的第二无机绝缘层(23)；形成于第二无机绝缘层上的有机绝缘层(25)。从第一基板的法线方向观察时，多个间隔物的每一个与第一透明导电层以及第二无机绝缘层重叠，与第一金属层和/或第二金属层重叠，多个间隔物的每一个包含有机绝缘层的一部分。

Description

液晶显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示面板及其制造方法。
背景技术
有源矩阵型液晶显示面板一般具备：有源矩阵基板、与有源矩阵基板相对配置的相对基板以及设置于二基板之间的液晶层。有源矩阵基板，各像素均具有开关元件、例如薄膜晶体管(TFT)。液晶显示面板的显示区域由有源矩阵基板所具有的多个像素划定。显示区域的周边的非显示区域(也称为“边框区域”。)安装有或单片地形成驱动电路等。
作为具有广视角特性的有源矩阵型液晶显示面板，例如，利用了横向电场模式的液晶显示面板、利用了VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式的液晶显示面板被广泛使用。
横向电场模式的液晶显示面板中存在例如，IPS(In-Plane Switching,平面开关)模式的液晶显示面板、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式的液晶显示面板。横向电场模式的液晶显示面板利用被施加于形成于有源矩阵基板的像素电极和公共电极(也称为“相对电极”。)的电压，在液晶层中产生与基板面平行方向(横方向)的电场。作为纵向电场模式的液晶显示面板的VA模式液晶显示面板，利用被施加于隔着液晶层而相对配置的像素电极与相对电极的电压，在液晶层中产生与基板面垂直方向(纵方向)的电场。在VA模式的液晶显示面板中存在，例如，一个像素中形成有液晶分子的取向方向彼此不同的多个畴的MVA(Multidomain Vertical Alignment，多畴垂直取向)模式的液晶显示面板、以形成于像素的中心部的电极上的铆钉等为中心使液晶分子的取向方向连续地变化的CPA(Continuous Pinwheel Alignment，连续焰火排列)模式的液晶显示面板。
一般地，液晶显示面板的液晶层的厚度(也称为“单元厚度”。)由配置于有源矩阵基板与相对基板之间的间隔物来规定。间隔物不仅配置于显示区域内，有时还配置于非显示区域内。另外，也存在贴合有源矩阵基板与相对基板的密封材中混入间隔物(粒状间隔物)的情况。
随着液晶显示面板的高清晰度，使用光刻工序，在预先决定的位置形成间隔物的方法被广泛采用。这样形成的间隔物被称为感光间隔物(有时略称为“PS”。)。
间隔物多被形成于相对基板(彩色滤光片基板)，但有时也被设置于有源矩阵基板。
专利文献1的第40图的液晶显示面板为FFS模式的液晶显示面板，间隔物对应各像素配置。每一间隔物从垂直于基板面的方向观察时，以与栅极总线重叠的方式被形成于有源矩阵基板上。通过在相对于各像素相同位置形成每一间隔物，容易将间隔物的高度控制为固定。这是由于有源矩阵基板例如，在玻璃基板的表面具有TFT、栅极总线、源极总线，因此，其表面必定不平坦，或者，用于形成感光间隔物的曝光步骤的光强度分布也不是一样的。在专利文献1中，采用使有源矩阵基板的形成公共电极之前的表面平坦化的合成树脂膜，来形成感光间隔物。专利文献1的第40图所示的液晶显示面板中，感光间隔物配置于栅极总线上的平坦区域。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第01/018597号
发明内容
发明要解决的问题
但是，根据本申请发明者的研究，在专利文献1的第40图所示的那种液晶显示面板中，在感光间隔物的附近，会发生由于液晶分子的取向的混乱而引起的显示品质的下降(例如，对比度的下降、粗糙的产生)诸如此类的问题。
了解到作为这个问题产生的原因之一，存在感光间隔物的周边的取向膜没有充分进行取向处理。存在当对取向膜实施摩擦处理以作为用于规定没有电场施加时的液晶分子的取向方向(也称为“预倾角方向”。)的取向处理时，感光间隔物的周边(特别是，摩擦方向的下游侧)的取向膜没有被充分摩擦。
另外，了解到作为原因之一，存在由于被施加于液晶显示面板的振动、来自外部的力，取向膜被部分剥离。例如，搭载于汽车、飞机等交通工具的液晶显示面板中，振动的影响显著。另外，认为在与触控面板或数字转换器组合而成的液晶显示面板中，由于利用用户手指、输入用笔从外部对液晶显示面板施加力，因而，由取向膜的部分剥离引起的取向混乱发生的可能性高。关于其详细在后面叙述。
对于由感光间隔物附近的液晶分子的取向混乱而引起的显示品质的下降之类的问题，能够通过例如以设置于相对基板的遮光层(黑矩阵)覆盖可能发生液晶分子的取向混乱的部分，来抑制显示品质的下降。但是，这种情况下由于遮光层(黑矩阵)的面积比以往大，因此液晶显示面板的开口率低下。
本发明为了解决上述问题而成，其目的在于不使液晶显示面板的开口率下降，抑制由感光间隔物附近的液晶分子的取向混乱引起的显示品质的下降。
解决问题的方法
本发明的实施方式的液晶显示面板具有：第一基板、第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、用于保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个间隔物，所述第一基板具有：第一透明基板；形成于所述第一透明基板上，且分别具有栅极电极、半导体层、源极电极以及漏极电极的多个TFT；与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的一个连接的、包括所述第一金属层的一部分的多条第一布线；与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的另一个连接的、包括所述第二金属层的一部分的多条第二布线；形成于所述第二金属层上的无机绝缘层；形成于所述无机绝缘层下的第一透明导电层；形成于所述无机绝缘层上的第二透明导电层；形成于所述无机绝缘层上的有机绝缘层，所述多个间隔物分别与所述多个TFT的所述源极电极以及所述漏极电极的至少一个重叠，所述多个间隔物的每一个均包含所述有机绝缘层的一部分。
在某实施方式中，所述液晶显示面板具有多个像素开口部，所述多个像素开口部的每一个包含所述第一透明导电层、所述无机绝缘层以及所述第二透明导电层，且包括不包含所述有机绝缘层的层叠结构。
在某实施方式中，所述第二透明导电层的一部分形成在所述有机绝缘层上。
在某实施方式中，当将所述第一基板的法线方向上、从所述第一透明基板的所述液晶层侧的表面至所述无机绝缘层的所述液晶层侧的表面的距离作为高度时，设置有所述多个间隔物的位置的所述高度，与没有设置所述多个间隔物且具有包含所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层的层叠结构的位置的所述高度相比高。
在某实施方式中，所述有机绝缘层的一部分形成于所述多条第二布线上，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式与所述多条第二布线大致平行形成。
在某实施方式中，所述多条第二布线包括没有覆盖所述有机绝缘层的部分。
在某实施方式中，所述多个间隔物不与所述第二透明导电层重叠。
在某实施方式中，所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第一金属层和/或所述第二金属层完全重叠的间隔物。
在某实施方式中，所述第一透明导电层具有第一透明电极，所述第二透明导电层具有隔着所述无机绝缘层与所述第一透明电极相对的第二透明电极，所述第一透明电极或者所述第二透明电极的一个被连接于所述源极电极或者所述漏极电极的一个，所述第二透明电极具有至少一个狭缝。所述第二透明电极也可以具有相互平行延伸的多个狭缝。
在某实施方式中，所述第二透明电极作为公共电极发挥作用，所述第二透明电极覆盖，所述有机绝缘层内，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式形成的部分。
在某一实施方式中，所述液晶显示面板具有多个像素，所述多个像素的每一个具有由所述第一透明电极、所述无机绝缘层以及所述第二透明电极形成的辅助电容。
在某实施方式中，所述多个间隔物包括与所述无机绝缘层直接接触的间隔物。
在某实施方式中，所述多个间隔物包括规定所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个第一间隔物和比所述多个第一间隔物低的多个第二间隔物。
在某实施方式中，所述第二基板具有朝所述第一基板侧突出的多个突起状构造体，所述多个间隔物包含还包含所述多个突起状构造体的任意一个的间隔物。
在某实施方式中，所述第一基板在所述液晶层侧具有第一取向膜，所述第二基板在所述液晶层侧具有第二取向膜，由所述第一取向膜以及所述第二取向膜所规定的取向限制方向相对于所述多条第二布线延伸的方向呈超过0°但在15°以下的角度。
在某实施方式中，所述液晶层包括介电各向异性为正的向列液晶材料，且以横向电场模式工作。
本发明的其他实施方式的液晶显示面板为：具有第一基板；第二基板；设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；用于保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个间隔物；且包括具有呈矩阵状排列的多个像素的显示区域和所述显示区域周边的非显示区域的液晶显示面板，所述非显示区域包含包围所述液晶层的密封部，所述多个间隔物包括位于所述显示区域的多个第一间隔物和位于所述非显示区域的多个第二间隔物，所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中具有第一透明基板、形成于所述第一透明基板上的第一金属层、形成于所述第一金属层上的第一无机绝缘层、形成于所述第一无机绝缘层上的第二金属层、形成于所述第二金属层上且与所述第二金属层直接接触的第一透明导电层、形成于所述第一透明导电层上的第二无机绝缘层、形成于所述第二无机绝缘层上的有机绝缘层，从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一透明导电层以及所述第二无机绝缘层重叠，从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一金属层和/或所述第二金属层重叠，所述多个间隔物的每一个包括所述有机绝缘层的一部分。
在某实施方式中，所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中，还具有形成于所述第二无机绝缘层上的第二透明导电层，所述第二透明导电层的一部分形成于所述有机绝缘层上。
在某实施方式中，所述多个间隔物包括不与所述第二透明导电层重叠的间隔物。
在某一实施方式中，在所述显示区域中，当将所述第一基板的法线方向上的、从所述第一透明基板的所述液晶层侧的表面至所述第二无机绝缘层的所述液晶层侧的表面的距离作为第一高度时，设置有所述多个第一间隔物的位置的所述第一高度比，没有设置所述多个第一间隔物且具有包含所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层的层叠结构的位置的所述第一高度高。
在某实施方式中，所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，重叠所述第一金属层和/或所述第二金属层整体的间隔物。
在某实施方式中，所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，所述第一金属层以及第二金属层完全重叠的间隔物。
在某实施方式中，所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中，具有形成于所述第二金属层下的半导体层，所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第二金属层以及所述半导体层重叠的间隔物。
在某实施方式中，所述多个第二间隔物包括被所述密封部覆盖的第二间隔物。
在某实施方式中，所述多个第二间隔物包括位于所述密封部内侧的第二间隔物。
在某实施方式中，所述多个第二间隔物包括被所述密封部覆盖的第二间隔物以及位于所述密封部内侧的第二间隔物，当将所述第一基板的法线方向上的、从所述第一透明基板的所述液晶层侧的表面至所述有机绝缘层的所述液晶层侧的表面的距离作为第二高度时，设置有被所述密封部覆盖的第二间隔物的位置的所述第二高度与设置有位于所述密封部内侧的第二间隔物的位置的所述第二高度彼此几乎相等。
在某实施方式中，所述第一基板在所述显示区域中，具有：形成于所述第一透明基板上的多个TFT，且分别具有栅极电极、半导体层、源极电极以及漏极电极；与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的一个连接的、包括所述第一金属层的一部分的多条第一布线；与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的另一个连接的、包括所述第二金属层的一部分的多条第二布线；所述多个第一间隔物分别与所述多个TFT的所述源极电极以及所述漏极电极的至少一个重叠。
在某实施方式中，在所述显示区域中，所述有机绝缘层的一部分形成于所述多条第二布线上，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式与所述多条第二布线几乎平行形成。
在某实施方式中，所述第二透明导电层的一部分覆盖以下部分，即，在所述有机绝缘层内，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式形成的部分。
在某实施方式中，所述第一透明导电层具有第一透明电极，所述第二透明导电层具有隔着所述第二无机绝缘层与所述第一透明电极相对的第二透明电极，所述第一透明电极或者所述第二透明电极的一个被连接于所述源极电极或者所述漏极电极的一个，所述第二透明电极具有至少一个狭缝。
在某实施方式中，所述第一基板在所述非显示区域中具有第一干线和第二干线，所述第一干线与所述第一透明电极或所述第二透明电极连接，包括所述第一金属层的一部分，所述第二干线与所述第一透明电极或所述第二透明电极连接，包含所述第二金属层的一部分，所述多个第二间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第一干线和/或所述第二干线重叠的第二间隔物。
在某实施方式中，所述第二基板具有朝所述第一基板侧突出的多个突起状构造体，所述多个间隔物包含还包含所述多个突起状构造体的任意一个的间隔物。
