CN108439354A - 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法 - Google Patents

一种金属硒化物纳米粉体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108439354A
CN108439354A CN201810246123.1A CN201810246123A CN108439354A CN 108439354 A CN108439354 A CN 108439354A CN 201810246123 A CN201810246123 A CN 201810246123A CN 108439354 A CN108439354 A CN 108439354A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
hours
metal selenide
ethylene glycol
predecessor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810246123.1A
Other languages
English (en)
Inventor
苗蕾
伍少海
刘呈燕
王潇漾
王秀霞
高杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Electronic Technology
Original Assignee
Guilin University of Electronic Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Electronic Technology filed Critical Guilin University of Electronic Technology
Priority to CN201810246123.1A priority Critical patent/CN108439354A/zh
Publication of CN108439354A publication Critical patent/CN108439354A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，运用水合肼对硒源进行活化处理，通过冷凝回流法来制备硒化物纳米粉体，可准确控制硒化物粉体的组成和纳米形貌，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。

Description

一种金属硒化物纳米粉体的制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体纳米材料技术领域，具体涉及一种金属硒化物纳米粉体的制备方法。
背景技术：
硒化物纳米材料是一类重要的半导体材料，因其具有优良的光、热、电、磁性能和特殊的结构，在许多领域都具有极高的价值，被广泛应用于储氢材料、光化学电池电极材料、气体传感器、锂离子电池、热电器件、太阳能电池、相变存储器和光电探测器等领域，对人们的生活产生重大的影响。常见的制备金属硒化物纳米材料的方法主要包括固相反应法、直接溶液法、热注入法、水热/溶剂热法。上述方法成本低廉，尤其在如直接溶液法、热注入法、水热/溶剂热法中，以硒粉作为硒源时能对金属硒化物形貌、组成进行调控，但是硒粉在很多溶剂中难溶解，这限制了它的反应活性进而限制以湿化学法来制备金属硒化物纳米粉体。
发明内容：
本发明的目的是提供一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，运用水合肼对硒源进行活化处理，通过冷凝回流法来制备硒化物纳米粉体，可准确控制硒化物粉体的组成和纳米形貌，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
本发明是通过以下技术方案予以实现的：
一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，该方法包括以下步骤：
(1)将金属硒化物对应阳离子的前驱物与Se的前驱物SeO2或Se粉体组成的固体原料加入乙二醇溶剂中，阳离子的前驱物与Se的前驱物摩尔比为目标产物金属硒化物中各原子的摩尔配比，每250ml乙二醇溶剂配比1.683g-22.65g固体原料，搅拌后加入还原剂N2H4·H2O，每5克固体原料配比2-10ml还原剂N2H4·H2O，然后加热至110-183℃，冷凝回流反应2～48小时，反应结束后得到黑色沉淀物；
(2)步骤(1)得到的黑色沉淀物用蒸馏水清洗，然后用无水乙醇浸泡2～4小时，在真空干燥箱中40-80℃下干燥得到金属硒化物纳米粉体。
所述金属硒化物选自SnSe2、SnSe、In3Se4、In2Se3、Cu2Se、Bi2Se3、Ag2Se、InSe、CuSe、CoSe、FeSe2、PbSe、CdSe、ZnSe、WSe2、MoSe2、Ga2Se3、Sb2Se3中的任一种。
所述金属硒化物对应阳离子的前驱物为对应阳离子的氯化物。
本发明的有益效果如下：
1)本发明操作简单，原材料资源丰富，可重复性好。
2)本发明硒的活性高，有利于纳米粉体的生成，能准确控制硒化物粉体的组成和纳米形貌，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
附图说明：
图1中(a)是本发明实施例1冷凝回流法合成的SnSe2随温度的变化的X射线衍射图片；(b)是本发明实施例2冷凝回流法合成的SnSe随温度的变化的X射线衍射图片。
图2中(a)是本发明实施例1冷凝回流法合成的SnSe2纳米粉体的透射电子显微镜；(b)是本发明实施例1冷凝回流法合成的SnSe2纳米粉体的扫描电子显微镜相片。
图3是本发明实施例3冷凝回流法合成的In2Se3纳米粉体的X射线衍射图片；
图4是本发明实施例6冷凝回流法合成的Sb2Se3纳米粉体的扫描电子显微镜相片。
具体实施方式：
以下是对本发明的进一步说明，而不是对本发明的限制。
实施例1：
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将SnCl2·2H2O(2.256g)和SeO2(2.22g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到SnSe2黑色粉体。SnSe2随温度的变化的X射线衍射图片如图1中(a)所示，其透射电子显微镜和扫描电子显微镜相片分别如图2中(a)、(b)所示。由图可知，得到的硒化物纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例2
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将SnCl2·2H2O(1.128g)和SeO2(0.555g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至160℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到SnSe黑色粉体。SnSe黑色粉体随温度的变化的X射线衍射图片如图1中(b)所示。
实施例3
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将InCl3·4H2O(3.913g)和SeO2(2.220g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应48小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于80℃下干燥15小时得到In2Se3黑色粉体。X射线衍射图片如图3所示。得到的In2Se3纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
实施例4
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将InCl3·4H2O(4.4g)和SeO2(2.220g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于80℃下干燥15小时得到In3Se4黑色粉体。得到的In3Se4纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
