CN108417685B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种发光装置，能够减少覆盖多个发光元件的周围的光反射性的覆盖部件的主要部分的龟裂。发光装置具备：基板，其在上表面包含绝缘性的基体、配置于基体的上表面的第一连接盘及第二连接盘、配置于第一连接盘与所述第二连接盘之间的中间部；第一发光元件，其倒装安装于第一连接盘；第二发光元件，其倒装安装于第二连接盘；光反射性的覆盖部件，其设于中间部的上方，覆盖第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面，中间部的上表面比邻接的第一连接盘的上表面以及第二连接盘的上表面靠下方，在中间部的上方，在覆盖部件形成有凹部，凹部的底比第一发光元件的上表面以及第二发光元件的上表面靠下方且比中间部的上表面靠上方，凹部的内表面为该发光装置的外表面。

Description

发光装置
技术领域
本公开涉及发光装置。
背景技术
例如在专利文献1中记载有如下发光装置，其具备：多个半导体发光元件，在基板的表面上隔开间隙地配设；透明的荧光体板，独立地设于多个半导体发光元件；透明的粘合部件，将半导体发光元件的上表面与荧光体板的下表面粘合固定；反射层，围绕半导体发光元件及荧光体板并含有光反射性的细颗粒。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－079805号公报
发明内容
在所述专利文献1所记载的发光装置中，容易在两个半导体发光元件所夹着的反射层封闭热应力，担心因此会在反射层的主要部分产生龟裂。
因此，本发明的一实施方式的目的在于，提供一种能够减少将多个发光元件的周围覆盖的光反射性的覆盖部件的主要部分的龟裂的发光装置。
本发明的一实施方式的发光装置具备：基板，其在上表面包含绝缘性的基体、配置于基体的上表面的第一连接盘及第二连接盘、配置于第一连接盘与所述第二连接盘之间中间部；第一发光元件，其倒装安装于第一连接盘；第二发光元件，其倒装安装于第二连接盘；光反射性的覆盖部件，其设于中间部的上方，覆盖第一发光元件的侧面以及第二发光元件的侧面，中间部的上表面位于比邻接的第一连接盘的上表面以及第二连接盘的上表面靠下方的位置，在中间部的上方，在覆盖部件形成有凹部，凹部的底位于比第一发光元件的上表面以及所述第二发光元件的上表面靠下方、且比中间部的上表面靠上方的位置，凹部的内表面为该发光装置的外表面。
根据本发明的一实施方式的发光装置，能够抑制覆盖部件的主要部分的龟裂。
附图说明
图1A是本发明的一实施方式的发光装置的概略立体图。
图1B是图1A所示的发光装置的概略俯视图。
图1C是图1B的A－A剖面中的概略剖面图。
图1D是图1A所示的发光装置的概略仰视图。
图1E是图1A所示的发光装置的概略侧视图。
图1F是图1A所示的发光装置的概略侧视图。
图2是本发明的一实施方式的另一发光装置的概略立体图。
附图标记说明
10 基板
11 第一连接盘
12 第二连接盘
13 中间部
15 基体
16 第一端子配线
17 第二端子配线
18 第三端子配线
19 绝缘膜
21 第一发光元件
22 第二发光元件
31 第一透光性部件
32 第二透光性部件
35 母材
40 波长转换物质
41 第一荧光体
42 第二荧光体
50 覆盖部件
50s 凹部
60 导电性粘合部件
70 导光部件
100、200 发光装置
具体实施方式
以下，适当地参照附图来说明发明的实施方式。其中，以下说明的发光装置用于将本发明的技术思想具体化，只要无特定的记载，就不将本发明限定为以下。另外，为了明确说明，有时夸张了附图所示的部件的大小及位置关系等。
此外，可视波长区域设为波长为380nm以上780nm以下的范围，蓝色区域设为波长为420nm以上480nm以下的范围，绿色区域设为波长为500nm以上560nm以下的范围，黄色区域设为波长为比560nm长且590nm以下的范围，红色区域设为波长为610nm以上750nm以下的范围。
图1A是实施方式1的发光装置100的概略立体图。图1B是图1A所示的发光装置100的概略俯视图。图1C是图1B的A－A剖面的概略剖面图。图1D是图1A所示的发光装置100的概略仰视图。图1E是图1A所示的发光装置100的概略侧视图。图1F是图1A所示的发光装置100的概略侧视图。图2是实施方式1的另一发光装置200的概略立体图。
