TWI564641B - 畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 - Google Patents
畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI564641B TWI564641B TW104116524A TW104116524A TWI564641B TW I564641 B TWI564641 B TW I564641B TW 104116524 A TW104116524 A TW 104116524A TW 104116524 A TW104116524 A TW 104116524A TW I564641 B TWI564641 B TW I564641B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pixel
- electrode
- slit
- width
- electrode pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
Description
本發明是有關於一種畫素結構及一種具有此畫素結構的畫素陣列。
隨著液晶顯示器的顯示規格不斷地朝向大尺寸發展,為了克服大尺寸顯示規格下的視角問題,液晶顯示面板的廣視角技術也必須不停地進步與突破。其中,多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶顯示面板即為現行常見的一種廣視角技術。
液晶顯示面板中利用配向圖案之設計,使得同一畫素結構中的液晶分子可被分成多個不同配向領域以達到廣視角的顯示效果,即為多域垂直配向式的液晶顯示面板。受限於液晶分子本身的光學特性,而使此類型的液晶顯示面板在不同視角觀看下可能發生色偏或色飽和度不足的現象。為了改善此現象,目前是藉由驅動原理與畫素設計的改良以在單一畫素結構內形成不同亮度並在各個不同亮度的區域中形成多個配向區。
上述解決色偏或色飽和度不足的問題的方式雖然可以改善大視角(側視)偏白(color washout)的問題,但是這些方法都還是會遭遇到在不同視角情況之下側視影像相較於正視影像會有偏藍、偏綠或偏紅的問題。舉例而言,這些技術還是會遭遇到側視影像比正視影像低灰階偏藍、中灰階偏黃或偏綠、高灰階偏黃的現象,即側視色偏的問題,使得顯示面板的側視影像顯的不自然。
本發明提供一種畫素結構,其可改善傳統畫素結構存在的色偏問題。本發明還提供一種由上述畫素結構組成的畫素陣列。
本發明提出一種畫素結構,包括控制元件、主畫素電極、次畫素電極。主畫素電極與控制元件電性連接,其中主畫素電極具有多個主畫素狹縫,且些主畫素狹縫的寬度為S。次畫素電極與控制元件電性連接且與主畫素電極分離開來;且次畫素電極包括第一電極圖案以及第二電極圖案。第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於主畫素狹縫的寬度S。第二電極圖案為不具有狹縫或是具有多個第二狹縫,其中每一第二狹縫的寬度S2小於主畫素狹縫的寬度S。
本發明提出一種畫素陣列,包括第一畫素結構以及第二畫素結構,其中第一畫素結構包括第一控制元件、第一主畫素電極以及第一次畫素電極,且第二畫素結構包括第二控制元件、第二主畫素電極以及第二次畫素電極。第一主畫素電極與第一控制
元件電性連接,其中第一主畫素電極具有多個第一主畫素狹縫,且每一第一主畫素狹縫的寬度為S。第一次畫素電極與第一控制元件電性連接並與第一主畫素電極分離開來,其中第一次畫素電極包括第一電極圖案以及第二電極圖案,其中第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於第一主畫素狹縫的寬度S;以及第二電極圖案為不具有狹縫或是具有多個第二狹縫,其中每一第二狹縫的寬度S2不等於每一第一狹縫的寬度S1,且每一第二狹縫的寬度S2小於或等於該第一主畫素狹縫的寬度S。第二主畫素電極與第二控制元件電性連接,其中第二主畫素電極具有多個第二主畫素狹縫,每一第二主畫素狹縫的寬度為D1,且每一第二主畫素狹縫的寬度D1與第一主畫素狹縫的寬度S相當。第二次畫素電極與第二控制元件電性連接且與第二主畫素電極分離開來,其中第二次畫素電極具有多個第二次畫素狹縫,且每一第二次畫素狹縫的寬度為D2。其中第二次畫素狹縫的寬度D2與第二主畫素狹縫的寬度D1相當。
基於上述,本發明調整位於畫素結構的次畫素電極的第一電極圖案以及次畫素電極的第二電極圖案的狹縫間隙,使得次畫素電極中的第一電極圖案以及第二電極圖案的狹縫具有不同寬度。換言之,本發明調整第一電極圖案的面積(即:S1>S)改善高灰階偏黃的現象,並調整第二電極圖案的面積(即:S2<S)改善中灰階偏黃或偏綠的現象。藉由上述設計,可以降低中灰階偏黃或偏綠以及/或是側視影像在高灰階偏黃的現象,進而改善畫素結構
之側視影像的色偏問題。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
11、11’、12、12’、13、21、22、23、31、32、33、41、42、43、51、52、53‧‧‧畫素結構
50‧‧‧訊號線
100‧‧‧第一主畫素電極、主畫素電極
102‧‧‧第一主畫素狹縫、主畫素狹縫
104‧‧‧第一主畫素條狀電極、主畫素條狀電極
110、110’、120、120’、130‧‧‧第一次畫素電極、次畫素電極
110a、120a、130a‧‧‧第一電極圖案
110b、120b、130b‧‧‧第二電極圖案
112‧‧‧第一狹縫
114‧‧‧第一條狀電極
122‧‧‧第二狹縫
124‧‧‧第二條狀電極
130c‧‧‧第三電極圖案
132‧‧‧第三狹縫
134‧‧‧第三條狀電極
200‧‧‧第二主畫素電極
202‧‧‧第二主畫素狹縫
204‧‧‧第二次畫素狹縫
210‧‧‧第二次畫素電極
300‧‧‧第三主畫素電極
302‧‧‧第三主畫素狹縫
304‧‧‧第三次畫素狹縫
306‧‧‧第四狹縫
310、311‧‧‧第三次畫素電極
311a‧‧‧第四電極圖案
311b‧‧‧第五電極圖案
A、B、C‧‧‧曲線
C1~C12‧‧‧接觸窗
CCS1~CCS3‧‧‧分享電容器
CL‧‧‧共用線
CW1~CW6‧‧‧導線
DL1~DL3‧‧‧資料線
EL1~EL3‧‧‧下電極
EP1~EP3‧‧‧上電極
PX1、PX2、PX3、PX4、PX5‧‧‧畫素陣列
R、R1、R2、R3、RD1、RD2、RW1、RW2‧‧‧區域
SL‧‧‧掃描線
T1~T3‧‧‧控制元件
T4~T6‧‧‧分享開關元件
圖1A是本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。
圖1B-圖1C是本發明圖1A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖2是本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。
圖3A是本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。
圖3B-圖3D是本發明圖3A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖4是本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。
圖5A是本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。
圖5B-圖5D是本發明圖5A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖6A是包括本發明圖1A畫素結構之一畫素陣列實施例的上視示意圖。
圖6B-圖6G是本發明圖6A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖7是具有本發明圖6A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與
側視相對正視色彩偏差之關係圖。
圖8A是包括本發明圖3A之實施例的畫素結構之畫素陣列的、上視示意圖。
圖8B-圖8D是本發明圖8A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖9是具有本發明圖8A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。
圖10A是包括本發明圖5A之實施例的畫素結構之畫素陣列的上視示意圖。
圖10B-圖10D是本發明圖10A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖11是具有本發明圖10A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。
圖12是包括本發明圖1A畫素結構之另一畫素陣列實施例的上視示意圖。
圖13是具有本發明圖12之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。
圖14A是本發明另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。
圖14B-圖14C是本發明圖14A之實施例的畫素結構的局部示意圖。
圖1A是本發明一實施例之畫素結構的上視示意圖。本實施例之畫素結構11包括控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110。請參考圖1A,畫素結構11更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4。
掃描線SL以及訊號線50的延伸方向與資料線DL1的延伸方向不相同,較佳的是掃描線SL與訊號線50的延伸方向與資料線DL1的延伸方向垂直。此外,掃描線SL以及訊號線50可以是位於相同或不相同的膜層,且兩者之間彼此電性絕緣且不重疊。另,掃描線SL與資料線DL1是分別位於不相同的膜層,且兩者之間夾有絕緣層(未繪示),且訊號線50與資料線DL1是分別位於不相同的膜層,且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL、以及資料線DL1主要用來傳遞驅動畫素結構11的驅動訊號。基於導電性的考量,掃描線SL、訊號線50與資料線DL1一般是使用金屬材料,然本發明不限於此。根據其他實施例,掃描線SL、訊號線50與資料線DL1也可以使用其他導電材料,其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
控制元件T1與掃描線SL以及資料線DL1電性連接。在此,控制元件T1例如是薄膜電晶體。本實施例之控制元件T1是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明,但本發明不限於此。在其
他實施例中,控制元件T1也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
分享開關元件T4例如是薄膜電晶體。分享開關元件T4與訊號線50電性連接,且與控制元件T1電性連接。本實施例之分享開關元件T4是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明,但本發明不限於此。在其他實施例中,分享開關元件T4也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。
分享電容器CCS1是由下電極EL1以及上電極EP1構成,參考圖1A。下電極EL1例如是與掃描線SL、訊號線50屬於同一膜層。上電極EP1配置於下電極EL1之上並電性連結分享開關元件T4,且與資料線DL1屬於同一膜層。共用線CL以及導線CW1位於第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110下方,且例如是與掃描線SL、訊號線50以及下電極EL1屬於同一膜層。在此,共用線CL與第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110耦合以形成儲存電容器(未標示)。透過導線CW1、CW2以及接觸窗C2、C3、C4,控制元件T1可與第一次畫素電極110電性連接。在本實施例,導線CW2例如是與第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110屬於同一膜層。
