CN108292593B - 使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法 - Google Patents

使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108292593B
CN108292593B CN201680068260.XA CN201680068260A CN108292593B CN 108292593 B CN108292593 B CN 108292593B CN 201680068260 A CN201680068260 A CN 201680068260A CN 108292593 B CN108292593 B CN 108292593B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
pattern
substrate
layer
photoresist layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680068260.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108292593A (zh
Inventor
安东·J·德维利耶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN108292593A publication Critical patent/CN108292593A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108292593B publication Critical patent/CN108292593B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • G03F7/2039—X-ray radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的结构之间的交叉指型光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻曝光，本文的图案化技术可以在衬底上的指定位置处制作期望的切口和块。

Description

使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年9月30日提交的标题为“Method for Patterning aSubstrate Using Extreme Ultraviolet Lithography”的美国临时专利申请第62/235,220号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及衬底处理，并且更具体地涉及包括对半导体晶片进行图案化的用于对衬底进行图案化的技术。
背景技术
在光刻工艺中收缩线宽的方法历来已涉及使用更大NA的光学器件(数值孔径)、更短的曝光波长或除空气以外的界面介质(例如水浸)。随着传统光刻工艺的分辨率已经接近理论极限，制造商已经开始转向双重图案化(DP)方法以克服光学限制。
在材料处理方法(例如光刻)中，创建图案化层包括将诸如光致抗蚀剂的辐射敏感材料的薄层施加到衬底的上表面。这种辐射敏感材料被转变成凹凸图案(reliefpattern)，其可以用作刻蚀掩模以将图案转移到衬底上的下层中。辐射敏感材料的图案化通常涉及使用例如光刻系统将光化辐射通过掩膜版(reticle)(和相关联的光学器件)曝光到辐射敏感材料上。然后在该曝光之后可以使用显影溶剂去除辐射敏感材料的被辐射的区域或未被辐射的区域(取决于抗蚀剂色调(tone)和显影剂色调)。该掩模层可以包括多个子层。
用于将辐射或光的图案曝光到衬底上的常规光刻技术具有限制被曝光的特征的尺寸并限制被曝光的特征之间的间距或间隔的各种挑战。减轻曝光限制的一种传统技术是如下技术：其使用双重图案化方法以允许与当前通过常规光刻技术可以实现的相比以更小的间距对更小的特征进行图案化。
发明内容
双重图案化或多重图案化可以成功产生亚分辨率特征。例如，自对准双重图案化(SADP)和自对准四重图案化(SAQP)可以产生具有相对较小间距的线。例如，使用四重时，可以创建所得的“间距四倍(pitch quad)”，其中半间距为16纳米。使用间距四倍或其他亚分辨率结构图案的继续制造是具有挑战性的。传统的光刻对具有如此小的关键尺寸的特征进行切割和连接是具有挑战性的。
本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的结构之间的交叉指型(inter-digitated)光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻曝光，本文的图案化技术可以在衬底上的指定位置处制作期望的切口和块。
在一个实施方式中，对衬底进行图案化的方法包括接收具有凹凸图案的衬底。凹凸图案包括限定如下开口的结构：该开口的宽度小于足以实现波长大于124纳米的电磁辐射的波传播的宽度。该结构包括对极紫外辐射不敏感的材料。在衬底上沉积第一光致抗蚀剂，从而形成第一光致抗蚀剂层，其中第一光致抗蚀剂填充由凹凸图案限定的开口。这也产生从凹凸图案的顶表面延伸到第一光致抗蚀剂层的顶表面的第一光致抗蚀剂的上覆层(overburden)。去除第一光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除第一光致抗蚀剂的上覆层，使得第一光致抗蚀剂保留在由凹凸图案限定的开口中。将衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第一图案。使用预定的显影剂对第一光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影。