此外，在图1A～1F中，将发光装置100中的横向表示为X方向，将纵向表示为Y方向，将前后(深度)方向表示为Z方向。该X、Y、Z方向(轴)分别是与其他两个方向(轴)垂直的方向(轴)。更详细地说，将右方向设为X+方向，将左方向设为X－方向，将上方向设为Z+方向，将下方向设为Z－方向。Y－方向是该发光装置100的安装方向。Z+方向是该发光装置100的主发光方向。以下，将发光装置100的各构成要素中的面向Z+方向的面设为“上表面”，将面向Z－方向的面设为“下表面”。
如图1A～1F所示，实施方式1的发光装置100具备基板10、第一发光元件21、第二发光元件22、覆盖部件50。基板10具备基体15，在上表面包含第一连接盘(land)11、第二连接盘12、中间部13。中间部13配置于第一连接盘11与第二连接盘12之间。第一发光元件21倒装安装于第一连接盘11。即，设于第一发光元件21的下表面的正负电极经由导电性粘合部件60连接于第一连接盘11。第二发光元件22倒装安装于第二连接盘12。即，设于第二发光元件22的下表面的正负电极经由导电性粘合部件60连接于第二连接盘12。覆盖部件50设置在中间部13上。覆盖部件50覆盖第一发光元件21的侧面以及第二发光元件22的侧面。覆盖部件50为光反射性。而且，在中间部13上的覆盖部件50形成有凹部50s。凹部50s的底位于比第一发光元件21的上表面以及第二发光元件22的上表面靠下方、比中间部13的上表面靠上方的位置。凹部50s的内表面是该发光装置100的外表面。即，凹部50s的内侧是空的。
具有这种构成的发光装置100利用所述深度的凹部50s，对中间部13上即第一发光元件21与第二发光元件22间的覆盖部件50赋予拉伸余量，能够缓和热应力的封闭，能够减少覆盖部件50的主要部分处的龟裂的产生。另外，通过在处于比第一连接盘11以及第二连接盘12的上表面靠下方的位置的中间部13的上表面侧设置凹部50s设，能够使龟裂集中地产生于凹部50s的底面与中间部13之间，能够减少在发光装置100的主要部分(发光元件的附近)产生覆盖部件50的龟裂的隐患。
换句话说，覆盖部件50由于热应力而以向上方凸起的形式产生变形。发明人发现，由于该变形时的负荷，导致覆盖部件50产生龟裂。因此，作为覆盖部件50的最会施加负荷的部分，在离开第一发光元件21、第二发光元件22、第一连接盘11以及第二连接盘12的位置，设置基体的上表面之中的位于最靠近下表面的一侧的中间部13，能够使负荷集中于对发光装置100的可靠性的影响较少的中间部13的范围。由此，即使产生了覆盖部件50的龟裂，也能够控制龟裂所产生的位置。
此外，覆盖部件50的“主要部分”指的是将第一发光元件21、第二发光元件22、后述的第一透光性部件31、第二透光性部件32各自的侧面直接覆盖的部位。例如，处于凹部50s的底与中间部13的上表面之间的覆盖部件50的切割剩余部能够从该“主要部分”中去除。另外，覆盖部件50的上表面可以是平坦的，也可以，也可以通过固化前的表面张力带来的攀爬以及/或固化收缩等成为缩痕面即凹面。其中，凹部50s区别于这样的缩痕面地形成。凹部50s能够通过基于旋转圆盘状的切割锯的切削、基于拉切型或压切型的刀具的切开、或者基于模具的成型等形成。
以下，详细叙述发光装置100的优选的方式。
如图1A～1C、1E所示，凹部50s到达覆盖部件50的分别面向Y+方向以及Y－方向的两个侧面。这样，凹部50s优选的是在俯视时，到达覆盖部件50中的面向与第一连接盘11与第二连接盘12的排列方向垂直的方向的两侧面的至少一方。如果是这样的凹部50s，则易于缓和中间部13上的覆盖部件50中的热应力的封闭，并易于抑制覆盖部件50的主要部分中的龟裂的产生。此外，此时，凹部50s虽然可以在俯视时仅到达覆盖部件50中的面向与第一连接盘11与第二连接盘12的排列方向垂直的方向的两侧面的一方，但优选的是到达该两侧面的两方。
处于更容易缓和中间部13上的覆盖部件50的热应力的封闭的观点，更优选的是凹部50s的底处于第一发光元件21的半导体层的上表面以及第二发光元件22的半导体层的上表面的下方。进而，出于相同的观点，进一步优选的是如图1A～1C、1E所示，凹部50s的底位于第一发光元件21的下表面以及第二发光元件22的下表面的下方。此外，在第一发光元件21以及第二发光元件22具有基板(以下，为了区别于基板10而称作“元件基板”)的情况下，能够视为半导体层的上表面与元件基板的下表面一致。