如圖1A所示,畫素結構11包括第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110,其中第一主畫素電極100通過接觸窗C1與控制元件T1的汲極電性連接。第一次畫素電極110通過接觸窗C2~C4以及導線CW1、CW2與控制元件T1的汲極電性連接。
承上所述,當掃描線SL以及資料線DL1驅動控制元件
T1開啟時,驅動電壓經由控制元件T1而傳送至第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110。此時,透過訊號線50的控制以開啟分享開關元件T4以及分享電容器CCS1,便可使得第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110的電壓不相同。因此,藉由上述之控制元件T1、分享開關元件T4以及分享電容器CCS1之間的連結關係,第一主畫素電極100與第一次畫素電極110具有不同的驅動電壓。
圖1B-1C是本發明圖1A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖1B-1C分別繪示圖1A的畫素結構11中之區域R以及區域R1,其中區域R為第一主畫素電極100所在之處的局部放大圖,區域R1為第一次畫素電極110所在之處的局部放大圖。請同時參考圖1A以及圖1B-1C,第一主畫素電極100具有多個主畫素條狀電極104以及多個主畫素狹縫102,且主畫素條狀電極104的線寬為L,主畫素狹縫102的寬度為S(如圖1B所示);且第一次畫素電極110具有第一電極圖案110a以及第二電極圖案110b。在本實施例中,第一電極圖案110a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖1C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S;且第二電極圖案110b不具有狹縫,然本發明不以此為限。在另一實施例中,第一狹縫112的寬度S1例如是等於主畫素狹縫102的寬度S,且第二電極圖案110b例如是不具有狹縫。第一電極圖案110a與第二電極圖案110b連接在
一起,且第一電極圖案110a以及第二電極圖案110b具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極110之第一電極圖案110a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1);在一實施例中,第一主畫素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬L1相同。在本實施例中,第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2);而第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(4/4),但本發明不限於此。第二電極圖案110b的面積佔第一次畫素電極110的面積5%至80%。除此之外,第二電極圖案110b的圖案例如可以是四邊形、六邊形、多邊形。
另外,在本實施例中,第二電極圖案110b位於第一次畫素電極110的中央,且第一電極圖案110a位於第二電極圖案110b的相對兩側。更進一步來說,根據本實施例,第二電極圖案110b為四邊形,如圖1A所示,四邊形之第二電極圖案110b的每一邊與掃描線SL之延伸方向具有一夾角,且此夾角的角度為45度到60度之間。此外,四邊形之第二電極圖案110b的至少一邊與其相接之部分第一狹縫112的延伸方向具有一夾角,且此夾角的角度為80度到100度之間。
圖2是本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。請同時參照圖1A與圖2,圖2中所繪示之畫素結構11’與圖1A中所繪示之畫素結構11相似,惟主要差異之處為:在圖2的之畫素結
構11’中,第一電極圖案110a位於第一次畫素電極110’的中央,且第二電極圖案110b位於第一電極圖案110a的相對兩側。
第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料。
基於上述,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之畫素結構11利用第一次畫素電極110之第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一電極圖案110a電場較弱,因此第一次畫素電極110的第一電極圖案110a具有較大臨界電壓(threshold voltage),第一次畫素電極110的第一電極圖案110a將較晚開啟,降低側視影像在高灰階偏黃的現象。同時利用第一次畫素電極110之第二電極圖案110b不具有狹縫的設計使第二電極圖案110b電場較強,因此第一次畫素電極110的第二電極圖案110b具有較小臨界電壓,第一次畫素電極110之第二電極圖案110b將較早開啟,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說,確實可以降低側視影像的色偏問題。除此之外,由於第一次畫素電極110之第二電極圖案110b例如是菱形位於第一次畫素電極110的中央,可使本實施例之畫素結構11的液晶具有倒向上的優勢。
圖3A是根據本發明之一實施例之畫素結構的上視示意圖。請參考圖3A,本實施例之畫素結構21包括控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極120。畫素結構21更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4。本實施例之畫素結構21與上述圖1A之畫素結構11相似,因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,且不再重複說明。畫素結構21與畫素結構11的主要差異處在於,畫素結構21以第一次畫素電極120取代第一次畫素電極110。
如圖3A所示,畫素結構21包括第一主畫素電極100以及第一次畫素電極120。在此,共用線CL與第一主畫素電極100以及第一次畫素電極120耦合以形成儲存電容器(未標示)。透過接觸窗C1,控制元件T1可與第一主畫素電極100電性連接。透過導線CW1、CW2以及接觸窗C2、C3、C4,控制元件T1可與第一次畫素電極120電性連接。第一主畫素電極100與第一次畫素電極120具有不同的驅動電壓。
圖3B-3D是本發明圖3A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖3B-3D放大繪示圖3A的畫素結構21中之區域R、區域R1以及區域R2,其中區域R為第一主畫素電極100所在之處的局部放大圖,區域R1為第一次畫素電極120之第一電極圖案120a所在之處的局部放大圖,區域R2為第一次畫素電極120之
第二電極圖案120b所在之處的局部放大圖。請同時參考圖3A以及圖3B-3D,第一主畫素電極100具有多個主畫素條狀電極104以及多個主畫素狹縫102,且主畫素條狀電極104的線寬為L,主畫素狹縫102的寬度為S(如圖3B所示);且第一次畫素電極120具有第一電極圖案120a以及第二電極圖案120b。在本實施例中,第一電極圖案120a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖3C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S;且第二電極圖案120b具有多個第二條狀電極124以及第二狹縫122,第二條狀電極124的線寬為L2且第二狹縫122的寬度為S2(如圖3D所示),其中每一第二狹縫122的寬度S2小於主畫素狹縫102的寬度S,然本發明不以此為限。在另一實施例中,第一狹縫112的寬度S1例如是等於主畫素狹縫102的寬度S,第二狹縫122的寬度S2例如是小於主畫素狹縫102的寬度S。
第一電極圖案120a與第二電極圖案120b連接在一起,且第一電極圖案120a以及第二電極圖案120b具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極120之第一電極圖案120a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),第一次畫素電極120之第二電極圖案120b具有第二線寬/狹縫寬比(L2/S2),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案120a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1);在一實施例中,第一主畫素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬
L1相同。第二電極圖案120b的面積佔第一次畫素電極120的面積5%至80%。
另外,第一電極圖案120a位於第一次畫素電極120的中央,且第二電極圖案120b位於第一電極圖案120a的相對兩側,惟本發明不限於此。舉例來說,圖4是本發明另一實施例之畫素結構的上視示意圖。請同時參照圖3A與圖4,圖4中所繪示之畫素結構21’與圖3A中所繪示之畫素結構21相似,惟主要差異之處為:在圖4中之畫素結構21’中,第二電極圖案120b位於第一次畫素電極120’的中央,且第一電極圖案120a位於第二電極圖案120b的相對兩側(如圖4所示)。其中,在圖4的畫素結構21’中,第一次畫素電極120’的第二電極圖案120b之第二狹縫122的寬度S2小於第一主畫素電極100之主畫素狹縫102的寬度S,且第一次畫素電極120’的第一電極圖案120a之第一狹縫112的寬度S1大於或等於第一主畫素電極100之主畫素狹縫102的寬度S。
第一主畫素電極100以及第一次畫素電極120可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料。
基於上述,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之畫素結構21利用第一次畫素電極120之第一狹縫112的寬度S1
大於主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一電極圖案110a電場較弱,因此第一次畫素電極120的第一電極圖案120a具有較大臨界電壓,第一次畫素電極120的第一電極圖案120a將較晚開啟,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時。此外,利用第一次畫素電極120之第二電極圖案120b之第二狹縫122的寬度S2小於主畫素狹縫102的寬度S的設計使第二電極圖案120b電場較強,因此第一次畫素電極120的第二電極圖案110b具有較小臨界電壓,第一次畫素電極120之第二電極圖案120b將較早開啟,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,使本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖5A是根據本發明之一實施例之畫素結構的上視示意圖。請參考圖5A,本實施例之畫素結構31包括控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極130。且,畫素結構31更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4。本實施例之畫素結構31與上述圖1A之畫素結構11以及圖3A之畫素結構21相似,因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,且不再重複說明。畫素結構31與畫素結構11、12的主要差異處在於,畫素結構31以第一次畫素電極130取代第一次畫素電極110、120。
