JPH0244521A - 垂直磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
垂直磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0244521A JPH0244521A JP19543388A JP19543388A JPH0244521A JP H0244521 A JPH0244521 A JP H0244521A JP 19543388 A JP19543388 A JP 19543388A JP 19543388 A JP19543388 A JP 19543388A JP H0244521 A JPH0244521 A JP H0244521A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて好適な垂
直磁気ディスクの製造方法に関し、ディスク基板上に記
録再生特性を向上させるために高透磁率な軟磁性層を厚
く形成しても、その軟磁性層上に形成した垂直磁性薄膜
、保護膜及び潤滑膜の表面をヘッド吸着のない低PI擦
、低摩耗な粗面に形成することを目的とし、 ディスク基板上に多数の島状、または短冊状、若しくは
網目状の絶縁層を形成する工程と、その絶縁層が形成さ
れたディスク基板上にめっき層からなる高透磁率な軟磁
性層を形成してその表面を微小な凹凸状にする工程と、
その軟磁性層上に垂直磁性薄膜、保護層及び潤滑膜を順
に形成する工程とを含んだ構成とする。
直磁気ディスクの製造方法に関し、ディスク基板上に記
録再生特性を向上させるために高透磁率な軟磁性層を厚
く形成しても、その軟磁性層上に形成した垂直磁性薄膜
、保護膜及び潤滑膜の表面をヘッド吸着のない低PI擦
、低摩耗な粗面に形成することを目的とし、 ディスク基板上に多数の島状、または短冊状、若しくは
網目状の絶縁層を形成する工程と、その絶縁層が形成さ
れたディスク基板上にめっき層からなる高透磁率な軟磁
性層を形成してその表面を微小な凹凸状にする工程と、
その軟磁性層上に垂直磁性薄膜、保護層及び潤滑膜を順
に形成する工程とを含んだ構成とする。
本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて
好適な垂直磁気ディスクの製造方法に係り、特にCS
S (Contact 5tart 5top)動作等
における磁気ヘッドの吸着を防止した摺動特性に優れた
二層膜構造の垂直磁気ディスクの製造方法に関するもの
である。
好適な垂直磁気ディスクの製造方法に係り、特にCS
S (Contact 5tart 5top)動作等
における磁気ヘッドの吸着を防止した摺動特性に優れた
二層膜構造の垂直磁気ディスクの製造方法に関するもの
である。
磁気ディスク装置では、磁気ディスクの回転が停止時に
は磁気ヘッドが磁気ディスク面に接触しており、該磁気
ディスクの回転速度の上昇と共に磁気ヘッドが摺動から
浮上して一定間隔を保った状態で情報の記録再生を行う
C3S方式が広く用いられている。
は磁気ヘッドが磁気ディスク面に接触しており、該磁気
ディスクの回転速度の上昇と共に磁気ヘッドが摺動から
浮上して一定間隔を保った状態で情報の記録再生を行う
C3S方式が広く用いられている。
このようなC8S方式は、磁気ヘッドが磁気ディスク面
上に浮上するまでに比較的高速で該ディスク面と接触摺
動することから、磁気ヘッド及び磁気ディスク面の摩擦
損傷を避けるために、該磁気ディスクの表面には潤滑膜
等が施されている。
上に浮上するまでに比較的高速で該ディスク面と接触摺
動することから、磁気ヘッド及び磁気ディスク面の摩擦
損傷を避けるために、該磁気ディスクの表面には潤滑膜
等が施されている。
しかし、この潤滑膜が施された磁気ディスクの表面が平
滑過ぎると、C8S動作時等において磁気ヘッドが対向
する磁気ディスク面に潤滑剤により吸着されてヘッドク
ラッシュが発生する傾向にある。このため、C8S動作
等においてヘッド吸着がなく、かつ表面潤滑性に優れた
垂直磁気ディスクの製造方法が必要とされている。
滑過ぎると、C8S動作時等において磁気ヘッドが対向
する磁気ディスク面に潤滑剤により吸着されてヘッドク
ラッシュが発生する傾向にある。このため、C8S動作
等においてヘッド吸着がなく、かつ表面潤滑性に優れた
垂直磁気ディスクの製造方法が必要とされている。
〔従来の技術]
C8S動作等におけるヘッド吸着を防止した耐クラツシ