另外，凹部50s优选的是在俯视时，设于第一发光元件21与第二发光元件22之间、或后述的第一透光性部件31与第二透光性部件32之间的覆盖部件50的中央部。凹部50s的俯视形状除了图示的线状之外，也可以是排列成线状的点状等。在凹部50s的俯视形状为线状的情况下，除了图示的直线状之外，也可以是曲线状、波线状、虚线状、折线状中的某一个。在凹部50s的俯视形状为直线状的情况下，优选的是如图示那样平行于Y方向(轴)，但也可以相对于Y方向(轴)倾斜。凹部50s的剖视形状除了图示的矩形状之外，也可以是倒三角形形状或倒梯形形状等，还可以在底部带有圆角。凹部50s的剖视时的中心轴优选的是如图示那样平行于Z方向(轴)，但也可以相对于Z方向(轴)倾斜。凹部50s不限于图示的仅一个，也可以是多个。
另外，凹部50s的X方向的宽度的下限值能够通过隔着凹部的覆盖部件50因热膨胀而拉伸的量而适当地选择，优选的是设定为，在覆盖部件50因使用发光装置时、制造工序或者组装工序等中施加的热量膨胀了的情况下，保留凹部50s的程度。例如，优选的是0.01mm以上，更优选的是0.03mm以上，更优选的是0.1mm以上。
另外，凹部50s的X方向的宽度的上限值虽然能够适当地选择，但出于确保第一发光元件21与第二发光元件22间的覆盖部件50的壁厚的观点，优选的是0.4mm以下，更优选的是0.3mm以下。
如图1A～1E所示，基板10、第一发光元件21、第二发光元件22、覆盖部件50在X方向上纵长。这样，覆盖部件50优选的是在第一连接盘11与第二连接盘12的排列方向上纵长。由于覆盖部件50的热膨胀量在覆盖部件50的长度方向上变大，因此如果覆盖部件50在第一连接盘11与第二连接盘12的排列方向上纵长，则容易增大施加于中间部13上的覆盖部件50的热应力。由此，利用凹部50s缓和覆盖部件50的热应力的封闭的技术意义提高。
基板的基体15的线膨胀系数越小，固定于基板10的第一发光元件21与第二发光元件2越难以移动，对两元件所夹着的覆盖部件50施加的热应力越容易增大。由此，利用凹部50s缓和覆盖部件50的热应力的封闭技术意义提高。因此，容易基板的基体15的线膨胀系数，虽然能够适当地选择，但优选的是15ppm/℃以下，更优选的是10ppm/℃以下，进一步优选的是5ppm/℃以下。基板的基体15的线膨胀系数的下限值例如为1ppm/℃以上。
此外，如图1F所示，覆盖部件50的面向Y－方向的侧面优选的是相对于基板10的面向Y－方向的侧面向发光装置100的内侧倾斜。由此，向电路基板等安装本发光装置100时，可抑制该覆盖部件50的侧面与电路基板面的接触，发光装置100的安装姿势容易稳定。另外，在覆盖部件50热膨胀时，也能够抑制与电路基板面的接触所带来的应力。覆盖部件50的面向Y+方向的侧面也优选的是相对于基板10的面向Y+方向的侧面向发光装置100的内侧倾斜。由此，可抑制该覆盖部件50的侧面与吸附喷嘴(筒夹)的接触，能够抑制本发光装置100的吸附时的覆盖部件50的损伤。另外，在本发光装置100被组装于照明单元等时，相比于该覆盖部件50的侧面，基板10的侧面更优先地与周边部件接触，从而也能够抑制覆盖部件50的应力应变。而且，它们也有助于抑制覆盖部件50的主要部分的龟裂的。这样，俯视时面向与第一连接盘11和第二连接盘12的排列方向垂直的方向的覆盖部件50的侧面，优选的是相对于面向相同方向的基板10的侧面向该发光装置100的内侧倾斜。此外，该覆盖部件50的两侧面的倾斜角度θ虽然能够适当地选择，但出于发挥这种效果的容易程度以及覆盖部件50的壁厚的观点，优选的是0.3°以上3°以下，更优选的是0.5°以上2°以下，进一步优选的是0.7°以上1.5°以下。
另外，如图1D、1E所示，优选的是基板的基体15的下表面在与凹部50s对置的位置具有凹陷。通过这样的凹陷与凹部50s的组合，能够构成覆盖部件50的优选的应力分散构造，能够更易于抑制覆盖部件50的主要部分处的龟裂的产生。
如图1C所示，发光装置100具备：第一透光性部件31，其接合在第一发光元件21的上表面上，包含将第一发光元件21的光吸收而发光的波长转换物质40；第二透光性部件32，其接合在第二发光元件22的上表面上，包含将第二发光元件22的光吸收而发光的波长转换物质40。而且，覆盖部件50优选的是覆盖第一透光性部件31的侧面以及第二透光性部件32的侧面。若如此在第一发光元件21的上表面以及第二发光元件22的上表面上分别接合有包含成为发热源的波长转换物质40的第一透光性部件31以及第二透光性部件32，则对中间部13上的覆盖部件50施加的热应力容易增大。由此，利用凹部50s缓和覆盖部件50的热应力的封闭的技术意义提高。此外，在本实施方式1中，第一透光性部件31以及第二透光性部件32分别经由导光部件70接合与第一发光元件21以及第二发光元件22。除此之外，第一发光元件21的上表面与第一透光性部件31的下表面、第二发光元件22的上表面与第二透光性部件32的下表面也可以直接接合。