如圖5A所示,畫素結構31包括第一主畫素電極100以及第一次畫素電極130。在此,共用線CL與第一主畫素電極100
以及第一次畫素電極130耦合以形成儲存電容器(未標示)。透過接觸窗C1,控制元件T1可與第一主畫素電極100電性連接。透過導線CW1、CW2以及接觸窗C2、C3、C4,控制元件T1可與第一次畫素電極130電性連接。第一主畫素電極100與第一次畫素電極130具有不同的驅動電壓。
圖5B-5D是本發明圖5A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖5B-5D放大繪示圖5A的畫素結構31中之區域R、區域R1以及區域R3,其中區域R為第一主畫素電極100所在之處的局部放大圖,區域R1為第一次畫素電極130之第一電極圖案130a所在之處的局部放大圖,區域R3為第一次畫素電極130之第三電極圖案130c所在之處的局部放大圖。請同時參考圖5A以及圖5B-5D,第一主畫素電極100具有多個主畫素條狀電極104以及多個主畫素狹縫102,且主畫素條狀電極104的線寬為L,主畫素狹縫102的寬度為S(如圖5B所示);且第一次畫素電極130具有第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c。在本實施例中,第一電極圖案130a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖5C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S。第二電極圖案110b不具有狹縫。第三電極圖案130c具有多個第三條狀電極134以及第三狹縫132,第三條狀電極134的線寬為L3且第三狹縫132的寬度為S3(如圖5D所示),其中每一第三狹縫132的寬度S3等於主畫素狹
縫102的寬度S。然本發明不以此為限,在一實施例中,每一第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具有狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於主畫素狹縫102的寬度S。在另一實施例中,每一第一狹縫112的寬度S1等於主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具有狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於主畫素狹縫102的寬度S。在又一實施例中,每一第一狹縫112的寬度S1等於主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具有狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於第一狹縫112的寬度S1。除此之外,在其它實施例中,第二電極圖案130b也可以具有多個第二狹縫(未繪示),其中第二電極圖案130b的第二狹縫具有一寬度S2(未繪示)小於第三狹縫132的寬度S3。換言之,每一第一狹縫112的寬度S1大於或等於主畫素狹縫102的寬度S;每一第三狹縫132的寬度S3小於第一狹縫112的寬度S1且小於或等於主畫素狹縫102的寬度S;第二電極圖案130b不具狹縫或具有第二狹縫,其中當第二電極圖案130b具有第二狹縫時,每一第二狹縫的寬度S2小於主畫素狹縫102的寬度S且第二狹縫的寬度S2小於第三狹縫132的寬度S3。
第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c連接在一起,且第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極130之第一電極圖案130a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),第一次畫素電極130之第三
電極圖案130c具有第三線寬/狹縫寬比(L3/S3),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案130a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1);在一實施例中,第一主畫素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬L1相同。在本實施例中,主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2),第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(4/4),第三線寬/狹縫寬比(L3/S3)例如是(4/2),但本發明不限於此。第二電極圖案130b的面積佔第一次畫素電極130的面積5%至80%。第二電極圖案130b位於第一次畫素電極130的中央,第一電極圖案130a位於第二電極圖案130b的相對相側,且第三電極圖案130c位於第二電極圖案130b的另外相對兩側。
第一主畫素電極100以及第一次畫素電極130可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料。
基於上述,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之畫素結構31利用第一次畫素電極130之第一狹縫112的寬度S1大於主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一電極圖案130a電場較弱,因此第一次畫素電極130的第一電極圖案130a具有較大臨界電壓,第一次畫素電極130的第一電極圖案130a將較晚開啟,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時,利用第一次畫素電極130之
第二電極圖案130b不具有狹縫以及第一次畫素電極130之第三電極圖案130c的第三狹縫132的寬度S3小於主畫素狹縫102的寬度S的設計使第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c電場較強,因此第一次畫素電極130的第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c具有較小臨界電壓,第一次畫素電極130之第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c將較早開啟,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,使本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖6A是包括本發明圖1A之實施例的畫素結構之畫素陣列的上視示意圖。請參考圖6A,本實施例之畫素陣列PX1包括第一畫素結構11、第二畫素結構12與第三畫素結構13,其中第一畫素結構11包括第一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110,第二畫素結構12包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構13包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。請參考圖6A,第一畫素結構11更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4;第二畫素結構12更包括:掃描線SL、資料線DL2、訊號線50、分享開關元件T5、導線CW3~CW4、共用線CL、分享電容器CCS2、下電極EL2、上電極EP2以及接觸窗C5~C8;第三畫素結構13更包括:掃描線SL、資料線DL3、訊號線50、分享開關元件T6、
導線CW5~CW6、共用線CL、分享電容器CCS3、下電極EL3、上電極EP3以及接觸窗C9~C12。
掃描線SL以及訊號線50的延伸方向與資料線DL1~DL3的延伸方向不相同,較佳的是掃描線SL與訊號線50的延伸方向與資料線DL1~DL3的延伸方向垂直。此外,掃描線SL以及訊號線50可以是位於相同或不相同的膜層,且兩者之間彼此電性絕緣且不重疊。另,掃描線SL與資料線DL1~DL3是分別位於不相同的膜層,且兩者之間夾有絕緣層(未繪示),且訊號線50與資料線DL1~DL3是分別位於不相同的膜層,且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL以及資料線DL1~DL3主要用來傳遞驅動畫素結構11~13的驅動訊號。基於導電性的考量,掃描線SL、訊號線50與資料線DL1~DL3一般是使用金屬材料,然本發明不限於此。根據其他實施例,掃描線SL、訊號線50與資料線DL1~DL3也可以使用其他導電材料,其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
控制元件T1與掃描線SL以及資料線DL1電性連接;控制元件T2與掃描線SL以及資料線DL2電性連接;控制元件T3與掃描線SL以及資料線DL3電性連接。在此,控制元件T1~T3例如是薄膜電晶體。在此實施例中,控制元件T1~T3與掃描線SL電性連接,控制元件T1~T3分別與資料線DL1~DL3電性連接。本實施例之控制元件T1~T3是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明,但本發明不限於此。在其他實施例中,控制元件T1~T3也可
以是頂部閘極型薄膜電晶體。
分享開關元件T4~T6例如是薄膜電晶體。分享開關元件T4~T6與訊號線50電性連接;本實施例之分享開關元件T4與控制元件T1電性連接;分享開關元件T5與控制元件T2電性連接;分享開關元件T6與控制元件T3電性連接。本實施例之分享開關元件T4~T6是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明,但本發明不限於此。在其他實施例中,分享開關元件T4~T6也可以是頂部閘極型薄膜電晶體。請參考圖6A,分享電容器CCS1是由下電極EL1以及上電極EP1構成,分享電容器CCS2是由下電極EL2以及上電極EP2構成,以及分享電容器CCS3是由下電極EL3以及上電極EP3構成。下電極EL1~EL3例如是與掃描線SL、訊號線50屬於同一膜層。上電極EP1~EP3分別配置於與其對應之下電極EL1~EL3之上並分別電性連結分享開關元件T4~T6。上電極EP1~EP3例如是與資料線DL1~DL3屬於同一膜層。共用線CL位於第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310之下方。導線CW1、CW3、CW5分別位於第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310之下方。在此,共用線CL分別與第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310耦合以形成儲存電容器(未標示)。另外,透過接
觸窗C1、C5、C9,控制元件T1~T3分別與第一主畫素電極100、第二主畫素電極200以及第三主畫素電極300電性連接。透過導線CW1、CW2以及接觸窗C2、C3、C4,控制元件T1可與第一次畫素電極110電性連接。透過導線CW3、CW4以及接觸窗C6、C7、C8,控制元件T2可與第二次畫素電極210電性連接。透過導線CW5、CW6以及接觸窗C10、C11、C12,控制元件T3可與第三次畫素電極310電性連接。在本實施例中,共用線CL以及導線CW1、CW3、CW5例如是與掃描線SL、訊號線50、閘極以及下電極EL1~EL3屬於同一膜層,導線CW2、CW4、CW6例如是與第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310屬於同一膜層;然本發明不限於此。