ユ性を向上した従来の垂直磁気ディスクの製造方法とし
ては、第3図(a)に示すように先ずディスク基板11
の表面をラッピングテープ等を用いた機械的な粗面加工
(テクスチャリング法とも呼ばれる)によって、微小な
凹凸(0,1μm以下)をを有する粗面12にした後、
第3図0))に示すようにかかる基板11の表面上に、
例えば0.5μmの膜厚のNi−Feからなる高透磁率
な軟磁性層(軟磁性裏打ち層とも呼ぶ)13をめっき法
、或いはスパッタリング法等により形成する。
ユ性を向上した従来の垂直磁気ディスクの製造方法とし
ては、第3図(a)に示すように先ずディスク基板11
の表面をラッピングテープ等を用いた機械的な粗面加工
(テクスチャリング法とも呼ばれる)によって、微小な
凹凸(0,1μm以下)をを有する粗面12にした後、
第3図0))に示すようにかかる基板11の表面上に、
例えば0.5μmの膜厚のNi−Feからなる高透磁率
な軟磁性層(軟磁性裏打ち層とも呼ぶ)13をめっき法
、或いはスパッタリング法等により形成する。
次に該軟磁性層13上に第3図(C)に示すように0.
2μmの膜厚のCo−Crからなる垂直記録層、即ち垂
直磁性薄膜14と、磁気ヘッドの接触摺動時の摩擦、摩
耗を低減するための保護膜15とをスパッタリング法等
により順に形成し、更にその表面に潤滑剤を塗布して潤
滑膜16を形成している。
2μmの膜厚のCo−Crからなる垂直記録層、即ち垂
直磁性薄膜14と、磁気ヘッドの接触摺動時の摩擦、摩
耗を低減するための保護膜15とをスパッタリング法等
により順に形成し、更にその表面に潤滑剤を塗布して潤
滑膜16を形成している。
このようにディスク基板11の表面を粗面12にするこ
とにより、その粗面12上に順に積層形成される軟磁性
層13、垂直磁性薄膜14、保護膜15及び潤滑膜16
の各表面は、前記ディスク基板11の粗面を継承した微
小な凹凸状の面となり、この表面状態によって磁気ヘッ
ドとの接触面積が減少されるので、ヘッド吸着が防がれ
ると共に、潤滑膜16の膜厚が適度に保持されるため、
磁気ヘッドに対する低摩擦、低摩耗が維持されて耐クラ
ツシユ性を高めている。
とにより、その粗面12上に順に積層形成される軟磁性
層13、垂直磁性薄膜14、保護膜15及び潤滑膜16
の各表面は、前記ディスク基板11の粗面を継承した微
小な凹凸状の面となり、この表面状態によって磁気ヘッ
ドとの接触面積が減少されるので、ヘッド吸着が防がれ
ると共に、潤滑膜16の膜厚が適度に保持されるため、
磁気ヘッドに対する低摩擦、低摩耗が維持されて耐クラ
ツシユ性を高めている。
ところで上記したような二層膜構造の垂直磁気ディスク
において、高透磁率な軟磁性13は、記録再生時に垂直
磁性薄膜14の裏面に発生する分極磁荷を抑制し、かつ
垂直減磁界を減らすことにより磁化の減少を防ぎ、更に
磁気ヘッドに対する磁束のリターンバスを形成すること
から、記録再生効率を向上させる磁気ヘッドの一部の機
能を担っている。そのため良好な記録再生特性を得るに
は、その軟磁性層13の膜厚を厚くするほど有利となる
。
において、高透磁率な軟磁性13は、記録再生時に垂直
磁性薄膜14の裏面に発生する分極磁荷を抑制し、かつ
垂直減磁界を減らすことにより磁化の減少を防ぎ、更に
磁気ヘッドに対する磁束のリターンバスを形成すること
から、記録再生効率を向上させる磁気ヘッドの一部の機
能を担っている。そのため良好な記録再生特性を得るに
は、その軟磁性層13の膜厚を厚くするほど有利となる
。
しかしながら、前記軟磁性層13の膜厚をミクロンオー
ダに厚くすると、ディスク基板11の表面に形成された
粗面12の荒さが0.1μm程度以下と小さいために、
該軟磁性層13の表面が前記粗面を継承する微小な凹凸
面となり難くなる。特にめっき法によって厚い軟磁性層
を形成した場合にこの現象が顕著である。
ダに厚くすると、ディスク基板11の表面に形成された
粗面12の荒さが0.1μm程度以下と小さいために、
該軟磁性層13の表面が前記粗面を継承する微小な凹凸
面となり難くなる。特にめっき法によって厚い軟磁性層
を形成した場合にこの現象が顕著である。
従って、このような軟磁性層上に形成された垂直磁性薄
膜14は勿論のこと、保護膜15及び潤滑膜16の表面
は前記ディスク基板11の粗面12の影響を受けない平
坦な面となり、その結果、前記した磁気ヘッドの吸着防
止の効果が失われるといった問題があった。
膜14は勿論のこと、保護膜15及び潤滑膜16の表面