本发明的实施方式的液晶显示面板的制造方法为具有：第一基板、第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、用于保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个间隔物的液晶显示面板的制造方法，所述第一基板具有：透明基板；形成于所述透明基板上的多个TFT，且分别具有栅极电极、半导体层、源极电极以及漏极电极的多个TFT；所述液晶显示面板的制造方法包括：在所述透明基板上形成包含所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的一个和连接于所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的所述一个的多条第一布线的第一金属层的步骤(a)；在所述第一金属层上形成第一无机绝缘层的步骤(b)；在所述第一无机绝缘层上，形成包含所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的另一个和连接于所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的所述另一个的多条第二布线的第二金属层的步骤(c)；在所述第一无机绝缘层上形成第一透明导电层的步骤(d)；在所述第一透明导电层上形成第二无机绝缘层的步骤(e)；在所述第二无机绝缘层上形成有机绝缘层的步骤(f)，在所述步骤(f)中形成的所述有机绝缘层包括所述多个间隔物，从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一透明导电层以及所述第二无机绝缘层重叠，从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一金属层和/或所述第二金属层重叠。
在某实施方式中，在所述步骤(c)中形成的所述第二金属层包括：所述多个TFT的所述源极电极以及所述漏极电极、与所述多个TFT的所述源极电极连接的多条源极总线，在所述步骤(d)中形成的所述第一透明导电层形成于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触；所述步骤(c)以及所述步骤(d)包含：在所述第一无机绝缘层上形成导电膜的步骤(g1)、在所述导电膜上形成与所述导电膜直接接触的透明导电膜的步骤(g2)、在所述透明导电膜上形成抗蚀膜、对所述抗蚀膜曝光、显影从而形成抗蚀层的步骤(g3)、通过将所述抗蚀层作为掩膜蚀刻所述导电膜以及所述透明导电膜，获得所述第二金属层以及所述第一透明导电层的步骤(g4)。
在某实施方式中，还包括在所述第二无机绝缘层上形成第二透明导电层的步骤(h)，在所述步骤(h)中形成的所述第二透明导电层的一部分形成在所述有机绝缘层上。
在某实施方式中，所述多个间隔物包括不与在所述步骤(h)中形成的所述第二透明导电层重叠的间隔物。
根据本实施方式，能够不使液晶显示面板的开口率下降，而抑制由感光间隔物附近的液晶分子的取向混乱而引起的显示品质的下降。
附图说明
[图1]示意性地示出本发明的实施方式一的液晶显示面板100的俯视图。
[图2]示意性地示出液晶显示面板100的显示区域的结构的俯视图。
[图3](a)和(b)分别为表示沿图2中的3A-3A’线以及3B-3B’线的液晶显示面板100的显示区域的剖面结构的图。
[图4](a)～(d)为有源矩阵基板10的俯视图，(a)为示出栅极电极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的图，(b)为示出在(a)的基础上加上第一透明导电层22的图，(c)为示出在(b)的基础上加上有机绝缘层25的图，(d)为示出在(c)的基础上加上第二透明导电层26的图。
[图5]相对基板30的俯视图，示出遮光层(黑矩阵)32的图。
[图6]示意性地示出对比例一的液晶显示面板900A的显示区域的结构的俯视图。
[图7]示意性地示出沿图6中的7A-7A’线的对比例一的液晶显示面板900A的显示区域的剖面结构的图。
[图8]示意性地示出液晶显示面板100的改变例的液晶显示面板100A的显示区域的结构的俯视图。
[图9]液晶显示面板100A的相对基板30的俯视图，示出遮光层(黑矩阵)32的图。
[图10]示意性地示出本发明的实施方式二的液晶显示面板200的的显示区域的结构的俯视图。
[图11](a)和(b)分别为表示沿图10中的11A-11A’线以及11B-11B’线的液晶显示面板200的显示区域的剖面结构的图。
[图12]示意性地示出对比例的液晶显示面板900B的显示区域的结构的俯视图。
[图13]示意性地示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200A的显示区域的结构的俯视图。
[图14]示意性地示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200B的显示区域的结构的俯视图。
[图15]示意性地示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200C的显示区域的结构的俯视图。
[图16]示意性地示出本发明的实施方式三的液晶显示面板300的显示区域的结构的俯视图。
[图17]示意性地示出液晶显示面板300的改变例的液晶显示面板300A的显示区域的结构的俯视图。
[图18]示意性地示出液晶显示面板300的改变例的液晶显示面板300B的显示区域的结构的俯视图。
[图19]示意性地示出本发明的实施方式四的液晶显示面板400的显示区域的结构的俯视图。
[图20](a)和(b)分别为表示沿图19中的20A-20A’线以及20B-20B’线的液晶显示面板400的显示区域的剖面结构的图。
[图21]示意性地示出液晶显示面板400的改变例的液晶显示面板400A的显示区域的结构的俯视图。
[图22](a)和(b)分别为表示沿图21中的20A-20A’线以及20B-20B’线的液晶显示面板400A的显示区域的剖面结构的图。
[图23]示意性地示出液晶显示面板100的非显示区域的结构的俯视图。
[图24]示出沿图23中的24A-24A’线的液晶显示面板100的非显示区域的剖面结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定于以下实施方式。在以下的附图中，具有实质上相同的功能的构成要素以相同附图标记表示，有时省略其说明。
(实施方式一)
参考图1～图3，说明本发明的实施方式一的液晶显示面板100。图1是示意性地示出液晶显示面板100的俯视图。图2以及图3是示意性地示出液晶显示面板100的显示区域的结构的俯视图以及剖面图。图3(a)和(b)分别为表示沿图2中的3A-3A’线以及3B-3B’线的液晶显示面板100的显示区域的剖面结构的图。
虽然这里举例示出的液晶显示面板100是FFS模式的液晶显示面板，但实施方式的液晶显示面板并不限定于此，也能够适用于IPS模式的液晶显示面板。另外，本发明的实施方式并不限于横向电场模式。也能够适用于纵向电场模式(例如，VA模式以及TN(TwistedNematic,扭转向列)模式)的液晶显示面板。作为纵向电场模式的例子，在后面示出CPA模式的液晶显示面板的例子。
如图1所示，液晶显示面板100具有有源矩阵基板(第一基板)10、相对基板(第二基板)30以及设置于有源矩阵基板10与相对基板30之间的液晶层40(参照图3)。液晶显示面板100具有被配置为具有多行和多列的矩阵状的多个像素。例如，在7型qHD面板中，彩色显示像素由R(红)像素、G(绿)像素以及B(蓝)像素的三个颜色构成，在R像素列、G像素列、B像素列被配置为条纹状(即，每一像素列显示不同颜色)时，像素数为540行×(960×3)列。液晶显示面板100具有由多个像素划定的显示区域100d(被图1中的虚线所包围的区域)和显示区域100d的周边的非显示区域100f。液晶显示面板100还具有用于保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙的多个间隔物50(参照图3(a))。多个间隔物50可以含有设置于显示区域100d的间隔物，也可以含有设置于非显示区域100f的间隔物。非显示区域100f例如，可以包含无助于显示的虚拟像素的TFT、用于检查显示区域100d的像素等中是否存在缺陷的检查用TFT、作为静电放电保护元件设置的二端子元件(二极管)(包含TFT)、驱动TFT等。设置于非显示区域100f的间隔物可以如后述那样，以与上述TFT重叠的方式设置。
参照图2以及图3，说明液晶显示面板100的显示区域100d的结构。有源矩阵基板10具有第一透明基板(例如玻璃基板)11和形成于第一透明基板11上的多个TFT17。TFT17具有栅极电极12g、半导体层14、源极电极16s以及漏极电极16d。有源矩阵基板10的对应于液晶显示面板100的显示区域100d的区域中形成有：排列为矩阵状的像素电极22a，漏极电极16d被连接于各像素电极22a的TFT17，分别连接于各TFT17的栅极电极12g的多条栅极总线G，以及分别连接于各TFT17的源极电极16s的多条源极总线S。栅极总线G被从栅极驱动器(栅极用驱动电路)62供给栅极信号电压(扫描信号电压)，源极总线S被从源极驱动器(源极用驱动电路)65供给源极信号电压(显示信号电压)。如图1所示，栅极驱动器62以及源极驱动器65例如，设置于液晶显示面板100的非显示区域100f。栅极驱动器62以及源极驱动器65例如，利用COG(芯片在玻璃上)安装于有源矩阵基板10。液晶显示面板100的非显示区域100f可以包括利用COG安装的驱动器。并不限于此，栅极驱动器62和/或源极驱动器65可以例如，利用COF(芯片在薄膜上)安装于有源矩阵基板10。液晶显示面板100的非显示区域100f可以包含于有源矩阵基板10。
如图3(a)以及(b)所示，有源矩阵基板10具有栅极金属层(第一金属层)12、栅极绝缘层13、半导体层14、源极金属层(第二金属层)16、第一透明导电层22、无机绝缘层23、有机绝缘层25以及第二透明导电层26。有源矩阵基板10在液晶层40侧还具有第一取向膜27。多个间隔物50的每一个均包含有机绝缘层25的一部分。多个间隔物50的每一个与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠。
以下，一并参照图4以及图5，关于有源矩阵基板10以及相对基板30的结构进行更具体的说明。图4(a)～(d)为有源矩阵基板10的俯视图，图4(a)为示出栅极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的图，图4(b)为示出在图4(a)的基础上加上第一透明导电层22的图，如图4(c)为示出在图4(b)的基础上加上有机绝缘层25的图，图4(d)为示出在图4(c)的基础上加上第二透明导电层26的图。图4(a)是在栅极金属层12以及源极金属层16打上阴影的图，图4(b)是在第一透明导电层22打上阴影的图，图4(c)是在有机绝缘层25打上阴影的图，图4(d)是在第二透明导电层26打上阴影的图。图5是相对基板30的俯视图，示出遮光层(黑矩阵)32的图。
栅极金属层(第一金属层)12设置于第一透明基板11上。栅极金属层(第一金属层)12包括TFT17的栅极电极12g以及多条栅极总线(多条第一布线)G。栅极金属层12可以是单层结构，也可以是多层所层叠的层叠结构。栅极金属层12至少包含由金属材料构成的层。栅极金属层12为层叠结构时，一部分层可以由金属氮化物、金属氧化物形成。
此外，本说明书中，所谓栅极金属层(第一金属层)12是包含通过将形成栅极电极12g以及栅极总线G的导电膜图案化从而形成的电极、布线以及端子等的层。即，栅极金属层12的图案在栅极电极12g以及栅极总线G基础上，包含通过将形成它们的导电膜图案化从而形成的电极、布线以及端子等。同样地，源极金属层(第二金属层)16是包含通过将形成源极电极16s、漏极电极16d以及源极总线S的导电膜图案化从而形成的电极、布线以及端子等的层，且有时除源极电极16s、漏极电极16d以及源极总线S之外，例如包括用于连接漏极电极16d和像素电极22a的漏极引线等。即，源极金属层16(的图案在源极电极16s、漏极电极16d以及源极总线S基础上，包含通过将形成它们的导电膜图案化从而形成的电极、布线以及端子(例如，漏极引线)等。
栅极绝缘层13设置于栅极金属层12上。也就是说，栅极绝缘层13以覆盖栅极电极12g以及栅极总线G的方式形成。栅极绝缘层13由无机绝缘材料形成。
半导体层14设置于栅极绝缘层13上，包括TFT17活性层。TFT17活性层包括沟道区域14i。半导体层14可以具有包含本征半导体层(例如非晶硅层)、与通过向半导体中掺杂杂质从而使其低电阻化的半导体层(例如，掺杂了磷的n+非晶硅层)的层叠结构。但是，沟道区域14i不具有掺杂了杂质的半导体层。掺杂了杂质的半导体层例如形成于沟道区域14i之外的部分。掺杂了杂质的半导体层优选设置于TFT17的活性层内、源极区域以及漏极区域。掺杂了杂质的半导体层的一部分有时也设置于源极总线S之下。此时，掺杂了杂质的半导体层的一部分作为源极总线发挥作用。
源极金属层(第二金属层)16设置于半导体层14上。源极金属层(第二金属层)16包括TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d、多条源极总线(多条第二布线)S。源极金属层16可以是单层结构，也可以是多层所层叠的层叠结构。源极金属层16至少包含由金属材料构成的层。源极金属层16为层叠结构时，一部分层可以由金属氮化物、金属氧化物形成。包括由金属材料所形成的层的栅极金属层12以及源极金属层16，通常，由于比由透明导电材料所形成的导电层的导电性高，因此，可以使其布线宽度窄，能够有助于高清晰度以及像素开口率的提高。
第一透明导电层22设置于源极金属层16上。第一透明导电层22由透明导电材料所形成。第一透明导电层22包括电性连接于TFT17的漏极电极16d的第一透明电极22a。电性连接于漏极电极16d的第一透明电极22a作为像素电极发挥作用。像素电极22a例如与漏极电极16d直接接触。第一透明导电层22与源极金属层16可以直接接触。此处，所谓“第一透明导电层22与源极金属层16直接接触”是指第一透明导电层22与源极金属层16之间不存在绝缘层。像素电极22a与漏极电极16d之间不存在绝缘层的情况下，能够将像素电极22a与漏极电极16d电性连接，无需进行形成绝缘层的步骤和在绝缘层开设接触孔的步骤。TFT17以及像素电极22a，根据每一像素一一设置(也就是说每一像素包含TFT17以及像素电极22a)。
无机绝缘层23设置于半导体层14、源极金属层16以及第一透明导电层22之上。即，第一透明导电层22形成于无机绝缘层23之下。
第二透明导电层26形成于无机绝缘层23之上。第二透明导电层26包括没有电性连接于像素电极22a的第二透明电极26a。第二透明电极26a作为公共电极发挥作用。公共电极26a介由无机绝缘层23与像素电极22a相对，像素电极22a、公共电极26a以及位于其间的无机绝缘层23构成辅助电容。辅助电容由于与液晶电容(由像素电极22a、公共电极26a以及液晶层40所形成的电容)电性连接(并联连接)，利用辅助电容能够获得保持液晶电容的效果。像素电极22a以及公共电极26a构成使液晶层40中产生横向电场的电极对。公共电极26a具有相互平行延伸的多个狭缝26as。此外，像素电极22a与公共电极26a的配置关系也可以相反。即，也可以是第一透明电极22a作为公共电极发挥作用，第二透明电极26a作为像素电极发挥作用。这种情况下，像素电极26a具有多个狭缝。此处，第二透明电极26a(公共电极26a或者像素电极26a)所具有的狭缝的数量，也可以不是每一像素中具有多个，只要是每一像素中具有至少一个即可。
有机绝缘层25形成于无机绝缘层23之上。有机绝缘层25也可以与无机绝缘层23直接接触。有机绝缘层25的一部分构成间隔物50。即，多个间隔物50的每一个均包含有机绝缘层25的一部分。多个间隔物50也可以包含与无机绝缘层23直接接触的间隔物50。间隔物50为了保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙而设置。
