CN108461530A - 一种阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。该阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，所述显示区包括多个像素结构，所述像素结构的引出线与连接走线搭接，所述连接走线用于接收信号提供电路提供的信号，且至少部分的所述连接走线与所述引出线的搭接面的面积大于对应的所述搭接面在所述阵列基板所在平面的正投影的面积。该阵列基板在边框进一步压缩需要压缩阴极搭接空间的情况下，通过采用凹凸结构的连接走线增大与引出线搭接，保证足够的连接走线与阴极的搭接面积，既实现了缩减边框平面空间，又避免了对阴极搭接面积的影响，保证了像素结构的光均一性，提高显示品质。

Description

一种阵列基板和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
主动矩阵有机电致发光二极管(Active-matrix Organic Light EmittingDiode，简称AMOLED)是目前兴起的一种高精度平板显示基板。
随着柔性显示(Flexible Display)窄边框(Narrow Bezel)技术的发展，边框空间的压缩对柔性AMOLED面板边框的阵列基板栅极驱动电路(Gate On Array，简称GOA)、开放式掩模板(Open mask)、阴影(Shadow)控制、喷墨打印((Ink Jet Print，简称IJP)位置精度控制、气相沉积掩模精度及工艺控制均提出了严格的要求。
随着边框空间压缩，阵列基板制备工艺中掩模精度提高和阴影减小越来越成为瓶颈，当边框进一步缩小时，通过电路布线(layout)优化可以在一定程度上缩小VSS电源的走线线宽以适应窄边框。但随着连接VSS电源的走线的线宽的缩小，导致走线电阻增大，影响显示品质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种阵列基板和显示装置，该阵列基板能在压缩边框的情况下，保证连接走线与阴极的搭接面积，从而提高显示品质。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，所述显示区包括多个像素结构，所述像素结构的引出线与连接走线搭接，所述连接走线用于接收信号提供电路提供的信号，且至少部分的所述连接走线与所述引出线的搭接面的面积大于对应的所述搭接面在所述阵列基板所在平面的正投影的面积。
优选的是，所述引出线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域的延伸部分为镁/铝的叠层结构。
优选的是，所述连接走线和所述引出线在搭接区具有相互适配的凹凸结构。
优选的是，在所述连接走线与所述引出线搭接的区域还设置有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸结构，所述连接走线位于所述绝缘层与所述引出线之间。
优选的是，所述绝缘层的凹凸结构，在平行于所述阵列基板所在平面的截面形状为包括分离条状、矩形、菱形、蜂窝状中的至少一种。
优选的是，所述像素结构包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极，所述连接走线与所述源极位于不同的层。
优选的是，所述连接走线采用与所述源极和所述漏极相同的材料形成。
优选的是，还包括驱动电路，所述驱动电路与所述绝缘层之间还设置有钝化层。
优选的是，在所述连接走线与所述引出线搭接的区域，还设置有位于所述连接走线和所述引出线之间的辅助连接线。
优选的是，所述辅助连接线与所述连接走线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域具有相互适配的凹凸结构。
优选的是，所述像素结构包括OLED器件，所述OLED器件至少包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层，所述像素结构的引出线由所述阴极延伸而出。
优选的是，所述连接走线连接所述信号提供电路的低电平电压信号提供端。
优选的是，所述辅助连接线与所述阳极同层设置、且采用与所述阳极相同的材料形成。
优选的是，所述辅助连接线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域为氧化铟锌/银的叠层结构。
一种显示装置，包括上述的阵列基板。
本发明的有益效果是：该阵列基板在边框进一步压缩需要压缩阴极搭接空间的情况下，通过采用凹凸结构的连接走线增大与引出线搭接，降低搭接电阻，保证足够的连接走线与阴极的搭接面积，既实现了缩减边框平面空间，又避免了对阴极搭接面积的影响，提高显示品质。
附图说明
图1为本发明实施例1中阵列基板的局部示意图；