如上述,畫素陣列PX1包括第一畫素結構11、第二畫素結構12以及第三畫素結構13。第一畫素結構11包括一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110,第二畫素結構12包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構13包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。第一主畫素電極100通過接觸窗C1與控制元件T1電性連接,且第一次畫素電極110通過接觸窗C2~C4以及導線CW1、CW2與控制元件T1電性連接。第二主畫素電極200通過接觸窗C5與控制元件T2電性連接,且第二次畫素電極210通過接觸窗C6~C8以及導線CW3、CW4與控制元。
件T2電性連接。第三主畫素電極300通過接觸窗C9與控制元件T3電性連接,且第三次畫素電極310通過接觸窗C10~C12以及導線CW5、CW6與控制元件T3電性連接。
承上所述,當掃描線SL以及資料線DL1、DL2、DL3驅動控制元件T1、T2、T3開啟時,驅動電壓經由控制元件T1、T2、T3而分別傳送至第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。此時,透過訊號線50的控制以開啟分享開關元件T4、T5、T6以及分享電容器CCS1、CCS2、CCS3,便可分別使得第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110的電壓不相同、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210的電壓不相同,並使得第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310的電壓不相同。因此,藉由上述之控制元件T1~T3、分享開關元件T4~T6以及分享電容器CCS1~CCS3之間的連結關係,第一主畫素電極100與第一次畫素電極110之間具有不同的驅動電壓、第二主畫素電極200與第二次畫素電極210之間具有不同的驅動電壓、以及第三主畫素電極300與第三次畫素電極310之間具有不同的驅動電壓。
圖6B-6G是本發明圖6A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖6B-6G放大繪示圖6A的畫素結構11~13中之區域R、區域R1、區域RD1、區域RD2、區域RW1以及區域RW2。其區域R為第一主畫素電極100所在之處的局部放大圖,區域R1
為第一次畫素電極110之第一電極圖案110a所在之處的局部放大圖,區域RD1為第二主畫素電極200所在之處的局部放大圖、區域RD2為第二次畫素電極210所在之處的局部放大圖、區域RW1為第三主畫素電極300所在之處的局部放大圖、區域RW2為第三次畫素電極310所在之處的局部放大圖。請同時參考圖6A以及圖6B-6C,第一主畫素電極100具有多個第一主畫素條狀電極104以及多個第一主畫素狹縫102,且第一主畫素條狀電極104的線寬為L,第一主畫素狹縫102的寬度為S(如圖6B所示);且第一次畫素電極110具有第一電極圖案110a以及第二電極圖案110b。在本實施例中,第一電極圖案110a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖6C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S;且第二電極圖案110b不具有狹縫,然本發明不以此為限。在另一實施例中,第一狹縫112的寬度S1例如是等於第一主畫素狹縫102的寬度S,且第二電極圖案110b例如是不具有狹縫。
第一電極圖案110a與第二電極圖案110b連接在一起,且第一電極圖案110a以及第二電極圖案110b具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極110之第一電極圖案110a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1);在一較佳實施例中,第一主畫
素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬L1相同。在本實施例中,第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2);而第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(4/4),惟本發明不限於此。在本實施例中,不具有狹縫的第二電極圖案110b的面積佔第一次畫素電極110的面積5%至80%。在本實施例中,第二電極圖案110b位於第一次畫素電極110的中央,且第一電極圖案110a位於第二電極圖案110b的相對兩側;但在其它實施例中,第一電極圖案110a亦可以是位於第一次畫素電極110的中央,且第二電極圖案110b是位於第一電極圖案110a的相對兩側。除此之外,第二電極圖案110b的圖案例如可以是四邊形、六邊形。
請同時參照圖6A以及圖6D-6G,在第二畫素結構12中,第二主畫素電極200具有多個第二主畫素條狀電極(未標示)以及多個第二主畫素狹縫202,且每一第二主畫素狹縫202的寬度為D1(如圖6D所示);第二次畫素電極210具有多個第二次畫素條狀電極(未標示)以及多個第二次畫素狹縫204,且每一第二次畫素狹縫204的寬度為D2(如圖6E所示),其中第二次畫素狹縫204的寬度D2與第二主畫素狹縫202的寬度D1相同。在第三畫素結構13中,第三主畫素電極300具有多個第三主畫素條狀電極(未標示)以及多個第三主畫素狹縫302,且每一第三主畫素狹縫302的寬度為W1(如圖6F所示);第三次畫素電極310具有多個第三次畫素條狀電極(未標示)以及多個第三次畫素狹縫304,且每一
第三次畫素狹縫304的寬度為W2(如圖6G所示),其中第三次畫素狹縫304的寬度W2等於第三主畫素狹縫302的寬度W1。在本實例中,第二主畫素狹縫202的寬度D1以及第三主畫素狹縫302的寬度W1分別與第一主畫素狹縫102的寬度S相同。換言之,第二主畫素電極200、第二次畫素電極210、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310皆與第一主畫素電極100具有相同的線寬/狹縫寬比,即:本實施例之第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2)。另外,第一畫素結構11為藍色畫素結構,第二畫素結構12、第三畫素結構13分別例如是紅色畫素結構以及綠色畫素結構。
第一主畫素電極100、第一次畫素電極110、第二主畫素電極200、第二次畫素電極210、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物,例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括具有高反射率的金屬材料。
基於上述,相較於傳統畫素陣列之設計來說,本實施例之第一畫素結構11利用第一次畫素電極110之第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一次畫素電極110的第一電極圖案110a具有較大臨界電壓,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時,同時利用第一次畫素電極110之第二電極圖
案110b不具有狹縫的設計使第一次畫素電極110的第二電極圖案110b具有較小臨界電壓,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。除此之外,由於第一次畫素電極110之第二電極圖案110b例如是菱形位於第一次畫素電極110的中央,可使本實施例之第一畫素結構11的液晶具有倒向上的優勢。因此,本發明的畫素陣列相較於傳統畫素陣列之設計來說,確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖7是具有本發明圖6A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。在圖7中,曲線A表示在45度視角觀看採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比以及次畫素電極的線寬/狹縫寬比皆相同(例如是4/2)。曲線B表示在45度視角觀看採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),紅色畫素結構以及綠色畫素結構之次畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),且藍色畫素結構的次畫素電極的線寬/狹縫寬比例如是(4/4)。為清楚起見,此處所指之傳統畫素陣列實質上為其藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構皆具有一樣的畫素結構;舉例來說,上述傳統畫素陣列中僅具有一種畫素結構,例如是本案之圖6A之畫素陣列PX1中的第二畫素結構12或第三畫素結構13。曲線C表示在45度視角觀看採用本發明圖6A之畫素陣列PX1的液晶顯示
器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係。由圖7可知,採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的側視影像相對於正視影像還是會遭遇、到在中灰階偏黃或偏綠以及高灰階偏黃的現象;然而,液晶顯示器採用本發明圖6A之畫素陣列PX1時,確實可改善中灰階偏黃或偏綠以及位於高灰階時側視偏黃之現象。
圖8A是包括本發明圖3A之實施例的畫素結構之畫素陣列的上視示意圖。本實施例之畫素結構PX2與上述圖6A之畫素結構PX1相似。具體來說,圖8A中的第一畫素結構21與圖3A中的畫素結構21相似;圖8A中的第二畫素結構22以及第三畫素結構23分別與圖6A中的第二畫素結構12以及第三畫素結構13相同。相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,且不再重複說明,圖8A中的第二畫素結構22以及第三畫素結構23之說明請參考上述圖6A以及圖6D-6G之說明。在本實施例中,第一畫素結構21為藍色畫素結構,且第二畫素結構22、第三畫素結構23分別例如是紅色畫素結構以及綠色畫素結構。
請參考圖8A,本實施例之畫素陣列PX2包括第一畫素結構21、第二畫素結構22與第三畫素結構23,其中第一畫素結構21包括第一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極120,第二畫素結構22包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構23包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。請參考圖8A,第一畫素結構21更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號
線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4;第二畫素結構22更包括:掃描線SL、資料線DL2、訊號線50、分享開關元件T5、導線CW3~CW4、共用線CL、分享電容器CCS2、下電極EL2、上電極EP2以及接觸窗C5~C8;第三畫素結構23更包括:掃描線SL、資料線DL3、訊號線50、分享開關元件T6、導線CW5~CW6、共用線CL、分享電容器CCS3、下電極EL3、上電極EP3以及接觸窗C9~C12。
在此,共用線CL分別與第一主畫素電極100/第一次畫素電極120、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310耦合以形成儲存電容器(未標示)。第一主畫素電極100與第一次畫素電極120之間具有不同的驅動電壓、第二主畫素電極200與第二次畫素電極210之間具有不同的驅動電壓、以及第三主畫素電極300與第三次畫素電極310之間具有不同的驅動電壓。