多个间隔物50例如可以含有规定有源矩阵基板10与相对基板30之间的距离的第一间隔物51和比第一间隔物51低的第二间隔物52。换言之，第一间隔物51控制液晶层40的厚度(有时也称为“单元间隙”。)。第一间隔物51有时被称为“主间隔物”，相对地，第二间隔物52有时被称为“副间隔物”。典型地，第一间隔物51与相对基板30接触，第二间隔物52不与相对基板30接触。但是，第一间隔物51也并非与相对基板30接触。例如，通过液晶层40的温度变化、在显示面板利用安装部件(例如，安装螺丝等)安装于其他物体的情况下，在具有安装部件的位置，由于显示面板发生机械变形的情况，或者液晶显示面板被设置为曲面状的情况等，液晶层40的至少一部分中单元间隙可能发生变动。
虽然第二间隔物52可以省略，但在第一间隔物51基础上还具有第二间隔物52时，能够获得以下效果。在以往的液晶显示面板中，为了提高耐荷重特性而提高感光间隔物的配置密度(每单位面积的感光间隔物的数量)时，存在容易产生低温发泡(真空气泡)之类的问题。在液晶显示面板100中，基本上由于仅通过第一间隔物51控制单元间隙，因此，有效的间隔物密度仅由第一间隔物51所规定。因此，能够使单元间隙容易与液晶层40的收缩随动，抑制低温发泡的发生。另外，对液晶显示面板100施加负荷从而单元间隙变窄时，由于以第一间隔物51以及第二间隔物52二者支持两个基板(此时的有效间隔物密度由第一间隔物51以及第二间隔物52二者所规定)，能够实现高耐荷重特性。
多个间隔物50例如在每个像素一一设置。多个间隔物50可以设置于液晶显示面板100所具有的所有多个像素，也可以仅设置于一部分像素。第一间隔物51以及第二间隔物52的比例也可以是任意，只要考虑液晶显示面板的用途(假定的使用环境)、像素数等适当设定即可。
设置于液晶显示面板100的显示区域100d的间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17重叠的方式配置。即，如图4(c)所示，间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d重叠的方式配置。如以下说明的那样，间隔物50的每一个可以以与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠的方式配置。
如图3所示，相对基板30例如具有第二透明基板(例如玻璃基板)31、设置于第二透明基板31上、具有开口部32o的遮光层(黑矩阵)32、彩色滤光片层33、覆盖彩色滤光层33的平坦化层34。相对基板30在液晶层40侧还具有第二取向膜37。彩色滤光片层33例如包括使彼此不同颜色的光透射的三种彩色滤光片，即第一彩色滤光片33a、第二彩色滤光片33b以及第三彩色滤光片(未图示)。
此处，参照图6以及图7，说明本发明实施方式解决的问题。图6，为示意性地示出对比例一的液晶显示面板900A的显示区域的结构的俯视图，图7为示意性地示出沿图6中的7A-7A’线的对比例一的液晶显示面板900A的显示区域的剖面结构的图。此处，除了间隔物设置的位置不同这一点之外，以与液晶显示面板100具有相同结构的对比例一的液晶显示面板900A为例进行说明。
对比例一的液晶显示面板900A在间隔物950的附近的图6的以虚线所示的区域中，由液晶分子的取向的混乱引起的显示品质的下降时常发生。说明关于其原因的本申请发明者的研究。此外，以下是本发明者的考察，并不对本发明进行限定。
作为由液晶分子的取向的混乱引起的显示品质的下降的问题产生的原因之一了解到，在间隔物的附近，存在间隔物的周边的取向膜没有充分进行配向处理的情况。
在横向电场模式的液晶显示面板中，例如，通过进行取向膜的摩擦处理作为取向处理，规定没有电场施加时的液晶分子的取向方向。当向使液晶层40中产生横向电场(水平方向的电场、与液晶层面内平行的电场)的电极对施加电压时，在与公共电极26a具有的狭缝26as延伸的方向正交的方向上，产生横向电场。例如，介电各向异性为正的向列液晶分子以分子长轴(成为与指向矢平行)成为与电场平行的方式取向。因而，在液晶层40包含介电各向异性为正的向列液晶材料的情况下，通过在与横向电场正交的方向(狭缝26as延伸的方向)几乎平行的方向进行摩擦，使没有电压施加时的液晶分子与狭缝26as几乎平行取向。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，由第一取向膜27以及第二取向膜37所限制的取向的方向例如为平行或者反平行。一般地，没有电场施加时的液晶分子的取向方向，规定为相对于与横向电场的方向正交的方向(狭缝延伸的方向)，例如形成超过0°且15°以下的角度。由此，在施加电压时能够利用横向电场规定液晶分子旋转的方向(逆时针或顺时针)。另外，能够提高电压施加时的液晶分子的应答速度。例如，在图6的对比例一的液晶显示面板900A中，在图6的上下方向(与图6的y轴平行的方向)进行摩擦处理，使没有电压施加时的液晶分子在图6的上下方向上取向。
如这样进行摩擦处理时，存在感光间隔物的周边(特别是，相对于摩擦方向成为间隔物的背面的部分，即，摩擦方向的下游侧)的取向膜没有被充分摩擦。有时，因此产生液晶分子的取向混乱。有时归因于没有被充分实施取向处理的部分中，没有被相对基板30的遮光层(黑矩阵)32所覆盖的区域(图6中以虚线示出的区域)，发生显示品质的下降。特别是，在常黑模式下进行显示的液晶显示面板中，成为黑显示状态下的光泄露的原因，发生对比度的下降。
对取向膜进行取向处理的方法不限于进行摩擦处理的方法，也可以是光取向处理。例如在VA模式的液晶显示面板中，有时也通过光取向处理进行取向处理。在光取向处理中，也可能产生间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理之类的问题。例如，从基板的法线方向倾斜的方向照射光的情况下，可能产生在间隔物的背面，由光取向处理不能充分进行的部分。
另外，虽然以包括介电各向异性为正的向列液晶材料的横向电场模式的液晶显示面板为例，关于间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理这一问题进行说明，但是可能产生该问题的情况不限于这个例子。在包含介电各向异性为负的向列液晶材料的液晶显示面板中，也可能发生相同的问题，在纵向电场模式的液晶显示模式中也可能发生相同的问题。此外，在使用了介电各向异性为负的向列液晶材料的情况下，关于没有电场施加时的液晶分子的取向方位，只要从使用了介电各向异性为正的向列液晶材料的情况旋转90°即可。即，将没有电场施加时的液晶的取向方向规定为与横向电场的方向(与狭缝延伸的方向正交的方向)几乎平行，或者相对于横向电场的方向呈超过0°且15°以下的角度。例如，在图6所示的例子中，只要在图6的左右方向(与图6的x轴平行的方向)实施取向处理即可。
此外，在取向膜的取向处理中，可以包含规定没有电场施加时的液晶分子的取向方向的处理以及规定预倾角的处理。“液晶分子的取向方向(或者取向方位)”是指显示面内的方位角方向，“预倾角”是指液晶分子与取向膜表面所形成的角度。
间隔物可以是所谓的主间隔物也可以是副间隔物，可能会产生间隔物周边的取向膜没有被充分实施配向处理而带来的显示品质的下降诸如此类的上述问题。但是，由于间隔物的高度越高，在实施取向处理时成为间隔物的背面的区域可能越大，具有容易产生上述问题的倾向。
由于以上这样的原因，对比例一的液晶显示面板900A在间隔物950附近的图6的以虚线所示的区域中，时常发生液晶分子的取向混乱，显示品质的下降。
再次参考图2至图5说明本发明的实施方式一的液晶显示面板100能够解决上述问题。
如上述那样，在设置于液晶显示面板100的显示区域100d的间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17重叠的方式配置这一点上，与对比例一的液晶显示面板900A不同。即，间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠的方式配置。
在液晶显示面板100中，即使在图2的上下方向(与图2的y轴平行的方向)上进行取向处理，显示品质的下降也被抑制。这是由于在间隔物50的上下方向上，存在没有被充分实施取向处理的情况的区域的大部分与遮光层32重叠。因此，能够不使液晶显示面板100开口率下降，而抑制由间隔物附近的液晶分子的取向混乱引起的显示品质的下降。
以液晶显示面板100的结构为例，更具体地说明因为间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降被抑制的情况。
液晶显示面板100具有多个像素，每个像素P具有狭缝26as的延伸方向彼此不同的第一畴P1以及第二畴P2。由第一取向膜27规定的取向限制方向D1相对于第一畴P1的狭缝26as延伸的方向呈0～15°的角度α1，相对于第二畴P2的狭缝26as延伸的方向呈0～15°的角度α2。典型地，角度α1以及α2相等。各像素P中源极总线S延伸的方向与狭缝26as延伸的方向几乎平行。即，源极总线S的延伸方向也在第一畴P1以及第二畴P2中彼此不同。由第一取向膜27规定的取向限制方向D1相对于第一畴P1的源极总线S延伸的方向呈角度α1，相对于第二畴P2的源极总线S延伸的方向呈角度α2。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，由第二取向膜37所规定的取向限制方向D2，例如如图2所示与取向限制方向D1反平行。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，取向限制方向D2也可以与取向限制方向D1平行。
此外，在这里，虽然由第一取向膜27所规定的取向限制方向在第一取向膜27的对应于第一畴P1的区域以及对应于第二畴P2的区域中彼此相同，但也可以不限于此而彼此不同。
另外，如图示那样，在第一畴P1以及第二畴P2的每一个中，狭缝26as的两端部26se以及中央部26sc也可以相对于狭缝26as延伸的方向呈5°～35°的角度。由此，能够提高例如液晶显示面板的表面被按压等、液晶显示面板的表面被施加外部应力的情况下产生的液晶分子的取向混乱在外部应力被除去时，回到正常取向状态的速度。施加于液晶显示面板的表面的外部应力有时以使液晶分子向与液晶分子由于横向电场而旋转的方向相反的方向旋转的方式工作，存在即使外部应力被除去，产生液晶分子也难以回到正常取向状态(即由于横向电场所形成的取向状态)的问题的情况。当狭缝26as的两端部26se以及中央部26sc相对于狭缝26as延伸的方向倾斜时，通过两端部26se以及中央部26sc产生的电场抑制上述问题的产生。
通过狭缝26as的两端部26se相对于狭缝26as延伸的方向呈一角度，也能获得以下效果。当向电极对施加电压时，在与狭缝26as延伸的方向正交的方向上形成横向电场，但，由于狭缝26as的边缘(短边)E在与狭缝26as延伸的方向几乎正交的方向上延伸，沿着边缘E，局部地产生与狭缝26as延伸的方向几乎平行的电场。通过以狭缝26as的两端部26se相对于狭缝26as的延伸方向呈一角度的方式形成，由于能够缩小边缘E的电场到达狭缝26as的内侧的区域，能够抑制电压施加时的透射率的下降。
如图5所示，遮光层32包含覆盖源极总线S的第一部分32a和覆盖栅极总线G的第二部分32b，遮光层32的第一部分32a包含覆盖第一畴P1的源极总线S的第一部分32a1以及覆盖第二畴P2的源极总线S的第一部分32a2。通常，为了抑制像素之间的混色，设置有源极总线的区域时常设有遮光层(黑矩阵)。间隔物50以与遮光层32的第二部分32b重叠的方式设置。间隔物50的中心O被配置于：由某像素的遮光层32的第一部分32a1、某像素在列方向(图2的y轴方向)上相邻的像素的遮光层32的第一部分32a2以及在由第一取向膜27所规定的取向限制方向D1上延伸的直线所包围的区域内。
当如此配置间隔物50时，能够不增大遮光层32的面积，即，不降低开口率，而抑制由间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降。配置间隔物50的位置，不限于上述例子，只要考虑由第一取向膜27以及第二取向膜37所规定的取向限制方向和遮光层32的形状进行适当调整即可。
间隔物50例如，可以设置于显示区域100d内无机绝缘层23的高度最高的位置。此处，所谓无机绝缘层23的高度是指有源矩阵基板10的法线方向的从第一透明基板11的液晶层40侧的表面至无机绝缘层23的液晶层40侧的表面的距离。对于设置于有源矩阵基板10的其他导电层或绝缘层也是相同的。当形成间隔物50的有机绝缘层25的厚度小时，在图案化有机绝缘层25的光刻工序中，能够得到容易控制线宽偏差、尖锥形状的优点。另外，也存在能够降低形成间隔物50的材料的使用量，削减制造成本的情况。
例如，设置有间隔物50的位置的无机绝缘层23的高度，高于没有设置间隔物50，且具有像素电极22a以及公共电极26a的位置的无机绝缘层23的高度。
如图7所示，对比例一的液晶显示面板900A的设置有间隔物950的位置，在第一透明基板11上具有层叠结构，该层叠结构具有栅极绝缘层13、第一透明导电层22、无机绝缘层23以及第二透明导电层26。即，具有不包含栅极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的层叠结构。如图3(a)所示，相对于此，在液晶显示面板100中，设置有间隔物50的位置，在第一透明基板11上具有层叠结构，该层叠结构具有栅极金属层12、栅极绝缘层13、半导体层14、源极金属层16、第一透明导电层22以及无机绝缘层23。换言之，有源矩阵基板10所具有的层内，具有层叠结构，该层叠结构包含第二透明导电层26之外的所有层。由此，能够使间隔物50的高度比间隔物950的高度低。间隔物50的高度与间隔物950的高度的差Δ1(参考图3(a))，例如与栅极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的厚度之和几乎相等。
对比图3(a)与图7的话可知，对比例一的液晶显示面板900A中设置有间隔物950的位置比液晶显示面板100中设置有间隔物50的位置更平坦。即，对比例一的液晶显示面板900A中，设置有间隔物950的位置，由于具有不包含栅极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的层叠结构，因此，有源矩阵基板10的表面的凹凸少。在设置间隔物时，从均匀控制液晶层40的厚度的观点来看，如对比例一的液晶显示面板900A那样，选择表面凹凸少的位置而设置的情况很多。
即，在液晶显示面板100中，如上所述，间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d重叠的方式配置。从获得不降低开口率，而抑制由间隔物周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降之类的上述效果的观点来看，只要间隔物50的每一个，以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠的方式配置即可。由于TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d之间具有半导体层14的沟道区域14i，因此，也可以换句话说，只要间隔物50以从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与半导体层14的沟道区域14i重叠的方式配置的话即可。