波长转换物质40优选的是包含锰活化氟化物荧光体。锰活化氟化物系荧光体具有获得光谱线宽相对较窄的发光且在颜色再现性的观点上优选、但却容易因水分而恶化的性质。由此，利用凹部50s缓和覆盖部件50的热应力的封闭、抑制覆盖部件50的主要部分处的龟裂的产生、进而抑制水分从该龟裂的浸入的技术意义提高。
中间部13的上表面只要比邻接的第一连接盘的上表面以及第二连接盘的上表面靠下方，也可以在中间部13设有中间配线。中间配线优选的是有助于向第一发光元件21以及第二发光元件22的供电的配线。在这样的情况下，中间配线13的腐蚀容易给第一发光元件21以及第二发光元件22的动作带来影响。因此，采用所述深度的凹部50s、抑制中间配线13向装置外部的露出而抑制腐蚀的技术意义提高。
以下，对本发明的一实施方式的发光装置中的各构成要素进行说明。
(发光装置100)
发光装置例如是发光二极管(LED；Light Emitting Diode)。所述实施方式1的发光装置为侧面发光型(也被称作“侧视型”)，但也可以设为上表面发光型(也被称作“顶视型”)。侧面发光型的发光装置的安装方向与主发光方向相互垂直。上表面发光型的发光装置的安装方向与主发光方向相互平行。发光装置的俯视形状即从主发光方向观察的形状虽然能够适当地选择，但在量产性方面优选的是矩形状。特别是，发光装置为侧面发光型的情况下的俯视形状，优选的是具有长边方向与短边方向的长方形。另一方面，发光装置为上表面发光型的情况下的俯视形状优选的是正方形。另外，第一发光元件以及第二发光元件也采用与发光装置相同的俯视形状即可。
(基板10)
基板至少由基体和保持于该基体的配线构成。
(基体15)
基体能够使用树脂或纤维强化树脂、陶瓷、玻璃、金属、纸等构成。作为树脂或纤维强化树脂，可列举环氧、玻璃环氧、双马来酰亚胺三嗪(BT)、聚酰亚胺等。作为陶瓷，可列举氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛、或它们的混合物等。作为金属，可列举铜、铁、镍、铬、铝、银、金、钛、或它们的合金等。此外，优选的是使用这些基材中的、特别是具有与第一发光元件以及第二发光元件的线膨胀系数接近的物理性质的基材。基体的厚度的下限值虽然能够适当地选择，但出于基板的强度的观点，优选的是0.05mm以上，更优选的是0.2mm以上。另外，基体的厚度的上限值出于发光装置的厚度(深度)的观点，优选的是0.5mm以下，更优选的是0.4mm以下。
(中间部13)
中间部13的上表面配置于比与中间部13邻接的第一连接盘11与第二连接盘12的上表面靠下方。换句话说，第一连接盘11与第二连接盘12的上表面比中间部13的上表面靠上方。中间部13优选的是第一连接盘11与第二连接盘12之间、未设有配线、且基体15露出的部分。由此，能够通过在基体15的上表面上设置第一连盘11以及第二连接盘12而形成中间部13，能够容易地设置中间部13。
(第一连接盘11、第二连接盘12、第一端子配线16、第二端子配线17、第三端子配线18)
配线可以形成于基体的至少上表面，也形成于基体的内部以及/或侧面以及/或下表面。另外，配线优选的是具有供第一发光元件以及第二发光元件安装的连接盘、与外部电路连接的端子配线、将连接盘与端子配线间连接的导线配线等。配线能够由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑、或者它们的合金形成。可以是这些金属或者合金的单层，也可以是多层。特别是，出于散热性的观点，优选的是铜或者铜合金。另外，出于导电性粘合部件的润湿性以及/或者光反射性等的观点，在配线的表层设有银、白金、铝、铑、金或它们的合金等的层。
(绝缘膜19)
绝缘膜为各种阻焊剂或覆盖层等。
(第一发光元件21、第二发光元件22)
