CN108370085B - 磁隔离器、其制作方法和包括该磁隔离器的装置 - Google Patents

磁隔离器、其制作方法和包括该磁隔离器的装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种磁隔离器，该磁隔离器包括介电膜，该介电膜具有与其粘结的导电软磁材料层。导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的基本上共面的导电软磁岛状物。导电软磁岛状物中的至少一些具有使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层。当有施加的外部磁场存在时，间隙至少部分地抑制在软磁材料层内感应的电涡流。本发明还公开了包括磁隔离器的电子装置和制作该磁隔离器的方法。

Description

磁隔离器、其制作方法和包括该磁隔离器的装置
技术领域
本公开广义地涉及磁隔离器、其制作方法和包括该磁隔离器的装置。
背景技术
在射频识别(RFID)市场快速发展的背景下，近场通信(即，NFC)技术近来已变得越来越普遍地用于蜂窝电话中。该技术为蜂窝电话开创了许多新的可能性，例如，使蜂窝电话能够具有电子密钥、ID卡和电子钱包的功能，并且还使得能够经由无线信道以快捷的方式与其他人完成电话号码的交换。
NFC基于使用磁场作为载波的13.56MHz RFID系统。然而，当环形天线靠近金属箱、屏蔽箱、电路板的接地表面、或片材表面诸如电池壳时，可无法达到设计的通信范围。由于在金属表面上感应的涡流在载波的反方向上形成磁场，发生该载波的衰减。因此，期望可为载波提供屏蔽以免受金属表面的影响的具有高磁导率的材料，诸如Ni-Zn铁氧体(化学式：NiaZn(1-a)Fe2O4)。
在典型的NFC应用中，电子装置收集在环形读取器天线周围循环的磁通量。通过装置线圈的通量在线圈路径周围激励出电压。当天线置于导体上方时，表面附近的磁场振幅将显著减小。对于理想导体，在表面的任何点处的电场的切向分量均为零。因此，金属的存在通常对RFID标签耦合是有害的，因为将没有在导体表面处的磁场的法向分量对通过线圈的总通量产生贡献。根据法拉第定律，线圈周围将不存在电压激励。仅天线的介电基板的边沿厚度允许通过标签的小磁通量。
可通过将通量场定向材料(即，磁隔离器)安置在金属表面和标签之间来减轻天线附近的金属表面的有害效应。理想的高磁导率磁隔离器将使场集中在其厚度中，而不对在其表面处的正常磁场产生任何影响。铁氧体或其它磁性陶瓷传统上因为其超低的体积导电率而用于该目的。它们显现出非常低的涡流损耗，并因此通过天线回路的高比例的磁场保持正常。然而，它们的相对低的磁导率需要较高的隔离器层厚度以用于有效隔离，这增加了成本并且在微型化装置中可为有问题的。
对于电子器件中的高频应用，纳米晶软磁材料可取代粉末状铁氧体和非晶态材料。在最近二十年中，已经深入研究了通过不同的铸造技术制备的具有有前景的软磁特性的新型块体金属玻璃。在几种开发的金属玻璃系统之中，Fe基合金由于其具有接近零的磁致伸缩、高饱和磁化强度和高磁导率的良好的软磁特性已吸引相当多的关注。
在不同的Fe基合金中，非晶态FeCuNbSiB合金(例如，由德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(VACUUMSCHMELZE GmbH&Co.KG，Hanau，Germany)以VITROPERM商品名销售的那些)被设计为当在550℃之上退火时转变为纳米晶材料。所得的材料显现出比初生非晶态带材高得多的磁导率。由于金属带材的固有导电性质，所以来自隔离器的涡流损耗可为有问题的。在减小涡流损耗的一种方法中，已经将退火的纳米晶带材置于载体膜上并且破碎成小块。
欧洲专利申请公布2 797 092 A1(Lee等人)描述了用于无线充电器的磁场屏蔽片材及其制造方法，该磁场屏蔽片材通过非晶态带材的薄片处理工艺并且随后用粘合剂进行的压缩层合工艺来填充非晶态带材的细小块之间的间隙，从而防止渗水，并且该磁场屏蔽片材同时用粘合剂(或电介质)环绕细小块的所有表面以因此将细小块相互隔离，从而促进涡流的减小并且防止屏蔽性能降低。
发明内容
然而，薄片状或破碎的带材可具有导致XY方向上的连续电路径的重叠的或接触的薄片。此外，可延展的粘合剂诸如压敏粘合剂可随时间推移发生变形，导致在薄片之间形成接触点，从而增加涡流损耗。期望具有可由此减少或消除此类接触点的形成(例如，在操纵期间)的材料。