は前記ディスク基板11の粗面12の影響を受けない平
坦な面となり、その結果、前記した磁気ヘッドの吸着防
止の効果が失われるといった問題があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、高透磁率な軟磁
性層を厚く形成しても、その軟磁性層上に形成した垂直
磁性薄膜、保護膜及び潤滑膜の表面をヘッド吸着のない
低摩擦、低摩耗な粗面に形成することことができる新規
な垂直磁気ディスクの製造方法を提供することを目的と
するものである。
性層を厚く形成しても、その軟磁性層上に形成した垂直
磁性薄膜、保護膜及び潤滑膜の表面をヘッド吸着のない
低摩擦、低摩耗な粗面に形成することことができる新規
な垂直磁気ディスクの製造方法を提供することを目的と
するものである。
〔課題を解決するための手段〕
上記した目的を達成するため、本発明はディスり基板上
に多数の島状、または短冊状、若しくは網目状の絶縁層
を形成する工程と、その絶縁層が形成されたディスク基
板上にめっき層からなる高透磁率な軟磁性層を形成して
その表面を微小な凹凸状にする工程と、その軟磁性層上
に垂直磁性薄膜、保護層及び潤滑膜を順に形成する工程
とを含む製造法を採用する。
に多数の島状、または短冊状、若しくは網目状の絶縁層
を形成する工程と、その絶縁層が形成されたディスク基
板上にめっき層からなる高透磁率な軟磁性層を形成して
その表面を微小な凹凸状にする工程と、その軟磁性層上
に垂直磁性薄膜、保護層及び潤滑膜を順に形成する工程
とを含む製造法を採用する。
〔作 用]
本発明の製造方法では、めっき膜の電解析出が膜厚方向
のみならず、平面的にも析出する特性に着目し、これを
利用してディスク基板上に多数の島状、または短冊状、
若しくは網目状の絶縁層を形成し、かかるディスク基板
上にめっき膜からなる高透磁率な軟磁性層を形成する。
のみならず、平面的にも析出する特性に着目し、これを
利用してディスク基板上に多数の島状、または短冊状、
若しくは網目状の絶縁層を形成し、かかるディスク基板
上にめっき膜からなる高透磁率な軟磁性層を形成する。
この際、電解析出により形成される前記めっき膜を記録
再生特性の向上のために厚くしても、めっき膜は例えば
島状の絶縁層の周囲の領域から該絶縁層上に向かって順
次析出され、その中心で相互に接触した状態となるよう
に形成することにより、形成されためっき膜からなる軟
磁性層の各島状の絶縁層上の中心と対応する表面部分に
微小な凹部が形成され、該軟磁性層の表面は凹凸面状と
なる。
再生特性の向上のために厚くしても、めっき膜は例えば
島状の絶縁層の周囲の領域から該絶縁層上に向かって順
次析出され、その中心で相互に接触した状態となるよう
に形成することにより、形成されためっき膜からなる軟
磁性層の各島状の絶縁層上の中心と対応する表面部分に
微小な凹部が形成され、該軟磁性層の表面は凹凸面状と
なる。
従って、かかる軟磁性層上に形成した垂直磁性薄膜の表
面は膜厚が薄いために軟磁性層の微小な凹凸面を十分に
継承した粗面となる。
面は膜厚が薄いために軟磁性層の微小な凹凸面を十分に
継承した粗面となる。
その結果、該垂直磁性薄膜上に、保護層及び潤滑膜を順
に形成することにより、これら各膜の表面も同様に微小
な凹凸状の粗面となり、磁気ヘッドとの接触面積が低減
されると共に、その表面に塗布される潤滑膜の膜厚が適
度に保たれるので、磁気ヘッドの吸着防止と低摩擦、低
摩耗による摺動特性が著しく向上する。
に形成することにより、これら各膜の表面も同様に微小
な凹凸状の粗面となり、磁気ヘッドとの接触面積が低減
されると共に、その表面に塗布される潤滑膜の膜厚が適
度に保たれるので、磁気ヘッドの吸着防止と低摩擦、低
摩耗による摺動特性が著しく向上する。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第1図(a)〜(d)は本発明に係る垂直磁気ディスク
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。
先ず第1図(a)に示すように、例えば予めスパッタリ
ング法等によりNi−Feからなるめっき用下地膜22
が形成されたガラス、またはセラミック等からなるディ
スク基板21上に、スパッタリング法及びフォトリソグ
ラフィ工程等によりSiO□、Affi203、或いは
熱硬化性樹脂等からなる膜厚が0.05μm、面積が4
μm口程度の多数の島状(または網目状)の絶口層23