当然，为了清楚起见，已经呈现了在本文中描述的不同步骤的讨论顺序。通常，这些步骤可以以任何合适的顺序执行。此外，尽管本文中的不同特征、技术、配置等中的每一个可能在本公开的不同位置进行讨论，但是意图是每个概念可以彼此独立或彼此组合地执行。因此，本发明可以以许多不同的方式来实施和考虑。
要注意的是，该发明部分没有具体说明本公开或要求保护的发明的每个实施方式和/或增加地新的方面。替代地，该发明部分仅提供了不同实施方式和相对于常规技术的相应的新颖点的初步讨论。对于本发明和实施方式的附加细节和/或可能的观点，读者参考如下进一步讨论的本公开的具体实施方式部分和相应附图。
附图说明
参照结合附图考虑的以下详细描述，本发明的各种实施方式的更完整的理解及其许多伴随的优点将容易地变得明显。附图不一定是按比例的，而是着重于说明特征、原理和概念。
图1A、图2A、图3A、图4A、图6A和图7A是示出根据本文公开的实施方式的工艺流程的示例衬底段的截面示意性侧视图。
图1B、图2B、图3B、图4B、图6B和图7B是示出根据本文公开的实施方式的工艺流程的示例性衬底段的截面示意性透视图。
图5是用于制造的示例光掩模图案的顶视图。
图8和图9是示出根据本文公开的实施方式的图案化结果的示例性衬底段的截面示意性透视图。
具体实施方式
本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的多个结构之间的交叉指型光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻(EUV)，本文的图案化技术可以在衬底上按间距在特定位置处制作期望的切口和块。
例如，利用本文的技术，可以将旋涂的过涂覆硬掩模与EUV曝光集成在一起，然后EUV曝光可以曝光到包括间距四倍特征的特征之中和之间。目前，间距倍增技术(诸如间距四倍(pitch quad))可以用于创建线和间隔的图案。这种图案有时被称为一维图案或特征。然而，使用间距四倍图案化的挑战是不能使用常规技术以期望的尺寸制作切口和块。本文的技术公开了用于创建使得能够进行EUV曝光的切口和块的方法，或者可以利用EUV曝光。因此，EUV系统和曝光技术可以用于对亚分辨率尺寸图案制作切口和块。
一个示例性实施方式包括一种用于对衬底进行图案化的方法。现在参照图1A和图1B，接收具有凹凸图案107(地形图案)的衬底105。凹凸图案107位于下层110上。在一些实施方式中，下层110和任何相关的膜不包括底部抗反射涂层(BARC)。换句话说，在一些实施方式中，在凹凸图案107下方没有BARC。要注意的是，包括字母“A”的附图号示出了具有“B”字母的相应附图号的截面图。凹凸图案107包括限定如下开口的结构：该开口的宽度小于足以实现波长大于124纳米的电磁辐射的波传播的宽度。例如，尺寸117示出不足以实现光波长大于124纳米的光传播的开口。换句话说，对于大于124纳米的光而言，开口太小而不能穿透或传播到限定的开口中。作为非限制性示例，来自193nm光刻曝光系统的193nm光不能传播到限定的开口中，因为开口的尺寸足够小以产生针对该波长传播的传统禁止间隔。在另一实施方式中，凹凸图案中限定的开口的宽度足以实现波长在7纳米与40纳米之间的电磁波传播。在其他实施方式中，凹凸图案107包括限定宽度在4纳米和40纳米之间，和/或在5纳米和20纳米之间的开口的结构。
凹凸图案107的结构(诸如线)包括对极紫外辐射不敏感的材料。换句话说，凹凸图案107的结构不能由于暴露于EUV辐射而接收到溶解度移位(solubility shift)。一种示例性材料可以包括氮化钛或其他无机材料。凹凸图案和其上的结构可以由包括心轴形成、间隔件沉积、侧壁图像转移等的任何数目的制造技术来创建。例如，可以使用自对准特征倍增技术来形成线阵列，该自对准特征倍增技术包括使给定的开始间距密度或特征密度相对于初始间距密度或初始特征密度成四倍。可以使用包括光刻扫描仪、晶片涂布机/显影机、刻蚀系统、清洁工具等的半导体制造设备的组合来创建凹凸图案107。
将第一光致抗蚀剂沉积在衬底上。这种沉积可以通过液体光致抗蚀剂的旋涂沉积来执行。该沉积形成第一光致抗蚀剂层121，其中第一光致抗蚀剂填充由凹凸图案107限定的开口。形成第一光致抗蚀剂层121产生从凹凸图案107的顶表面延伸到第一光致抗蚀剂层的顶表面的第一光致抗蚀剂的上覆层。尺寸124示出了第一光致抗蚀剂层121的示例性上覆层部分。要注意的是，形成第一光致抗蚀剂层121可以涉及任何需要的或优选的处理步骤，诸如烘烤光致抗蚀剂以去除各种溶剂等。图2A和图2B示出了该沉积步骤的示例性结果。
接下来，去除第一光致抗蚀剂层121的一部分，其包括去除第一光致抗蚀剂层121的上覆层，使得第一光致抗蚀剂保留在由凹凸图案107限定的开口中。此时，如图3A和图3B所示，衬底105包括凹凸图案107的结构之间的间隔填充有第一光致抗蚀剂层121的凹凸图案107。
