CN108319068B - 像素阵列基板 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列基板，包括第一像素单元、相邻于第一像素单元的第二像素单元、与第一像素单元的第一薄膜晶体管及第二像素单元的第二薄膜晶体管的至少一者电性连接的扫描线、以及与第一像素单元的第一薄膜晶体管及第二像素单元的第二薄膜晶体管的至少一者电性连接且与扫描线交错的数据线。第一像素单元的第一彩色滤光图案与第二像素单元的第二彩色滤光图案在数据线上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的堆叠区。数据线具有宽部以及窄部。在数据线的窄部上的堆叠区的宽度大于在数据线的宽部上的堆叠区的宽度。

Description

像素阵列基板
技术领域
本发明涉及一种阵列基板，且特别涉及一种像素阵列基板。
背景技术
显示面板包括第一基板、设置于第一基板上的主动元件层、设置于第一基板对向的第二基板以及设置于第一基板与第二基板之间的显示介质。一般而言，若显示介质为非自发光材料(例如：液晶)，显示面板还包括设置于第二基板上的彩色滤光层，以使显示面板能显示彩色画面。于显示面板的工艺中，具有主动元件层的第一基板与具有彩色滤光层的第二基板会对组，当两者的组立精度不佳时，显示品质会下降。有鉴于此，彩色滤光层可直接制作在具有像素层的第一基板上，而形成彩色滤光片在阵列上(color filter onarray；COA)的结构，以改善上述问题。
然而，主动元件层在不同区域上的元件密度不同，因此当彩色滤光层的多个彩色滤光图案形成于元件密度低的区域时，相邻两彩色滤光图案之间易形成下陷区。当具有下陷区的彩色滤光层与显示介质及第二基板组立成显示面板时，显示面板易出现因下陷区所造成的气泡，造成显示面板的不良。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板，包括所述像素阵列基板的显示面板出现气泡的几率低。
本发明的像素阵列基板，包括第一像素单元、第二像素单元、扫描线以及数据线。第一像素单元包括第一薄膜晶体管、与第一薄膜晶体管电性连接的第一像素电极以及与第一像素电极重叠设置的第一彩色滤光图案。第二像素单元与第一像素单元相邻。第二像素单元包括第二薄膜晶体管、与第二薄膜晶体管电性连接的第二像素电极以及与第二像素电极重叠设置的第二彩色滤光图案。扫描线与第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的至少一者电性连接。数据线与扫描线交错设置且与第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的至少一者电性连接。第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管分别位于数据线的相对两侧。第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案在数据线上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的堆叠区。数据线具有宽部及窄部，在窄部上的堆叠区的宽度大于在宽部上的堆叠区的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案在数据线的宽部上具有直线边缘，而第一彩色滤光图案在数据线的窄部上具有弯曲边缘。
在本发明的一实施例中，上述的数据线的窄部与扫描线交错，而数据线的窄部包括第一子部及第二子部。第一子部与扫描线重叠。第二子部未与扫描线重叠且连接于数据线的宽部与第一子部之间。在第二子部上的堆叠区的宽度大于在第一子部上的堆叠区的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的堆叠区包括位于数据线的窄部上的第一子区以及位于数据线的宽部上的第二子区。堆叠区的第一子区的宽度大于堆叠区的第二子区的宽度。扫描线具有缺口。在垂直投影方向上，至少部分的第一子区位于扫描线的缺口内。
在本发明的一实施例中，上述的扫描线具有缺口，第一彩色滤光图案具有第一凸部，第一凸部朝向与数据线的延伸方向交叉的第一方向凸起，并且于垂直投影方向上，部分的第一彩色滤光图案的第一凸部位于扫描线的缺口内。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案具有第一凸部，第一凸部朝向扫描线的延伸方向凸起。数据线的窄部包括第一子部与第二子部。第一子部与扫描线重叠。第二子部未与扫描线重叠，且连接于数据线的宽部与第一子部之间。部分的第二子部的宽度由宽部向窄部的第一子部缩减，而第一凸部位于第一子部以及部分的第二子部上。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案具有至少一第一凸部，而至少一第一凸部与第二彩色滤光图案重叠，以形成在窄部上的堆叠区。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案具有多个第一凸部。多个第一凸部分别位于扫描线的相对两侧。多个第一凸部相连接以定义第一彩色滤光图案的一凹口，凹口与扫描线及数据线的窄部重叠。