图2为相关技术中阵列基板的局部示意图；
图3A、图3B分别为图1中绝缘层的剖视图和俯视图；
图4为本发明实施例2中阵列基板的局部示意图；
图5为本发明实施例3中阵列基板的局部示意图；
附图标识中：
1-衬底；2-层间介质层；3-驱动电路；4-绝缘层；5-连接走线；6-像素限定层；7-发光层；8-阴极；9-钝化层；10-引出线；11-有机平坦绝缘层；12-封装层；13-辅助连接线；14-保护层；15-隔垫物；16-第二钝化层；
21-显示区；22-非显示区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明阵列基板以及显示装置作进一步详细描述。
本发明中，光刻工艺，是指包括曝光、显影、刻蚀等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等进行刻蚀形成图形的工艺；构图工艺，包括光刻工艺，还包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。
本发明的技术构思在于：发明人经过仔细研究发现，随着连接VSS电源的走线的线宽的缩小，导致连接VSS电源的走线与阴极搭接的面积进一步缩小，才使得VSS电源的走线与阴极搭接的电阻增大，进而增大VSS电压降，造成像素显示不均，降低显示品质。因此，在有限的边框空间条件下，尽可能保证VSS电源的走线与阴极搭接面积，是解决上述问题的一个可行方式。
实施例1：
本实施例针对窄边框设计压缩了阴极与连接走线在边缘区的搭接面积，造成显示品质降低的问题，提供了一种阵列基板，该阵列基板通过将阴极与连接走线在边缘区的搭接设置为凹凸曲折面连接，获得一种较好的窄边框阴极搭接结构，从而在阴极与连接走线的宽度一定的情况下保证阴极与连接走线的搭接面积，降低搭接电阻，提高显示品质。
如图1所示，该阵列基板包括显示区21以及位于显示区21外围的非显示区22，显示区21包括多个像素结构，像素结构的引出线10与连接走线5搭接，连接走线5用于接收信号提供电路(位于图1中剖切面的后方，因此未示出)提供的信号，且至少部分的连接走线5与引出线10的搭接面的面积大于对应的搭接面在阵列基板所在平面的正投影的面积。具体的，使得连接走线5与引出线10的搭接面为相互适配的弯折面，即使得连接走线5与像素结构的引出线10的搭接为凹凸曲折面接触。
相比图2所示的相关技术的阵列基板，本实施例的阵列基板通过将像素结构的引出线10与连接走线5在边缘区的搭接设置为凹凸曲折面连接，增大了像素结构的导电部分与连接走线5在边缘区的搭接面积，能保证像素亮度。
像素结构包括OLED器件，OLED器件至少包括阳极(Anode，图1中未示出)、阴极8(Cathode，图1中示出了局部)以及位于阳极和阴极8之间的发光层7(图1中示出了局部)，像素结构的引出线10与连接走线5在对应着驱动电路3的区域搭接连接，像素结构的引出线10由阴极8延伸而出。
优选的是，连接走线5与引出线10在对应驱动电路的区域搭接，连接走线5与信号提供电路的低电平电压信号提供端连接，向像素结构提供VSS电源的信号。连接走线5位于GOA驱动电路上方，节省了原来连接VSS电源的走线需要的横向空间，实现边框缩小。
将连接走线5和引出线10在搭接区具有相互适配的凹凸结构，即连接走线5在对应着驱动电路3的至少部分区域为凹凸结构，使得连接走线5与引出线10在非显示区22的搭接设置为凹凸曲折面连接。引出线10与连接走线5在对应着驱动电路3的区域的搭接设置为凹凸曲折面连接，能增大引出线10与连接走线5在边缘区的搭接的接触面积，因此在减小阴极8搭接电阻的基础上，提高向像素结构提供低电平电压信号的均一性，保证像素亮度均一性，从而提高显示品质。
优选的是，凹凸结构设置为凸出部分的宽度和相邻凸出部分之间的间隔相等。
在图1中，在连接走线5与引出线10搭接的区域还设置有绝缘层4，相应的，绝缘层4设置为凹凸结构，连接走线5位于绝缘层4上。在阵列基板制备过程中，如图3A绝缘层的剖视图所示，绝缘层4的凹凸结构使得连接走线5形成凹凸结构，从而实现引出线10与连接走线5在边缘区的凹凸曲折面连接搭接。
本实施例中凹凸结构的截面如图3B所示。对于连接走线5的凹凸结构，一种可选的方式是，绝缘层4的凹凸结构在平行于阵列基板所在平面的截面形状为包括分离条状、矩形、菱形、蜂窝状中的至少一种的规则形状，当然也可以为其他不规则形状。即，在绝缘层4的凹凸结构的基础上，连接走线5的凹凸结构相对于基板的凸出部分可以是平行线，也可以在平行线基础上进一步形成的格子的互补图形，通过凸出部分的面积增大以增加与引出线10的接触面积，上述形式多样的形状设置，可以增加连接走线5的配置灵活性。