实施例5
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将InCl3(4.4236g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到InSe黑色粉体。得到的InSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度，有利于提高硒化物的光催化能力。
实施例6
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将SbCl3(3.0414g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至150℃下反应12小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到Sb2Se3黑色粉体。扫描电子显微镜相片如图4所示。由图可知，得到的Sb2Se3纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例7
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将AgCl(5.7328g)和SeO2(1.110g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至110℃下反应2小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到Ag2Se黑色粉体。得到的Ag2Se纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例8
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将CuCl2·2H2O(17.1g)和SeO2(5.55g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入10ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到Cu2Se黑色粉体。得到的Cu2Se纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例9
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将CuCl2·2H2O(3.0493g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至110℃下反应12小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于40℃下干燥15小时得到CuSe黑色粉体。得到的CuSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例10
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将CoCl2·2H2O(3.2574g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至110℃下反应12小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到CoSe黑色粉体。得到的CoSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例11
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将FeCl3·6H2O(2.703g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到FeSe2黑色粉体。得到的FeSe2纯度高、结晶度好、尺寸分布窄。
实施例12
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将PbCl2(5.5621g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至110℃下反应2小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到PbSe黑色粉体。得到的PbSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例13
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将CdCl3·6H2O(6.5372g)和Se粉(1.1598g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入10ml N2H4·H2O，再升温至130℃下反应3小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到CdSe黑色粉体。得到的CdSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例14
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将ZnCl2(2.7259g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至130℃下反应12小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到ZnSe黑色粉体。得到的ZnSe纯度高、结晶度好、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例15
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将WCl6(3.9657g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应2小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到WSe2黑色粉体。得到的WSe2黑色粉体纯度高、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例16
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将MoCl3(2.023g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应4小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到MoSe2黑色粉体。得到的MoSe2黑色粉体纯度高、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例17
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将GaCl3(2.3477g)和Se粉(1.5798g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应4小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到Ga2Se3黑色粉体。得到的Ga2Se3黑色粉体纯度高、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。
实施例18
将250ml乙二醇加入500ml三口烧瓶中，再将BiCl3(4.189g)和SeO2(2.220g)加入乙二醇中，搅拌10分钟以后缓慢加入6ml N2H4·H2O，再升温至182℃下反应24小时。停止反应自然冷却后倒掉上层清液，用蒸馏水清洗3次，每次蒸馏水为500ml，然后用无水乙醇(200ml)浸泡2小时，用循环水抽滤机抽滤后得到的黑色沉淀在真空干燥箱中于60℃下干燥15小时得到Bi2Se3黑色粉体。得到的Bi2Se3黑色粉体纯度高、尺寸分布窄，具有高比表面积和低团聚度。

Claims (3)