を形成する。
ング法等によりNi−Feからなるめっき用下地膜22
が形成されたガラス、またはセラミック等からなるディ
スク基板21上に、スパッタリング法及びフォトリソグ
ラフィ工程等によりSiO□、Affi203、或いは
熱硬化性樹脂等からなる膜厚が0.05μm、面積が4
μm口程度の多数の島状(または網目状)の絶口層23
を形成する。
次に第1図(b)に示すように前記記多数の島状、或い
は網目状の絶縁層23が形成されたディスク基板21上
に、Ni−Fe等からなる高透磁率の軟磁性薄膜24を
めっき法により膜厚2〜3μmに厚く形成する。この際
、該軟磁性薄膜24、即ちめっき膜は、例えば島状の絶
縁層23の周囲の領域に膜厚方向に析出すると同時に、
その周囲より絶縁層23上の中心に向かって鎖線で示さ
れるように平面的にも順次析出される。
は網目状の絶縁層23が形成されたディスク基板21上
に、Ni−Fe等からなる高透磁率の軟磁性薄膜24を
めっき法により膜厚2〜3μmに厚く形成する。この際
、該軟磁性薄膜24、即ちめっき膜は、例えば島状の絶
縁層23の周囲の領域に膜厚方向に析出すると同時に、
その周囲より絶縁層23上の中心に向かって鎖線で示さ
れるように平面的にも順次析出される。
そしてその中心で相互に接触し、一体となった状態に形
成する。かくすれば形成されためっき膜からなる軟磁性
層24の各島状の絶縁層23上の中心と対応する表面部
分に微小凹部25が形成され、該軟磁性層24の表面は
総じて微小な凹凸面状となる。
成する。かくすれば形成されためっき膜からなる軟磁性
層24の各島状の絶縁層23上の中心と対応する表面部
分に微小凹部25が形成され、該軟磁性層24の表面は
総じて微小な凹凸面状となる。
次にこのように表面に多数の微小四部25が形成された
軟磁性層24上に、第1図(C)に示すようにC0Cr
からなる膜厚が約0.2μmの垂直磁性薄膜26と、カ
ーボン等よりなる膜厚が0.01〜0.03μmの保護
膜27を第1図(d)に示すように順にスパッタリング
法等により形成する。この垂直磁性薄膜26と保護膜2
7の形成方法は従来例と同様の方法によるものであるが
、これら各膜の表面は前記軟磁性層24の表面状態に対
応した微小な凹凸面状となる。
軟磁性層24上に、第1図(C)に示すようにC0Cr
からなる膜厚が約0.2μmの垂直磁性薄膜26と、カ
ーボン等よりなる膜厚が0.01〜0.03μmの保護
膜27を第1図(d)に示すように順にスパッタリング
法等により形成する。この垂直磁性薄膜26と保護膜2
7の形成方法は従来例と同様の方法によるものであるが
、これら各膜の表面は前記軟磁性層24の表面状態に対
応した微小な凹凸面状となる。
更にその保護膜27の表面に、例えばパーフロロポリエ
ーテル等からなる潤滑剤を塗布して潤滑膜28を形成す
ることにより垂直磁気ディスクが完成する。
ーテル等からなる潤滑剤を塗布して潤滑膜28を形成す
ることにより垂直磁気ディスクが完成する。
かくすれば、貰透磁率な軟磁性層24の膜厚を厚く形成
しても、その厚さに影響されることなく該軟磁性層24
上に形成した垂直磁性薄膜26、保護膜27及び潤滑膜
28の表面は必然的に微小な凹凸を有する粗面となり、
磁気ヘッドに対する接触面積が減少し、磁気ヘッドの吸
着障害が防止できる。
しても、その厚さに影響されることなく該軟磁性層24
上に形成した垂直磁性薄膜26、保護膜27及び潤滑膜
28の表面は必然的に微小な凹凸を有する粗面となり、
磁気ヘッドに対する接触面積が減少し、磁気ヘッドの吸
着障害が防止できる。
なお以上の実施例ではめっき用下地膜22が形成された
ディスク基板21上に多数の島状、(または網目状)の
絶縁層23を形成した場合の例について説明したが、本
発明はそのような例の他に、例えば第2図に示すように
表面にNi−Feからなるめっき用下地膜22が形成さ
れたガラス、またはセラミック等からなるディスク基板
21上の半径方向にスパッタリング法及びフォトリソグ
ラフィ工程等によりSiO□、AI2□01.或いは熱
硬化性樹脂等からなる膜厚が0.05μm、膜幅が4μ
m程度の多数の短冊状の絶縁層33を所定間隔をもって
形成した後、かかる短冊状の絶縁層33が形成されたデ
ィスク基板21−ヒに前記第1図(b)により説明した
と同様にNi−Feからなる高透磁率な軟磁性層を形成
することにより、前記各短冊状の絶縁層33の幅方向の
中心と対向する軟磁性層の表面に、前記ディスク基板2
