CN103466565A - 一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法 - Google Patents

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李佳
刘彤
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Abstract

本发明公开了一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法:(1)称取0.25mmol四水合氯化亚铁,溶解于10ml三乙二醇中,得到铁先质阳离子源溶液;另在三口烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加硒粉,再添加0.1g聚乙烯基吡咯烷酮,得到阴离子源溶液;其中Fe/Se摩尔比分别为1∶2、1∶1.9、1∶1.8、1∶1.7、1∶1.5、1∶1;(2)缓慢加热阴离子溶液至210~270℃时快速注入阳离子源溶液,回流反应合成FeSe2纳米晶溶液。本发明的反应条件温和,安全低毒,操作简单,成本低,产物物相单一稳定,重复性好;其化学计量比与投料具有良好的一致性。

Description

一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法
技术领域
本发明是关于纳米材料的,特别涉及一种在多元醇基溶液中合成FeSe2纳米晶的方法。
背景技术
二硒化亚铁(FeSe2)作为过渡金属硫属化合物的一种,通常以黄铁矿(立方晶体结构)和白铁矿(斜方晶体结构)两种形态存在,已经广泛应用于热电器件、磁性半导体、超导体、催化剂、传感器、生物影像学等众多领域,在光伏产业的发展潜力尤为突出,这与其优越的性能息息相关,FeSe2是直接带隙半导体,其p型结构禁带宽度约为1.0eV,光吸收系数可达5×105cm-1,是优良的光吸收层材料。
目前,湿化学法,尤其是水热法和溶剂热法,以其利于控制产物的合成、形貌、粒径尺寸和无机材料定向生长,保证产物纯度和结晶性等特点,已替代传统的热蒸发法、气相沉积法、机械合金化法等,普遍应用于FeSe2的制备。Anping Liu等人采用水热共沉淀法,以氯化铁和亚硒酸钠为原料,水合肼作为还原剂,在140℃且高压条件下反应12h,得到白铁矿FeSe2纳米棒(参见Anping Liu,et.al.,Solid State Communications,2006,138,538–541)。在Karl D.Oyler的实验中,FeSe、FeTe、Fe(Se,Te)和FeTe2四种化合物被合成,均在低温条件下,采用热注入方式得到。反应介质为有机溶剂4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐和三辛基氧磷,易造成污染。同时,四种产物都未表现出超导性能,分析原因可能与产物为非化学计量且存在少量杂质有关(参见Karl D.Oyler,et.al.,Chem.Mater.,2009,21,3655–3661)。后期Binxia Yuan等人采用溶剂热法制备FeSe2,通过改变反应温度控制产物形貌分别呈现球状、絮凝状、薄片状和短粗片状结构,溶剂同样采用有机试剂(油胺),成本较高且后处理困难(参见Binxia Yuan,et.al.,New J.Chem.,2012,36,2101–2105)。综上所述,水热法和溶剂热法均需要高压反应条件,成本较高,操作复杂,反应周期较长,不利于大规模生产,且化学组分不易控制;同时发现制备FeSe2常用有机溶剂均为长碳链三辛基氧磷、油胺等试剂,价格昂贵,且容易造成污染。因此,开发一种成本低廉、工艺简单且具有绿色合成特色的制备方法对合成FeSe2材料以及推广其应用有着重要的意义和实用价值。
发明内容
本发明的目的,为克服现有技术的耗时、耗能、成本高、操作复杂、不利于大规模生产、化学组分不易控制,以及常用长碳链有机溶剂毒性较大等缺点,首次采用液相化学合成法——热注入法,提供一种反应条件温和、利于保证产物纯度、化学计量比可控、绿色无毒、成本低的制备FeSe2纳米晶的方法。本发明以低碳链多元醇溶剂作为反应介质,其性质稳定,沸点较高,在热注入法中作为反应介质,合成工艺简单,操作方便,合成产物物相稳定单一。
本发明通过如下技术方案予以实现。
一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法,具有如下步骤:
(1)配制前驱体溶液
称取0.25mmol即0.0495g四水合氯化亚铁,溶解于10ml三乙二醇中,常温搅拌45min,得到稳定的铁先质阳离子源溶液;另在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加硒粉,然后添加0.1g聚乙烯基吡咯烷酮,简称PVP,磁力搅拌5min,得到阴离子源溶液;其中Fe/Se摩尔比分别为1:2、1:1.9、1:1.8、1:1.7、1:1.5、1:1;
(2)回流反应合成FeSe2
将三口瓶置于热包中,向三口瓶内通入氮气,缓慢加热阴离子溶液,至210~270℃时快速注入阳离子源溶液,随后立即注入0.05ml三乙烯四胺,简称TETA,促发反应进行;最后,在低于注入温度20℃的温度下回流反应45min,即得到FeSe2纳米晶溶液。
所述步骤(1)的Fe/Se最佳摩尔比为1:2。
