CN108469870A - 一种应用于物联网中的基准电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种应用于物联网中的基准电路，包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。本发明一种高电源抑制比的基准电路，不使用运算放大器，也不使用滤波电容，运用自调节技术，产生高电源抑制比的基准电压。

Description

一种应用于物联网中的基准电路
技术领域
本发明涉及基准电压电路领域，尤其涉及一种应用于物联网中的基准电路。
背景技术
在物联网应用中，现代片上系统（SOC）设计的最新趋势是将模拟电路与嘈杂的数字电路，开关电容器和RF电路一起放置在同一管芯上，因此来自电源的噪声就不可忽视。这种噪声会显着降低整个系统的性能，特别是在高精度系统中。为了在高精度应用中产生稳定的参考电压，参考电路必须在低频和高频时都具有高电源抑制比（PSRR）。常见的方法是使用低压降稳压器（LDO）为基准电路供电。但这种方法需要一个高开环增益和宽带宽的运算放大器，这显然增加硅面积和功耗。另一种方法是使用一个高增益反馈环路，这也避免不了功率要求。
发明内容
为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种具有高电源抑制比的基准电路，不使用运算放大器，也不使用滤波电容，运用自调节技术，产生高电源抑制比的基准电压。为达上述及其它目的，本发明提供一种应用于物联网中的基准电路，其至少包括：
一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。
本发明提出了一种应用于物联网中的基准电路，包括：
所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；PM1管的源极连接电源电压VDD；PM1管的栅极与PM1管的漏极，NM1管的栅极，NM2管的漏极和电容C1的一端相连接；电容C1的另一端，NM1管的源极和NM2管的源极接地。
所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM2管的源极和PM3管的源极都与电源电压VD相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极，PM2管的漏极，NM1管的漏极，NM3管的漏极相连接；PM3管的漏极与PM4管的源极，PM6管的源极和NM9管的漏极相连接，其节点标注为A，作为所述基准产生电路参考电压VREG的输出端；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM5管的漏极与NM5管的漏极，NM5管的栅极，NM7管的栅极和NM3管的栅极相连接；PM6管的漏极与NM9管的栅极，NM7管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM3管的源极与NM4管的漏极相连接；NM4管的栅极与NM6管的栅极，NM6管的漏极，NM5管的源极和NM8管的栅极相连接；NM7管的源极与NM8管的漏极相连接；NM4管的源极，NM6管的源极，NM8管的源极和NM9管的源极都接地。
所述启动电路二由第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12和第十三NMOS管NM13构成；PM7管的源极连接电源电压VDD；PM8管的源极与PM3管的漏极相连接；PM8管的漏极与PM9管的源极相连接；PM8管的栅极与PM4管的栅极相连接；PM9管的栅极与PM5管的栅极和NM10管的漏极相连接；PM9管的漏极与NM12管的漏极和NM12管的栅极相连接；PM7管的栅极与PM7管的漏极，NM10管的栅极和NM11管的漏极相连接；NM12管的源极与NM13管的漏极，NM13管的栅极和NM11管的栅极相连接；NM10管的源极，NM11管的源极和NM13管的源极都接地。
所述基准产生电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14、第十五PMOS管PM15、第十四NMOS管NM14、第十五NMOS管NM15、第十六NMOS管NM16和第十七NMOS管NM17构成；PM10管的源极与PM3管的漏极，PM12管的源极和PM14管的源极相连接；PM10管的栅极与PM4管的栅极，PM12管的栅极，PM14管的栅极，PM11管的漏极和电阻R1的一端相连接；PM10管的漏极与PM11管的源极相连接；PM12管的漏极与PM13管的源极相连接；PM14管的漏极与PM15管的源极相连接；PM11管的栅极与PM5管的栅极，PM13管的栅极，PM15管的栅极，电阻R1的另一端和NM14管的漏极相连接；PM13管的漏极与电阻R2的一端，NM15管的栅极和NM17管的栅极相连接；电阻R2的另一端与NM16管的漏极，NM14管的栅极和NM16管的栅极相连接；NM14管的源极与NM15管的漏极相连接；NM16管的源极与NM17管的漏极相连接；NM15管的源极与三极管Q1的发射极相连接；NM17管的源极与电阻R3的一端相连接；电阻R3的另一端与三极管Q2的发射极相连接；PM15管的漏极与PM6管的栅极和电阻R4的一端相连接，其节点标注为B，作为基准电压VBG的输出端；电阻R4的另一端与三极管Q3的发射极相连接；三极管Q1的基极，Q1的集电极，Q2的基极，Q2的集电极，Q3的基极，Q3的集电极都接地。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明一种应用于物联网中的基准电路图。
具体实施方式
结合图1所示，在下面的实施例中，所述应用于物联网中的基准电路，其至少包括：一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。
所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；当上电的瞬间，电源电压VDD是个高电压，PM1导通，所以NM1管的栅端也是个高电压，NM1管处于导通状态，从而启动电压自调节电路，其中，电容C1用于消除启动过程中可能产生的自震荡。
所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；其中，NM7管、NM8管、NM9管和PM6管组成低阻抗分支电路，用于感知节点A处VREG电压的变化并将电流馈送到PM3管，以减小VREG的波动；NM7管和NM8管级联，进一步减小支路阻抗，以更好的隔绝电源噪声；因为上述晶体管均工作在饱和区，晶体管跨导远大于漏源电导，PM2管和PM3管都选用了长沟道晶体管，以获得更高的电源抑制比，在设计中其沟道长度取10um。