圖8B-8D是本發明圖8A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖8B-8D放大繪示圖8A的畫素結構21中之區域R、區域R1以及區域R2。請同時參考圖8A以及圖8B-8D,第一主畫素電極100具有多個第一主畫素條狀電極104以及多個第一主畫素狹縫102,且第一主畫素條狀電極104的線寬為L,第一主畫素狹縫102的寬度為S(如圖8B所示);且第一次畫素電極120具有第一電極圖案120a以及第二電極圖案120b。在本實施例中,第
一電極圖案120a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖8C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S;且第二電極圖案120b具有多個第二條狀電極124以及第二狹縫122,第二條狀電極124的線寬為L2且第二狹縫122的寬度為S2(如圖8D所示),其中每一第二狹縫122的寬度S2小於第一主畫素狹縫102的寬度S,然本發明不以此為限。在一實施例中,第一狹縫112的寬度S1例如是大於第一主畫素狹縫102的寬度S,第二狹縫122的寬度S2例如是等於第一主畫素狹縫102的寬度S。在另一實施例中,第一狹縫112的寬度S1例如是等於主畫素狹縫102的寬度S,第二狹縫122的寬度S2例如是小於第一主畫素狹縫102的寬度S。除此之外,第二狹縫122的寬度S2不等於第一狹縫102的寬度S1。
第一電極圖案120a與第二電極圖案120b連接在一起,且第一電極圖案120a以及第二電極圖案120b具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極120之第一電極圖案120a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),第一次畫素電極120之第二電極圖案120b具有第二線寬/狹縫寬比(L2/S2),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1);在一實施例中,第一主畫素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬L1相同。在一實施例中,主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2),第一
線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(4/4),而第二線寬/狹縫寬比(L2/S2)例如是(4/2),惟本發明不限於此。第二電極圖案120b的面積佔第一次畫素電極120的面積5%至80%。在本實施例中,第一電極圖案120a位於第一次畫素電極120的中央,且第二電極圖案120b位於第一電極圖案120a的相對兩側;但在其它實施例中,第二電極圖案120b亦可以是位於第一次畫素電極120的中央,且第一電極圖案120a位於第二電極圖案120b的相對兩側。
據此,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之第一畫素結構21利用第一次畫素電極120之第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素電極100之第一主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一次畫素電極120的第一電極圖案120a具有較大臨界電壓,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時,同時利用第一次畫素電極120之第二狹縫122的寬度S2小於第一主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一次畫素電極120的第二電極圖案120b具有較小臨界電壓,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,使本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖9是具有本發明圖8A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。在圖9中,曲線A表示在45度視角觀看採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比以及次畫素電極的線寬/
狹縫寬比皆相同(例如是4/2)。曲線B表示在45度視角觀看採用採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),紅色畫素結構以及綠色畫素結構之次畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),且藍色畫素結構的次畫素電極的線寬/狹縫寬比例如是(4/4)。為清楚起見,此處所指之傳統畫素陣列實質上為其藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構皆具有一樣的畫素結構;舉例來說,上述傳統畫素陣列中僅具有一種畫素結構,例如是本案之圖8A之畫素陣列PX2中的第二畫素結構22或第三畫素結構23。曲線C表示在45度視角觀看採用本發明圖8A之畫素陣列PX2的液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係。由圖9可知,採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的側視影像相較於正視影像還是會遭遇到中灰階偏黃或偏綠以及高灰階偏黃的現象;然而,液晶顯示器採用本發明圖8A之畫素陣列PX2時,確實可改善中灰階偏黃或偏綠以及位於高灰階時側視偏黃之現象。
圖10A是包括本發明圖5A之實施例的畫素結構之畫素陣列的上視示意圖。本實施例之畫素結構PX3與上述圖6A之畫素結構PX1相似。圖10A中的第一畫素結構31與圖5A中的畫素結構31相同或相似;且圖10A中的第二畫素結構32以及第三畫素結構33分別與圖6A中的第二畫素結構12以及第三畫素結構13相同。相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,且不再
重複說明;圖10A中的第二畫素結構32以及第三畫素結構33之說明請參考上述圖6A以及圖6D-6G之說明。在本實施例中,第一畫素結構31為藍色畫素結構,且第二畫素結構32、第三畫素結構33分別例如是紅色畫素結構以及綠色畫素結構。
請參考圖10A,本實施例之畫素陣列PX3包括第一畫素結構31、第二畫素結構32以及第三畫素結構33,其中第一畫素結構31包括第一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極130,第二畫素結構32包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構33包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。請參考圖10A,第一畫素結構31更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4;第二畫素結構32更包括:掃描線SL、資料線DL2、訊號線50、分享開關元件T5、導線CW3~CW4、共用線CL、分享電容器CCS2、下電極EL2、上電極EP2以及接觸窗C5~C8;第三畫素結構33更包括:掃描線SL、資料線DL3、訊號線50、分享開關元件T6、導線CW5~CW6、共用線CL、分享電容器CCS3、下電極EL3、上電極EP3以及接觸窗C9~C12。
在此,共用線CL分別與第一主畫素電極100/第一次畫素電極130、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310耦合以形成儲存電容器(未標
示)。第一主畫素電極100與第一次畫素電極130之間具有不同的驅動電壓、第二主畫素電極200與第二次畫素電極210之間具有不同的驅動電壓、以及第三主畫素電極300與第三次畫素電極310之間具有不同的驅動電壓。
圖10B-10D是本發明圖10A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖10B-10D放大繪示圖10A的畫素結構31~33中之區域R、區域R1以及區域R3。區域R為第一主畫素電極100所在之處的局部放大圖,區域R1為第一次畫素電極130之第一電極圖案130a所在之處的局部放大圖,區域R3為第一次畫素電極130之第三電極圖案130c所在之處的局部放大圖。請同時參考圖10A以及圖10B-10D,第一主畫素電極100具有多個第一主畫素條狀電極104以及多個第一主畫素狹縫102,且第一主畫素條狀電極104的線寬為L,第一主畫素狹縫102的寬度為S(如圖10B所示);且第一次畫素電極130具有第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c。在本實施例中,第一電極圖案130a具有多個第一條狀電極114以及第一狹縫112,第一條狀電極114的線寬為L1且第一狹縫112的寬度為S1(如圖10C所示),其中每一第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S;第二電極圖案130b不具有狹縫;且第三電極圖案130c具有多個第三條狀電極134以及第三狹縫132,第三條狀電極134的線寬為L3且第三狹縫132的寬度為S3(如圖10D所示),其中每一第三狹縫132的寬度S3等於第一主畫素狹縫102的寬度S,然本發明
不以此為限。在一實施例中,每一第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具有狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於第一主畫素狹縫102的寬度S。在另一實施例中,每一第一狹縫112的寬度S1等於第一主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具有狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於第一主畫素狹縫102的寬度S。換言之,每一第一狹縫112的寬度S1大於或等於主畫素狹縫102的寬度S,第二電極圖案130b不具狹縫,且每一第三狹縫132的寬度S3小於第一狹縫112的寬度S1且小於或等於主畫素狹縫102的寬度S。
第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c連接在一起,且第一電極圖案130a、第二電極圖案130b以及第三電極圖案130c具有相同的驅動電壓。第一主畫素電極100具有主線寬/狹縫寬比(L/S),第一次畫素電極130之第一電極圖案130a具有第一線寬/狹縫寬比(L1/S1),第一次畫素電極130之第三電極圖案130c具有第三線寬/狹縫寬比(L3/S3),且第一主畫素電極100的主線寬/狹縫寬比(L/S)大於第一電極圖案130a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)。在一實施例中,第一主畫素電極100的主線寬L與第一電極圖案110a的第一線寬L1相同。在本實施例中,主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(4/2),第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(4/4),第三線寬/狹縫寬比(L3/S3)例如是(4/2),但本發明不限於此。第二電極圖案130b的面積佔第一次畫素電極130的面積5%至80%。第二電極圖案130b位於第一次畫素電極130的中央,第
一電極圖案130a位於第二電極圖案130b的相對兩側,且第三電極圖案130c位於第二電極圖案130b的另外相對兩側。