在本发明的一实施例中，上述的第一彩色滤光图案及第二彩色滤光图案分别具有第一凸部及第二凸部。第一凸部朝向与数据线的延伸方向交叉的第一方向凸起，第二凸部朝与第一方向相反的第二方向凸起，第一凸部与第二凸部部分重叠，以形成在窄部上的堆叠区。
在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极包括分别位于扫描线的相对两侧的多个第一子像素电极，第二像素电极包括分别位于扫描线的相对两侧的多个第二子像素电极。
基于上述，本发明一实施例的像素阵列基板包括相邻的第一像素单元及第二像素单元、扫描线及数据线。第一像素单元的第一薄膜晶体管及第二像素单元的第二薄膜晶体管分别位于数据线的相对两侧。第一像素单元的第一彩色滤光图案与第二像素单元的第二彩色滤光图案在数据线上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的堆叠区。特别是，数据线具有宽部以及窄部，而在窄部上的堆叠区的宽度大于在宽部上的堆叠区的宽度。借此因此，能降低像素阵列基板与对向基板组成的显示面板出现气泡的几率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的像素阵列基板的俯视图。
图2为图1的像素阵列基板的局部R1的放大示意图。
图3为根据图2的剖线A-A’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
图4为根据图2的剖线B-B’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
图5为本发明另一实施例的像素阵列基板的俯视图。
图6为图5的像素阵列基板的局部R2的放大示意图。
图7为根据图6的剖线C-C’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
图8为根据图6的剖线D-D’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
附图标记说明：
1：基底
10：堆叠区
12：第一子区
14：第二子区
100：第一像素单元
110：第一像素电极
112、114：第一子像素电极
120、120A：第一彩色滤光图案
120s1、220s1：直线边缘
120s2、220s2：弯曲边缘
122、124、222、224：贯孔
126、126A：第一凸部
128：凹口
130：绝缘层
140、240：电极
200：第二像素单元
210：第二像素电极
212、214：第二子像素电极
220、220A：第二彩色滤光图案
220c：边缘
226：第二凸部
262：宽部
264：窄部
264a：第一子部
264b：第二子部
1000、1000A：像素阵列基板
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’：剖线
CL：共用线
Cst-1、Cst-2：分享电容
DL、DL1、DL2：数据线
D1～D6：源极
G1～G6：栅极
g：间隙
L1、L2：距离
R1、R2：局部
SL：扫描线
S1～S6：源极
SE1～SE6：半导体图案
T1～T6：薄膜晶体管
TL1、TL2：信号线
U：缺口
W1、W2、W3、K：宽度
x、-x、y、z：方向
具体实施方式
图1为本发明一实施例的像素阵列基板的俯视图。图2为图1的像素阵列基板的局部R1的放大示意图。图3为根据图2的剖线A-A’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。图4为根据图2的剖线B-B’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
请参照图1、图2、图3及图4，像素阵列基板1000包括基底1(绘于图3及图4)以及设置于基底1上的多个第一像素单元100、多个第二像素单元200、多条扫描线SL与多条数据线DL。数据线DL与扫描线SL交错设置。图1绘出一个第一像素单元100、一个第二像素单元200、一条扫描线SL及两条数据线DL1、DL2为示例，本领域技术人员根据附图及下述说明应能实现所需的像素阵列基板1000。
请参照图1，数据线DL1、DL2的延伸方向y与扫描线SL的延伸方向x交错。举例而言，在本实施例中，数据线DL1、DL2的延伸方向y与扫描线SL的延伸方向-x大致上可垂直，但本发明不以此为限。在本实施例中，基底1可以是透光基板，其材质例如：玻璃、石英、有机聚合物或其它可适用的材料。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，基底1也可以是不透光/反射基板，其材质例如：导电材料、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料。