在一个方面，本公开提供磁隔离器，该磁隔离器包括基板，该基板具有与其粘结的导电软磁材料层，其中导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的导电软磁岛状物，其中导电软磁岛状物中的至少一些具有使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，并且其中间隙至少部分地抑制由外部磁场在导电软磁材料层内感应的电涡流。
磁隔离器可用于电子装置的制造，其中可包括磁隔离器以提供对电场和磁场的屏蔽。
在另一方面，本公开提供适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置，该电子装置包括：
导电基板；
天线，该天线粘结到基板；
集成电路，该集成电路设置在基板上并且电耦合到天线；和
根据本公开的磁隔离器，该磁隔离器设置在天线和基板之间。
在又一方面，本公开提供制作磁隔离器的方法，该方法包括以下步骤：
a)提供基板，该基板具有粘结到其的导电软磁材料层；
b)在导电软磁材料层中形成限定导电软磁岛状物的间隙；以及
c)在导电软磁岛状物中的至少一些上形成足够使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，其中间隙至少部分地抑制由外部磁场在导电软磁材料层内感应的涡流。
如本文所用，术语氧化剂不包括分子氧(即，O2)。
在考虑具体实施方式以及所附权利要求书时，将进一步理解本公开的特征和优点。
附图说明
图1为根据本公开的示例性磁隔离器100的示意性侧视图。
图1A为图1中的区域1A的放大视图。
图2为根据本公开的示例性电子制品200的示意性侧视图。
图3为示出在用隔离器而被屏蔽以免受金属板的影响的供电的天线和无源读取器天线之间的最大NFC距离的柱形图。
在说明书和附图中重复使用的参考符号旨在表示本公开的相同或类似的特征结构或元件。应当理解，本领域的技术人员可以设计出许多落入本公开原理的范围内及符合本公开原理的实质的其它修改形式和实施方案。附图可不按比例绘制。
具体实施方式
现在参见图1，根据本公开的磁隔离器100包括具有相背的主表面112、主表面114的介电膜110。导电软磁材料120(ESMM)的层粘结到主表面112。层120包括通过间隙140彼此隔开的多个基本上共面的导电软磁岛状物122，虽然在该实施方案中被示出为互连间隙140的网络130，但是在一些实施方案中间隙不为互连的(例如，它们可为基本上平行的)。虽然图1中示出互连间隙网络，但是在一些实施方案中间隙可不形成互连的网络(例如，间隙可为基本上平行的)。导电软磁岛状物的表面上的外部绝缘氧化层170提供相邻的岛状物122之间的电绝缘(参见图1A)。当有施加的外部磁场(未示出)存在时，互连间隙140的网络130至少部分地抑制软磁材料的层内感应的电涡流(未示出)。在优选的实施方案中，间隙基本上或完全地为空的(即，除了将相邻的岛状物隔开的氧化层170之外，它们含有很少的材料或不含有材料)。
可使用任何介电膜。可用的膜包括介电热塑性膜，该介电热塑性膜包含例如聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚己酸内酯)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚烯烃、聚碳酸酯、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醚酰亚胺、聚醚酰亚胺(PEI)、纤维素(例如，醋酸纤维素)以及它们的组合。介电膜可包括一个或多个层。例如，其可包括由两个或更多个介电聚合物层构成的复合膜。在一些实施方案中，介电膜包括具有将ESMM的层粘结到聚合物膜的压敏粘合剂层的聚合物膜。
介电膜可包含高介电常数填料。示例包括钛酸钡、钛酸锶、二氧化钛、炭黑和其它已知的高介电常数材料。也可使用纳米尺寸高介电常数颗粒和/或高介电常数共轭聚合物。可使用两种或更多种不同的高介电常数材料的共混物或高介电常数材料与软磁材料诸如羰基铁的共混物。
介电膜的厚度可为约0.01毫米(mm)至约0.5mm，优选地为0.01mm至0.3mm，并且更优选地为0.1mm至0.2mm，但是也可使用更小和更大的厚度。