可以使用各种技术来去除光致抗蚀剂的上覆层。例如，可以利用使用基于等离子体的刻蚀剂的回蚀(etch back)工艺来刻蚀光致抗蚀剂，直到露出凹凸图案的顶表面。在另一种技术中，可以执行酸扩散和显影步骤，该步骤包括在第一光致抗蚀剂层上沉积酸并且使酸向第一光致抗蚀剂层中扩散预定深度。这种垂直扩散可以通过烘烤衬底来完成。温度和时间参数可以准确地控制平均扩散深度，并且因此可以控制溶解度移位的深度。然后可以使用显影化学品来溶解和去除现在可溶的上覆层。垂直扩散也可以通过使用基于像素的投影系统在衬底的选定区域内激活更多或更少的酸来进行位置控制。另一种技术可以包括执行化学机械抛光工艺或上覆层的其他物理去除。利用任何选定类型的上覆层去除工艺，光致抗蚀剂可以凹陷到凹凸图案107的顶表面以下。
因此，沉积和上覆层去除步骤产生在如下特征(诸如线)之间具有光致抗蚀剂的衬底：该特征对于大于124纳米的光波长而言太小而不能传播。使衬底基本上平坦化(去除上覆层)或者甚至使光致抗蚀剂凹陷到凹凸图案107以下有利于防止在曝光期间的任何凹口(notching)风险。
然后将衬底105暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第一图案175。图4A示出了阻挡EUV辐射防止其到达衬底的一部分的光掩模172。这对应于如图4B所示的阴影区域173。图5描绘了光掩模172的顶视图。给定的EUV光掩模基本上划分了衬底上的一个或多个区域以保持或去除。在图4B中的具体示例中，期望保持线之间的第一光致抗蚀剂的相对较小部分，而去除剩余的光致抗蚀剂。其中将衬底暴露于光化辐射的第一图案包括光化辐射的第一图案限定切口或块。
EUV光刻系统通常是可用的，并且通常使用13纳米波长的EUV辐射。利用EUV的光刻曝光可以使线之间的光致抗蚀剂的溶解度移位，因为EUV的13nm波长(或其他波长)足够小以能在亚分辨率线之间传播。换句话说，EUV辐射具有足够小的波长以能达到线之间。因此，线之间的材料可以是光致抗蚀剂并且具有溶解度移位(从不可溶到可溶，或从可溶到不可溶)。这是有益的，因为通常在不存在底部抗反射涂层的情况下不能对光致抗蚀剂进行曝光。但是本文的技术可以在不存在下层BARC层的情况下引起在相对较小的线之间的光致抗蚀剂材料的溶解度移位。
由于只有EUV可以穿过这个传统的禁止区域，因此线之间的这种光化辐射曝光在传统的非EUV光刻中不可能实现。通常这个区域太紧或小而使得任何光均不适合通过。然而，使用EUV，有可能对间距四倍或其他间距倍增图案内的交叉指型光致抗蚀剂进行成像。例如，对于16nm的间隔，不可能利用193nm的光刻进行成像，但是利用13nm波长辐射，在这些小的开口中发生成像。
要注意的是，各种抗蚀剂色调(tone)和显影剂色调可以与本文的技术一起使用。如果选定的光致抗蚀剂色调为负性，则可以使用正性显影剂。利用这样的组合，使用暗场光掩模将产生块，而使用明场光掩模将产生切口。如果选定的光致抗蚀剂色调为正性，则可以使用负性显影剂。利用这样的正性色调负性显影剂组合，使用暗场光掩模将产生块，而使用明场光掩模将产生切口。因此，如本领域技术人员可以理解的，各种化学品和图案化选项是可用的。
使用157nm和更大的光波长的光刻从使用通常沉积在光致抗蚀剂层下面的抗反射涂层中受益。这种抗反射涂层用于防止因反射离开表面而引起的图像失真。本领域的技术人员将认识到，在EUV背景下的抗反射涂层是错误的概念，因为EUV辐射(也称为软x射线)通常穿过世上已知的材料和/或引起二次电子散射。由于EUV光的物理特性与157nm及以上的光的物理特性大不相同，因此将设想的非EUV光刻知识推论到EUV光刻中会导致误解材料需求。通过适当的光致抗蚀剂调整，在EUV曝光的情况下完全不需要BARC。可选地，可以包括埋置扩散层。该扩散层-代替提供抗反射性或要求保护的二次电子捕获-仅包含化学酸负载，诸如光酸生成剂，以增强成像。在该扩散层中的酸负载可以向光致抗蚀剂层提供相对小部分的酸以改善成像。
在暴露于光化辐射175的第一图案之后，使用第一预定显影剂对第一光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影。通常，显影是指沉积或施加溶解光致抗蚀剂的可溶部分的液体显影剂，其中溶解的光致抗蚀剂然后可以从衬底上漂洗掉。要注意的是，取决于特定的光致抗蚀剂色调和显影剂色调组合，可溶部分可以是暴露于光化辐射的部分或者被遮蔽而未受到光化辐射的部分。图6A和图6B示出了显影步骤之后的示例性结果。不是所有的第一光致抗蚀剂层121剩下的部分都是连接两条线的相对较小的部分。
此时可以执行额外的图案化曝光，或者可以执行图案转移。将第一组合图案转移到下层110中。第一组合图案是在去除第一光致抗蚀剂的上覆层之后并在对第一光致抗蚀剂的可溶部分进行显影之后的第一光致抗蚀剂层121的剩余部分和凹凸图案107的组合。图7A和图7B示出了在转移该第一组合图案并去除凹凸图案107和第一光致抗蚀剂层121之后的示例结果。下层110现在是基于第一组合图案的凹凸图案。
在其他实施方式中，将第二光致抗蚀剂沉积在衬底上，从而形成第二光致抗蚀剂层，其中第二光致抗蚀剂填充由凹凸图案限定的开口并且产生从凹凸图案的顶表面延伸至第二光致抗蚀剂层的顶表面的第二光致抗蚀剂的上覆层。去除第二光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除第二光致抗蚀剂的上覆层，使得第二光致抗蚀剂保留在由凹凸图案限定的开口中。衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第二图案。使用第二预定显影剂对第二光致抗蚀剂的可溶部分进行显影。第一预定显影剂和第二预定显影剂可以不同或相同。
在该第二显影步骤之后，可以将第二组合图案转移到下层中。第二组合图案是在去除第二光致抗蚀剂的上覆层之后并在对第二光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影之后的第二光致抗蚀剂层的剩余部分和凹凸图案的组合。因此下层可以作为记忆层。