所述启动电路二由第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12和第十三NMOS管NM13构成；启动电路二用于启动基准产生电路，相较于传统启动电路，在电路设计中，启动电路二中的NM11管的W/L远大于PM7管的，也就是说PM7管工作在饱和区时，NM11工作在深三极管区，即NM11管的导通电阻远小于PM7管的导通电阻，NM10管栅极处的电压波动非常小，意味着电源噪声在耦合到基准产生电路前以被隔离，提高了基准电路的性能。
所述基准产生电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14、第十五PMOS管PM15、第十四NMOS管NM14、第十五NMOS管NM15、第十六NMOS管NM16和第十七NMOS管NM17构成；采用了自偏置电流镜结构，强制NM15管源极处电压和NM17管源极处电压等于Q1管的发射极-基极电压；其中M是PM12管和PM14管的W/L之比，N是Q1管和Q2管的发射极面积之比，通过调节M和N的大小和选择合适的R4/R3，可以得到温度系数为零的基准电压。
本发明提出了一种应用于物联网中的基准电路，提出了自调节技术和改进的启动电路，用较低的功率在较宽的频率范围内获得了超高的电源抑制比，与其他电路相比，不使用运算放大器，也不使用滤波电容，采用smic0.18工艺进行设计和仿真，仿真显示获得-112dB的PSRR。
虽然本发明利用具体的实施例进行说明，但是对实施例的说明并不限制本发明的范围。本领域内的熟练技术人员通过参考本发明的说明，在不背离本发明的精神和范围的情况下，容易进行各种修改或者可以对实施例进行组合，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种应用于物联网中的基准电路，其特征在于，包括：
一启动电路一，用于启动所述基准电路的电压自调节电路；一电压自调节电路，采用了自我调节技术，在较宽频率范围内显著提高了电路电源抑制比；一启动电路二，用于启动所述基准电路的基准产生电路，避免了传统启动电路引起的电源耦合噪声；一基准产生电路，采用自偏置电流镜结构，经过温度补偿，产生高精度的基准电压。
2.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述启动电路一由第一电容C1、第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2构成；PM1管的源极连接电源电压VDD；PM1管的栅极与PM1管的漏极，NM1管的栅极，NM2管的漏极和电容C1的一端相连接；电容C1的另一端，NM1管的源极和NM2管的源极接地。
3.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述电压自调节电路由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成；PM2管的源极和PM3管的源极都与电源电压VDD相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极，PM2管的漏极，NM1管的漏极，NM3管的漏极相连接；PM3管的漏极与PM4管的源极，PM6管的源极和NM9管的漏极相连接，其节点标注为A，作为所述基准产生电路参考电压VREG的输出端；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM5管的漏极与NM5管的漏极，NM5管的栅极，NM7管的栅极和NM3管的栅极相连接；PM6管的漏极与NM9管的栅极，NM7管的漏极和NM2管的栅极相连接；NM3管的源极与NM4管的漏极相连接；NM4管的栅极与NM6管的栅极，NM6管的漏极，NM5管的源极和NM8管的栅极相连接；NM7管的源极与NM8管的漏极相连接；NM4管的源极，NM6管的源极，NM8管的源极和NM9管的源极都接地。
4.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述启动电路二由第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十NMOS管NM10、第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12和第十三NMOS管NM13构成；PM7管的源极连接电源电压VDD；PM8管的源极与PM3管的漏极相连接；PM8管的漏极与PM9管的源极相连接；PM8管的栅极与PM4管的栅极相连接；PM9管的栅极与PM5管的栅极和NM10管的漏极相连接；PM9管的漏极与NM12管的漏极和NM12管的栅极相连接；PM7管的栅极与PM7管的漏极，NM10管的栅极和NM11管的漏极相连接；NM12管的源极与NM13管的漏极，NM13管的栅极和NM11管的栅极相连接；NM10管的源极，NM11管的源极和NM13管的源极都接地。
5.如权利要求1所述的应用于物联网中的基准电路，其特征在于：所述基准产生电路由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14、第十五PMOS管PM15、第十四NMOS管NM14、第十五NMOS管NM15、第十六NMOS管NM16和第十七NMOS管NM17构成；PM10管的源极与PM3管的漏极，PM12管的源极和PM14管的源极相连接；PM10管的栅极与PM4管的栅极，PM12管的栅极，PM14管的栅极，PM11管的漏极和电阻R1的一端相连接；PM10管的漏极与PM11管的源极相连接；PM12管的漏极与PM13管的源极相连接；PM14管的漏极与PM15管的源极相连接；PM11管的栅极与PM5管的栅极，PM13管的栅极，PM15管的栅极，电阻R1的另一端和NM14管的漏极相连接；PM13管的漏极与电阻R2的一端，NM15管的栅极和NM17管的栅极相连接；电阻R2的另一端与NM16管的漏极，NM14管的栅极和NM16管的栅极相连接；NM14管的源极与NM15管的漏极相连接；NM16管的源极与NM17管的漏极相连接；NM15管的源极与三极管Q1的发射极相连接；NM17管的源极与电阻R3的一端相连接；电阻R3的另一端与三极管Q2的发射极相连接；PM15管的漏极与PM6管的栅极和电阻R4的一端相连接，其节点标注为B，作为基准电压VBG的输出端；电阻R4的另一端与三极管Q3的发射极相连接；三极管Q1的基极，Q1的集电极，Q2的基极，Q2的集电极，Q3的基极，Q3的集电极都接地。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112859995A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 西安拓尔微电子有限责任公司 一种电压基准电路及调节方法
CN117806413A (zh) * 2024-01-25 2024-04-02 华北理工大学 一种采用耗尽型nmos管的快启动ldo电路