另外，通过将保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙的间隔物50设置于有源矩阵基板10上，能够抑制取向膜因为间隔物被剥离之类的问题的产生。根据本申请发明者的研究了解到，存在在被施加于液晶显示面板的振动、来自外部的力的影响下，设置于有源矩阵基板的取向膜由设置于相对基板的间隔物被部分剥离的情况。当取向膜被部分地剥离时，存在液晶分子的取向在取向膜被剥离的部分发生混乱的情况，成为液晶显示面板的显示品质下降的原因之一。详细的在后面叙述。由于相较于相对基板30的液晶层40侧，有源矩阵基板10的液晶层40侧普遍地平坦性低，因此，当相对基板30具有间隔物50时，容易产生因为振动、从外部施加的力，第一取向膜27由于间隔物50而被剥离之类的问题。相对于此，在液晶显示面板100中，由于有源矩阵基板10具有间隔物50，因此，相对基板30所具有的第二取向膜37因为间隔物50而部分地被剥离之类的问题难以发生。
进一步，通过将保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙的间隔物50设置于有源矩阵基板10，能够抑制单元间隙的偏差。有源矩阵基板10的制造步骤中，在到设置间隔物50的步骤为止的步骤中，即使在膜厚中产生偏差的情况下，通过使从第一透明基板11到间隔物50的高度(更详细地，有源矩阵基板10的法线方向的从公共电极26a的液晶层40侧的表面到间隔物50的液晶层40侧的表面的高度)一致，能够吸收偏差，将单元间隙控制固定。
另外，在相对基板30上设置间隔物50的情况下，存在为了控制单元间隙而开口率可能下降的问题。相较于相对基板30的液晶层40侧，有源矩阵基板10的液晶层40侧普遍地平坦性低，因此，存在间隔物50与有源矩阵基板10接触的面积比从有源矩阵基板10的法线方向观察时的间隔物50的剖面面积(间隔物50为尖锥状的情况下，为间隔物的液晶层40侧的表面的面积)小的情况。因此，考虑有源矩阵基板10与相对基板30的对位偏差(例如，大约5μm以下)，存在需要增大间隔物50的面积或者增加间隔物50的配置数的情况。在将间隔物50设置在有源矩阵基板10时，由于能够抑制这类问题的产生，因此能够不降低开口率而控制单元间隙。
液晶显示面板100如上述那样，例如具有底栅型TFT17。具有底栅型TFT的液晶显示面板，由于设有覆盖TFT的活性层的遮光层是普遍的，因此，能够适用于不使液晶显示面板的开口率下降，而抑制由间隔物附近的液晶分子的取向混乱引起的显示品质的下降之类的本发明的目的。但是，本发明的实施方式的液晶显示面板不限于举例示出的结构，例如也可以具有顶栅型的TFT。即，栅极金属层12与源极金属层16的配置关系可以是相反的。
多个间隔物50，优选例如从有源矩阵基板10的法线方向观察时，位于栅极电极12g等的栅极金属层12所具有的图案的内侧。这是由于在形成有机绝缘层25的步骤中，利用光刻工序图案化有机绝缘膜之时，在图案中，当有机绝缘膜的基底中存在金属层(反射层)的位置和不存在金属层(反射层)的位置混在一起时，用于获得所希望的间隔物形状的曝光时间可能产生偏差。从防止间隔物50的形状偏差的观点来看，优选间隔物50在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，优选位于栅极电极12g等的栅极金属层12所具有的图案的内侧。也可以换句话说，只要从有源矩阵基板10的法线方向观察时，间隔物50与栅极金属层12和/或者源极金属层16完全重叠即可。也就是说，间隔物50，只要从有源矩阵基板10的法线方向观察时，位于栅极金属层12所具有的图案(栅极电极12g等)和/或者源极金属层16所具有的图案(源极电极16s、漏极电极16d等)的内侧即可。即，只要以不从栅极金属层12所具有的图案和/或源极金属层16所具有的图案露出的方式形成间隔物50即可。
如上述那样，间隔物50包含有机绝缘层25的一部分。即，由于间隔物50由与有机绝缘层25相同的有机绝缘膜形成，能够不增加制造步骤，而形成间隔物50。间隔物50在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，不与第二透明导电层26重叠。
优选源极总线S之上形成有有机绝缘层25的一部分。即，如图3(b)以及图4所示，优选有机绝缘层25的一部分形成于源极总线S上，以覆盖源极总线S的至少一部分的方式与源极总线S几乎平行地形成。当优选源极总线S上形成有有机绝缘层25的一部分时，能够降低源极总线S与公共电极26as之间所形成的电容的电容值。由此，能够降低源极总线负载(电容以及电阻的积(也称为“CR积”。))，能够抑制被提供给源极总线S的源极信号电压的信号波形的衰弱。
一般地，有机绝缘材料存在相较于无机绝缘材料具有低的相对介电常数的倾向。因此，在源极总线S与公共电极26a之间，通过除由无机绝缘材料所形成的无机绝缘层23之外还具有有机绝缘层25，能够降低它们之间所形成的电容的电容值。或者，能够降低为了获得降低源极总线S与公共电极26a之间的电容的效果中所需的绝缘层的厚度。由此，例如能够抑制源极总线S附近的液晶分子的取向混乱。另外，通过在源极总线S与公共电极26a之间具有有机绝缘层25的一部分，即使在源极总线S与公共电极26a之间的无机绝缘层23中产生针孔、裂缝等缺陷，也能够有效地保持源极总线S与公共电极26a之间的绝缘状态(降低源极总线S与公共电极26a之间产生的漏电流)。
从获得上述降低源极总线负载的效果以及降低源极总线S与公共电极26a之间的漏电流的效果的观点来看，优选有机绝缘层25内，以覆盖源极总线S的至少一部分的方式与源极总线S几乎平行地形成的部分的宽度w25设计为比源极总线S的宽度w16，例如大4μm左右。这个值，例如能够考虑光刻过程中的线宽偏差，有机绝缘层25的图案化相对于源极总线S的对准精度(例如，±1μm)等，适当进行调整。
源极总线S没有必要完全被有机绝缘层25所覆盖。多条源极总线S可以包含没有被有机绝缘层25覆盖的部分。源极总线S内，当没有被有机绝缘层25覆盖的部分的面积增大时，上述降低源极总线负载的效果以及抑制源极总线S与公共电极26a之间的漏电流的效果可能会变小。但是另一方面，能够抑制由源极总线S上的层叠结构变厚而引起的源极总线S附近的液晶分子的取向混乱。因此，只要源极总线S内，没有被有机绝缘层25所覆盖的部分的面积考虑源极驱动器的驱动能力、像素数、分辨率等适当设定即可。
优选，第二透明导电层26的一部分形成于有机绝缘层25之上。如图3(b)以及图4所示，优选公共电极26a覆盖有机绝缘层25内，以覆盖源极总线S的至少一部分的方式形成的部分。由于公共电极26a的电位固定，因此，这样设置的公共电极26a能够抑制由源极总线S的电场变化导致的液晶分子的取向混乱。
相对于此，在每个像素开口部中，如图3(b)以及图4所示，优选具有不包含有机绝缘层25的层叠结构。即，每个像素开口部包含第一透明导电层22、无机绝缘层23以及第二透明导电层26，优选包含不包含有机绝缘层25的层叠结构。此处，像素开口部也被称为显示区域100d内，有助于显示的区域。也称像素开口率为有助于显示的区域的面积相对于显示区域100d面积的比例。例如，在液晶显示面板100中，像素开口部由遮光层32的开口部32o规定。特别地，使液晶层40中产生横向电场的电极对(在这里是像素电极22a以及公共电极26a)使无机绝缘层23介于中间而相对，在电极对之间不具有有机绝缘层25。即，优选像素电极22a与公共电极26a之间不具有有机绝缘层25。这种情况下，与电极对之间除无机绝缘层23之外还具有有机绝缘层25的情况相比，能够使电极对之间的绝缘层的厚度变薄，能够增大由电极对所形成的辅助电容的电容值。由于保持液晶电容的效果增大，因此，能够有效地抑制闪烁的发生等。另外，由于能够降低在公共电极26a的狭缝26as附近产生的，基板的法线方向的电场(纵向电场)成分，因此，相对地能够增大横向电场成分。由此，由于能够降低为了获得相同显示亮度而对电极对施加的电压值，能够降低消耗电量。
以下，说明液晶显示面板100的制造方法。
首先，在第一透明基板(例如，玻璃基板)11上，形成包含栅极电极12g以及栅极总线G的栅极金属层(第一金属层)12。具体地，在第一透明基板11上沉积第一导电膜之后，通过图案化第一导电膜从而形成第一金属层12。作为第一导电膜材料，例如能够使用铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)或它们的合金。第一导电膜可以是单层结构，也可以是多层所层叠的层叠结构。例如，能够使用Ti/Al/Ti(上层/中间层/下层)的层叠体、Mo/Al/Mo的层叠体。另外，第一导电膜的层叠结构不限于三层结构，也可以是两层结构、四层以上结构。进一步，第一导电膜只要包含至少由金属材料形成的层即可，第一导电膜为层叠结构时，一部分层可以由金属氮化物、金属氧化物形成。在此，在例如通过利用溅射法连续沉积具有30nm厚度的Ti层，具有200nm厚度的Al层以及具有100nm厚度的Ti层来形成第一导电膜之后，通过以光刻工序图案化第一导电膜形成第一金属层12。光刻工序可以使用公知的步骤。更具体地，在第一导电膜上赋予光致抗蚀剂之后，使用具有期望的图案的光致抗蚀剂，通过对掩膜进行曝光、显影，图案化光致抗蚀剂。通过将该抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜，进行第一导电膜的蚀刻处理，在第一透明基板上形成具有期望的图案的第一金属层12。最后剥离光致抗蚀剂。
如图2以及图4所示，栅极总线G例如以沿图2的x轴方向延伸的方式形成。如图示那样，栅极总线G可以在与源极总线S交叉的部分发生弯曲。换言之，在栅极总线G与源极总线S交叉的部分，栅极总线G可以具有沿y轴方向具有被切掉的缺口部。缺口部例如在栅极总线G的下侧(图2的-y轴方向侧)形成为梯形。当栅极总线G具有缺口部时，由于能够降低栅极总线G与源极总线S重叠的面积，因此，能够降低栅极总线G与源极总线S之间所形成的电容。不限于栅极总线G与源极总线S之间，只要能够利用缺口部降低栅极金属层12所具有的图案(包含栅极电极12g等)与源极金属层16具有的图案(包含源极电极16s等)重叠的面积的话，就能够降低它们之间所形成的电容。另外，通过将栅极总线G切为梯形，能够增长源极总线S内，通过跨在栅极总线G之上而相对水平方向(与液晶面板平行的方向)倾斜的部分的距离，因此，能够降低源极总线S断线的概率。
接下来，在第一金属层12上形成栅极绝缘层13。栅极绝缘层13例如为二氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SINx)膜、氧氮化硅(SiOxNy(x>y))膜、氮氧化硅(SiNyOx(x>y))膜、氧化铝膜或氧化钽、又或者是它们的层叠膜。此处，通过例如利用CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)沉积具有410nm厚度的SiNx膜，形成栅极绝缘层13。
接下来，如图4(b)所示，在栅极绝缘层13上形成半导体层14、源极金属层(第二金属层)16以及第一透明导电层22。半导体层14包括沟道区域14i。源极金属层(第二金属层)16包括源极电极16s、漏极电极16d以及源极总线S。第一透明导电层22包括像素电极22a。
通过以下步骤，能够以两片掩膜形成半导体层14、源极金属层(第二金属层)16以及第一透明导电层22。具体地，首先，在栅极绝缘层13上沉积半导体膜。之后，不进行半导体膜的图案化而在半导体膜上沉积第二导电膜。之后，通过使用了同一掩膜的光刻工序来图案化半导体膜以及第二导电膜。接下来，在半导体膜以及第二导电膜上沉积第一透明导电膜。第一透明导电膜以与第二导电膜直接接触的方式形成。之后，通过以光刻工序图案化第二导电膜以及第一透明导电膜，形成半导体层14、源极金属层(第二金属层)16以及第一透明导电层22。在半导体层14具有包含本征半导体层和被掺杂了杂质的半导体层的层叠结构的情况下，也可以还进行除去沟道区域的被掺杂了杂质的半导体膜的步骤。
此处，例如利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)连续沉积具有130nm厚度的非晶硅膜和具有40nm厚度的掺杂了磷的n+非晶硅膜。这些半导体膜可以与先前的SiNx膜连续沉积。之后，不进行这些半导体膜的图案化，而在非晶硅膜以及n+非晶硅膜之上形成第二导电膜。此处，通过例如利用溅射法沉积具有200nm厚度的MoNb膜，形成第二导电膜。之后，通过使用了同一掩膜的光刻工序来图案化半导体膜以及第二导电膜。由此，形成具有彼此几乎相同图案形状的非晶硅膜、n+非晶硅膜以及第二导电膜。此时的非晶硅膜、n+非晶硅膜以及第二导电膜的形状与被包含在半导体层14中的非晶硅膜的形状相同，与如图4所示的半导体层14的形状相同。
接下来，在图案化的非晶硅膜、n+非晶硅膜以及第二导电膜上沉积第一透明导电膜。此处，通过例如利用溅射法沉积具有65nm厚度的IZO膜来形成第一透明导电膜。之后，通过以光刻工序图案化n+非晶硅膜、第二导电膜以及第一透明导电膜。在光刻工序中，首先，在第一透明导电膜上赋予光致抗蚀剂，使用掩膜对光致抗蚀剂进行曝光、显影，进行光致抗蚀剂的图案化。光致抗蚀剂以被设置于形成有像素电极22a的部分以及形成有第二金属层16的部分(但是，除沟道区域14i之外的部分)的方式被图案化。将该抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜，利用湿式蚀刻图案化第一透明导电膜以及第二透明导电膜。通过该图案化，得到包括源极电极16s、漏极电极16d以及源极总线S的第二金属层16和包括第一透明电极22a的第一透明导电层22。之后，将相同的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜，利用干式蚀刻，除去沟道区域14i的n+非晶硅膜。通过该干式蚀刻，得到包含沟道区域14i的半导体层14。这样一来，形成半导体层14、第二金属层16以及第一透明导电层22。
当通过上述工程制造半导体层14、第二金属层16以及第一透明导电层22时，第二金属层16与第一透明导电层22除像素电极22a之外，具有几乎相同图案形状。从第一透明基板11的法线方向观察时，在形成有第二金属层16的区域中，在第二金属层16上形成有第一透明导电层22，第二金属层16与第一透明导电层22直接接触。漏极电极16d例如为岛状。另外，在半导体层14具有包含本征半导体层和被掺杂了杂质的半导体层的层叠结构，沟道区域14i不具有被掺杂了杂质的半导体层。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，在形成有源极总线S的区域中，在源极总线S之下形成有半导体层14(包含本征半导体层和被掺杂了杂质的半导体层)，源极总线S与半导体层14(被掺杂了杂质的半导体层)直接接触。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，在形成有源极总线S的区域中，在源极总线S之上形成有第一透明导电层22，源极总线S与第一透明导电层22直接接触。半导体层14(本征半导体层和被掺杂了杂质的半导体层)以及第一透明导电层22内，与源极总线S直接接触的部分作为源极总线发挥作用。
此外，利用干式蚀刻除去沟道区域14i的n+非晶硅膜的步骤中，沟道区域14i的n+非晶硅膜的表面也可能被蚀刻。因此，优选在沉积非晶硅膜的步骤中所沉积的非晶硅膜的厚度，比在利用干式蚀刻除去沟道区域14i的n+非晶硅膜的步骤中，非晶硅膜被除去的厚度大。优选在沉积非晶硅膜的步骤中，所沉积的非晶硅膜的厚度，比在沉积n+非晶硅膜的步骤中，所沉积的n+非晶硅膜的厚度大。