在衬底1上方，对应着连接走线5与阴极8搭接的区域，使用灰色调掩模技术(GrayTone Mask，简称GTM)或半色调掩模技术(Half Tone Mask，简称HTM)，首先使绝缘层4形成凹凸不平的孔槽，使在其上方的连接走线5也形成凹凸不平的结构，使得其上方的引出线10在有限平面空间内与连接走线5的接触面积增加。这里应该理解的是，绝缘层4在曝光工艺后凹处侧壁具有一定的坡度，并不会出现干刻工艺的陡壁，因此只要控制不出现凸起不良，既能避免引出线10出现裂缝(Crack)风险。
显示区21内的像素结构包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极，优选连接走线5与源极位于不同的层。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，例如在典型的驱动电路中，扫描晶体管的栅极接收扫描信号，数据晶体管的源极接收数据信号，VSS电源通过连接走线5经引出线10传输到阴极8，在阳极电压的共同作用下，点亮OLED器件。
通常情况下，阵列基板的显示区21和非显示区22的同层结构在同一构图工艺中形成。例如，在一种阵列基板的制备过程中，涉及到构图工艺的层结构依次包括：形成有源层的结构→形成栅极的结构→形成层间介质层2的结构(还同时延伸至非显示区22)→形成源极/漏极的结构→形成显示区绝缘层4的结构(还同时延伸至非显示区22)→形成连接走线5的结构→形成有机平坦绝缘层11→形成像素限定层6→形成隔垫物15的结构，然后继续形成OLED器件的有机膜层→形成封装层12→形成保护层14。在非显示区22的驱动电路3为GOA驱动电路，连接走线5位于GOA驱动电路上方，连接走线5位于源极/漏极和栅线等信号线层之上，连接走线5与源极/漏极中间有绝缘层4间隔，驱动电路3通过栅线和数据线与显示区21的薄膜晶体管的栅极和源极分别连接，VSS电源通过连接走线5与OLED器件的阴极8连接。
本实施例的阵列基板中，连接走线5采用与源极和漏极相同的材料形成，包括钼、铜中的至少一种材料。连接走线5与源极、漏极采用相同的材料形成，因此形成了一种双层金属层结构，第一次形成的源极结构用来接收数据信号，第二层源极结构用来实现VSS电源信号的连接。可见，为了保证连接至引出线10的VSS电源的连接走线5的宽度，使用了双层金属层工艺，即形成源极/漏极的结构→形成绝缘层的结构→形成连接走线5的结构，从而在柔性窄边框AMOLED的边框进一步极限缩小的情况下，保证连接走线5与引出线10的有效搭接面积。
优选的是，引出线10在对应着驱动电路3的区域的延伸部分为镁/铝(Mg/Al)的叠层结构，叠层结构可以进一步减小接触电阻。
本实施例中的阵列基板，在边框进一步压缩需要压缩阴极搭接空间的情况下，通过采用凹凸结构的连接走线增大与引出线搭接面积，保证足够的阴极搭接面积，既实现了缩减边框平面空间，又避免了对阴极搭接面积的影响，保证了像素结构的光均一性，提高显示品质。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板，在阴极的引出线与连接走线的宽度一定的情况下保证阴极与连接走线的搭接面积，提高显示品质。
与实施例1不同的是，本实施例中的阵列基板相对实施例1的阵列基板还设置有与阳极同层设置、且与阳极相同材料形成辅助连接线。
如图4所示，在连接走线5与引出线10搭接的区域，还设置有位于连接走线5和引出线10之间的辅助连接线13，辅助连接线13与连接走线5直接接触。通过增设辅助连接线13，可以进一步降低阻抗值。
容易理解的是，辅助连接线13与连接走线5在连接走线5与引出线10搭接的区域具有相互适配的凹凸结构。使得辅助连接线13与连接走线5的匹配，可以加倍降低阻抗值，获得更好的降低阻抗的效果。
辅助连接线13采用与阳极相同的材料形成，辅助连接线13可以在与阳极相同的构图工艺中形成，不会增加额外的制备工艺。
与实施例1相同，在连接走线5与引出线10搭接区域，使用灰色调掩模技术(GrayTone Mask，简称GTM)或半色调掩模技术(Half Tone Mask，简称HTM)，首先使绝缘层4形成凹凸不平的孔槽，使在其上方的连接走线5和辅助连接线13也形成凹凸不平的结构，使得其上方的引出线10在有限平面空间内与辅助连接线13的接触面积增加。
在本实施例中，辅助连接线13在对应着驱动电路3的区域采用ITO/Ag形成，连接走线5在对应着驱动电路3的区域采用Ti/Al/Ti的叠层结构，引出线10在对应着驱动电路3的区域的延伸部分采用Mg/Al的叠层结构，由于ITO与Ti/Al/Ti比ITO与Mg/Ag的接触电阻更小，辅助连接线13与连接走线5搭接具有更小的接触电阻；进一步的，结合引出线10搭接处绝缘层4的凹凸打孔设计，使得连接走线5与引出线10搭接处形成凹凸结构，从而增大接触面积，可以进一步减小连接走线5与阴极8的搭接电阻。
本实施例中的阵列基板，在边框进一步压缩需要压缩阴极搭接空间的情况下，通过采用凹凸结构的连接走线和辅助连接线增大与引出线搭接面积，保证足够的连接走线与阴极的搭接面积，既实现了缩减边框平面空间，又避免了对阴极搭接面积的影响，保证了像素结构的光均一性，提高显示品质。