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102103387A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 上海华虹集成电路有限责任公司 自适应电流平衡的稳压电路
CN202486648U (zh) * 2012-03-16 2012-10-10 北京经纬恒润科技有限公司 基准电压源启动电路
CN103345290A (zh) * 2013-07-24 2013-10-09 东南大学 一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源
KR20140028447A (ko) * 2012-08-29 2014-03-10 엘지디스플레이 주식회사 전류 기준 회로
CN103869865A (zh) * 2014-03-28 2014-06-18 中国电子科技集团公司第二十四研究所 温度补偿带隙基准电路
CN104503530A (zh) * 2015-01-09 2015-04-08 中国科学技术大学 一种高性能高可靠度的低压cmos基准电压源
CN104950971A (zh) * 2015-06-11 2015-09-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种低功耗亚阈值型cmos带隙基准电压电路
CN105278606A (zh) * 2015-11-12 2016-01-27 桂林电子科技大学 一种亚阈值全cmos基准电压源
CN105388953A (zh) * 2015-09-21 2016-03-09 东南大学 一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源
CN106843360A (zh) * 2017-04-11 2017-06-13 段遵虎 一种基准电压电路及程控电源
CN107066015A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 桂林电子科技大学 一种全共栅共源基准电压源
CN107340796A (zh) * 2017-08-22 2017-11-10 成都信息工程大学 一种无电阻式高精度低功耗基准源
CN107908219A (zh) * 2017-10-25 2018-04-13 丹阳恒芯电子有限公司 一种应用于物联网中的ldo系统
CN208459893U (zh) * 2018-05-30 2019-02-01 丹阳恒芯电子有限公司 一种应用于物联网中的基准电路

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102103387A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 上海华虹集成电路有限责任公司 自适应电流平衡的稳压电路
CN202486648U (zh) * 2012-03-16 2012-10-10 北京经纬恒润科技有限公司 基准电压源启动电路
KR20140028447A (ko) * 2012-08-29 2014-03-10 엘지디스플레이 주식회사 전류 기준 회로
CN103345290A (zh) * 2013-07-24 2013-10-09 东南大学 一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源
CN103869865A (zh) * 2014-03-28 2014-06-18 中国电子科技集团公司第二十四研究所 温度补偿带隙基准电路
CN104503530A (zh) * 2015-01-09 2015-04-08 中国科学技术大学 一种高性能高可靠度的低压cmos基准电压源
CN104950971A (zh) * 2015-06-11 2015-09-30 中国人民解放军国防科学技术大学 一种低功耗亚阈值型cmos带隙基准电压电路
CN105388953A (zh) * 2015-09-21 2016-03-09 东南大学 一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源
WO2017049840A1 (zh) * 2015-09-21 2017-03-30 东南大学 一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源
CN105278606A (zh) * 2015-11-12 2016-01-27 桂林电子科技大学 一种亚阈值全cmos基准电压源
CN106843360A (zh) * 2017-04-11 2017-06-13 段遵虎 一种基准电压电路及程控电源
CN107066015A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 桂林电子科技大学 一种全共栅共源基准电压源
CN107340796A (zh) * 2017-08-22 2017-11-10 成都信息工程大学 一种无电阻式高精度低功耗基准源
CN107908219A (zh) * 2017-10-25 2018-04-13 丹阳恒芯电子有限公司 一种应用于物联网中的ldo系统
CN208459893U (zh) * 2018-05-30 2019-02-01 丹阳恒芯电子有限公司 一种应用于物联网中的基准电路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112859995A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 西安拓尔微电子有限责任公司 一种电压基准电路及调节方法
CN112859995B (zh) * 2021-01-12 2024-05-24 拓尔微电子股份有限公司 一种电压基准电路及调节方法
CN117806413A (zh) * 2024-01-25 2024-04-02 华北理工大学 一种采用耗尽型nmos管的快启动ldo电路

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