作为第二导电膜材料，例如能够使用铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)或它们的合金。第二导电膜可以是单层结构，也可以是多层所层叠的层叠结构。例如,能够使用Ti/Al/Ti(上层/中间层/下层)的层叠体、Mo/Al/Mo的层叠体。另外,第二导电膜的层叠结构不限于三层结构，也可以是两层结构、四层以上结构。进一步，第二导电膜只要包含至少由金属材料形成的层即可，第二导电膜为层叠结构时，一部分层可以由金属氮化物、金属氧化物形成。作为第二导电膜举例示出的MoNb膜的下层可以进一步形成Al膜或者Al合金膜。当MoNb膜的下层进一步形成Al膜或者Al合金膜时，能够降低第二金属层16的电阻。
作为第一透明导电膜的材料，能够使用各种透明导电材料，例如，能够使用ITO、IZO、ZnO等金属氧化物。
接下来，在半导体层14、第二金属层16以及第一透明导电层22之上形成无机绝缘层23。无机绝缘层23例如为二氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy(x>y))膜、氮氧化硅(SiNyOx(x>y))膜、氧化铝膜或氧化钽、又或者是它们的层叠膜。此处，例如利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)沉积具有250nm厚度的SiNx膜。无机绝缘层23的例如在非显示区域100f中，与用于电性连接第一金属层12与第二金属层16的接触部对应的区域中，通过图案化形成开口部。无机绝缘层23在显示区域100d中，可以不具有开口部。
接下来，如图4(c)所示，在无机绝缘层23上形成有机绝缘层25。有机绝缘层25的一部分分别构成多个间隔物50的每一个。具体地，在无机绝缘层23上沉积有机绝缘膜之后，通过图案化有机绝缘膜从而形成有机绝缘层25。作为有机绝缘膜的材料，例如能够使用负型或正型感光树脂(光致抗蚀剂)，例如负型感光树脂能够合适地使用。此处，例如利用旋涂法或者狭缝涂布法在无机绝缘层23上赋予具有3μm厚度的负型感光树脂之后，通过以光刻工序图案化有机绝缘膜来形成有机绝缘层25。在有机绝缘层25内，构成间隔物50的部分与形成于源极总线S上的部分，高度可以彼此不同。通过使用多级灰度掩模进行有机绝缘膜的曝光步骤，能够不增加制造步骤以及掩膜数量，而由共同的有机绝缘膜形成这样的有机绝缘层25。多个间隔物50包含彼此具有不同高度的第一间隔物51以及第二间隔物的情况下也是同样的。作为多级灰度掩模，能够使用灰色调掩膜或者半色调掩膜。在灰色调掩膜中，形成曝光机的分辨率以下的狭缝，通过利用该狭缝遮挡光的一部分实现中间曝光。另一方面，在半色调掩膜中，透过使用半透射膜实现中间曝光。当然，也可以通过使用多个掩膜，形成彼此具有不同高度的第一间隔物51以及第二间隔物52。第一间隔物51的高度与第二间隔物52的高度的差为例如0.3μm～1.0μm。
接下来，如图4(d)所示，在有机绝缘层25上形成第二透明导电层26。第二透明导电层26包括公共电极26a。具体地，在有机绝缘层25上沉积第二导电膜之后，通过图案化第二导电膜，形成第二透明导电层26。作为第二透明导电膜的材料，能够使用各种透明导电材料，例如能够使用ITO、IZO、ZnO等金属氧化物。在此，在例如通过利用溅射法沉积具有60nm厚度的IZO膜来形成第二透明导电膜之后，通过以光刻工序图案化第二透明导电层来形成第二透明导电层26。在利用光刻工序进行图案化的步骤中，形成公共电极26a以及狭缝26as。
在这样形成的有源矩阵基板10以及另外准备的相对基板30的表面分别形成第一取向膜27以及第二取向膜37。相对基板30例如能够通过各种习知的方法制作。之后，例如利用点胶法或者丝网印刷法，以包围有源矩阵基板10或相对基板30的与显示区域100d对应的区域的方式赋予密封材料。在赋予了密封材的基板上，利用滴注法滴注液晶材料，形成液晶层40。在真空中贴合有源矩阵基板10以及相对基板30之后，利用例如紫外线照射使密封材料硬化。
通过以上的步骤，能够制造液晶显示面板100。
本实施方式的液晶显示面板以及液晶显示面板的制造方法不限于上述例子。
例如，在上述制造步骤中，利用两片掩膜形成半导体层14、源极金属层(第二金属层)16以及第一透明导电层22。具体地，在栅极绝缘层13上沉积半导体膜之后，不进行半导体膜的图案化而在半导体膜上沉积第二导电膜。相对于此，也可以利用三片掩膜形成半导体层14、源极金属层(第二金属层)16以及第一透明导电层22。具体地，也可以在图案化沉积在栅极绝缘层13上的半导体膜之后，在半导体膜上沉积第二导电膜。此处，例如利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)连续沉积具有130nm厚度的非晶硅膜和具有40nm厚度的掺杂了磷的n+非晶硅膜之后，利用光刻工序图案化本征半导体膜以及被掺杂了杂质的半导体膜。此时的非晶硅膜的图案形状与被包含在半导体层14中的非晶硅层的形状相同。
根据该制造方法，能够制造具有岛状半导体层14的液晶显示面板。即，从有源矩阵基板11的法线方向观察时，在源极总线S之下没有形成有半导体层14(包含本征半导体层和被掺杂了杂质的半导体层)，因此，能够降低形成有源极总线S的区域的层叠结构的厚度。由此，能够缩小源极总线S上的公共电极26a的高度与像素开口部的公共电极26a的高度之间的差，例如能够抑制由有源极总线S附近段差引起的的液晶分子的取向混乱。
另外，TFT17可以是非晶硅TFT(a-Si TFT)、多晶硅(p-Si TFT)、微晶硅TFT(μC-SiTFT)等习知的TFT，也可以是具有氧化物半导体层的TFT(氧化物TFT)。半导体层14可以不包括掺杂了杂质的半导体层。半导体层14也可以不具有层叠结构。如上述那样，虽然在TFT17为非晶硅TFT的情况下，优选半导体层14具有非晶硅层和n+非晶硅层的层叠结构，但例如在TFT17为氧化物TFT的情况下，半导体层14也可以是氧化物半导体层的单层结构。在半导体层14为单层结构的情况下，例如，半导体层14除沟道区域14i之外也可以具有与源极金属层16相同的图案形状。这种情况下，也可以使用多级灰度掩膜，利用一片掩膜形成半导体层14以及源极金属层(第二金属层)16。即，只要在通过使用了同一掩膜的光刻工序来图案化半导体膜以及第二导电膜之后，除去沟道区域的第二导电膜即可。
半导体层14可以含有氧化物半导体。半导体层14也可以是氧化物半导体层。
包含于氧化物半导体层中的氧化物半导体可以是非晶硅氧化物半导体，也可以是具有结晶质部分的结晶质氧化物半导体。作为结晶质氧化物半导体，可以列举：多晶氧化物半导体、微晶氧化物半导体、c轴与层面大致垂直取向的结晶质氧化物半导体等。
氧化物半导体可以具有两层以上的层叠结构。氧化物半导体为层叠结构的情况下，氧化物半导体可以包含非晶氧化物半导体层和结晶质氧化物半导体层。或者，也可以包含晶体结构不同的多个结晶质氧化物半导体层。或者，也可以包含多个非晶质氧化物半导体层。氧化物半导体层具有包含上层与下层的两层结构的情况下，优选包含于上层中的氧化物半导体层的能隙比包含于下层中的氧化物半导体的能隙大。但是，在这些层的能隙差较小的情况下，下层的氧化物半导体的能隙也可以比上层的氧化物半导体的能隙大。
非晶质氧化物半导体以及上述各结晶质氧化物半导体的材料、结构、成膜方法、具有层叠结构的氧化物半导体层的结构等，例如记载于特开2014-007399号公报中。为了参考，在本说明书中援引特开2014-007399号公报的所有公开内容。
氧化物半导体层例如含有In、Gn以及Zn中的至少一种金属元素。在本实施方式中，氧化物半导体层例如包含In-Ga-Zn-O系半导体(例如铟镓锌氧化物)。此处，In-Ga-Zn-O半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)没有特别限定，例如包含In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。这样的氧化物半导体层能够由包含In-Ga-Zn-O系半导体的氧化物半导体膜形成。此外，有时将具有包括In-Ga-Zn-O系半导体等、氧化物半导体的活性层的沟道蚀刻型TFT称为“CE-OS-TFT”。
In-Ga-Zn-O系半导体可以是非晶质，也可以是结晶质。作为结晶质In-Ga-Zn-O系半导体优选，c轴与层面大致垂直取向的结晶质In-Ga-Zn-O系半导体。
此外，结晶质In-Ga-Zn-O系半导体的晶体结构，例如公开于上述特开2014-007399号公报、特开2012-134475号公报、特开2014-209727号公报等。为了参考，在本说明书中援引特开2012-134475号以及特开2014-209727号公报的所有公开内容。由于具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT具有高迁移率(与a-SiTFT相比超过20倍)以及低漏电流(与a-SiTFT相比不足百分之一)，因此作为在驱动TFT(例如，在包含多个像素的显示区域的周边，设置于与显示区域相同的基板上的驱动电路中所包含的TFT)以及像素TFT(设置于像素的TFT)是适宜使用的。
氧化物半导体层也可以包含代替In-Ga-Zn-O系半导体的其他氧化物半导体。例如，可以包含In-Ga-Zn-O系半导体(例如,In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。In-Ga-Zn-O系半导体可以是In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元系氧化物。或者，氧化物半导体层可以包含n-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体、Al-Ga-Zn-O系半导体、Ga-Zn-O系半导体等。
TFT17例如不限于举例示出的沟道蚀刻型TFT。TFT17也可以是蚀刻阻挡型TFT。在“蚀刻阻挡型TFT”中，例如，如图3(a)所示，不在沟道区域上形成蚀刻阻挡层，源极以及漏极的沟道侧的端部的下表面与半导体层的上表面接触地配置。沟道蚀刻型TFT例如通过在半导体层上形成源极/漏极电极用导电膜，进行源/漏极分离而形成。在源/漏极分离步骤中，有时沟道区域的表面部分被蚀刻。另一方面，在沟道区域上形成有蚀刻阻挡层的TFT(蚀刻阻挡型TFT)中，源极以及漏极的沟道侧的端部的下表面，例如位于蚀刻阻挡层上。蚀刻阻挡型TFT，例如通过在形成覆盖成为半导体层中沟道区域的部分的蚀刻阻挡层(例如，二氧化硅(SiO2)膜、氮化硅膜(SINx)等)之后，在半导体层以及蚀刻阻挡层上形成源极/漏极用导电膜，进行源/漏分离而形成。源/漏极例如在形成于蚀刻阻挡层的接触空内与半导体层接触。
接下来，说明本实施方式的液晶显示面板的改变例。
图8以及图9中示出液晶显示面板100的改变例的液晶显示面板100A。图8是示意性地示出液晶显示面板100A的显示区域的结构的俯视图。图9是液晶显示面板100A的相对基板30的俯视图，示出遮光层(黑矩阵)32的图。
液晶显示面板100A在遮光层32具有的开口部32o的面积上，比液晶显示面板100大。即，液晶显示面板100A具有比液晶显示面板100高的像素开口率。例如，液晶显示面板100A的像素开口率，比液晶显示面板100的像素开口率高28％左右。例如，在液晶显示面板100中，遮光层32的覆盖栅极总线G的第二部分32b的宽度w32b为53.5μm，相对于此，在液晶显示面板100A中，遮光层32的第二部分32b的宽度w32b为20μm。
液晶显示面板100A在栅极电极12g、源极电极16s以及漏极电极16d的形状也与液晶显示面板100不同。由此，能够相比于液晶显示面板100提高遮光层32的开口部32o的面积。另外，通过以与公共电极26a的狭缝26as的端部重叠的方式设置用于连接源极电极16d和像素电极22a的漏极引线16de，能够抑制由栅极总线G的电场引起而产生的液晶分子的取向混乱，能够有效地防止显示品质的下降。
即使在具有这种构成的液晶显示面板100A中，也能获得与液晶显示面板100同样的效果。
(实施方式二)
图10以及图11表示本实施方式的液晶显示面板200。图10以及图11为示意性地表示液晶显示面板200的显示区域的结构的俯视图以及剖面图，图11(a)以及(b)分别表示沿图10中的11A-11A’线以及11B-11B’线的液晶显示面板200的剖面结构。此外，在以下说明中，以液晶显示面板200与实施方式一的液晶显示面板100不同的点为中心进行说明。在以后的实施方式中也是同样的。
如图10以及图11所示，液晶显示面板200在间隔物50的构成中，与实施方式一的液晶显示面板100不同。在液晶显示面板200中，相对基板30具有朝有源矩阵基板10侧突出的多个突起状构造体39，多个间隔物50包括还包含多个突起状构造体39的任意一个的间隔物50。即，多个间隔物50的包括包含有机绝缘层25的一部分和突起状构造体39的间隔物50。突起状构造体39，例如由有机绝缘膜形成，该有机绝缘膜由感光性树脂形成。
液晶显示面板200，能够不增大遮光层32的面积，即，不降低开口率，而抑制由间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降。
另外在液晶显示面板200中，能够利用设置于相对基板30的突起状构造体39，抑制在被施加于液晶显示面板的振动、来自外部的力的影响下，设置于有源矩阵基板10的第一取向膜27被部分剥离而引起的显示品质的下降。以下，参照图12更具体地说明该效果。
图12示意性地示出对比例的液晶显示面板900B的显示区域的结构的俯视图。对比例二的液晶显示面板900B，除了设置有间隔物的位置不同这一点之外，与液晶显示面板200具有相同结构。对比例二的液晶显示面板900B，除了间隔物50的构成之外，与对比例一的液晶显示面板900A(参照图6以及图7)具有相同结构。在对比例二的液晶显示面板900B的说明中，有时参照图6。
在对比例二的液晶显示面板900B，在间隔物950的附近(图6的以虚线所示的区域)中，显示品质下降的原因之一，了解到存在如参照图6以及图7说明的那样，间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理的情况。
了解到原因之一存在取向膜由于被施加于对比例二的液晶显示面板900B的振动、来自外部的力，被部分剥离的情况。具体地，存在在振动、力的影响下，设置于有源矩阵基板10的第一取向膜27，由于设置于相对基板30的间隔物950而被部分剥离的情况。当取向膜被部分剥离时，有时在取向膜被剥离的部分，液晶分子的取向产生混乱，另外，有时还因为从取向膜被剥离的取向膜片与液晶层混在一起，而液晶的取向产生混乱。当这种液晶分子的取向混乱的部分没有被遮光层(黑矩阵)所覆盖时，有时显示中产生偏差等发生显示品质的下降。
例如，在汽车、飞机等交通工具所搭载的液晶显示面板中，振动的影响显著。另外，认为在与触控面板或数字转换器组合而成的液晶显示面板中，存在通过以用户的手指、输入用笔(例如，包含被称为触摸笔、数字转换器笔的那些。)触碰面板从而施加的力的影响。在触控面板中，存在外置型(将触控面板配置于被配置于观察者侧的偏光板的还要观察者侧的触控面板)和on-cell型以及in-cell型。(有时也将on-cell型以及in-cell型总体称为内置型。)其中，在on-cell型和in-cell型的触控面板中，容易产生有时取向膜被剥离的问题。在外置型中，显示面板与触控面板之间不存在空隙的构成的情况下，也容易产生同样的问题。此处，单元是指显示单元(以下，也称为“显示面板。”)例如，液晶显示面板包括将液晶层夹在中间并彼此相对的一对基板(例如，有源矩阵基板和相对基板)，不包括偏光板。On-cell型是指偏光板和液晶显示面板的相对基板之间具有负责触控面板功能的层，in-cell型是指液晶显示面板的相对基板的液晶层侧或有源矩阵基板上具有负责触控面板功能的层。