1の半径方向に長い微小な凹部が形成される。
ディスク基板21上に多数の島状、(または網目状)の
絶縁層23を形成した場合の例について説明したが、本
発明はそのような例の他に、例えば第2図に示すように
表面にNi−Feからなるめっき用下地膜22が形成さ
れたガラス、またはセラミック等からなるディスク基板
21上の半径方向にスパッタリング法及びフォトリソグ
ラフィ工程等によりSiO□、AI2□01.或いは熱
硬化性樹脂等からなる膜厚が0.05μm、膜幅が4μ
m程度の多数の短冊状の絶縁層33を所定間隔をもって
形成した後、かかる短冊状の絶縁層33が形成されたデ
ィスク基板21−ヒに前記第1図(b)により説明した
と同様にNi−Feからなる高透磁率な軟磁性層を形成
することにより、前記各短冊状の絶縁層33の幅方向の
中心と対向する軟磁性層の表面に、前記ディスク基板2
1の半径方向に長い微小な凹部が形成される。
従って、そのような軟磁性層上に同様に垂直磁性薄膜、
保護膜及び潤滑膜を形成すれば、これらの各層の表面は
必然的に多数の微小凹部を有する粗面となり、磁気ヘッ
ドに対する接触面積が減少するため、磁気ヘッドの吸着
障害を防止することが可能となる。更に短冊状の絶縁層
33が形成されたディスク基板21上に上述のように高
透磁率な軟磁性層を形成した場合、該軟磁性層の磁化容
易軸をディスク基板21の半径方向に設定できるので、
亮性能な垂直磁気ディスクが得られるといった副次的な
作用効果も期待できる。
保護膜及び潤滑膜を形成すれば、これらの各層の表面は
必然的に多数の微小凹部を有する粗面となり、磁気ヘッ
ドに対する接触面積が減少するため、磁気ヘッドの吸着
障害を防止することが可能となる。更に短冊状の絶縁層
33が形成されたディスク基板21上に上述のように高
透磁率な軟磁性層を形成した場合、該軟磁性層の磁化容
易軸をディスク基板21の半径方向に設定できるので、
亮性能な垂直磁気ディスクが得られるといった副次的な
作用効果も期待できる。
〔発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係る垂直磁気
ディスクの製造方法によれば、記録再生特性を向上させ
るために、高透磁率な軟磁性層の膜厚を厚くしても、該
軟磁性層の表面を適度の微小な凹凸面とすることが可能
となり、その軟磁性層上に形成した垂直磁性薄膜、保護
膜及び潤滑膜の表面も同様な微小凹凸面とすることが可
能となる。
ディスクの製造方法によれば、記録再生特性を向上させ
るために、高透磁率な軟磁性層の膜厚を厚くしても、該
軟磁性層の表面を適度の微小な凹凸面とすることが可能
となり、その軟磁性層上に形成した垂直磁性薄膜、保護
膜及び潤滑膜の表面も同様な微小凹凸面とすることが可
能となる。
従って、磁気ヘッドの吸着障害が防止され、しかも低摩
擦、低摩耗性を有する信顛性の高い垂直磁気ディスクを
得ることが可能となる等、実用1優れた効果を奏する。
擦、低摩耗性を有する信顛性の高い垂直磁気ディスクを
得ることが可能となる等、実用1優れた効果を奏する。
絶縁層をそれぞれ示す。
第1図(a)〜(d)は本発明に係る垂直磁気ディスク
の製造方法の一実施例を工程順に示す 要部断面図、 第2図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法の他
の実施例を説明するための概 略斜視図、 第3図(a)〜(C)は従来の垂直磁気ディスクの製造
方法を工程順に説明するための要部断 面図である。 第1図(a)〜(d)及び第2図において、21はディ
スク基板、22はめっき用下地膜、23は島状、網目状
の絶縁膜、24は軟磁性層、25は微小な凹部、26は
垂直磁性薄膜、27は保護膜、28は潤滑膜、33は短
冊状の(α) (b) (d> 、ip$4& 直11fiデ’(77J4遣xjh>r
l+JTt*?!frmm第 1 図 オ亮−4憧汽テ’tZ7シ化4v珪を註哨T)糾擢m第
2図 tC) 名t+J遵a汽デンz7の公遺丁群トシ克:ネ1τ1宇
鉾曲切第3図
の製造方法の一実施例を工程順に示す 要部断面図、 第2図は本発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法の他
の実施例を説明するための概 略斜視図、 第3図(a)〜(C)は従来の垂直磁気ディスクの製造
方法を工程順に説明するための要部断 面図である。 第1図(a)〜(d)及び第2図において、21はディ