可以在曝光之间不使用记忆层的情况下执行两次或更多次曝光。在对第一光致抗蚀剂的可溶部分进行显影之后，可以处理第一光致抗蚀剂的剩余部分，使得第一光致抗蚀剂的剩余部分不再对极紫外辐射敏感。存在各种可用的化学、热和物理冷冻处理。例如，可以在刻蚀室内使用直流叠加来用弹道电子流处理衬底。
使用切口掩模、块掩模、光致抗蚀剂色调、显影剂色调和记忆步骤的各种组合，可以创建任意数目的图案。图8和图9仅示出了可以用本文的技术创建的两个示例性图案。在其他实施方式中，例如，可以通过交叉指型抗蚀剂的第一EUV曝光将块记录在记忆层中。然后用光致抗蚀剂过涂覆衬底，该光致抗蚀剂然后被下拉，并通过第二EUV掩模曝光以对切口进行图案化，该切口然后被刻蚀转移到记忆层中。然后可以将记忆层中的复合图案用作刻蚀掩模，或者与附加的图案化操作一起使用。因此，通过本文的技术会实现许多常规期望的但不获得的图案化操作。
在前面的描述中，已经阐述了具体细节，诸如处理系统的特定几何形状以及其中使用的各种部件和处理的描述。然而，应当理解，本文中的技术可以在偏离这些具体细节的其他实施方式中实施，并且这些细节是为了说明目的而非限制的目的。已经参考附图描述了本文公开的实施方式。类似地，出于说明的目的，已经阐述了具体的数字、材料和配置，以便提供透彻的理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践实施方式。具有基本相同的功能构造的部件由相同的附图标记表示，并且因此可以省略任何冗余的描述。
已经将各种技术描述为多个离散操作以帮助理解各种实施方式。描述顺序不应被解释为暗示这些操作需要依赖于顺序。事实上，这些操作不需要按照呈现的顺序进行。所描述的操作可以以与所述实施方式不同的顺序来执行。在附加实施方式中可以执行各种附加操作和/或可以省略所描述的操作。
如本文所使用的“衬底”或“目标衬底”通常是指根据本发明正在处理的对象。衬底可以包括器件、特别是半导体或其他电子器件的任何材料部分或结构，并且可以例如是诸如半导体晶片的基础衬底结构、掩膜版或者位于基础衬底结构上的层或覆盖基础衬底的层，诸如薄膜。因此，衬底不限于任何特定的图案化或未图案化的基础结构、下层或上覆层，而是预期包括任何这样的层或基础结构，以及层和/或基础结构的任何组合。该描述可以参考特定类型的衬底，但这仅用于说明目的。
本领域技术人员还将理解，可以在仍然实现本发明的相同目标的情况下对上述技术的操作做出许多变化。这样的变化旨在被本公开的范围所覆盖。因此，本发明的实施方式的前述描述不旨在是限制性的。而是，在所附的权利要求书中呈现对本发明的实施方式的任何限制。

Claims (16)

1.一种对衬底进行图案化的方法，所述方法包括：
接收具有凹凸图案的衬底，所述凹凸图案包括限定如下开口的结构：所述开口的宽度小于足以实现波长大于124纳米的电磁辐射的波传播的宽度，所述结构包括对极紫外辐射不敏感的材料；
在所述衬底上沉积第一光致抗蚀剂，从而形成第一光致抗蚀剂层，其中所述第一光致抗蚀剂填充由所述凹凸图案限定的开口并且产生从所述凹凸图案的顶表面延伸到所述第一光致抗蚀剂层的顶表面的所述第一光致抗蚀剂的上覆层；
去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除所述第一光致抗蚀剂的所述上覆层，使得所述第一光致抗蚀剂保留在由所述凹凸图案限定的开口中；
在去除所述第一光致抗蚀剂的所述上覆层之后，将所述衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第一图案，所述光化辐射的第一图案是使用光掩模形成的；
在将所述衬底暴露于所述光化辐射的第一图案之后，使用第一预定显影剂对所述第一光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影，从而产生作为所述第一光致抗蚀剂层的剩余部分和所述凹凸图案的组合的第一组合图案；以及
将所述第一组合图案转移到下层中；
其中，所述方法还包括：在对所述第一光致抗蚀剂的可溶部分进行显影之后，处理所述第一光致抗蚀剂的剩余部分，使得所述第一光致抗蚀剂的剩余部分不再对极紫外辐射敏感。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底上沉积第二光致抗蚀剂，从而形成第二光致抗蚀剂层，其中所述第二光致抗蚀剂填充由所述第一组合图案限定的开口并且产生从所述第一组合图案的顶表面延伸到所述第二光致抗蚀剂层的顶表面的第二光致抗蚀剂的上覆层；
去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除所述第二光致抗蚀剂的上覆层，使得所述第二光致抗蚀剂保留在由所述第一组合图案限定的开口中；
将所述衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第二图案；以及
使用第二预定显影剂对所述第二光致抗蚀剂的可溶部分进行显影。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