一般，间隔物以与设置在相对基板上的遮光层(黑矩阵)重叠的方式设置。因此，即使取向膜被部分地剥离，液晶分子的取向发生混乱的位置只要是与遮光层(黑矩阵)重叠的话，显示品质的下降则不会发生。但是，当例如在上述的振动、来自外部施加的力的影响下，(至少暂时地)有源矩阵基板10和相对基板30的位置偏移，或基板弯曲时，取向膜被剥离的位置容易到达设置有间隔物950的位置周边。如图6的虚线所示那样，当取向膜被剥离且液晶分子的取向发生混乱的位置到达设置有遮光层(黑矩阵)的位置之外的位置时，可能发生显示品质的下降。由于相较于相对基板30的液晶层40侧，有源矩阵基板10的液晶层40侧普遍地平坦性低，因此，当相对基板30具有间隔物时，容易产生因为振动、从外部施加的力，第一取向膜7由于间隔物50而被部分地剥离之类的问题。例如，有时在特定位置(例如，与TFT17重叠的部分)的第一取向膜27被剥离。详细的在后面叙述。
另外，了解到：如图12所示，当无机绝缘层23的高度高的点(例如与TFT17重叠的部分)相较于设置有间隔物950的位置，位于间隔物950的更近时，由于(至少暂时地)有源矩阵基板10与相对基板30的位置偏差，或基板弯曲，容易产生设置有间隔物950的位置的周边的第一取向膜27被剥离的之类问题。不管间隔物950是所谓的主间隔物还是副间隔物，上述问题都会产生。另外，图12虽然示出了有机绝缘层25以与TFT17重叠的方式形成的构成，但上述问题的产生不限于这种液晶显示面板。即使是有机绝缘层25不与TFT17重叠的液晶显示面板，也存在产生上述问题的情况。这是因为：TFT17由于具有多层被层叠的层叠结构，因此，一般无机绝缘层23的高度在TFT部分，比其他部分高。
可能产生取向膜由于振动、从外部施加的力被部分地剥离之类的问题的液晶显示面板，可以是纵向电场模式或横向电场模式的任意一个，不论液晶层所包含的液晶材料以及取向膜的取向处理方法。
由于以上的原因，对比例的液晶显示面板900B在间隔物950附近的图6的以虚线所示的区域中，时常发生液晶分子的取向混乱，显示品质的下降。
再次参考图10至图11，说明本发明的实施方式二的液晶显示面板200能够解决上述问题，特别是由于取向膜由于振动、从外部施加的力而被剥离，因而显示品质下降的问题一事。
在设置于液晶显示面板200的显示区域的间隔物50的每一个，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，以与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠的方式配置这一点上，与对比例二的液晶显示面板900B不同。即，间隔物50的每一个，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，以与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠的方式配置。
对比图11(a)与图12的话可知，液晶显示面板200中设置有间隔物50的位置相较于对比例二的液晶显示面板900B中设置有间隔950的位置，有源矩阵基板10的无机绝缘层23的高度高。液晶显示面板200中设置有间隔物50的位置，典型地，可以是显示区域100d内无机绝缘层23的高度最高的位置。因此，间隔物50附近的无机绝缘层23的高度比设置有间隔物50的位置的无机绝缘层23的高度小。液晶显示面板200，能够抑制例如，由于有源矩阵基板10与相对基板30的位置偏差，或基板弯曲，设置有间隔物50的位置的周边的第一取向膜27被剥离的之类问题的产生。液晶显示面板200，能够不降低开口率，而抑制由间隔物周边的取向膜被部分剥离而引起的显示品质的下降。
对比图11(a)与图12的话可知，对比例二的液晶显示面板900B中设置有间隔物950的位置的有源矩阵基板10表面，比液晶显示面板200中设置有间隔50的有源矩阵基板10的表面平坦。即，在对比例二的液晶显示面板900B中，设置有间隔物950的位置上，有源矩阵基板10由于具有不包含栅极金属层12、半导体层14以及源极金属层16的层叠结构，因此，有源矩阵基板10的表面的凹凸少。在相对基板30上设置设置间隔物时，从均匀控制液晶层40的厚度的观点来看，如对比例二的液晶显示面板900B那样，选择有源矩阵基板10的液晶层40侧的表面凹凸少的位置而设置的情况很多。
对比例二的液晶显示面板900B的间隔物950为设置于相对基板30的突起状构造体39，且不含有机绝缘层25。相对于此，液晶显示面板200的间隔物50由于包含有机绝缘层25的一部分和突起状构造体39，因此，在液晶显示面板200中，能够使突起状构造体39的高度比比较例二的液晶显示面板900B低。间隔物50的高度与间隔物950的高度的差Δ2(参考图11(a))，例如与栅极金属层12、半导体层14、源极金属层16以及有机绝缘层25的厚度之和几乎相等。液晶显示面板200能够削减形成突起状构造体39的材料的成本。另外，在图案化突起状构造体39的光刻工序中，能够得到容易控制线宽偏差、尖锥形状的优点。进一步，在进行第二取向膜37的取向处理时，能够抑制在突起状构造体39的周边没有被充分实施取向处理的问题的产生。
液晶显示面板200的间隔物50将有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙保持为有机绝缘层25的厚度和突起状构造体39的高度之和来。当增大有机绝缘层25的厚度时，能够更加有效地抑制间隔物50的周边的第一取向膜27由于突起状构造体39被剥离的问题的产生。这是因为，当设置有间隔物50的位置与间隔物50周边的，设置于第一透明基板11上的层叠结构的高度之差(例如图11(a)所示的Δ2或者Δ3)大时，能够更有效地抑制间隔物50的周边的第一取向膜27由于突起状构造体39被剥离的问题的产生。
在液晶显示面板200的制造步骤中，形成有机绝缘层25时没有必要使用多级灰度掩膜。在相对基板30的表面形成第二取向膜37之前，形成突起状构造体39。突起状构造体39的形成，具体地，通过在第二透明基板31上沉积有机绝缘膜之后，图案化有机绝缘膜进行。作为有机绝缘膜的材料，例如能够使用负型或正型感光树脂(光致抗蚀剂)。
接下来，说明本实施方式的液晶显示面板的改变例。
图13中示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200A。图13是示意性地示出液晶显示面板200A的显示区域的结构的俯视图。
液晶显示面板200A在源极总线S具有没有被有机绝缘层25覆盖的部分这一点上，与液晶显示面板200不同。源极总线S内，间隔物50的周边部分没有被有机绝缘层25所覆盖。形成有源极总线S的区域内没有被有机绝缘层25覆盖的部分，设置于第一透明基板11的层叠结构的高度相对于设置有间隔物的位置的差大。因此，液晶显示面板200A能够有效地抑制间隔物50的周边的第一取向膜27由于突起状构造体39被剥离的问题的产生。
多条源极总线S具有没有被有机绝缘层25覆盖的部分，因而能够获得以下效果。例如，在形成第一取向膜27之前，在清洗有源矩阵基板10时，能够抑制清洗液在特定位置的残留。另外，在利用滴注法形成第一取向膜27时，由于取向膜容易均匀地扩张，能够抑制取向膜的涂布不均。
源极总线S内，没有被有机绝缘层25所覆盖的部分的y轴方向的长度w25s，例如为10μm。如已经说明的那样，当源极总线S内，没有被有机绝缘层25覆盖的部分的面积增大时，上述降低源极总线负载的效果以及抑制源极总线S与公共电极26a之间的漏电流的效果可能会变小。源极总线S内，没有被有机绝缘层25所覆盖的部分的长度w25s只要考虑源极驱动器的驱动能力、像素数、分辨率等适当设定即可。
此外，源极总线S没有被有机绝缘层25所覆盖的部分不限于图13的例子。例如，各像素P的第一畴P1与第二畴P2的边界部分也可以设有没有被有机绝缘层25覆盖的部分。
即使在具有这种构成的液晶显示面板200A中，也能获得与液晶显示面板200同样的效果。
图14中示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200B。图14是示意性地示出液晶显示面板200B的显示区域的结构的俯视图。
液晶显示面板200B的间隔物50包含彼此具有不同高度的第一间隔物51以及第二间隔物52。在液晶显示面板200B中，通过使有机绝缘层25内构成间隔物50的部分的厚度彼此不同形成第一间隔物51以及第二间隔物52。第一间隔物51具有有机绝缘层25的一部分25a和突起状构造体39，第二间隔物52具有有机绝缘层25的一部分25b和突起状构造体39。构成第一间隔物51以及第二间隔物52的有机绝缘层25的一部分25a以及25b的厚度彼此不同。构成第一间隔物51以及第二间隔物52的突起状构造体39的高度彼此不同。
不限于举例示出的构成，可以使有机绝缘层25的厚度在第一间隔物51以及第二间隔物52维持彼此相同，使突起状构造体39的高度彼此不同从而形成第一间隔物51以及第二间隔物52。
在具有这种构成的液晶显示面板200B中，也能获得与液晶显示面板200同样的效果。
图15中示出液晶显示面板200的改变例的液晶显示面板200C。图15是示意性地示出液晶显示面板200C的显示区域的结构的俯视图。
液晶显示面板200C在遮光层32具有的开口部32o的面积上，比液晶显示面板200大。即，液晶显示面板200C具有比液晶显示面板200高的像素开口率。液晶显示面板200C所具有的遮光层(黑矩阵)32，可以与如图9所示的液晶显示面板100A所具有的遮光层100A相同。例如，液晶显示面板200C的像素开口率，比液晶显示面板200的像素开口率高28％左右。例如，在液晶显示面板200中，遮光层32的覆盖栅极总线G的第二部分32b的宽度w32b为53.5μm，相对于此，在液晶显示面板200C中，遮光层32的第二部分32b的宽度w32b为20μm。
液晶显示面板200C在栅极电极12g、源极电极16s以及漏极电极16d的形状上也与液晶显示面板200不同。由此，相比于液晶显示面板200能够提高遮光层32的开口部32o的面积。另外，通过以与公共电极26a的狭缝26as的端部重叠的方式设置用于连接漏极电极16d和像素电极22a的漏极引线16de，能够抑制由栅极总线G的电场引起而产生的液晶分子的取向混乱，能够有效地防止显示品质的下降。
在具有这种构成的液晶显示面板200C中，也能获得与液晶显示面板200同样的效果。
(实施方式三)
图16表示本实施方式的液晶显示面板300。图16是示意性地示出液晶显示面板300的显示区域的结构的俯视图。
如图16所示，液晶显示面板300在公共电极26a所具有的狭缝26as延伸的方向上，与实施方式一的液晶显示面板100不同。液晶显示面板300的公共电极26a的狭缝26as在与图16的x轴方向几乎平行的方向上延伸。因此，在液晶层40包含各向异性为正的向列液晶材料时，由第一取向膜27以及第二取向膜37所规定的取向限制方向D1以及D2，如图示那样，例如，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与x轴方向平行或者反平行。
液晶显示面板300能够不增大遮光层32的面积，即，不降低开口率，而抑制由间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降。
特别是，在液晶层40包含各向异性为正的向列液晶材料时，由于在图16的左右方向(图16的x轴方向)上实施取向处理，在液晶显示面板300中，由间隔物的周边的取向膜没有被充分实施取向处理而引起的显示品质的下降的问题难以产生。这是因为在图16的左右方向上实施取向处理时，成为间隔物50的背面的部分，被遮光层32内覆盖栅极总线G的第二部分32b所覆盖。另外，例如为了获得广视角而在观察者侧配置相位差薄膜的构成的情况下，液晶显示面板300具有相比于液晶显示面板100，容易获得左右方向的视角比上下方向广(能够获得高对比度的区域广)的特性的倾向。液晶显示面板300例如适用于横长的液晶显示面板、汽车的仪表板(instrument panel)、飞机的驾驶舱等，适用于比起上下方向更重视左右方向的视角特性的液晶显示面板中。但是，由于存在液晶显示面板300的像素开口率比液晶显示面板100的像素开口率差的情况，为了提高像素开口率，优选使用适合以下的改变例。此外，也存在相位差薄膜被配置于与观察者侧相反侧，即光源(背光源)侧的情况。
说明本实施方式的液晶显示面板的改变例。
图17中示出液晶显示面板300的改变例的液晶显示面板300A。图17是示意性地示出液晶显示面板300A的显示区域的结构的俯视图。
液晶显示面板300A在遮光层32具有的开口部32o的面积上，比液晶显示面板300大。即，液晶显示面板300A具有比液晶显示面板300高的像素开口率。例如，液晶显示面板300A的像素开口率比液晶显示面板300的像素开口率高44％左右。例如，在液晶显示面板300中，遮光层32的覆盖栅极总线G的第二部分32b的宽度w32b为53.5μm，相对于此，在液晶显示面板300A中，遮光层32的第二部分32b的宽度w32b为20μm。另外，虽然液晶显示面板300在各像素P的第一畴P1和第二畴P2之间具有遮光层32，但液晶显示面板300A没有。
液晶显示面板300A在栅极电极12g、源极电极16s以及漏极电极16d的形状也与液晶显示面板300不同。由此，能够相比于液晶显示面板300提高遮光层32的开口部32o的面积。另外，通过以与公共电极26a的狭缝26as的端部重叠的方式设置用于连接漏极电极16d和像素电极22a的漏极引线16de，能够抑制由栅极总线G的电场引起而产生的液晶分子的取向混乱，能够有效地防止显示品质的下降。
在具有这种构成的液晶显示面板300A中，也能获得与液晶显示面板300同样的效果。
图18中示出液晶显示面板300A的改变例的液晶显示面板300B。图18是示意性地示出液晶显示面板300B的显示区域的结构的俯视图。
液晶显示面板300B在间隔物50的构成上，与液晶显示面板300A不同。液晶显示面板300B的多个间隔物50的每一个，与实施方式二相同地，均包含有机绝缘层25的一部分和突起状构造体39。液晶显示面板300B所具有的间隔物50可以与实施方式二相同。
在具有这种构成的液晶显示面板300B中，也能获得与液晶显示面板300同样的效果。液晶显示面板300B，能够不降低开口率，而抑制由间隔物周边的取向膜被部分剥离而引起的显示品质的下降。
(实施方式四)
图19以及图20表示本实施方式的液晶显示面板400。图19以及图20为示意性地表示液晶显示面板400的显示区域的结构的俯视图以及剖面图，图20(a)以及(b)分别表示沿图19中的20-20A’线以及20B-20B’线的液晶显示面板400的剖面结构的图。
液晶显示面板400，在为CPA模式的液晶显示面板这一点上，与液晶显示面板100不同。在液晶显示面板400中，第二透明电极26a作为像素电极26a发挥作用。像素电极26a在设置于无机绝缘层23的接触孔CH中，与漏极电极16d电性连接。相对基板30具有与像素电极26a相对设置的相对电极36。相对电极36由透明的导电材料(例如ITO)构成。相对于像素电极26a在每一像素中独立设置，相对电极36，例如，为在图19的上下方向(与图19的y轴平行的方向)上连续的导电膜，按照每一像素列地连续形成的各相对电极36，例如在显示区域的周边的非显示区域中彼此连接，向所有像素提供公共电位的电极(公共电极)。第一透明电极22a作为辅助电容电极(透明CS电极)发挥作用。
液晶层40为垂直取向型的液晶层。也就是说，包含于液晶层40中的液晶分子具有负的各向异性，在没有电压施加于像素电极26a与相对电极36之间的状态下，相对于基板面大致垂直(典型地，预倾角为85°且90°)取向。第一取向膜27以及第二取向膜37为垂直取向膜。