1.一种金属硒化物纳米粉体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将金属硒化物对应阳离子的前驱物与Se的前驱物SeO2或Se粉体组成的固体原料加入乙二醇溶剂中，阳离子的前驱物与Se的前驱物摩尔比为目标产物金属硒化物中各原子的摩尔配比，每250ml乙二醇溶剂配比1.683g-22.65g，搅拌后加入还原剂N2H4·H2O，每5克固体原料配比2-10ml还原剂N2H4·H2O，然后加热至110-183℃，冷凝回流反应2～48小时，反应结束后得到黑色沉淀物；
(2)步骤(1)得到的黑色沉淀物用蒸馏水清洗，然后用无水乙醇浸泡2～4小时，在真空干燥箱中40-80℃下干燥得到金属硒化物纳米粉体。
2.根据权利要求1所述的金属硒化物纳米粉体的制备方法，其特征在于，其特征在于，所述金属硒化物选自SnSe2、SnSe、In3Se4、In2Se3、Cu2Se、Bi2Se3、Ag2Se、InSe、CuSe、CoSe、FeSe2、PbSe、CdSe、ZnSe、WSe2、MoSe2、Ga2Se3、Sb2Se3中的任一种。
3.根据权利要求1或2所述的金属硒化物纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述金属硒化物对应阳离子的前驱物为对应阳离子的氯化物。
CN201810246123.1A 2018-03-23 2018-03-23 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法 Pending CN108439354A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810246123.1A CN108439354A (zh) 2018-03-23 2018-03-23 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810246123.1A CN108439354A (zh) 2018-03-23 2018-03-23 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108439354A true CN108439354A (zh) 2018-08-24