第一像素单元100包括第一薄膜晶体管T1、第一像素电极110及第一彩色滤光图案120。在本实施例中，第一薄膜晶体管T1包括栅极G1、半导体图案SE1、源极S1与漏极D1。绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G1与半导体图案SE1之间。在本实施例中，第一像素单元100还可选择性包括薄膜晶体管T3、T4。类似地，薄膜晶体管T3包括栅极G3、半导体图案SE3、源极S3与漏极D3，绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G3与半导体图案SE3之间，源极S3及漏极D3分别与半导体图案SE3的不同两区电性连接；薄膜晶体管T4包括栅极G4、半导体图案SE4、源极S4与漏极D4，绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G4与半导体图案SE4之间，源极S4及漏极D4分别与半导体图案SE4的不同两区电性连接。在本实施例中，第一薄膜晶体管T1的半导体图案SE1与薄膜晶体管T3的半导体图案SE3可直接连接，薄膜晶体管T4的半导体图案SE4与半导体图案SE1、SE3可分离，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一像素电极110可以选择性地包括分别位于扫描线SL的相对两侧的多个第一子像素电极112、114。在本实施例中，像素阵列基板1000还可选择性包括共用线CL，第一像素单元100还可选择性包括电极140。共用线CL位于扫描线SL的一侧。电极140与共用线CL在垂直投影方向z上重叠，以构成分享电容Cst-1。
在本实施例中，第一薄膜晶体管T1的栅极G1、薄膜晶体管T3的栅极G3及薄膜晶体管T4的栅极G4与扫描线SL电性连接；第一薄膜晶体管T1的源极S1与数据线DL1电性连接，第一薄膜晶体管T1的漏极D1与第一子像素电极112电性连接；薄膜晶体管T3的源极S3与第一薄膜晶体管T1的源极S1电性连接；薄膜晶体管T3的漏极D3与分享电容Cst-1的电极140电性连接；薄膜晶体管T4的源极S4与分享电容Cst-1的电极140电性连接。在本实施例中，第一像素单元100还包括信号线TL1，信号线TL1与第一像素电极110在垂直投影方向z上重叠，而薄膜晶体管T4的漏极D4与信号线TL1电性连接。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，薄膜晶体管T4的漏极D4可选择性的通过绝缘层130(绘于图3)的开口与共用线CL电性连接。
利用上段所述的布局，当数据信号输入至数据线DL1、扫描信号输入至扫描线SL以使第一薄膜晶体管T1、薄膜晶体管T3及薄膜晶体管T4开启时，第一子像素电极112与第一子像素电极114可具有不同的电位，以使第一子像素电极112及第一子像素电极114所在的二区域呈现不同的亮度，进而改善色偏(color washout)问题。
需说明的是，上述第一像素单元100的结构仅是用以举例说明本发明而非用以限制本发明，根据其它实施例，第一像素单元100也可以是其它适当结构。
第一彩色滤光图案120与第一像素电极110重叠设置。举例而言，在本实施例中，第一彩色滤光图案120可与第一子像素电极112及第一子像素电极114重叠。在本实施例中，第一彩色滤光图案120可具有多个贯孔122、124，第一子像素电极112及第一子像素电极114可分别通过贯孔122、124分别与第一薄膜晶体管T1的漏极D1及薄膜晶体管T3的漏极D3电性连接。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，第一彩色滤光图案120也可呈其它适当样态。
第二像素单元200与第一像素单元100相邻。在本实施例中，第二像素单元200的结构与第一像素单元100的结构可以选择性地相同，但本发明不以此为限。以下举例说明本发明一实施例的第二像素单元200的结构。
第二像素单元200包括第二薄膜晶体管T2、第二像素电极210及第二彩色滤光图案220。在本实施例中，第二薄膜晶体管T2包括栅极G2、半导体图案SE2、源极S2与漏极D2。绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G2与半导体图案SE2之间。在本实施例中，第二像素单元200还可选择性包括薄膜晶体管T5、T6。类似地，薄膜晶体管T5包括栅极G5、半导体图案SE5、源极S5与漏极D5，绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G5与半导体图案SE5之间，源极S5及漏极D5分别与半导体图案SE5的不同两区电性连接；薄膜晶体管T6包括栅极G6、半导体图案SE6、源极S6与漏极D6，绝缘层130(标示于图3及图4)设置于栅极G6与半导体图案SE6之间，源极S6及漏极D6分别与半导体图案SE6的不同两区电性连接。