各像素P具有呈轴对称取向的第一畴P1以及第二畴P2。相对基板30中，朝有源矩阵基板10侧突出的取向限制突起35设置于与各畴的大致中央对应的区域。取向限制突起35使各畴内的液晶分子轴对称取向。在像素电极26a的边缘产生的倾斜电场也发挥使液晶分子轴对称取向的作用。
液晶显示面板400能够不增大遮光层32的面积，即，不降低开口率，而抑制取向膜由于振动、从外部施加的力而被部分剥离而引起的显示品质的下降。
接下来，说明本实施方式的液晶显示面板的改变例。
图21以及图22中示出液晶显示面板400的改变例的液晶显示面板400A。图21以及图22为示意性地表示液晶显示面板400A的显示区域的结构的俯视图以及剖面图，图22(a)以及(b)分别表示沿图21中的22-22A’线以及22B-22B’线的液晶显示面板400A的剖面结构的图。
液晶显示面板400的辅助电容电极22a在每一像素列中连续形成。在液晶显示面板400A中，相邻像素列的辅助电容通过连接布线12c彼此电性连接。连接布线12c以栅极金属层12形成。通过利用连接布线12c将两个以上辅助电容电极22a在行方向上连接，能够低电阻化。连接布线12c能够以连接在行方向上相邻的任意两个辅助电容电极22a的方式设置。没有必要是相同的像素行，只要根据需要，形成(像素行的数量-1)个以上的连接布线12c以能够横跨整个显示区域，而使提供给辅助电容电极22a的电压均匀化即可。另外，像素开口率可能会由于连接布线12c而下降，因此，例如考虑液晶显示面板的显示区域的面积等，适当调整连接布线12c的数量即可。
(实施方式五)
在先前的实施方式中，主要针对液晶显示面板100的显示区域100d进行说明。在本实施方式中，针对液晶显示面板100的非显示区域100f进行说明。图23以及图24是示意性地示出液晶显示面板100的非显示区域100f的结构的俯视图以及剖面图。图23为放大被图1的粗虚线所包围的区域示出的图，与图1相同地，以粗虚线表示显示区域100d。图24是示出沿图23中的24A-24A’线的液晶显示面板100的非显示区域100f的剖面结构的图。
如图1所示，液晶显示面板100的非显示区域100f包括包围液晶层40的密封部68。
如图24所示，有源矩阵基板10，在非显示区域100f中，具有栅极金属层12、栅极绝缘层(有时也称为“第一无机绝缘层”。)13、半导体层14、源极金属层16、第一透明导电层22、无机绝缘层(有时也称为“第二无机绝缘层”。)23以及有机绝缘层25。有源矩阵基板10在非显示区域100f中，还具有第二透明导电层26。形成各层的材料、各层的形成方法等的详细，关于和显示区域100d共同的事项有时省略说明。
液晶显示面板100具有用于保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的间隙的多个间隔物50，多个间隔物50包含位于显示区域100d的多个间隔物和位于未显示区域100f的多个间隔物55。在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，多个间隔物55的每一个均与第一透明导电层22以及无机绝缘层23重叠。在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，多个间隔物55的每一个均与栅极金属层12和/或者源极金属层16重叠。多个间隔物55的每一个均包含有机绝缘层25的一部分。
如已经说明的那样，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，位于显示区域100d的间隔物的每一个，与TFT17的源极电极16s以及漏极电极16d的至少一个重叠。即，在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，位于显示区域100d的多个间隔物的每一个均与栅极金属层12和/或者源极金属层16重叠。另外，如已经说明的那样，位于显示区域100d的间隔物的每一个均包含有机绝缘层25的一部分。在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，例如图图3(a)所示，位于显示区域100d的间隔物的每一个均与第一透明导电层22以及无机绝缘层23重叠。
这样一来，位于非显示区域100f的间隔物55的每一个均具有与位于显示区域100d的间隔物几乎相同的高度。由此，液晶显示面板100能够均匀地保持非显示区域100f与显示区域100d内的与非显示区域100f相邻的部分的单元间隙。另外，设置有间隔物55的位置可能具有包含有源矩阵基板10所具有的层内、第二透明导电层26以外的所有层的层叠结构，因此，液晶显示面板100中存在能够降低形成间隔物55的材料的使用量，能够降低制造成本的情况。再者，液晶显示面板100由于能够降低间隔物55的高度以及体积，因此变得容易抑制低温气泡(真空气泡)的产生。
位于非显示区域100f的间隔物55的配置(包含位置以及密度)可以是任意配置。例如，间隔物55可以形成于密封部68的内侧，也可以被密封部68所覆盖。通过适当调节位于非显示区域100f的间隔物55的配置，液晶显示面板100能够具有以下优点。在液晶显示面板100的制造步骤中，一般地，进行以下步骤：制作包含多片液晶显示面板的母板，之后，切断母板从而取出各液晶显示面板。在切断母板的步骤中，例如通过使用齿轮刀具等在母玻璃基板上设划线(玻璃基板表面的划痕)作为切断的起点。由于齿轮刀具等与母玻璃基板表面接触时的重量施加，有时玻璃基板发生挠曲。玻璃基板的挠曲大的情况下，会成为切断面的裂缝、密封材的剥离等的原因。此外，玻璃基板的挠曲的大小依赖于例如用于保持单元间隙的部件的配置、密封部68与划线的距离等。虽然划线一般来说设置于密封部68外侧，但也可以与密封部68重叠设置。液晶显示面板100通过具有在非显示区域100f以及其附近适当配置的间隔物50，能够抑制由于切断时的重量施加而玻璃基板中产生挠曲的情况。
另外，液晶显示面板100在非显示区域100f中，将公共电极26a与向公共电极26a提供公共电压的公共干线电性连接时，通过防止第二透明导电层26的缺损，能够防止公共电压的信号波形中产生钝化，抑制显示品质的下降。对于公共干线以及公共干线与公共电极的电性连接，在以下进行说明。
液晶显示面板100在非显示区域100f中，具有：第一公共干线T1，其连接于第一透明电极22a或第二透明电极26a，包括栅极金属层12的一部分；第二公共干线T2，其连接于第一透明电极22a或第二透明电极26a，包括源极金属层16的一部分。公共干线T1、T2例如连接于作为公共电极发挥作用的第二透明电极26a。公共电压被从公共干线T1和/或者T2提供至公共电极26a。公共干线例如通过图案化与栅极金属层12相同的导电膜或者与源极金属层16相同的导电膜而获得。此处，将由栅极金属层12所形成的公共干线称为第一公共干线T1，将由源极金属层16所形成的公共干线称为第二公共干线T2。在图示的例子中，在密封部68的内侧，沿显示区域100d的四条边，设置有第一公共干线T1和/或者第二公共干线T2。沿显示区域100d的三条边设置有第一公共干线T1，沿剩下的一条边设置有第二公共干线T2。公共电压通过引出布线12e被提供至第一公共干线T1。引出布线12e例如以栅极金属层12形成。
公共干线优选具有栅极金属层12和/或者源极金属层16的一部分。当公共干线具有栅极金属层12和/或者源极金属层16的一部分时，能够抑制为了形成公共干线的步骤的增加。另外，公共干线具有栅极金属层12和/或者源极金属层16的一部分，由此能够使公共干线低电阻化。公共干线可以具有包含栅极金属层12和/或者源极金属层16的一部分的层叠结构。公共干线也可以具有栅极金属层12和源极金属层16的层叠结构。具有栅极金属层和源极金属层的层叠结构的公共干线，例如由本申请人在国际公开第2013/077262号中公开。对于公共干线的配置以及公共干线与公共电极的电性连接，也不限于举例示出的配置以及连接。两种公共干线与公共电极的电性连接关系例如由本申请人在国际公开第2013/077262号中公开。为了参考，在本说明书中援引国际公开第2013/077262号的所有公开内容。
图中虽然示出了第二透明电极26a作为公共电极发挥作用的例子，但是，如已经描述的那样，在液晶显示面板100中，第一透明电极22a也可以作为公共电极发挥作用。这种情况下，第一公共干线T1以及第二公共干线T2与公共电极22a电性连接，公共电压被从公共干线T1和/或者T2提供至公共电极22a。
将设置于非显示区域100f的间隔物55按照设置的位置以及层叠结构来分类说明。如以下所示那样，多个间隔物55可以包含从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与第一公共干线T1和/或者第二公共干线T2重叠的间隔物55。间隔物55可以包含主间隔物或者副间隔物。
如图23以及图24所示，间隔物55A与第一公共干线T1以及第二公共干线T2完全重叠。即，间隔物55A在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与栅极金属层12和/或者源极金属层16完全重叠。
间隔物55B与第二公共干线T2完全重叠，与栅极总线G重叠。间隔物55B在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与栅极金属层12或者源极金属层16完全重叠。
间隔物55C与第二公共干线T2完全重叠，与由栅极金属层12形成的柱部12p完全重叠。间隔物55D与第一公共干线T1完全重叠，与由源极金属层16形成的柱部16p完全重叠。间隔物55C以及间隔物55D分别从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与栅极金属层12和/或者源极金属层16完全重叠。间隔物55C由于含有柱部12p，具有与间隔物55A以及间隔物55B相同的高度。间隔物55D由于含有柱部16p，具有与间隔物55A以及间隔物55B相同的高度。此外，柱部12p、柱部16p在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，不限于如图23所示的正方形，可以是长方形，也可以是其他多角形或者圆形。
间隔物55E与源极总线S重叠。间隔物55E从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与源极金属层16重叠。
如上述那样，位于非显示区域100f的间隔物55的每一个均包含，具有与位于显示区域100d的间隔物几乎相同的高度的间隔物。因此，非显示100f的相对基板30的层叠结构优选为与显示区域100d的相对基板30的层叠结构相同。如图24所示，相对基板30在非显示区域100f中，例如具有第二透明基板(例如玻璃基板)31、设置于第二透明基板31上的遮光层(黑矩阵)32、彩色滤光片层33、覆盖彩色滤光层33的平坦化层34。也就是说，具有与如图3所示的显示区域100d的相对基板30相同的层叠结构。彩色滤光片层33，包括例如使彼此不同颜色的光透射的三种彩色滤光片(第一彩色滤光片、第二彩色滤光片以及第三彩色滤光片)。彩色滤光层33的层叠结构，不限于图示的例子可以是任意结构，例如可以使透射彼此不同颜色的光的两个以上彩色滤光片重叠。但是，彩色滤光层33的层叠结构不限于举例示出的结构，优选在显示区域100d设置有间隔物的位置与在非显示区域100f设置有间隔物的位置处相同。进一步换句话说，优选在显示区域100d设置有间隔物的位置与在非显示区域100f设置有间隔物的位置处，相对基板30的厚度(相对基板30的法线方向的厚度)彼此相等。因此，例如，也可以适当调整平坦化层34的厚度，以使在显示区域100d设置有间隔物的位置与在非显示区域100f设置有间隔物的位置处，相对基板30的厚度彼此相等。例如，通过使透射彼此不同颜色的光的两个以上彩色滤光片重叠，能够省略平坦化层34。
设置于非显示区域100f的间隔物55优选不与第二透明导电层26重叠。如已经说明的那样，第二透明导电层26形成于无机绝缘层23之上，第二透明导电层26的一部分形成于有机绝缘层25之上。当间隔物55与第二透明导电层26重叠时，例如存在间隔物55为主间隔物时，第二透明导电层26的一部分与相对基板30接触。此时，存在第二透明导电层26破损的担忧。另外，破损了的第二透明导电层26的残片有时会成为漏电缺陷的原因。例如，在第二透明电极26a作为像素电极发挥作用时，有可能变成相邻的像素电极间产生漏电的原因。另外，当被连接于作为静电放电保护元件而设置的二端子元件(二极管)的布线部分地包含第二透明导电层26时，有时成为相邻的静电放电保护元件之间产生漏电的原因。当间隔物55不与第二透明导电层26重叠时，能够抑制这些问题的产生。即使是第一透明电极22a作为公共电极发挥功能的情况下，优选间隔物55不与第二透明导电层26重叠。
如图23所示，例如，第二透明导电层26具有开口部26h，间隔物55A、间隔物55B以及间隔物55C设置于开口部26h内。即，间隔物55A、55B以及55C不与第二透明导电层26重叠。间隔物55D以及间隔物55E也如图示那样，不与第二透明导电层26重叠。
如上述那样，作为制造液晶显示面板100的方法，也可以使用利用两片掩膜来形成半导体层14、源极金属层16以及第一透明导电层22的方法。在利用该方法制造的液晶显示面板100中，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，形成有源极金属层16的区域中，在源极金属层16上形成有第一透明导电层22，第二金属层16与第一透明导电层22直接接触。从有源矩阵基板10的法线方向观察时，形成有源极金属层16的区域中，在源极金属层16之下形成有半导体层14，第二金属层16与半导体层14直接接触。因此，在通过上述方法制造的液晶显示面板中，间隔物(包含设置于显示区域100d中的间隔物以及设置于非显示区域100f的间隔物)，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，可以与源极金属层16以及半导体层14重叠。间隔物(包含设置于显示区域100d中的间隔物以及设置于非显示区域100f的间隔物)，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，可以与源极金属层16以及第一透明导电层22重叠。在图23中，示出源极金属层16与半导体层14以及第一透明导电层22具有相同形状的例子。
关于第一公共干线T1或者第二公共干线T2与第二透明导电层26的电性连接进行说明。液晶显示面板100的非显示区域100f中，例如设置有以下的接触孔。
栅极绝缘层13以及无机绝缘层23中形成有第一接触孔CH1。第一接触孔CH1由形成于栅极绝缘层13的开口部13a以及形成于无机绝缘层23的开口部23a构成。第一接触孔CH1在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与第一公共干线T1重叠，不与第二公共干线T2重叠。即，第一接触孔CH1以第一公共干线T1暴露出来的方式形成。第一公共干线T1与第二透明导电层26通过第一接触孔CH1电性连接。
无机绝缘层23中形成有第二接触孔CH2。第二接触孔CH2在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与第二公共干线T2重叠。即，第二接触孔CH2以第二公共干线T2暴露出来的方式形成。第二公共干线T2与第二透明导电层26通过第二接触孔CH2电性连接。