可用的导电软磁材料包括非晶态合金或当在550℃之上退火时转变成纳米晶材料的非晶态合金如FeCuNbSiB(由德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(Vacuumschmelze GmbH&Co.KG，Hanau，Germany)以VITROPERM商品名销售)、来自宾夕法尼亚州雷丁市的卡朋特技术公司(Carpenter Technologies Corporation，Reading，Pennsylvania)的可以以商品名PERMALLOY购得的铁/镍材料或其铁/镍/钼同源物MOLYPERMALLOY，以及非晶态金属带材诸如日立金属公司(Hitachi Metals Inc.)的Metglass 2605SA1。
优选地，ESMM包含纳米晶含铁材料。在一些实施方案中，ESMM可包含铁(Fe)的氧化物，该铁的氧化物掺杂选自包括但不限于以下的组的至少一种金属元素：Ni、Zn、Cu、Co、Ni、Nb、B、Si、Li、Mg和Mn。通过在至少550℃的温度下将可以以VITROPERM VT-800购自真空熔炼股份有限公司(Vacuumschmelze GmbH&Co.KG)的非晶态软磁带材前体材料退火以形成具有纳米尺度的结晶区的结构来形成一种优选的软磁材料。
ESMM的层包括通过间隙彼此隔开的ESMM的岛状物。
ESMM的岛状物可具有各种规则的或不规则的几何形状诸如例如板和/或薄片，该ESMM的岛状物可为微米尺寸的或纳米尺寸的，但是也可使用更大的尺寸。ESMM的厚度可为约0.005毫米(mm)至约0.5mm，但是也可使用更小和更大的厚度。
导电软磁材料的层的磁导率很大程度上由层的材料和间隙的面密度以及其深度确定。当用于制作能够在NFC中使用的磁隔离器(例如，天线隔离器)时，磁导率大于约80的导电软磁材料层为优选的。
实磁导率表示磁场的传播情况，并且虚磁导率表示磁场损耗的程度。理想材料为表现出高磁导率并且具有低磁导率损耗的材料。在一些实施方案中，与除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的能与之相比的磁隔离器比较，磁隔离器的磁导率的实部不小于约10％。同样，在一些实施方案中，磁隔离器的磁导率的虚部不大于除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的磁隔离器的磁导率的虚部的约90％。
通常，间隙形成于随机网络或伪随机网络中；然而，网络还可为规则的(例如，阵列)。例如，阵列可为矩形阵列或菱形阵列。优选地，互连间隙网络相对于其长度和宽度为至少基本上与ESMM的层共延。
在一些实施方案中，间隙的面密度为约0.001％至约60％，优选地为约0.01％至约15％，并且更具体地为约0.01％至约6％。如说明书中所使用，间隙的面密度意指导电软磁材料层中所有间隙的面积与导电软磁材料层的总面积的比率；术语面积意指平行于介电膜的顶部表面的方向上的截面积。
优选地，导电软磁层中的间隙中的每个的深度等于层自身的厚度(即，它们通过层延伸到介电膜)，但是在一些实施方案中，间隙中的一些或全部可比导电软磁层的全厚度薄。因此，在一些实施方案中，互连间隙的平均深度与导电软磁岛状物的平均厚度的比率为至少0.5、0.6、0.7、0.8，或甚至为至少0.9。
间隙至少部分地抑制由外部磁场在ESMM的层内感应的电涡流。效果的大小取决于导电软磁材料层的成分和厚度以及间隙网络。
为减小相邻的导电软磁岛状物之间发生电接触的可能性，通过蚀刻工艺加工在岛状物的外表面的至少一部分(优选地全部)上形成电绝缘(即，介电)层。通过蚀刻剂的使用实现该工艺。一般在互连间隙网络已生成持续适于形成期望厚度的绝缘层的时间之后将蚀刻剂施加到导电软磁层。
蚀刻剂应含有能够蚀刻(例如，氧化)导电软磁层的材料。示例性蚀刻剂包括已知的用于与含铁材料一起使用的蚀刻剂(例如，硝酸、高氯酸和/或浓缩的硫酸)。其中，硝酸是优选的。可调节蚀刻剂的浓度以实现期望的蚀刻速率，例如，可为浓缩的或呈稀释形式(例如，约20重量％至约40重量％)。蚀刻时间可在数秒至数分钟、数小时或甚至数天的范围内。
根据本公开的磁隔离器，可通过将ESMM的层层合或以其他方式粘结到介电膜来制作；例如，使用压敏粘合剂、热熔性粘合剂或热固性粘合剂(例如，未固化的环氧树脂)，之后进行固化。
根据本公开的磁隔离器通常用作最终用途的电子制品中的片材，但是可期望地以卷筒或片材形式供应；例如，用于制造设备。
一旦层合，就在ESMM的层中形成限定导电软磁岛状物的互连间隙网络。用于形成间隙网络的合适的技术的示例包括机械间隙形成技术(例如，通过挠曲、拉伸、敲打和/或压印)ESMM的层、消融(激光消融、超声消融、电消融和热消融)和化学蚀刻。