據此,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之第一畫素結構31利用第一次畫素電極130之第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一次畫素電極130的第一電極圖案130a具有較大臨界電壓,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時,同時利用第一次畫素電極130之第二電極圖案130b不具有狹縫以及第一次畫素電極130之第三狹縫132的寬度S3小於第一主畫素狹縫102的寬度S的設計使第一次畫素電極130的第二電極圖案110b以及第三電極圖案130c具有較小臨界電壓,進一步降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說,確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖11是具有本發明圖10A之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。在圖11中,曲線A表示在45度視角觀看採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比以及次畫素電極的線寬/狹縫寬比皆相同(例如是4/2)。曲線B表示在45度視角觀看採用採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),紅色畫素結構以及
綠色畫素結構之次畫素電極的線寬/狹縫寬比相同(例如是4/2),且藍色畫素結構的次畫素電極的線寬/狹縫寬比例如是(4/4)。為清楚起見,此處所指之傳統畫素陣列實質上為其藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構皆具有一樣的畫素結構;舉例來說,上述傳統畫素陣列中僅具有一種畫素結構,例如是本案之圖10A之畫素陣列PX3中的第二畫素結構32或第三畫素結構33。曲線C表示在45度視角觀看採用本發明圖10A之畫素陣列PX3的液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係。由圖11可知,採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的側視影像相較於正視影像還是會遭遇到中灰階偏黃或偏綠以及高灰階偏黃的現象;然而,液晶顯示器採用本發明圖10A之畫素陣列PX3時,確實可改善中灰階偏黃或偏綠以及位於高灰階時側視偏黃之現象。
圖12是包括本發明圖1A之實施例的畫素結構之畫素陣列的上視示意圖。本實施例之畫素結構PX4與上述圖6A之畫素結構PX1相似,因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,不再重複說明。具體來說,圖12中的第一畫素結構41、第二畫素結構42以及第三畫素結構43分別是與圖6A中的第一畫素結構11、第二畫素結構12以及第三畫素結構13相同,因此圖12中的第一畫素結構41、第二畫素結構42以及第三畫素結構43之說明請參考上述圖6A以及圖6B-6G之說明。
請參考圖12,本實施例之畫素陣列PX4包括第一畫素結構41、第二畫素結構42與第三畫素結構43,其中第一畫素結構
41包括第一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110,第二畫素結構42包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構43包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310。請參考圖12,第一畫素結構41更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4;第二畫素結構42更包括:掃描線SL、資料線DL2、訊號線50、分享開關元件T5、導線CW3~CW4、共用線CL、分享電容器CCS2、下電極EL2、上電極EP2以及接觸窗C5~C8;第三畫素結構43更包括:掃描線SL、資料線DL3、訊號線50、分享開關元件T6、導線CW5~CW6、共用線CL、分享電容器CCS3、下電極EL3、上電極EP3以及接觸窗C9~C12。
共用線CL分別與第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極310耦合以形成儲存電容器(未標示)。第一主畫素電極100與第一次畫素電極110之間具有不同的驅動電壓、第二主畫素電極200與第二次畫素電極210之間具有不同的驅動電壓、以及第三主畫素電極300與第三次畫素電極310之間具有不同的驅動電壓。
本實施例之畫素結構PX4與上述圖6A之畫素結構PX1相似,惟主要差異在於,在本實施例中,第一主畫素電極100的
主線寬/狹縫寬比(L/S)例如是(5/3),且第一電極圖案110a的第一線寬/狹縫寬比(L1/S1)例如是(5/3)。除此之外,第二主畫素電極200、第二次畫素電極210、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極310皆與第一主畫素電極100具有相同的主線寬/狹縫寬比(L/S)。在本實施例中,第一畫素結構41為藍色畫素結構,第二畫素結構42、第三畫素結構43分別例如是紅色畫素結構以及綠色畫素結構。
據此,相較於傳統畫素結構之設計來說,本實施例之第一畫素結構41利用第一次畫素電極110之第二電極圖案110b不具有狹縫的設計,使第一次畫素電極110的第二電極圖案110b具有較小臨界電壓,降低中灰階偏黃或偏綠的問題。因此,使本發明的畫素結構相較於傳統畫素結構之設計來說確實可以降低側視影像的色偏問題。
圖13是具有本發明圖12之畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係圖。在圖13中,曲線A表示在45度視角觀看採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係,其中藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構之主畫素電極的線寬/狹縫寬比以及次畫素電極的線寬/狹縫寬比皆相同(例如是4/2)。此處所指之傳統畫素陣列實質上為其藍色畫素結構、紅色畫素結構以及綠色畫素結構皆具有一樣的畫素結構。曲線B表示在45度視角觀看採用本發明圖12之畫素陣列PX4的液晶顯示器的灰階與側視相對正視色彩偏差之關係。
由圖13可知,採用傳統畫素陣列之液晶顯示器的側視影像相對於正視影像還是會遭遇到中灰階偏黃或偏綠以及高灰階偏綠或偏黃的現象;然而,液晶顯示器採用本發明圖12之畫素陣列PX4時,確實可改善中灰階偏黃或偏綠之現象。
圖14A是本發明另一實施例之畫素陣列的上視示意圖。本實施例之畫素結構PX5與上述圖6A之畫素結構PX1相似,因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示,且不再重複說明。其中,圖14A中的第一畫素結構51以及第二畫素結構52分別與圖6A中的第一畫素結構11以及第二畫素結構12相同,因此圖14A中的第一畫素結構51以及第二畫素結構52之說明請參考上述圖6A以及圖6B-6G之說明。
請參照圖14A,本實施例之畫素陣列PX5包括第一畫素結構51、第二畫素結構52與第三畫素結構53,其中第一畫素結構51包括第一控制元件T1、第一主畫素電極100以及第一次畫素電極110,第二畫素結構52包括第二控制元件T2、第二主畫素電極200以及第二次畫素電極210以及第三畫素結構53包括第三控制元件T3、第三主畫素電極300以及第三次畫素電極311。請參考圖14A,第一畫素結構51更包括:掃描線SL、資料線DL1、訊號線50、分享開關元件T4、導線CW1~CW2、共用線CL、分享電容器CCS1、下電極EL1、上電極EP1以及接觸窗C1~C4;第二畫素結構52更包括:掃描線SL、資料線DL2、訊號線50、分享開關元件T5、導線CW3~CW4、共用線CL、分享電容器CCS2、
下電極EL2、上電極EP2以及接觸窗C5~C8;第三畫素結構53更包括:掃描線SL、資料線DL3、訊號線50、分享開關元件T6、導線CW5~CW6、共用線CL、分享電容器CCS3、下電極EL3、上電極EP3以及接觸窗C9~C12。
在此,共用線CL分別與第一主畫素電極100/第一次畫素電極110、第二主畫素電極200/第二次畫素電極210以及第三主畫素電極300/第三次畫素電極311耦合以形成儲存電容器(未標示)。第一主畫素電極100與第一次畫素電極110之間具有不同的驅動電壓、第二主畫素電極200與第二次畫素電極210之間具有不同的驅動電壓、以及第三主畫素電極300與第三次畫素電極311之間具有不同的驅動電壓。
具體來說,本實施例之畫素結構PX5與上述圖6A之畫素結構PX1相似,主要差異在於,本實施例中的第三畫素結構53與圖6A中的第一畫素結構11亦是相同。
圖14B-14C是本發明圖14A之實施例的畫素結構的局部示意圖,其中圖14B-14C放大繪示圖14A之第三畫素結構53中的區域RW1以及區域RW3。區域RW1為第三畫素結構53之第三主畫素電極300所在的局部放大圖,區域RW2為第三次畫素電極311具有第四電極圖案311a所在的局部放大圖。請同時參考圖14A以及圖14B-14C,第三畫素結構53包括第三主畫素電極300以及第三次畫素電極311。第三主畫素電極300具有多個第一主畫素條狀電極(未標示)以及多個第三主畫素狹縫302,且每一第三主畫素
狹縫302的寬度為W1(如圖14B所示)。第三次畫素電極311具有第四電極圖案311a以及第五電極圖案311b。在本實施例中,第四電極圖案311a具有多個第四條狀電極(未標示)以及第四狹縫306,第四狹縫306的寬度為W3(如圖14C所示),其中每一第四狹縫306的寬度W3大於第三主畫素狹縫302的寬度為W1;且第五電極圖案311b不具有狹縫,然本發明不以此為限。在一實施例中,第四狹縫306的寬度W3例如是等於第三主畫素狹縫302的寬度為W1,且第五電極圖案311b例如是不具有狹縫。第四電極圖案311a以及第五電極圖案311b連接在一起,第四電極圖案311a以及第五電極圖案311b具有相同的驅動電壓。在此,第一畫素結構51為藍色畫素結構,第二畫素結構52例如是綠色畫素結構,且第三畫素結53例如是紅色畫素結構。
在本實施例中,畫素陣列PX5的第一畫素結構51以及第三畫素結構53與圖6A的第一畫素結構11相同,然本發明不限於此。在其它實施例中,畫素陣列PX5的第一畫素結構51以及第三畫素結構53亦可同時或單獨地被圖8A的第一畫素結構21或圖10A的第一畫素結構31所取代。換言之,在其它實施例中,畫素陣列PX5的第一畫素結構51以及第三畫素結53可以是具有相同或相異之畫素結構。
舉例來說,在其它實施例中,畫素陣列PX5的第三畫素結構53亦可被圖8A的第一畫素結構21取代,因此畫素陣列PX5的第三次畫素電極(未繪示)具有第四電極圖案以及第五電極圖
案(未繪示)。第四電極圖案具有多個第四條狀電極以及第四狹縫(未繪示),且每一第四狹縫的寬度W3大於或等於該第三主畫素狹縫的寬度W1。第五電極圖案具有多個第五條狀電極以及第五狹縫(未繪示),且每一第五狹縫的寬度W4小於或等於該第三主畫素狹縫的寬度W1。除此之外,每一第五狹縫的寬度W4不等於每一第四狹縫的寬度W3。
基於上述,相較於傳統畫素陣列之設計來說,本實施例之第一畫素結構51以及第三畫素結構53是利用第一次畫素電極110之第一狹縫112的寬度S1大於第一主畫素狹縫102的寬度S以及第三次畫素電極311之第四狹縫306的寬度W3大於第三主畫素狹縫302的寬度W1的設計,使得第一次畫素電極110的第一電極圖案110a以及第三次畫素電極311的第四電極圖案311a具有較大臨界電壓,降低側視影像在高灰階偏黃的現象時,同時利用第一次畫素電極110之第二電極圖案110b以及第三次畫素電極311之第五電極圖案311b不具有狹縫的設計使第一次畫素電極110的第二電極圖案110b以及第三次畫素電極311之第五電極圖案311b具有較小臨界電壓,進一步降低中灰階偏紅或偏綠的問題。因此,使本發明的畫素陣列相較於傳統畫素陣列之設計來說確實可以降低側視影像的色偏問題。