在本实施例中，第二薄膜晶体管T2的半导体图案SE2与薄膜晶体管T5的半导体图案SE5可直接连接，薄膜晶体管T6的半导体图案SE6与半导体图案SE2、SE5可分离，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第二像素电极210可以选择性地包括分别位于扫描线SL的相对两侧的多个第二子像素电极212、214。在本实施例中，第二像素单元200还可选择性包括电极240。电极240与共用线CL在方向z上重叠，以构成分享电容Cst-2。
在本实施例中，第二薄膜晶体管T2的栅极G2、薄膜晶体管T5的栅极G5及薄膜晶体管T6的栅极G6与扫描线SL与电性连接；第二薄膜晶体管T2的源极S2与数据线DL2电性连接，第二薄膜晶体管T2的漏极D2与第二子像素电极212电性连接；薄膜晶体管T5的源极S5与第二薄膜晶体管T2的源极S2电性连接；薄膜晶体管T5的漏极D5与分享电容Cst-2的电极240电性连接；薄膜晶体管T6的源极S6与分享电容Cst-2的电极240电性连接。在本实施例中，第二像素单元200还包括信号线TL2，信号线TL2与第二像素电极210在垂直投影方向z上重叠，而薄膜晶体管T6的漏极D6与信号线TL2电性连接。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，薄膜晶体管T6的漏极D6可选择性的通过绝缘层130(绘于图3)的开口与共用线CL电性连接。
类似地，利用上段所述的布局，当数据信号输入至数据线DL2、扫描信号输入至扫描线SL以使第二薄膜晶体管T2、薄膜晶体管T5及薄膜晶体管T6开启时，第二子像素电极212与第二子像素电极214可具有不同的电位，以使第二子像素电极212及第二子像素电极214所在的二区域呈现不同的亮度，进而改善色偏问题。
需说明的是，上述第二像素单元200的结构仅是用以举例说明本发明而非用以限制本发明，根据其它实施例，第二像素单元200也可以是其它适当结构。
第二彩色滤光图案220与第二像素电极210重叠设置。举例而言，在本实施例中，第二彩色滤光图案220可与第二子像素电极212及第二子像素电极214重叠。在本实施例中，第二彩色滤光图案220可选择性地具有多个贯孔222、224，第二子像素电极212及第二子像素电极214可分别通过贯孔222、224分别与第二薄膜晶体管T2的漏极D2及薄膜晶体管T5的漏极D5电性连接。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，第二彩色滤光图案220也可呈其它适当样态。
在本实施例中，栅极G1、G2、G3、G4、G5、G6、扫描线SL及共用线CL可属于第一导电层，数据线DL1、DL2、源极S1、S2、S3、S4、S5、S6、漏极D1、D2、D3、D4、D5、D6以及电极140、240可属于第二导电层，但本发明不以此为限。所述第一导电层及所述第二导电层一般是金属材料，但本发明不限于此，根据其他实施例，第一导电层及第二导电层也可以是其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。在本实施例中，第一子像素电极112、第一子像素电极114、第二子像素电极212及第二子像素电极214可属于同一第三导电层，但本发明不以此为限。在本实施例中，所述第三导电层例如是透明导电层。透明导电层的材质可以是金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，所述第三导电层也可以是反射导电层、或反射导电层与透明导电层的组合。
请参照图1、图2、图3及图4，第一薄膜晶体管T1及第二薄膜晶体管T2分别位于数据线DL的相对两侧。第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220在数据线DL上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220的堆叠区10。数据线DL具有宽部262以及窄部264。在窄部264上的堆叠区10的宽度W2大于在宽部262上的堆叠区10的宽度W1。更进一步地说，在本实施例中，数据线DL的窄部264与扫描线SL交错，而数据线DL的窄部264包括第一子部264a及第二子部264b。第一子部264a与扫描线SL重叠，第二子部264b未与扫描线SL重叠且连接于数据线DL的宽部262与第一子部264a之间。在第二子部264b上的堆叠区10的宽度W2大于在第一子部264a上的堆叠区10的宽度W3。在本实施例中，宽度W1实质上等于宽度W3，但本发明不以此为限。