优选地，在间隙形成期间在长度和/或宽度上将ESMM的层以及磁隔离器拉伸。这有助于减少ESMM的相邻的岛状物之间的意外的电接触。优选地，该拉伸在磁隔离器的长度或宽度中的至少一者上为至少10％、至少20％或甚至至少30％。
一旦形成间隙，间隙中的至少一些就填充有无机介电材料；例如，如上所述。
根据本公开的磁隔离器可用于延伸NFC电子装置的读取范围。
现在参见图2，能够与远程收发器进行近场通信的示例性电子制品200包括基板210和天线220。根据本公开的磁隔离器100(参见图1)设置在天线220和基板210之间。为了获得最大益处，基板210为导电的(例如，包含金属和/或其它导电材料)。
例如，天线220(例如，导电环形天线)可为铜或铝蚀刻的天线，并且可设置在介电聚合物(例如，PET聚酯)膜基板上。其形状可为例如具有13.56兆赫兹(MHz)的谐振频率的环形形状、矩形形状或正方形形状。例如，尺寸可为约80cm2至约0.1cm2，其中厚度为约35微米至约10微米。优选地，导电环形天线的阻抗的实分量低于约5Ω。
集成电路240设置在基板210上并且电耦合到环形天线220。
示例性电子装置包括移动电话、平板计算机和配备有近场通信的其它装置、配备有无线充电的装置、配备有磁屏蔽材料以防止来自装置内或周围环境中的导电金属物体的干扰的装置。
本公开所选的实施方案
在第一实施方案中，本公开提供了一种磁隔离器，所述磁隔离器包括基板，所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层，其中所述导电软磁材料层包括通过间隙(例如，间隙的互连网络)彼此隔开的导电软磁岛状物，其中所述导电软磁岛状物中的至少一些具有使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，并且其中所述间隙至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的电涡流。
在第二实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案所述的磁隔离器，其中所述导电软磁岛状物包含纳米晶含铁材料。
在第三实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案或第二实施方案所述的磁隔离器，其中所述外部绝缘氧化层包括含有铁的无机氧化物层。
在第四实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第三实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中所述互连间隙的平均深度与所述导电软磁岛状物的平均厚度的比率为至少0.5。
在第五实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第四实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中所述导电软磁岛状物包括所述导电软磁岛状物的二维规则阵列。
在第六实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第五实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中所述导电软磁岛状物的尺寸和形状为随机的。
在第七实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第六实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中所述互连间隙网络沿其长度和宽度与所述导电软磁材料层共延。
在第八实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第七实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中与除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的能与之相比的磁隔离器比较，所述磁隔离器的所述磁导率的实部不小于约10％。
在第九实施方案中，本公开提供了根据第一实施方案至第八实施方案中任一项所述的磁隔离器，其中所述磁隔离器的所述磁导率的虚部不大于除了没有互连间隙网络之外具有相同构造的磁隔离器的所述磁导率的所述虚部的约90％。
在第十实施方案中，本公开提供了一种适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置，所述电子装置包括：