スク基板、22はめっき用下地膜、23は島状、網目状
の絶縁膜、24は軟磁性層、25は微小な凹部、26は
垂直磁性薄膜、27は保護膜、28は潤滑膜、33は短
冊状の(α) (b) (d> 、ip$4& 直11fiデ’(77J4遣xjh>r
l+JTt*?!frmm第 1 図 オ亮−4憧汽テ’tZ7シ化4v珪を註哨T)糾擢m第
2図 tC) 名t+J遵a汽デンz7の公遺丁群トシ克:ネ1τ1宇
鉾曲切第3図
Claims (1)
- ディスク基板(21)上に多数の島状、または短冊状、
若しくは網目状の絶縁層(23)を形成する工程と、そ
の絶縁層(23)が形成されたディスク基板(21)上
にめっき層からなる高透磁率な軟磁性層(24)を形成
してその表面を微小な凹凸状にする工程と、該軟磁性層
(24)上に垂直磁性薄膜(26)、保護層(27)及
び潤滑膜(28)を順に形成する工程とを含むことを特
徴とする垂直磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19543388A JPH0244521A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19543388A JPH0244521A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0244521A true JPH0244521A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16340980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19543388A Pending JPH0244521A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0244521A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7776388B2 (en) | 2007-09-05 | 2010-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Fabricating magnetic recording media on patterned seed layers |
WO2017099993A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
WO2017100029A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
WO2017100030A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19543388A patent/JPH0244521A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7776388B2 (en) | 2007-09-05 | 2010-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Fabricating magnetic recording media on patterned seed layers |
WO2017099993A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
WO2017100029A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
WO2017100030A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
US10587049B2 (en) | 2015-12-08 | 2020-03-10 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
US10734725B2 (en) | 2015-12-08 | 2020-08-04 | 3M Innovative Properties Company | Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same |
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