另外，在本实施例中，部分的第二子部264b的宽度K可由数据线DL2的宽部262向第一子部264a缩减，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一彩色滤光图案120在数据线DL的宽部262上具有直线边缘120s1，而第一彩色滤光图案120在数据线DL的窄部264上具有弯曲边缘120s2。更进一步地说，在本实施例中，第二彩色滤光图案220在数据线DL的宽部262上也具有直线边缘220s1，而第二彩色滤光图案210在数据线DL的窄部264上也具有弯曲边缘220s2。第一彩色滤光图案120的直线边缘120s1与第二彩色滤光图案220的直线边缘220s1在方向x上的距离L1可等于在数据线DL2的宽部262上的堆叠区10的宽度W1。第一彩色滤光图案120的弯曲边缘120s2与第二彩色滤光图案220的弯曲边缘210b在方向x上的最大距离L2可等于在数据线DL的窄部264上的堆叠区10的宽度W2。
第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220的堆叠区10包括第一子区12以及第二子区14。第一子区12位于数据线DL的窄部264上。第二子区14位于数据线DL的宽部262上。堆叠区10的第一子区12的宽度W2大于堆叠区10的第二子区14的宽度W1。在本实施例中，扫描线SL具有缺口U，而在垂直投影方向z上，至少部分的第一子区12位于扫描线SL的缺口U内。
在本实施例中，第一彩色滤光图案120具有第一凸部126，第一凸部126朝向与数据线DL的延伸方向y交叉的方向-x凸起，并且于垂直投影方向z上，部分的第一彩色滤光图案120的第一凸部126位于扫描线SL的缺口U内。更进一步地说，在本实施例中，第一彩色滤光图案120的第一凸部126可位于数据线DL的窄部264的第一子部264a与以及部分的第二子部264b上。在本实施例中，第二彩色滤光图案220具有第二凸部226，第二凸部226朝与方向-x相反的方向x凸起，第一彩色滤光图案120的第一凸部126与第二彩色滤光图案220的第二凸部226部分重叠，以形成在数据线DL的窄部264上且具有宽度W2的部分堆叠区10。
简言之，第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220的至少一者具有向相邻的像素单元延伸的至少一凸部(或者称，修补部)。所述凸部能填补数据线DL的窄部264与部分第一导电层(例如：扫描线SL)之间的间隙g较宽处，而所述凸部与另一彩色滤光图案重叠处会形成宽度W2较宽的堆叠区10。在形成彩色滤光图案的过程中，第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220的至少一者的至少一凸部能填补数据线DL的窄部264与第一导电层之间的间隙g较宽处，因此在第一彩色滤光图案120与第二彩色滤光图案220的交接处不易形成下陷处。借此因此，像素阵列基板1000与对向基板组成的显示面板便不易出现气泡问题。
图5为本发明另一实施例的像素阵列基板的俯视图。图6为图5的像素阵列基板的局部R2的放大示意图。图7为根据图6的剖线C-C’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。图8为根据图6的剖线D-D’所绘的像素阵列基板的剖面示意图。
请参照图5、图6、图7及图8，像素阵列基板1000A与前述的像素阵列基板1000类似，因此相同或相对应的元件以相同或相对应的标号表示。以下仅说明像素阵列基板1000A与像素阵列基板1000的差异，两者相同或相对应处请参照前述说明。
请参照图5、图6、图7及图8，第一彩色滤光图案120A与第二彩色滤光图案220A在数据线DL1上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案120A与第二彩色滤光图案220A的堆叠区10。数据线DL1具有宽部262以及窄部264。在窄部264上的堆叠区10的宽度W2大于在宽部262上的堆叠区10的宽度W1。第一彩色滤光图案120A具有至少一第一凸部126A，而至少一第一凸部126A与第二彩色滤光图案220A重叠，以形成在窄部264上的堆叠区10。
与像素阵列基板1000不同的是，在本实施例中，第一彩色滤光图案120A可具有分别位于扫描线SL的相对两侧的多个第一凸部126A，多个第一凸部126A相连接以定义第一彩色滤光图案120A的凹口128，凹口128与扫描线SL及数据线DL1的窄部264重叠。此外，在本实施例中，第二彩色滤光图案220A的在数据线DL1的宽部262及窄部264上的边缘220c可选择性地皆为直线边缘，但本发明不以此为限。像素阵列基板1000A具有与像素阵列基板1000类似的技术效果及优点，于此便不再重述。