栅极绝缘层13、源极金属层16以及无机绝缘层23中形成有第三接触孔CH3。第三接触孔CH3由形成于栅极绝缘层13的开口部13c、形成于源极金属层的16c以及形成于无机绝缘层23的开口部23c构成。第三接触孔CH3在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与第一公共干线T1重叠。即，第三接触孔CH3以第一公共干线T1暴露出来的方式形成。第一公共干线T1与第二透明导电层26通过第三接触孔CH3电性连接。
无机绝缘层23中形成有第四通孔CH4。第四通孔CH4在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，与第二公共干线T2重叠。即，第四接触孔CH4以第二公共干线T2暴露出来的方式形成。第二公共干线T2与第二透明导电层26通过第四接触孔CH4电性连接。虽然第二接触孔CH2在从有源矩阵基板10的法线方向观察时，不与栅极金属层12重叠，但第四接触孔CH4从有源矩阵基板100的法线方向观察时，与栅极金属层12重叠。
位于非显示区域100f的多个间隔物55，可以包含形成于密封部68的内侧的间隔物55。位于非显示区域100f的多个间隔物55，可以包含被密封部68覆盖的间隔物55。
位于非显示区域100f的多个间隔物55包括位于密封部68内侧的间隔物55以及被密封部68覆盖的间隔物55的情况下，设置有位于密封部68的内侧的间隔物55的位置的有机绝缘层25的高度与设置有被密封部68所覆盖的间隔物55的位置的有机绝缘层25的高度，例如彼此几乎相等。此处，所谓有机绝缘层25的高度是指有源矩阵基板10的法线方向的从第一透明基板11的液晶层40侧的表面至有机绝缘层25的液晶层40侧的表面的距离。
作为形成密封部68的密封材，例如光硬化性树脂(包含与热硬化一同使用的光硬化性树脂)被广泛使用。密封材不限于紫外线硬化性树脂，可以使用以其他波长的光(例如可见光)来硬化的树脂，也可以适当地使用各种光硬化性树脂。另外，所谓光硬化性树脂是指通过照射规定波长的光从而进行硬化反应的树脂，包含在光硬化之后，能够进一步进行热硬化的树脂。通过与热硬化一同使用，一般，硬化物物性(硬度、弹性率)提高。进一步，密封材中也可以混合了光硬化性树脂和用于赋予散射性的粒子(填充剂)。使粒子分散的密封材由于使光散射或者扩散反射，能够获得使光传播至密封材内更广的部分的效果。
密封材也可以包含保持有源矩阵基板10与相对基板30之间的距离的粒状间隔物。但是，当位于非显示区域100f的多个间隔物55包含被密封部68覆盖的间隔物55时，密封材可以不包含粒状间隔物，而均匀地保持单元间隙。当使用不包含粒状间隔物的密封材时，能够在与有源矩阵基板10的表面高度没有关系的任意位置形成密封部68。由此，能够获得液晶显示面板100的窄边框化，或者，能够削减制造成本。此处，所谓有源矩阵基板10的表面高度是指有源矩阵基板10的液晶层40侧的表面的，从第一透明基板11的液晶层40侧的表面的在有源矩阵基板10的法线方向上的距离。
密封材可以包含导电性粒子。特别是，当在纵向电场模式的液晶显示面板中，使用包含导电性粒子的密封材时，能够利用导电性粒子形成电性连接有源矩阵基板10与形成于相对基板30上的相对电极的转移部。
如上述那样，在非显示区域100f中，通过使间隔物55与第一公共布线T1和/或者第二公共布线T2重叠配置，间隔物55的每一个以与栅极金属层12和/或者源极金属层16重叠的方式配置。但是，本发明的实施方式并不限于此。非显示区域100f例如，能够包含对显示没有帮助的虚拟像素的TFT、用于检查显示区域100d的像素等中是否存在缺陷的检查用TFT、作为静电放电保护元件而设置的二端子元件(二极管)(包含TFT)、驱动TFT等。位于非显示区域100f的间隔物55可以，以与上述TFT重叠的方式设置。即，间隔物55，从有源矩阵基板10的法线方向观察时，以与上述TFT的源极以及漏极的至少一个重叠的方式配置。
在本实施方式中，虽然针对实施方式一的液晶显示面板100的非显示区域100f进行了说明，但本发明的实施方式不限于此。在其他实施方式的液晶显示面板的非显示区域中当然也能够适用，在其他情况下也能获得同样的效果。如在实施方式四中，对于CPA模式的液晶显示面板进行说明那样，在纵向电场模式的液晶显示面板中，例如，第二透明电极26a能够作为像素电极发挥功能，第一透明电极22a能够作为辅助电容电极发挥功能。此时，上述公共干线能够电性连接于辅助电容电极，且作为向辅助电容电极提供辅助电容电压的辅助电容干线发挥作用。
产业上利用的可能性
根据本实施方式，能够不使液晶显示面板的开口率下降，而抑制由感光间隔物附近的液晶分子的取向混乱引起的显示品质的下降。本发明的实施方式的液晶显示面板，能够作为横向电场模式或者纵向电场模式的液晶显示装置使用。
附图标记说明
10 有源矩阵基板
11 第一透明基板
12 第一金属层(栅极金属层)
12g 栅极电极
13 栅极绝缘层(第一无机绝缘层)
14 半导体层
16 第二金属层(源极金属层)
16s 源极电极
22 第一透明电极
23 无机绝缘层(第二无机绝缘层)
25 有机绝缘层
26 第二透明导电层
26a 第二透明电极
26as 狭缝
27 第一取向膜
30 相对基板
31 第二透明基板
32 遮光层
37 第二取向膜
39 突起状结构体
40 液晶层
50 间隔物
51 第一间隔物
52 第二间隔物
55 间隔物
100d 显示区域
100f 非显示区域
100、100A 液晶显示面板
200、200A、200B、200C 液晶显示面板
300、300A、300B 液晶显示面板
400、400A 液晶显示面板

Claims (18)

1.一种液晶显示面板，其具有：第一基板、第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、用于保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个间隔物，所述液晶显示面板具备：具有呈矩阵状排列的多个像素的显示区域和所述显示区域的周边的非显示区域，
其特征在于，
所述非显示区域包含包围所述液晶层的密封部，
所述多个间隔物包括位于所述显示区域的多个第一间隔物和位于所述非显示区域的多个第二间隔物，
所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中，具有：
第一透明基板、
形成于所述第一透明基板上的第一金属层、
形成于所述第一金属层上的第一无机绝缘层、
形成于所述第一无机绝缘层上的第二金属层、
形成于所述第二金属层上且与所述第二金属层直接接触的第一透明导电层、
形成于所述第一透明导电层上的第二无机绝缘层、
形成于所述第二无机绝缘层上的有机绝缘层，
从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一透明导电层以及所述第二无机绝缘层重叠，
从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一金属层和/或所述第二金属层重叠，
所述多个间隔物的每一个包括所述有机绝缘层的一部分，
所述第一透明导电层在所述非显示区域的整体与所述第二金属层直接接触，在所述非显示区域中，所述第二金属层和所述第一透明导电层具有相同形状。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中，还具有形成于所述第二无机绝缘层上的第二透明导电层，所述第二透明导电层的一部分形成于所述有机绝缘层上。
3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个间隔物包括不与所述第二透明导电层重叠的间隔物。
4.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，其特征在于，在所述显示区域中，当将所述第一基板的法线方向上的、从所述第一透明基板的所述液晶层侧的表面至所述第二无机绝缘层的所述液晶层侧的表面的距离作为第一高度时，设置有所述多个第一间隔物的位置的所述第一高度，与没有设置所述多个第一间隔物且具有包含所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层的层叠结构的位置的所述第一高度相比高。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第一金属层和/或所述第二金属层完全重叠的间隔物。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述第一基板在所述显示区域以及所述非显示区域中，具有形成于所述第二金属层之下的半导体层，
所述多个间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第二金属层以及所述半导体层重叠的间隔物。
7.如权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个第二间隔物包括被所述密封部所覆盖的第二间隔物。
8.如权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个第二间隔物包括位于所述密封部内侧的第二间隔物。
9.如权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述多个第二间隔物包括被所述密封部所覆盖的第二间隔物以及位于所述密封部内侧的第二间隔物，
当将所述第一基板的法线方向上的、从所述第一透明基板的所述液晶层侧的表面至所述有机绝缘层的所述液晶层侧的表面的距离作为第二高度时，设置有被所述密封部所覆盖的第二间隔物的位置的所述第二高度与设置有位于所述密封部内侧的第二间隔物的位置的所述第二高度彼此大致相等。
10.如权利要求2或3所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述第一基板在所述显示区域中，
具有：形成于所述第一透明基板上，且分别具有栅极电极、半导体层、源极电极以及漏极电极的多个TFT，
与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的一个连接且包括所述第一金属层的一部分的多条第一布线，
与所述多个TFT的所述栅极电极或者所述源极电极的另一个连接且包括所述第二金属层的一部分的多条第二布线；
所述多个第一间隔物分别与所述多个TFT的所述源极电极以及所述漏极电极的至少一个重叠。
11.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，在所述显示区域中，所述有机绝缘层的一部分形成于所述多条第二布线上，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式与所述多条第二布线几乎平行形成。
12.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二透明导电层的一部分覆盖以下部分，即在所述有机绝缘层内，以覆盖所述多条第二布线的至少一部分的方式形成的部分。
13.如权利要求10所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述第一透明导电层具有第一透明电极，
所述第二透明导电层具有隔着所述第二无机绝缘层与所述第一透明电极相对的第二透明电极，
所述第一透明电极或者所述第二透明电极的一个被连接于所述源极电极或者所述漏极电极的一个，
所述第二透明电极具有至少一个狭缝。
14.如权利要求13所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述第一基板在所述非显示区域中，具有第一干线和第二干线，
所述第一干线与所述第一透明电极或所述第二透明电极连接，包括所述第一金属层的一部分，所述第二干线与所述第一透明电极或所述第二透明电极连接，包含所述第二金属层的一部分，
所述多个第二间隔物包含从所述第一基板的法线方向观察时，与所述第一干线和/或所述第二干线重叠的第二间隔物。
15.如权利要求1至3任意一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二基板具有朝所述第一基板侧突出的多个突起状构造体，所述多个间隔物包含：还包含所述多个突起状构造体的任意一个的间隔物。
16.一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面板具有第一基板、第二基板、设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层、以及用于保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙的多个间隔物，
其特征在于，
所述第一基板具有：透明基板；形成于所述透明基板上的多个TFT，且分别具有栅极电极、半导体层、源极电极以及漏极电极的多个TFT；
包含：在所述透明基板上，形成包含所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的一个和连接于所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的所述一个的多条第一布线的第一金属层的步骤(a)；
在所述第一金属层上形成第一无机绝缘层的步骤(b)；
在所述第一无机绝缘层上，形成包含所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的另一个和连接于所述多个TFT的所述栅极电极或所述源极电极的所述另一个的多条第二布线的第二金属层的步骤(c)；
在所述第二金属层上形成第一透明导电层的步骤(d)；
在所述第一透明导电层上形成第二无机绝缘层的步骤(e)；
在所述第二无机绝缘层上形成有机绝缘层的步骤(f)，
在所述步骤(f)中形成的所述有机绝缘层包括所述多个间隔物，
从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一透明导电层以及所述第二无机绝缘层重叠，
从所述第一基板的法线方向观察时，所述多个间隔物的每一个与所述第一金属层和/或所述第二金属层重叠，
在所述步骤(c)中形成的所述第二金属层包括：所述多个TFT的所述源极电极以及所述漏极电极，和与所述多个TFT的所述源极电极连接的多个源极总线，
在所述步骤(d)中形成的所述第一透明导电层形成于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触；
所述步骤(c)以及所述步骤(d)包含：
在所述第一无机绝缘层上形成导电膜的步骤(g1)、
在所述导电膜上形成与所述导电膜直接接触的透明导电膜的步骤(g2)、
在所述透明导电膜上形成抗蚀膜，对所述抗蚀膜曝光、显影从而形成抗蚀层的步骤(g3)、
通过将所述抗蚀层作为掩膜蚀刻所述导电膜以及所述透明导电膜，从而获得所述第二金属层以及所述第一透明导电层的步骤(g4)。
17.如权利要求16所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二无机绝缘层上形成第二透明导电层的步骤(h)，
在所述步骤(h)中形成的所述第二透明导电层的一部分形成在所述有机绝缘层上。
18.如权利要求17所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述多个间隔物包括不与所述步骤(h)中形成的所述第二透明导电层重叠的间隔物。
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