基板；
天线，所述天线粘结到所述基板；
集成电路，所述集成电路设置在所述基板上并且电耦合到所述天线；和
根据第一实施方案所述的磁隔离器，所述磁隔离器设置在所述天线和所述基板之间。
在第十一实施方案中，本公开提供了根据第十实施方案所述的电子装置，其中所述天线包括环形天线。
在第十二实施方案中，本公开提供了一种制作磁隔离器的方法，所述方法包括以下步骤：
a)提供基板，所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层；
b)在所述导电软磁材料层中形成限定导电软磁岛状物的间隙(例如，间隙的互连网络)；以及
c)在所述导电软磁岛状物中的至少一些上形成足够使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，其中所述间隙至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的涡流。
在第十三实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案所述的方法，其中步骤c)包括使在步骤b)中形成的所述导电软磁岛状物与氧化剂接触。
在第十四实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案或第十三实施方案所述的方法，其中所述导电软磁岛状物包含纳米晶含铁材料。
在第十五实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十四实施方案中任一项所述的方法，其中所述外部绝缘氧化层包括含有铁的无机氧化物层。
在第十六实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十五实施方案中任一项所述的电子装置，其中所述互连间隙网络沿其长度和宽度与所述导电软磁材料层共延。
在第十七实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十六实施方案中任一项所述的电子装置，其中在步骤b)中，所述互连间隙网络至少部分地通过有意地使所述导电软磁材料层机械破碎来提供。
在第十八实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十七实施方案中任一项所述的电子装置，其中在步骤b)中，所述互连间隙网络至少部分地通过所述导电软磁材料层的消融来提供。
在第十九实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十八实施方案中任一项所述的电子装置，其中所述消融包括激光消融、超声消融、电消融和热消融中的一种或多种。
在第二十实施方案中，本公开提供了根据第十二实施方案至第十九实施方案中任一项所述的电子装置，其中步骤和b)包括将所述基板在至少一个维度上拉伸至少20％。
通过以下非限制性实施例，进一步示出了本公开的目的和优点，但在这些实施例中引用的具体材料及其量以及其它条件和细节不应被理解为对本公开的不当限制。
实施例
除非另有说明，否则实施例及本说明书的其余部分中的所有份数、百分比、比率等均以重量计。
实施例中所使用的材料：VITROPERM 800非晶态带材(VP800，Fe73.5Si15.5B7.0Nb3.0Cu)，厚18微米，得自德国哈瑙的真空熔炼股份有限公司(VACUUMSCHMELZE GmbH&Co.KG，Hanau，Germany)；硝酸，70％ACS级，得自威斯康辛州密尔沃基市的奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company Inc.，Milwaukee，Wisconsin)；以及无水变性乙醇，得自奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company Inc)。
导电软磁材料的退火的和破碎的带材的制备
根据制造商的指示将非晶态VITROPERM 800带材在500℃至550℃下退火以提供退火的纳米晶导电软磁带材的带材。通过将退火的VP 800带材放置于粘合剂载体衬件之上并且在进行拉伸的情况下使其通过辊式破碎机来将其破碎，得到具有设置在粘合剂载体衬件上的导电软磁岛状物的层的精细破碎的带材CR1。
实施例1