Family

ID=63196899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810246123.1A Pending CN108439354A (zh) 2018-03-23 2018-03-23 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108439354A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109607495A (zh) * 2019-01-23 2019-04-12 陕西科技大学 一种溶液法制备多晶SnSe2材料的方法
CN110993361A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 东南大学 一种双金属硒化物ZnSe/CoSe2电极材料及其制备方法和应用
CN111261737A (zh) * 2020-01-21 2020-06-09 广东工业大学 一种SnSe/Bi2Se3纳米片异质结及其制备方法
CN111604063A (zh) * 2020-04-29 2020-09-01 长沙学院 g-C3N4/In2Se3复合光催化剂及其制备方法和应用
CN112062104A (zh) * 2020-09-08 2020-12-11 南京理工大学 In2Se3量子点的应用及其制备方法
CN113151854A (zh) * 2021-03-19 2021-07-23 西安建筑科技大学 一种多金属非氧化物电催化剂及其制备方法及应用
CN113405326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-17 北京市永康药业有限公司 一种高效连续的药品干燥装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1384047A (zh) * 2002-06-07 2002-12-11 清华大学 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
CN101920942A (zh) * 2010-09-20 2010-12-22 东华大学 一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法
CN103466565A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 天津大学 一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法
CN104291278A (zh) * 2014-09-25 2015-01-21 天津大学 一种水合肼辅助多元醇基溶液合成β相硒化铟片状纳米晶的方法
CN104692340A (zh) * 2014-07-28 2015-06-10 深圳丹邦投资集团有限公司 用于制备金属硒化物纳米材料的硒前躯体
CN106902352A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 合肥工业大学 用于肿瘤光热治疗的铜的硒属化合物纳米片的可控制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1384047A (zh) * 2002-06-07 2002-12-11 清华大学 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
CN101920942A (zh) * 2010-09-20 2010-12-22 东华大学 一种控制合成硒化锌多形貌纳米材料的方法
CN103466565A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 天津大学 一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法
CN104692340A (zh) * 2014-07-28 2015-06-10 深圳丹邦投资集团有限公司 用于制备金属硒化物纳米材料的硒前躯体
CN104291278A (zh) * 2014-09-25 2015-01-21 天津大学 一种水合肼辅助多元醇基溶液合成β相硒化铟片状纳米晶的方法
CN106902352A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 合肥工业大学 用于肿瘤光热治疗的铜的硒属化合物纳米片的可控制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109607495A (zh) * 2019-01-23 2019-04-12 陕西科技大学 一种溶液法制备多晶SnSe2材料的方法
CN110993361A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 东南大学 一种双金属硒化物ZnSe/CoSe2电极材料及其制备方法和应用
CN111261737A (zh) * 2020-01-21 2020-06-09 广东工业大学 一种SnSe/Bi2Se3纳米片异质结及其制备方法
CN111261737B (zh) * 2020-01-21 2022-08-12 广东工业大学 一种SnSe/Bi2Se3纳米片异质结及其制备方法
CN111604063A (zh) * 2020-04-29 2020-09-01 长沙学院 g-C3N4/In2Se3复合光催化剂及其制备方法和应用
CN112062104A (zh) * 2020-09-08 2020-12-11 南京理工大学 In2Se3量子点的应用及其制备方法
CN112062104B (zh) * 2020-09-08 2023-02-28 南京理工大学 In2Se3量子点的应用及其制备方法
CN113151854A (zh) * 2021-03-19 2021-07-23 西安建筑科技大学 一种多金属非氧化物电催化剂及其制备方法及应用
CN113151854B (zh) * 2021-03-19 2024-01-30 西安建筑科技大学 一种多金属非氧化物电催化剂及其制备方法及应用
CN113405326A (zh) * 2021-06-29 2021-09-17 北京市永康药业有限公司 一种高效连续的药品干燥装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108439354A (zh) 一种金属硒化物纳米粉体的制备方法
Ullah et al. All-inorganic CsPbBr 3 perovskite: a promising choice for photovoltaics
TWI382095B (zh) 多元金屬硫族元素化合物之製造方法
JP6760984B2 (ja) セレン化１３族ナノ粒子
CN104058461B (zh) 一种铜铁矿结构CuFeO2晶体材料的低温制备方法
CN109806888B (zh) 1T-MoS2改性的ZnCoS固溶体空心十二面体纳米复合材料及其制备方法与应用
CN101870458B (zh) 多元金属硫族元素化合物和靶材及涂层材料的制备方法
JP5867392B2 (ja) 化合物半導体薄膜作製用インクおよび太陽電池の製造方法
KR100588604B1 (ko) 태양전지 광흡수층용 Ｃｕ（ＩｎＧａ）Ｓｅ₂나노분말제조방법
Tiwari et al. Microwave-assisted rapid synthesis of tetragonal Cu 2 SnS 3 nanoparticles for solar photovoltaics
Wei et al. Solvothermal synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystalline thin films for application of solar cells
TWI610452B (zh) 金屬摻雜之Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）奈米顆粒
Seo et al. Facile microwave-assisted synthesis of multiphase CuInSe2 nanoparticles and role of secondary CuSe phase on photovoltaic device performance
Li et al. Environmentally friendly solution route to kesterite Cu 2 ZnSn (S, Se) 4 thin films for solar cell applications
US8231848B1 (en) One-pot synthesis of chalcopyrite-based semi-conductor nanoparticles
TW201022151A (en) Fabrication method for IBIIIAVIA-group amorphous compound and IBIIIAVIA-group amorphous precursor for thin-film solar cell
KR101099512B1 (ko) Ｃｚｔｓ나노입자 전구체 제조방법, 제조된 전구체, 전구체를 이용한 고품질 ｃｚｔｓ나노입자 제조방법 및 제조된 고품질 ｃｚｔｓ나노입자
Yousefi et al. Facile microwave approach for synthesis of copper–indium sulfide nanoparticles and study of their behavior in solar cell
CN106629830A (zh) 一种钛酸锌纳米线材料及其在钙钛矿太阳能电池中的应用
Tipcompor et al. Transformation of cubic AgBiS2 from nanoparticles to nanostructured flowers by a microwave-refluxing method
Yan et al. Solvothermal synthesis of CuInS 2 powders and CuInS 2 thin films for solar cell application
Mkawi et al. Solution-processed sphere-like Cu2ZnSnS4 nanoparticles for solar cells: effect of oleylamine concentration on properties
Zubair et al. Precursor-Mediated Colloidal Synthesis of Compositionally Tunable Cu–Sb–M–S (M= Zn, Co, and Ni) Nanocrystals and Their Transport Properties
CN105324851B (zh) 用于制造太阳能电池光吸收层的聚集前驱体及其制造方法
CN108408788B (zh) 黄铁矿纳米片定向附着生长的类八面体聚形晶的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180824

RJ01 Rejection of invention patent application after publication