综上所述，本发明一实施例的像素阵列基板包括相邻的第一像素单元及第二像素单元、扫描线及数据线。第一像素单元的第一薄膜晶体管及第二像素单元的第二薄膜晶体管分别位于数据线的相对两侧。第一像素单元的第一彩色滤光图案与第二像素单元的第二彩色滤光图案在数据线上部分重叠，以形成第一彩色滤光图案与第二彩色滤光图案的堆叠区。特别是，数据线具有宽部以及窄部，而在窄部上的堆叠区的宽度大于在宽部上的堆叠区的宽度。借此因此，像素阵列基板与对向基板组成的显示面板便不易出现气泡问题。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1.一种像素阵列基板，包括：
一第一像素单元，包括：
一第一薄膜晶体管；
一第一像素电极，与该第一薄膜晶体管电性连接；以及
一第一彩色滤光图案，与该第一像素电极重叠设置；
一第二像素单元，与该第一像素单元相邻且包括：
一第二薄膜晶体管；
一第二像素电极，与该第二薄膜晶体管电性连接；以及
一第二彩色滤光图案，与该第二像素电极重叠设置；
一扫描线，与该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管的至少一者电性连接；以及
一数据线，与该扫描线交错设置且与该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管的至少一者电性连接，其中该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管分别位于该数据线的相对两侧；
该第一彩色滤光图案与该第二彩色滤光图案在该数据线上部分重叠，以形成该第一彩色滤光图案与该第二彩色滤光图案的一堆叠区；该数据线具有一宽部以及一窄部，在该窄部上的该堆叠区的宽度大于在该宽部上的该堆叠区的宽度。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案在该数据线的该宽部上具有一直线边缘，而该第一彩色滤光图案在该数据线的该窄部上具有一弯曲边缘。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该数据线的该窄部与该扫描线交错，而该数据线的该窄部包括：
一第一子部，与该扫描线重叠；以及
一第二子部，未与该扫描线重叠且连接于该数据线的该宽部与该第一子部之间，其中在该第二子部上的该堆叠区的宽度大于在该第一子部上的该堆叠区的宽度。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案与该第二彩色滤光图案的该堆叠区包括：
一第一子区，位于该数据线的该窄部上。
5.如权利要求4所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案与该第二彩色滤光图案的该堆叠区还包括：
一第二子区，位于该数据线的该宽部上，其中该堆叠区的该第一子区的宽度大于该堆叠区的该第二子区的宽度；该扫描线具有一缺口；而在一垂直投影方向上，至少部分的该第一子区位于该扫描线的该缺口内。
6.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该扫描线具有一缺口，该第一彩色滤光图案具有一第一凸部，该第一凸部朝向与该数据线的延伸方向交叉的一第一方向凸起，并且于一垂直投影方向上，部分的该第一彩色滤光图案的该第一凸部位于该扫描线的该缺口内。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案具有一第一凸部，该第一凸部朝向该扫描线的延伸方向凸起，该数据线的该窄部包括：
一第一子部，与该扫描线重叠；以及
一第二子部，未与该扫描线重叠且连接于该数据线的该宽部与该第一子部之间，其中部分的该第二子部的宽度由该宽部向该窄部的该第一子部缩减，而该第一凸部位于该第一子部以及该部分的该第二子部上。
8.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案具有至少一第一凸部，而该至少一第一凸部与该第二彩色滤光图案重叠，以形成在该窄部上的该堆叠区。
9.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案具有多个第一凸部，分别位于该扫描线的相对两侧，所述第一凸部相连接以定义该第一彩色滤光图案的一凹口，该凹口与该扫描线及该数据线的该窄部重叠。
10.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一彩色滤光图案及该第二彩色滤光图案分别具有一第一凸部及一第二凸部，该第一凸部朝向与该数据线的延伸方向交叉的一第一方向凸起，该第二凸部朝向与该第一方向相反的一第二方向凸起，该第一凸部与该第二凸部部分重叠，以形成在该窄部上的该堆叠区。
11.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一像素电极包括分别位于该扫描线的相对两侧的多个第一子像素电极，该第二像素电极包括分别位于该扫描线的相对两侧的多个第二子像素电极。
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