使用硝酸蚀刻CR1以在导电软磁岛状物中的至少一些上提供足够使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层。评估乙醇溶液中硝酸的各种浓度和不同的处理时间。将样品浸入蚀刻剂中持续规定时间需要的时间量，将样品冲洗并且然后在60℃烘箱中干燥2分钟。结果报告于下表1中。
表1
Figure BDA0001686647820000101
Figure BDA0001686647820000111
NFC读取距离测量
近场通信(NFC)中关键的性能特点是在用隔离器而被屏蔽以免受金属板的影响的供电的天线和无源响应器天线之间的最大读取距离，如图3所示。在下面的过程中，使用得自3A逻辑NFC公司(3A Logics NFC)的NFC读取器套件进行读取距离测量，该NFC读取器套件被配置为能够符合ISO/IEC 14443A和ISO 15693数字信号处理协议二者。ISO/IEC 14443A数字信号处理协议的特征是在较短读取距离上的较高数据传输速率。
根据ISO/IEC 14443A和ISO 15693数字信号处理协议评估材料的样品。图3中报告的结果表示根据每种方法评估的在用隔离器而被屏蔽以免受金属板的影响的供电的天线和无源读取器天线之间的以毫米为单位的最大NFC读取距离。
在用于专利证书的以上申请中所有引用的参考文献、专利和专利申请通过全文引用以一致的方式并入本文中。在并入的参考文献部分与本申请之间存在不一致或矛盾的情况下，应以前述说明中的信息为准。为了使本领域的普通技术人员能够实践受权利要求书保护的本公开而给出的前述说明不应理解为是对本公开范围的限制，本公开的范围由权利要求书及其所有等同形式限定。

Claims (15)

1.一种磁隔离器，所述磁隔离器包括基板，所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层，其中所述导电软磁材料层包括通过间隙彼此隔开的导电软磁岛状物，其中所述导电软磁岛状物中的至少一些具有使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，并且其中所述间隙是空的并且至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的电涡流。
2.根据权利要求1所述的磁隔离器，其中所述导电软磁岛状物包含纳米晶含铁材料。
3.根据权利要求1所述的磁隔离器，其中所述外部绝缘氧化层包括含有铁的无机氧化物层。
4.根据权利要求1所述的磁隔离器，其中互连间隙的平均深度与所述导电软磁岛状物的平均厚度的比率为至少0.5。
5.根据权利要求1所述的磁隔离器，其中所述导电软磁岛状物的尺寸和形状为随机的。
6.根据权利要求1所述的磁隔离器，其中互连间隙网络与所述导电软磁材料层沿其长度和宽度共延。
7.一种适于与远程生成的磁场电感耦合的电子装置，所述电子装置包括：
基板；
天线，所述天线粘结到所述基板；
集成电路，所述集成电路设置在所述基板上并且电耦合到所述天线；和
根据权利要求1所述的磁隔离器，所述磁隔离器设置在所述天线和所述基板之间。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述天线包括环形天线。
9.一种制作磁隔离器的方法，所述方法包括以下步骤：
a)提供基板，所述基板具有与其粘结的导电软磁材料层；
b)在所述导电软磁材料层中形成限定导电软磁岛状物的间隙；以及
c)在所述导电软磁岛状物中的至少一些上形成足够使其与相邻的导电软磁岛状物电绝缘的外部绝缘氧化层，其中所述间隙是空的并且至少部分地抑制由外部磁场在所述导电软磁材料层内感应的涡流。
10.根据权利要求9所述的方法，其中步骤c)包括使在步骤b)中形成的所述导电软磁岛状物与氧化剂接触。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述导电软磁岛状物包含纳米晶含铁材料。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘氧化层包括含有铁的无机氧化物层。
13.根据权利要求9所述的方法，其中互连间隙网络与所述导电软磁材料层沿其长度和宽度共延。
14.根据权利要求9所述的方法，其中在步骤b)中，互连间隙网络至少部分地通过有意地使所述导电软磁材料层机械破碎来提供。
15.根据权利要求9所述的方法，其中步骤和b)包括将所述基板在至少一个维度上拉伸至少20％。
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