第一发光元件以及第二发光元件至少具备半导体元件构造，在大多情况下还具备元件基板。作为第一发光元件以及第二发光元件，例如可列举LED芯片。发光元件的俯视形状优选的是矩形，特别是正方形或者在一个方向上较长的长方形，但也可以是其他形状，例如如果是六边形状，则也能够提高发光效率。第一发光元件以及第二发光元件或者它们的元件基板的侧面可以是与上表面垂直，也可以向内侧或者外侧倾斜。第一发光元件以及第二发光元件优选的是在同一面侧具有正负(p，n)电极。安装于一个发光装置的发光元件的个数也可以是3个以上。对于透光性部件也相同。在该情况下，如图2所示，覆盖部件的凹部以相邻的两个发光元件间为单位、或以相邻的两个透光性部件间为单位设置即可。多个发光元件能够以串联或者并联的方式连接。半导体元件构造优选的是半导体层的层叠体，即至少包含n型半导体层与p型半导体层，而且在它们之间夹设活性层。半导体元件构造也可以包含正负电极以及/或者绝缘膜。正负电极能够由金、银、锡、白金、铑、钛、铝、钨、钯、镍或者它们的合金构成。绝缘膜能够由从硅、钛、锆、铌、钽、铝所构成的组中选择的至少一种元素的氧化物或者氮化物构成。第一发光元件以及第二发光元件的发光峰值能够根据波长半导体材料或其混晶比，选择紫外区域～红外区域。作为半导体材料，优选的是使用作为能够发出可高效地激发波长转换物质的短波长的光的材料的氮化物半导体。氮化物半导体主要由通用公式InxAlyGa1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y≤1)表示。关于第一发光元件以及第二发光元件的发光峰值波长，出于发光效率、波长转换物质的激发以及与其发光的混色关系等的观点，优选的是400nm以上530nm以下，更优选的是420nm以上490nm以下，进一步优选的是450nm以上475nm以下。除此之外，也能够使用InAlGaAs系半导体、InAlGaP系半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。第一发光元件以及第二发光元件的元件基板主要是能够使构成半导体元件构造的半导体的晶体生长的晶体生长用基板，但也可以是接合于从晶体生长用基板分离的半导体元件构造的接合用基板。元件基板具有透光性，从而容易采用倒装安装，而且易于提高光的提取效率。作为元件基板的母材，可列举蓝宝石、尖晶石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中，优选的是蓝宝石。元件基板的厚度能够适当地选择，例如为0.02mm以上1mm以下，出于元件基板的强度以及/或发光装置的厚度的观点，优选的是0.05mm以上0.3mm以下。
(第一透光性部件31、第二透光性部件32)
第一透光性部件以及第二透光性部件分别是设置在第一发光元件以及第二发光元件上、并使从第一发光元件以及第二发光元件发出的光向装置外部透过的部件。第一透光性部件以及第二透光性部件至少由以下这种母材构成。另外，第一透光性部件以及第二透光性部件在母材中含有以下这种波长转换物质，从而能够作为波长转换部件发挥功能。其中，并非必须含有波长转换物质。另外，第一透光性部件以及第二透光性部件也能够使用波长转换物质与例如氧化铝等无机物的烧结体、或者波长转换物质的板状晶体等。
(透光性部件的母材35)
第一透光性部件以及第二透光性部件的母材分别对从第一发光元件以及第二发光元件发出的光具有透光性即可。此外，“透光性”指的是，第一发光元件以及第二发光元件的发光峰值波长中的透光率优选的是60％以上，更优选的是70％以上，进一步优选的是80％以上。第一透光性部件以及第二透光性部件的母材能够使用硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。也可以是玻璃。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂的耐热性以及耐光性优异，较为优选。作为具体的硅酮树脂，可列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。第一透光性部件以及第二透光性部件能够通过将这些母材中的1种以单层、或将这些母材中的2种以上层叠而构成。此外，本说明书中的“改性树脂”包含杂化树脂。
第一透光性部件以及第二透光性部件的母材也可以在所述树脂或玻璃中含有各种填料。作为该填料，可列举氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。填料能够单独使用它们中的1种，或者能够组合它们之中的2种以上来使用。特别优选的是热膨胀系数较小的氧化硅。另外，通过使用纳米粒子作为填料，也能够使第一发光元件以及第二发光元件的包含蓝色光的瑞利散射的散射增大，并减少波长转换物质的使用量。此外，纳米粒子设为粒径为1nm以上100nm以下的粒子。另外，本说明书中的“粒径”例如以D50定义。