将第二组合图案转移到所述下层中，所述第二组合图案是在去除所述第二光致抗蚀剂的上覆层之后并在对所述第二光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影之后的所述第二光致抗蚀剂层的剩余部分和所述第一组合图案的组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，接收所述衬底包括接收其中所述凹凸图案包括使用自对准特征倍增技术形成的线阵列的衬底。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述自对准特征倍增技术包括使初始特征密度成四倍。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层包括执行使用基于等离子体的刻蚀剂的回蚀工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层包括执行酸扩散和显影步骤，所述酸扩散和显影步骤包括在所述第一光致抗蚀剂层上沉积酸并且使所述酸向所述第一光致抗蚀剂层中扩散预定深度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层包括执行化学机械抛光工艺。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层包括使所述第一光致抗蚀剂凹陷到所述凹凸图案的顶表面以下。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，接收所述衬底包括接收不包括底部抗反射涂层BARC的衬底。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，接收所述衬底包括接收其中所述凹凸图案中限定的开口的宽度足以实现波长在7纳米与40纳米之间的电磁波传播的衬底。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述衬底暴露于所述光化辐射的第一图案包括所述光化辐射的第一图案限定切口或块。
13.一种对衬底进行图案化的方法，所述方法包括：
接收具有凹凸图案的衬底，所述凹凸图案包括限定宽度在4纳米和40纳米之间的开口的结构，所述结构包括对极紫外辐射不敏感的材料；
在所述衬底上沉积第一光致抗蚀剂，从而形成第一光致抗蚀剂层，其中所述第一光致抗蚀剂填充由所述凹凸图案限定的开口并且产生从所述凹凸图案的顶表面延伸到所述第一光致抗蚀剂层的顶表面的第一光致抗蚀剂的上覆层；
去除所述第一光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层，使得所述第一光致抗蚀剂保留在由所述凹凸图案限定的开口中；
在去除所述第一光致抗蚀剂的上覆层之后，将所述衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第一图案，所述光化辐射的第一图案是使用光掩模形成的；
在将所述衬底暴露于所述光化辐射的第一图案之后，使用第一预定显影剂对所述第一光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影，从而产生作为所述第一光致抗蚀剂层的剩余部分和所述凹凸图案的组合的第一组合图案；以及
将所述第一组合图案转移到下层中，
其中，所述方法还包括：在对所述第一光致抗蚀剂的可溶部分进行显影之后，处理所述第一光致抗蚀剂的剩余部分，使得所述第一光致抗蚀剂的剩余部分不再对极紫外辐射敏感。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，由所述凹凸图案限定的开口的宽度在5纳米和20纳米之间。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
在所述衬底上沉积第二光致抗蚀剂，从而形成第二光致抗蚀剂层，其中所述第二光致抗蚀剂填充由所述第一组合图案限定的开口并且产生从所述第一组合图案的顶表面延伸到所述第二光致抗蚀剂层的顶表面的第二光致抗蚀剂的上覆层；
去除所述第二光致抗蚀剂层的一部分，其包括去除所述第二光致抗蚀剂的上覆层，使得所述第二光致抗蚀剂保留在由所述第一组合图案限定的开口中；
将所述衬底暴露于来自极紫外光刻曝光系统的光化辐射的第二图案；以及
使用第二预定显影剂对所述第二光致抗蚀剂的可溶部分进行显影。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
将第二组合图案转移到所述下层中，所述第二组合图案是在去除所述第二光致抗蚀剂的上覆层之后并在对所述第二光致抗蚀剂层的可溶部分进行显影之后的所述第二光致抗蚀剂层的剩余部分和所述第一组合图案的组合。
CN201680068260.XA 2015-09-30 2016-09-21 使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法 Active CN108292593B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562235220P 2015-09-30 2015-09-30
US62/235,220 2015-09-30
PCT/US2016/052752 WO2017058589A1 (en) 2015-09-30 2016-09-21 Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108292593A CN108292593A (zh) 2018-07-17
CN108292593B true CN108292593B (zh) 2023-02-17

Family

ID=58408997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680068260.XA Active CN108292593B (zh) 2015-09-30 2016-09-21 使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10606176B2 (zh)