实施例3：
本实施例提供一种阵列基板，在阴极与连接走线的宽度一定的情况下保证阴极的引出线与连接走线的搭接面积，提高像素亮度的均一性。
如图5所示，本实施例中的阵列基板相对实施例1的阵列基板，在驱动电路3的上方还设置有第二钝化层16。第二钝化层16能对驱动电路3进行更好的保护，提高信赖性。容易理解的是，也可以在实施例2的阵列基板的驱动电路3的上方设置第二钝化层16。
本实施例的阵列基板适用于使用了双层钝化层的窄边框结构，对驱动电路能提供更好的保护。
实施例4：
本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括实施例1-实施例3中任一的阵列基板。
该显示装置可以为：台式电脑、平板电脑、笔记本电脑、手机、PDA、GPS、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、液晶面板、电子纸、电视机、显示器、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，可应用于公共显示和虚幻显示等多个领域。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括显示区以及位于所述显示区外围的非显示区，所述显示区包括多个像素结构，其特征在于，所述像素结构的引出线与连接走线搭接，所述连接走线用于接收信号提供电路提供的信号，且至少部分的所述连接走线与所述引出线的搭接面的面积大于对应的所述搭接面在所述阵列基板所在平面的正投影的面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引出线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域的延伸部分为镁/铝的叠层结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接走线和所述引出线在搭接区具有相互适配的凹凸结构。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述连接走线与所述引出线搭接的区域还设置有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸结构，所述连接走线位于所述绝缘层与所述引出线之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的凹凸结构，在平行于所述阵列基板所在平面的截面形状为包括分离条状、矩形、菱形、蜂窝状中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极，所述连接走线与所述源极位于不同的层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述连接走线采用与所述源极和所述漏极相同的材料形成。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路与所述绝缘层之间还设置有钝化层。
9.根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述连接走线与所述引出线搭接的区域，还设置有位于所述连接走线和所述引出线之间的辅助连接线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助连接线与所述连接走线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域具有相互适配的凹凸结构。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括OLED器件，所述OLED器件至少包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层，所述像素结构的引出线由所述阴极延伸而出。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述连接走线连接所述信号提供电路的低电平电压信号提供端。
13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助连接线与所述阳极同层设置、且采用与所述阳极相同的材料形成。
14.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助连接线在所述连接走线与所述引出线搭接的区域为氧化铟锌/银的叠层结构。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的阵列基板。
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