所述步骤(2)的最佳注入温度为250℃/230℃。
本发明的有益效果,是提供了一种以无机盐为先质、多元醇为溶剂,制备FeSe2纳米粒子的方法,整个反应条件温和,安全低毒,操作简单,成本低。同时,产物物相单一稳定,重复性好;其化学计量比与投料具有良好的一致性。
附图说明
图1是不同温度条件下实施例1~4所得产物的XRD图谱,图中a~d分别对应实施例1~4;
图2是实施例1的SEM图片;
图3是实施例2的SEM图片;
图4是实施例3的SEM图片;
图5是实施例4的SEM图片;
图6是不同Fe/Se摩尔比例条件下所得产物的XRD图谱,图中a~f分别对应实施例3、5、6、7、8、9;
图7是实施例3制备FeSe2纳米粒子的Raman光谱图;
图8是实施例3制备FeSe2纳米粒子的UV-vis-NIR光谱图;。
具体实施方式
本发明所用原料均为市售的分析纯原料,下面结合实施例对本发明做进一步说明。
本发明制备FeSe2纳米粒子的工艺过程主要分为以下两步:
(1)配制前驱体溶液
称取0.25mmol即0.0495g四水合氯化亚铁,溶解于10ml三乙二醇中,常温搅拌45min,得到稳定的铁先质阳离子源溶液;在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加硒粉,然后添加0.1g聚乙烯基吡咯烷酮,简称PVP,磁力搅拌5min,得到阴离子源溶液;其中Fe/Se摩尔比例分别为1:2、1:1.9、1:1.8、1:1.7、1:1.5、1:1。
(2)回流反应合成FeSe2
将三口瓶置于热包中,向三口瓶内通入氮气,缓慢加热阴离子溶液,至210~270℃时快速注入阳离子源溶液,随后立即注入0.05ml三乙烯四胺,简称TETA,促发反应进行;最后,在低于注入温度20℃的温度下回流反应45min,即得到FeSe2纳米晶溶液。
本发明具体实施例详见表1,其中Fe的溶液浓度固定为0.5mmol/L。
               表1
Figure BDA0000374551330000031
本发明测试表征手段如下:
物相分析:采用Rigaku D/Max2500V/PC(Japan)型X射线衍射仪,Cu Kα射线
Figure BDA0000374551330000032
扫描范围为10-90°,扫描速率为8°/min,管电压为40kV,管电流为200mA。
形貌分析:采用Hitachi s-4800(Japan)型场发射环境扫描电镜对样品表面形貌进行分析。
结构分析:采用RENISHAW inVia reflex型激光拉曼光谱仪对样品分子结构进行测试表征。
光学性质分析:采用日本岛津UV-3600紫外-可见光-近红外分光光度计对纳米粒子进行吸收光谱的测定,测试波长范围为330-1400nm。
图1是不同温度条件下实施例1~4所得产物的XRD图谱,a~d分别对应实施例1~4。由图可以看到,四种情况下所得产物均为单相白铁矿FeSe2
图2~5是与图1相对应的SEM图片。由图可以看出,250℃反应温度下所得纳米晶轮廓清晰,形貌呈片层状。
图6是不同Fe/Se摩尔比例条件下所得产物的XRD图谱,图中a~f分别对应实施例3、5、6、7、8、9。结果显示,不同Fe/Se摩尔比例下所得产物均为白铁矿FeSe2
图7是实施例3制备FeSe2纳米粒子的Raman光谱图,由图中可以看到,在182cm-1,218cm-1和254cm-1分别出现特征峰,起因于Se–Se键的振动和收缩。
图8是实施例3制备FeSe2纳米粒子的UV-vis-NIR光谱图,由图中可以看出,在近红外区出现明显的吸收,可见光波段吸收较强且稳定。
综合分析结果如下:实施例3为优选实施例,Fe/Se投料摩尔比例为1:2,在250℃/230℃合成温度条件下,添加0.05ml TETA促发反应进行,可以得到单一白铁矿物相的FeSe2,形貌呈片层状结构,可见光波段具有稳定吸收。

Claims (3)

1.一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法,具有如下步骤:
(1)配制前驱体溶液
称取0.25mmol即0.0495g四水合氯化亚铁,溶解于10ml三乙二醇中,常温搅拌45min,得到稳定的铁先质阳离子源溶液;另在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加硒粉,然后添加0.1g聚乙烯基吡咯烷酮,简称PVP,磁力搅拌5min,得到阴离子源溶液;其中Fe/Se摩尔比分别为1:2、1:1.9、1:1.8、1:1.7、1:1.5、1:1;
(2)回流反应合成FeSe2
将三口瓶置于热包中,向三口瓶内通入氮气,缓慢加热阴离子溶液,至210~270℃时快速注入阳离子源溶液,随后立即注入0.05ml三乙烯四胺,简称TETA,促发反应进行;最后,在低于注入温度20℃的温度下回流反应45min,即得到FeSe2纳米晶溶液。
2.根据权利要求1的一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法,其特征在于,所述步骤(1)的Fe/Se最佳摩尔比为1:2。
3.根据权利要求1的一种在多元醇基溶液中合成二硒化铁纳米晶的方法,其特征在于,所述步骤(2)的最佳注入温度/回流温度为250℃/230℃。
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