KR (1) KR102634069B1 (zh)
CN (1) CN108292593B (zh)
TW (1) TWI625602B (zh)
WO (1) WO2017058589A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991156B2 (en) 2016-06-03 2018-06-05 International Business Machines Corporation Self-aligned quadruple patterning (SAQP) for routing layouts including multi-track jogs
US10274847B2 (en) 2017-09-19 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Humidity control in EUV lithography
US10727045B2 (en) * 2017-09-29 2020-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US10153161B1 (en) * 2017-11-27 2018-12-11 Nanya Technology Corporation Method for manufacturing a semiconductor structure
US11537049B2 (en) * 2019-02-26 2022-12-27 Tokyo Electron Limited Method of line roughness improvement by plasma selective deposition
KR102268459B1 (ko) 2019-09-06 2021-06-23 주식회사 이솔 고차조화파 광원을 이용한 고성능 간섭 패터닝 장치
JP2022548863A (ja) * 2019-09-19 2022-11-22 東京エレクトロン株式会社 狭小トレンチを形成する方法
US20230290676A1 (en) * 2022-03-10 2023-09-14 Tokyo Electron Limited Self Aligned Multiple Patterning Method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101556437A (zh) * 2008-02-08 2009-10-14 台湾积体电路制造股份有限公司 图案化方法
CN102338982A (zh) * 2010-03-05 2012-02-01 罗门哈斯电子材料有限公司 形成光刻图案的方法
CN103681248A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
TW201517120A (zh) * 2013-09-05 2015-05-01 Applied Materials Inc 使用化學機械平坦化形成阻劑陣列之方法及設備

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667940A (en) * 1994-05-11 1997-09-16 United Microelectronics Corporation Process for creating high density integrated circuits utilizing double coating photoresist mask
JP2000056469A (ja) 1998-08-06 2000-02-25 Tdk Corp レジストパターンの形成方法
US6361402B1 (en) * 1999-10-26 2002-03-26 International Business Machines Corporation Method for planarizing photoresist
US6635394B2 (en) 2001-05-31 2003-10-21 Macronix International Co., Ltd. Three dimensional mask
US7279267B2 (en) * 2003-08-19 2007-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manipulating the topography of a film surface
US7314799B2 (en) * 2005-12-05 2008-01-01 Semisouth Laboratories, Inc. Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making
KR20110133828A (ko) * 2010-06-07 2011-12-14 삼성전자주식회사 포토레지스트 패턴 형성 방법
US8871596B2 (en) * 2012-07-23 2014-10-28 International Business Machines Corporation Method of multiple patterning to form semiconductor devices