綜上所述,本發明之畫素結構中的畫素電極被分割成彼此分離開來的主畫素電極以及次畫素電極,其中次畫素電極至少包含第一電極圖案以及第二電極圖案。本發明調整位於畫素電極
(例如是:主畫素電極、次畫素電極的第一電極圖案以及次畫素電極的第二電極圖案)中的間隙寬度,使次畫素電極中的第一電極圖案以及第二電極圖案分別產生不同強弱的電場,藉此次畫素電極中的第一電極圖案以及第二電極圖案具有不同臨界電壓,因而降低側視影像在中灰階偏黃或偏綠以及/或是側視影像在高灰階偏黃的現象,可確實改善畫素結構之側視影像的色偏問題。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧畫素結構
50‧‧‧訊號線
100‧‧‧主畫素電極
102‧‧‧主畫素狹縫
104‧‧‧主畫素條狀電極
110‧‧‧次畫素電極
110a‧‧‧第一電極圖案
110b‧‧‧第二電極圖案
112‧‧‧第一狹縫
114‧‧‧第一條狀電極
C1~C4‧‧‧接觸窗
CCS1‧‧‧分享電容器
CL‧‧‧共用線
CW1、CW2‧‧‧導線
DL1‧‧‧資料線
EL1‧‧‧下電極
EP1‧‧‧上電極
SL‧‧‧掃描線
T1‧‧‧控制元件
T4‧‧‧分享開關元件
R、R1‧‧‧區域
Claims (29)
- 一種畫素結構,與一掃描線以及一資料線電性連接,該畫素結構包括:一控制元件;一主畫素電極,與該控制元件電性連接,其中該主畫素電極具有多個主畫素狹縫,且該些主畫素狹縫的寬度為S;以及一次畫素電極,與該控制元件電性連接且與該主畫素電極分離開來,該次畫素電極包括:一第一電極圖案,該第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於該主畫素狹縫的寬度S;以及一第二電極圖案,該第二電極圖案具有多個第二狹縫,其中每一第二狹縫的寬度S2小於該主畫素狹縫的寬度S。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該主畫素電極與該次畫素電極具有不同的驅動電壓。
- 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構,更包括一分享開關元件以及與該分享開關元件電性連接之一分享電容器,該分享開關元件與該控制元件電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一電極圖案與該第二電極圖案連接在一起,且該第一電極圖案以及該第二電極圖案具有相同的驅動電壓。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第二電極 圖案的面積佔該次畫素電極的面積5%至80%。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第二電極圖案位於該次畫素電極的中央,該第一電極圖案位於該第二電極圖案的相對兩側。
- 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構,其中該第二電極圖案包含一四邊形,該四邊形的每一邊與該掃描線之延伸方向具有一夾角,角度為45度到60度之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該第一電極圖案位於該次畫素電極的中央,該第二電極圖案位於該第一電極圖案的相對兩側。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構,其中該次畫素電極更包括一第三電極圖案,該第三電極圖案具有多個第三狹縫,且每一第三狹縫的寬度S3小於該第一狹縫的寬度S1。
- 如申請專利範圍第9項所述的畫素結構,其中該次畫素電極之該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3小於或等於該主畫素狹縫的寬度S。
- 如申請專利範圍第9項所述的畫素結構,其中該第二電極圖案位於該次畫素電極的中央,該第一電極圖案位於該第二電極圖案的相對兩側,且該第三電極圖案位於該第二電極圖案的另外相對兩側。
- 如申請專利範圍第9項所述的畫素結構,其中該次畫素電極之該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3小於或等於該主畫素 狹縫的寬度S,且該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3大於該第二電極圖案的第二狹縫的寬度S2。
- 一種畫素陣列,包括:一第一畫素結構,包括:一第一控制元件;一第一主畫素電極,與該第一控制元件電性連接,其中該第一主畫素電極具有多個第一主畫素狹縫,且每一第一主畫素狹縫的寬度為S;以及一第一次畫素電極,與該第一控制元件電性連接且與該第一主畫素電極分離開來,該第一次畫素電極包括:一第一電極圖案,該第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於該第一主畫素狹縫的寬度S;以及一第二電極圖案,該第二電極圖案為不具有狹縫或是具有多個第二狹縫,其中每一第二狹縫的寬度S2不等於每一第一狹縫的寬度S1,且每一第二狹縫的寬度S2小於或等於該第一主畫素狹縫的寬度S;以及一第二畫素結構,包括:一第二控制元件;一第二主畫素電極,與該第二控制元件電性連接,其中該第二主畫素電極具有多個第二主畫素狹縫,每一第二主畫素狹縫的寬度為D1,且每一第二主畫素狹縫的寬度D1與該第一主畫 素狹縫的寬度S相當;以及一第二次畫素電極,與該第二控制元件電性連接且與該第二主畫素電極分離開來,其中該第二次畫素電極具有多個第二次畫素狹縫,且每一第二次畫素狹縫的寬度為D2,其中該第二次畫素狹縫的寬度D2與該第二主畫素狹縫的寬度D1相當。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中每一第一狹縫的寬度S1大於該第一主畫素狹縫的寬度S,該第二電極圖案為不具有狹縫或是每一第二狹縫的寬度S2小於或等於該第一主畫素狹縫的寬度S。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中每一第一狹縫的寬度S1等於該第一主畫素狹縫的寬度S,該第二電極圖案為不具有狹縫或是每一第二狹縫的寬度S2小於該第一主畫素狹縫的寬度S。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中該第一畫素結構為一藍色畫素結構,且該第二畫素結構為一紅色畫素結構或是一綠色畫素結構。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中第一次畫素電極之該第二電極圖案的面積佔該第一次畫素電極的面積5%至80%。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中該第二電極圖案位於該第一次畫素電極的中央,該第一電極圖案位於該第二電極圖案的相對兩側。
- 如申請專利範圍第18項所述的畫素陣列,其中該第二電極圖案包含一四邊形,該四邊形的每一邊與一掃描線之延伸方向具有一夾角,角度為45度到60度之間。
- 如申請專利範圍第18項所述的畫素陣列,其中該第二電極圖案包含一四邊形且不具有狹縫,該四邊形的至少一邊與其相接之部分該些第一狹縫的延伸方向具有一夾角,角度為80度到100度之間。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中該第一電極圖案位於該第一次畫素電極的中央,該第二電極圖案位於該第一電極圖案的相對兩側。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,其中該第一次畫素電極更包括一第三電極圖案,該第三電極圖案具有多個第三狹縫,且每一第三狹縫的寬度S3小於該第一狹縫的寬度S1。
- 如申請專利範圍第22項所述的畫素陣列,其中該第一次畫素電極之該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3小於或等於該第一主畫素狹縫的寬度S。
- 如申請專利範圍第22項所述的畫素陣列,其中該第一次畫素電極之該第二電極圖案位於該第一次畫素電極的中央,該第一電極圖案位於該第二電極圖案的相對兩側,且該第三電極圖案位於該第二電極圖案的另外相對兩側。
- 如申請專利範圍第22項所述的畫素陣列,其中該第一次畫素電極之該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3小於或等於該主 畫素狹縫的寬度S,且該第三電極圖案的該第三狹縫寬度S3大於該第二電極圖案的第二狹縫的寬度S2。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素陣列,更包括:一第三畫素結構,包括:一第三控制元件;一第三主畫素電極,與該第三控制元件電性連接,其中該第三主畫素電極具有多個第三主畫素狹縫,且每一第三主畫素狹縫的寬度為W1;以及一第三次畫素電極,與該第三控制元件電性連接且與該第三主畫素電極分離開來,其中該第三次畫素電極包括:一第四電極圖案,該第四電極圖案具有多個第四狹縫,其中每一第四狹縫的寬度W3大於或等於該第三主畫素狹縫的寬度W1;以及一第五電極圖案,該第五電極圖案為不具有狹縫或是具有多個第五狹縫,其中每一第五狹縫的寬度W4小於或等於該第三主畫素狹縫的寬度W1。
- 如申請專利範圍第26項所述的畫素陣列,其中該第一畫素結構為一藍色畫素結構,該第二畫素結構為一綠色畫素結構,且該第三畫素結構為一紅色畫素結構。
- 一種畫素結構,與一掃描線以及一資料線電性連接,該畫素結構包括:一控制元件; 一主畫素電極,與該控制元件電性連接,其中該主畫素電極具有多個主畫素狹縫,且該些主畫素狹縫的寬度為S;以及一次畫素電極,與該控制元件電性連接且與該主畫素電極分離開來,該次畫素電極包括:一第一電極圖案,該第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於該主畫素狹縫的寬度S;一第二電極圖案,該第二電極圖案為不具有狹縫;以及一第三電極圖案,該第三電極圖案具有多個第三狹縫,且每一第三狹縫的寬度S3小於該第一狹縫的寬度S1。
- 一種畫素結構,與一掃描線以及一資料線電性連接,該畫素結構包括:一控制元件;一主畫素電極,與該控制元件電性連接,其中該主畫素電極具有多個主畫素狹縫,且該些主畫素狹縫具有相同的寬度S;以及一次畫素電極,與該控制元件電性連接且與該主畫素電極分離開來,該次畫素電極包括:一第一電極圖案,該第一電極圖案具有多個第一狹縫,且每一第一狹縫的寬度S1大於或等於該主畫素狹縫的寬度S;以及一第二電極圖案,該第二電極圖案為不具有狹縫。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104116524A TWI564641B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 |
CN201510440058.2A CN105182631B (zh) | 2015-05-22 | 2015-07-24 | 像素结构及具有此像素结构的像素阵列 |
US14/870,011 US9568773B2 (en) | 2015-05-22 | 2015-09-30 | Pixel structure and pixel array having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104116524A TWI564641B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201642003A TW201642003A (zh) | 2016-12-01 |
TWI564641B true TWI564641B (zh) | 2017-01-01 |
Family
ID=54904806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104116524A TWI564641B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9568773B2 (zh) |
CN (1) | CN105182631B (zh) |
TW (1) | TWI564641B (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102159683B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2020-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
TWI525373B (zh) * | 2015-03-30 | 2016-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構以及顯示面板 |
KR102596951B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2023-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN106526988B (zh) * | 2016-11-07 | 2019-12-03 | 惠科股份有限公司 | 显示器阵列基板画素结构及其应用的显示设备 |
CN106324935B (zh) * | 2016-11-10 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
KR102604310B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106773382A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示器 |
US10310336B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-06-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Array substrate and liquid crystal display |
CN107463040B (zh) * | 2017-08-28 | 2020-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板及显示装置 |
TWI638451B (zh) * | 2017-12-20 | 2018-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列基板 |
TWI668504B (zh) * | 2018-06-25 | 2019-08-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
KR102583805B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2023-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI699603B (zh) * | 2019-05-10 | 2020-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
CN111258130B (zh) * | 2020-03-16 | 2023-05-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示面板 |
CN111443532A (zh) | 2020-04-21 | 2020-07-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
CN112540479B (zh) * | 2020-11-04 | 2022-01-07 | 惠科股份有限公司 | 一种曲面显示面板、制作方法和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100053528A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing the liquid crystal display panel |
US20130063686A1 (en) * | 2010-05-20 | 2013-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
TW201430466A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-08-01 | Au Optronics Corp | 畫素陣列基板及液晶顯示面板 |
US20140253853A1 (en) * | 2011-10-11 | 2014-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI225959B (en) * | 2002-04-19 | 2005-01-01 | Toshiba Corp | Liquid crystal display |
KR100846951B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2008-07-17 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
US8345199B2 (en) * | 2008-02-04 | 2013-01-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US9057917B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-06-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel electrode panel, a liquid crystal display panel assembly and methods for manufacturing the same |
US9046713B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
CN103376601A (zh) | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示装置 |
TWI472860B (zh) | 2012-05-07 | 2015-02-11 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
TWI505004B (zh) * | 2013-09-12 | 2015-10-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
CN103529603A (zh) | 2013-10-23 | 2014-01-22 | 友达光电股份有限公司 | 一种聚合物稳定配向的液晶面板 |
-
2015
- 2015-05-22 TW TW104116524A patent/TWI564641B/zh active
- 2015-07-24 CN CN201510440058.2A patent/CN105182631B/zh active Active
- 2015-09-30 US US14/870,011 patent/US9568773B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100053528A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing the liquid crystal display panel |
US20130063686A1 (en) * | 2010-05-20 | 2013-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US20140253853A1 (en) * | 2011-10-11 | 2014-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
TW201430466A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-08-01 | Au Optronics Corp | 畫素陣列基板及液晶顯示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105182631B (zh) | 2018-06-19 |
CN105182631A (zh) | 2015-12-23 |
US20160342038A1 (en) | 2016-11-24 |
US9568773B2 (en) | 2017-02-14 |
TW201642003A (zh) | 2016-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI564641B (zh) | 畫素結構及具有此畫素結構的畫素陣列 | |
TWI468829B (zh) | 畫素陣列 | |
US9116394B2 (en) | Display panel | |
US9523900B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US20090073358A1 (en) | Liquid crystal display device | |
US9746724B2 (en) | Liquid crystal display | |
US11380736B2 (en) | Display panel and display apparatus | |
TW201622112A (zh) | 顯示面板 | |
TWI564639B (zh) | 畫素結構 | |
TW201734591A (zh) | 曲面顯示面板 | |
JP6369801B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI526763B (zh) | 畫素結構、畫素陣列以及顯示面板 | |
WO2012002073A1 (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
US20190056616A1 (en) | Array substrate and liquid crystal display device | |
US9995972B2 (en) | Display device | |
JP2007293155A (ja) | 液晶表示装置 | |
TWI567462B (zh) | 畫素結構及畫素陣列 | |
US20090033836A1 (en) | Liquid crystal display | |
US9448455B2 (en) | Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same | |
US10197847B2 (en) | Liquid crystal display device | |
TWI514058B (zh) | 畫素陣列 | |
US20170261826A1 (en) | Display and pixel structure thereof | |
US10229935B2 (en) | Curved display device having plurality of subpixel electrodes formed in plurality of columns | |
US20180307105A1 (en) | Lcd panel with small pixels and sub-pixels having ladder pattern | |
US20120120084A1 (en) | Color filter arrangement for display panel |