(波长转换物质40)
波长转换物质将第一发光元件以及第二发光元件所发出的一次光的至少一部分吸收，产生波长与一次光不同的二次光。由此，能够设为发出可视波长的一次光以及二次光的混色光、例如白色光的发光装置。波长转换物质能够单独地使用以下所示的具体例中的1种，或者能够组合2种以上来使用。
(第一荧光体41、第二荧光体42)
第一荧光体以及第二荧光体能够从以下这种具体例之中适当地选择。例如，第一荧光体能够采用以绿色至黄色发光的荧光体，第二荧光体能够采用以红色发光的荧光体。作为以绿色发光的荧光体，可列举钇·铝·石榴石系荧光体(例如Y3(Al，Ga)5O12：Ce)、镥·铝·石榴石系荧光体(例如Lu3(Al，Ga)5O12：Ce)、铽·铝·石榴石系荧光体(例如Tb3(Al，Ga)5O12：Ce)系荧光体、硅酸盐系荧光体(例如(Ba，Sr)2SiO4：Eu)、氯硅酸盐系荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)、β赛隆系荧光体(例如Si6－zAlzOzN8－z：Eu(0＜z＜4.2))、SGS系荧光体(例如SrGa2S4：Eu)等。作为以黄色发光的荧光体，可列举α赛隆系荧光体(例如Mz(Si，Al)12(O，N)16(其中，0＜z≤2，M为Li、Mg、Ca、Y、除了La与Ce以外的镧系元素)等。除此之外，所述以绿色发光的荧光体之中也包含以黄色发光的荧光体。此外，例如钇·铝·石榴石系荧光体能够将Y的一部分以Gd替换，从而使发光峰值波长向长波长侧转移，能够以黄色发光。另外，它们之中也包含能够以橙色发光的荧光体。作为以红色发光的荧光体，可列举含氮铝硅酸钙(CASN或者SCASN)系荧光体(例如(Sr，Ca)AlSiN3：Eu)等。除此以外，可列举锰活化氟化物系荧光体(由通用公式(I)A2[M1－aMnaF6]表示的荧光体(其中，在所述通用公式(I)中，A是从K、Li、Na、Rb、Cs以及NH4所构成的组中选择的至少1种，M是从第四族元素以及第一4族元素所构成的组中选择的至少1种元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰活化氟化物系荧光体的代表例，具有锰活化氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
(覆盖部件50)
关于光反射性的覆盖部件，出于向上方的光提取效率的观点，第一发光元件以及第二发光元件的发光峰值波长中的光反射率优选的是70％以上，更优选的是80％以上，进一步优选的是90％以上。并且，覆盖部件优选的是白色。由此，覆盖部件优选的是在母材中包含白色颜料。覆盖部件在固化前经过液状的状态。覆盖部件能够通过传递成型、注射成型、压缩成型、灌注封装等形成。
(覆盖部件的母材)
覆盖部件的母材能够使用树脂，例如可列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂的耐热性以及耐光性优异，较为优选。作为具体的硅酮树脂，可列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。另外，覆盖部件的母材也可以含有与所述的第一透光性部件以及第二透光性部件的母材相同的填料。
(白色颜料)
白色颜料能够单独地使用氧化钛、氧化锌、氧化镁、二氧化碳镁、水氧化镁、二氧化碳钙、水氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、水氧化铝、氧化铝、氧化锆中的1种，或者组合它们中的2种以上来使用。白色颜料的形状能够适当地选择，也可以是不规则形或破碎状，出于流动性的观点，优选的是球状。另外，白色颜料的粒径例如可列举0.1μm以上0.5μm以下的程度，但为了提高光反射、覆盖的效果，较小的程度为优选。光反射性的覆盖部件中的白色颜料的含量能够适当地选择，但出于光反射性以及液状时的粘度等观点，优选的是例如10wt％以上80wt％以下，更优选的是20wt％以上70wt％以下，进一步优选的是30wt％以上60wt％以下。此外，“wt％”是重量百分比，表示该材料的重量相对于光反射性的覆盖部件的全部重量的比率。
(导电性粘合部件60)
作为导电性粘合部件，能够使用金、银、铜等的凸块、包含银、金、铜、铂、铝、钯等金属粉末与树脂粘合剂的金属糊剂、锡－铋系、锡－铜系、锡－银系、金－锡系等的焊料、低熔点金属等的钎料中的某一个。
(导光部件70)
导光部件是将发光元件与透光性部件粘合、并将来自发光元件的光向透光性部件导光的部件。导光部件的母材可列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者它们的改性树脂。其中，硅酮树脂以及改性硅酮树脂的耐热性以及耐光性优异，较为优选。作为具体的硅酮树脂，可列举二甲基硅酮树脂、苯基甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。另外，导光部件的母材也可以含有与所述的第一透光性部件以及第二透光性部件的母材相同的填料。另外，能够省略导光部件。
【实施例】
以下，详细叙述本发明的实施例。此外，本发明当然不仅限于以下所示的实施例。
＜实施例1＞
实施例1的发光装置为具有图1A～1F所示的发光装置100的构造的、横3.1mm、纵0.4mm、深度0.7mm的侧面发光型的LED。
基板10的大小为横3.1mm、纵0.4mm、深度(厚度)0.36mm。基板的基体15是线膨胀系数3ppm/℃的BT树脂制(例如三菱瓦斯化学公司制：HL832NSF typeLCA)的长方体状的小片。配线从基体15侧起层叠铜/镍/金而成。配线分别在基体15的上表面隔着X方向中央的中间部13，在X－侧含有第一连接盘11，在X+侧含有第二连接盘12。第一连接盘11以及第二连接盘12改变由正极端子与负极端子的对构成。该各端子具有铜层为深度0.04mm厚的突起。中间部13配置于第一连接盘11的正极端子与第二连接盘12的负极端子之间，使基体15露出。基体15具有4个贯通孔，形成在上表面上的配线和形成在下表面上的配线经由贯通孔电连接。在基体15的下表面上形成有与第一连接盘的负极端子电连接的第一端子配线16、与第二连接盘的正极端子电连接的第二端子配线17、与第一连接盘的正极端子以及第二连接盘的负极端子电连接的第三端子配线18。在基体15的下表面的X方向中央形成有偏向Y－侧的凹陷，第三端子配线18也在该凹陷的内表面上延伸地形成。该凹陷是横0.4mm、纵0.2mm、深度(深度)0.2mm的半圆柱。下表面上的各配线的一部分被作为阻焊剂的绝缘膜19覆盖。
在第一连接盘11以及第二连接盘12上分别经由导电性粘合部件60倒装安装有第一发光元件21以及第二发光元件22。第一发光元件21以及第二发光元件22分别是在蓝宝石基板上依次层叠有氮化物半导体的n型层、活性层、p型层的、能够发出蓝色(发光峰值波长452nm)的、横1.1mm、纵0.2mm、深度(厚度)0.12mm的长方体状的LED芯片。导电性粘合部件60为深度(厚度)0.015mm的金－锡系焊料(Au：Sn＝79：21)。
在第一发光元件21以及第二发光元件22上分别经由导光部件70粘合有第一透光性部件31以及第二透光性部件32。第一透光性部件31以及第二透光性部件32分别是在作为填料含有氧化硅的纳米粒子的苯基甲基硅酮树脂即母材35中含有铕活化β赛隆的第一荧光体41以及锰活化氟化硅酸钾的第二荧光体42作为波长转换物质40，且横1.21mm、纵0.24mm、深度(厚度)0.16mm的长方体状的小片。第一透光性部件31以及第二透光性部件32分别从发光元件21、22侧起层叠由母材35与第一荧光体41构成的层、由母材35与第二荧光体42构成的层、由母材35构成的层而成。导光部件70为深度(厚度)0.005mm的二甲基硅酮树脂的固化物。
在基板10的上表面上，以包含中间部13上并将第一发光元件21、第二发光元件22、第一透光性部件31、第二透光性部件32的侧方的整周上包围的方式形成有光反射性的覆盖部件50。覆盖部件50在作为苯基甲基硅酮树脂的母材中含有60wt％的氧化钛作为白色颜料而成。覆盖部件50直接覆盖第一发光元件21、第二发光元件22、第一透光性部件31、第二透光性部件32、导电性粘合部件60、导光部件70各自的侧面。覆盖部件50的上表面构成了与第一透光性部件31的上表面以及第二透光性部件32的上表面实际为同一个的面。覆盖部件50的最大外径在最下方部与基板10的上表面的外径一致，但覆盖部件50的分别面向X+方向、X－方向、Y+方向、Y－方向的4个侧面，相对于基板10即基体15的分别面向X+方向、X－方向、Y+方向、Y－方向的4个侧面向内侧倾斜0.8°。而且，中间部13上的覆盖部件50、更详细地说是覆盖部件50的上表面上的X方向的中央(也是第一透光性部件31与第二透光性部件32的间的中央)，形成有到的分别面向Y+方向以及Y－方向的两个侧面、且横0.05mm、深度(深度)0.24mm的凹部50s。
这样的实施例1的发光装置能够发挥与实施方式1的发光装置100相同的效果。
工业上的可利用性
本发明的一实施方式的发光装置能够应用于液晶显示器的背光装置、各种照明器具、大型显示器、广告和目的地通知等的各种显示装置、投影仪装置、还有数字摄像机、传真机、复印机、扫描仪等中的图像读取装置等。

Claims (12)

1.一种发光装置，具备：
基板，其包含绝缘性的基体、在所述基体的上表面沿X方向排列配置的第一连接盘及第二连接盘、配置于所述第一连接盘与所述第二连接盘之间的中间部；
第一发光元件，其倒装安装于所述第一连接盘；
第二发光元件，其倒装安装于所述第二连接盘；
光反射性的覆盖部件，其设于所述中间部的上方，覆盖所述第一发光元件的侧面以及所述第二发光元件的侧面，其特征在于，
在所述中间部的上方，在所述覆盖部件形成有凹部，
所述凹部的底位于比所述第一发光元件的上表面以及所述第二发光元件的上表面靠下方、且比所述中间部的上表面靠上方的位置，
所述凹部的内表面为空的，且该内表面为该发光装置的外表面，
所述基体具有：所述上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面、位于所述上表面和所述下表面之间且沿着所述X方向的两个基体侧面，
所述基体还具有凹陷，在所述基体的下表面，于所述X方向的中央，在将所述发光装置的主发光方向作为Z方向的情况下，所述凹陷偏向与所述X方向和所述Z方向正交的Y方向，并且只与所述两个基体侧面中的一个基体侧面相接而配置，在其内表面配置有将所述第一连接盘及所述第二连接盘连接的配线。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述中间部是所述基体露出的部分。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述凹部在俯视时，到达所述覆盖部件中的面向相对于所述第一连接盘与所述第二连接盘的排列方向垂直的方向的两个侧面的至少一方。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述覆盖部件的所述X方向的长度比所述Y方向的长度长。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述基体的线膨胀系数为15ppm/℃以下。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
在所述基体的下表面，所述凹陷位于与所述凹部对置的位置。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
在俯视时，沿着相对于所述第一连接盘与所述第二连接盘的排列方向垂直的方向的所述覆盖部件的侧面，相对于面向相同方向的所述基板的侧面向该发光装置的内侧倾斜。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，具备：
第一透光性部件，其接合于所述第一发光元件的上表面，包含将所述第一发光元件的光吸收而发光的波长转换物质；
第二透光性部件，其接合于所述第二发光元件的上表面，包含将所述第二发光元件的光吸收而发光的波长转换物质，
所述覆盖部件覆盖所述第一透光性部件的侧面以及所述第二透光性部件的侧面。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
所述波长转换物质包含锰活化氟化物荧光体。
10.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于：
所述凹部在俯视时，到达所述两个侧面的两方。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：
所述凹部的底位于比所述第一发光元件的半导体层的上表面以及所述第二发光元件的半导体层的上表面更靠下方的位置。
12.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于：
所述凹部的剖视形状为矩形状、倒三角形形状、倒梯形形状的任一种。
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