US8987070B2 (en) 2012-09-12 2015-03-24 International Business Machines Corporation SOI device with embedded liner in box layer to limit STI recess

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101556437A (zh) * 2008-02-08 2009-10-14 台湾积体电路制造股份有限公司 图案化方法
CN102338982A (zh) * 2010-03-05 2012-02-01 罗门哈斯电子材料有限公司 形成光刻图案的方法
CN103681248A (zh) * 2012-09-04 2014-03-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
TW201517120A (zh) * 2013-09-05 2015-05-01 Applied Materials Inc 使用化學機械平坦化形成阻劑陣列之方法及設備

Also Published As

Publication number Publication date
US10606176B2 (en) 2020-03-31
CN108292593A (zh) 2018-07-17
KR102634069B1 (ko) 2024-02-05
KR20180050425A (ko) 2018-05-14
US20170090290A1 (en) 2017-03-30
TW201723669A (zh) 2017-07-01
WO2017058589A1 (en) 2017-04-06
TWI625602B (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108292593B (zh) 使用极紫外光刻对衬底进行图案化的方法
TWI493626B (zh) 使蝕刻底蝕最小化並提供完全金屬剝落（ｌｉｆｔｏｆｆ）的方法
US8053368B2 (en) Method for removing residues from a patterned substrate
CN107851557B (zh) 形成用于基板图案化的掩模的方法
US7358111B2 (en) Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography
US6416933B1 (en) Method to produce small space pattern using plasma polymerization layer
KR100912990B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
US8546048B2 (en) Forming sloped resist, via, and metal conductor structures using banded reticle structures
US9263297B2 (en) Method for self-aligned double patterning without atomic layer deposition
US20070082296A1 (en) Method of forming micro-patterns using multiple photolithography process
US6329124B1 (en) Method to produce high density memory cells and small spaces by using nitride spacer
KR100907898B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
JP2022549067A (ja) 基板のパターン化処理
CN110911553A (zh) 半导体装置的制造方法
US9989846B2 (en) Method for patterning incorporating misalignment error protection
JP2010156819A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010027978A (ja) パターン形成方法
TWI837423B (zh) 基板圖案化
JP2010118501A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008135649A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5034410B2 (ja) 現像ローディング測定方法および現像ローディング測定基板
KR20100001664A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
TW202417972A (zh) 使用二次光阻表面功能化進行遮罩形成的圖案化方法
KR20240011641A (ko) 마스크 형성을 위한 이차 레지스트 표면 기능화를 이용하는패터닝 방법
KR100209231B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant