CN108281518A - 一种柔性led器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性LED器件及其制备方法,所述方法包括以下步骤:先提供一P‑型硅晶片为衬底,在所述衬底上旋涂一层光刻胶,通过曝光、显影制程,在所述衬底上获得一层图案化的P‑型硅微米柱;然后在所述P‑型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括所述P‑型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层;再在所述复合膜层上依次制备N‑型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层;最后剥离所述衬底,在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层,然后将其转移至柔性衬底上,形成一种发光均匀的柔性LED器件。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件制造领域,尤其涉及一种柔性LED器件及其制备方法。
背景技术
LED(Lighting Emitting Diode)即为发光二极管,是一种能将电能转化为光能的半导体固体发光器件,LED与普通的二极管类似都是由一个PN结组成,其发光机理是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过P区的空穴和和N区的电子发生复合,释放出过剩的能量而引起光子发射,根据不同的半导体材料中禁带宽度不同,其空穴和电子所处的能量状态也不同,因此在其复合时释放出的能量则不同,从而产生不同波长的光。
随着科学技术的发展,LED的性能在不断提高,LED被广泛的应用在各个领域,比如照明、装饰、背光源和景观照明等。LED的发展在各个应用领域发展迅猛,但是也随之而来会遇到一些挑战:其一、随着低碳经济时代的到来,发展更为节能的LED是势在必行的任务;其二、因LED为硬质、不能够弯曲的特点,不能够满足其在某些特定场合的使用需求,因此,发展柔性的LED是当下需解决的问题。
目前要实现LED的柔性,OLED虽然可以很好的实现柔性,但是制程条件苛刻,难以生产尺寸相对较大,而传统的无机半导体LED,一个难以突破的问题就是在于半导体硅材料在弯曲时的脆性问题。
发明内容
本发明提供的一种柔性LED器件及其制备方法,能够克服硅材料的在弯曲时的脆性,能够突破硬质LED使用范围的局限性,制程相对简单且能够节能。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种柔性LED器件的制备方法,所述方法包括以下步骤:
步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底,在所述衬底上旋涂一层光刻胶,通过曝光、显影制程,在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱;
步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层;
步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层;
步骤S4、剥离所述衬底,在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层,然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上,形成柔性LED器件。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S1中,至少一部分所述P-型硅晶片用作所述衬底,另一部分图案化后经形成均一的所述P-型硅微米柱,且所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述衬底上。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S2之后,所述方法还包括以下步骤:刻蚀所述复合膜层,使所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂共平面。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S3中,采用离子磁控溅射的方式在所述复合膜层表面沉积一层所述N-型掺杂金属氧化物膜层,使所述N-型掺杂金属氧化物膜层与所述P-型硅微米柱形成P-N结。
本发明还提供一种采用上述制备方法制备的柔性LED器件,包括:
柔性衬底基板,所述柔性衬底基板包括有显示区域;
阳极层,对应所述显示区域制备于所述柔性衬底基板上;
复合膜层,制备于所述阳极层上,所述复合膜层包括软模高分子树脂以及P-型硅微米柱;
N-型金属氧化物层,制备于所述复合膜层上;
阴极层,制备于所述N-型金属氧化物层上;
其中,所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述复合膜层中,且贯穿于所述软模高分子树脂,与所述N-型金属氧化物层形成P-N结。
根据本发明一优选实施例,所述P-型硅微米柱的直径为0.5um~10um。
根据本发明一优选实施例,所述P-型硅微米柱的高度为5um~100um。
根据本发明一优选实施例,相邻两所述P-型硅微米柱之间的距离为2um~20um。
根据本发明一优选实施例,所述P-型硅微米柱的形状为圆柱形、棱柱形、圆台形或者棱台形。
根据本发明一优选实施例,所述软模高分子树脂的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、柔性环氧树脂以及柔性聚亚酰胺中的一者或一者以上。
本发明的有益效果为:相较于现有的LED器件,本发明提供的柔性LED器件及其制备方法,通过将LED器件的P-型硅材料制作成均匀分布的P-型硅微米柱,然后在P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括P-型硅微米柱与软模高分子树脂的复合膜层,再进行LED器件的制备。本发明克服了现有LED器件的硅材料在弯曲时由于脆性而导致影响LED器件的显示性能,由于本发明的复合膜层在保证半导体硅材料的相应功能下,具有柔性的特质,突破硬质LED使用范围的局限性,制备的柔性LED器件具有发光均匀性,不仅制程相对简单,可以大规模生产,且在实现柔性的同时也能够节能。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的柔性LED器件的制备方法流程图;
图2a~图2f为本发明提供的制备柔性LED器件的过程示意图;
图3为本发明实施例提供的柔性LED器件结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有技术的液晶面板可靠性测试,在RA测试中无法全面的反应出直下式和侧入式背光产生的温度对GOA电路正常工作的影响,从而造成浪费人力物力的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
参考图1,为本发明提供的柔性LED器件的制备方法流程图,所述方法包括以下步骤:
步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底,在所述衬底上旋涂一层光刻胶,通过曝光、显影制程,在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱;
步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层;
步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层;
步骤S4、剥离所述衬底,在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层,然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上,形成柔性LED器件。
具体地,请参照图2a-图2f所示,为本发明提供的制备柔性LED器件的过程示意图,先提供一个方形的P-型硅晶片20,在所述P-型硅晶片20表面旋涂光刻胶,形成光刻胶层21,以至少一部分所述P-型硅晶片20用作衬底201,另一部分进行图案化,通过曝光、显影制程,在所述衬底201上形成均一的P-型硅微米柱202,且所述P-型硅微米柱202均匀的分布于所述衬底201上,且相邻两所述P-型硅微米柱202之间存在间隙。然后在所述P-型硅微米柱202之间的所述间隙处填充软模高分子树脂203,形成一层包括所述P-型硅微米柱202与所述软模高分子树脂203的复合膜层22;所述复合膜层22覆盖所述衬底201。再对所述复合膜层22进行刻蚀,将裸露出所述软模高分子树脂203的所述P-型硅微米柱202的尖端刻蚀掉,使所述P-型硅微米柱202与所述软模高分子树脂203共平面,形成平坦的所述复合膜层22的表面,其中可采用氧等离子体刻蚀的方法进行刻蚀。然后采用离子磁控溅射的方式在所述复合膜层22的表面沉积一层N-型掺杂金属氧化物膜层23,使所述N-型掺杂金属氧化物膜层23与所述P-型硅微米柱202形成P-N结。紧接着在所述N-型掺杂金属氧化物膜层23上制备一层第一金属电极层24,以所述第一金属电极层24作为所述LED器件的阴极层。之后将所述衬底201与所述复合膜层22机械剥离,优选的,以能露出所述软模高分子树脂203的位置进行剥离所述衬底201,保持所述复合膜层22的剥离面的平整性与完整性。在所述复合膜层22剥离掉所述衬底201一侧的表面上制备第二金属电极层25,以所述第二金属电极层25作为所述LED器件的阳极层。最后将由所述复合膜层22、所述第一金属电极层24、所述第二金属电极层25和所述N-型掺杂金属氧化物膜层23组成的整体转移至PET柔性衬底26上,形成柔性LED器件。
其中,所述光刻胶优选为正性光刻胶,形成的所述光刻胶层的厚度在100nm~300nm之间,通过曝光、显影,可将所述P-型硅晶片20的图案化部分中的曝光部分的消除掉,也可以选择负性光刻胶。通过蚀刻工艺后获得高度有序、均匀的所述P-型硅微米柱202。剥离所述衬底201时也可以不露出所述软模高分子树脂203。
所述软模高分子树脂203均匀的填充于两所述P-型硅微米柱202形成的所述间隙处,形成所述复合膜层22。所述软模高分子树脂203的材料可以选择聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、柔性环氧树脂、柔性聚亚酰胺等其中的一种或多种。
所述N-型掺杂金属氧化物膜层23的厚度为200nm~500nm之间,所述N-型掺杂金属氧化物膜层23的材料可以选择为ZnO、Cu2O、SnO2、Fe2O3、TiO2、ZrO2、CoO、WO3、In2O3、Al2O3、Fe3O4等其中的一种或一种以上,不同的N-型金属氧化物和P-型半导体硅之间的禁带宽度不同,也对应发出不同长度波长的光。所述第一金属电极层24以及所述第二金属电极层25的材料可以为石墨烯、Ag、Al、Cu、Zn等导体金属中的任意一种或者多种金属复合膜。
参照图3所示,本发明还提供一种采用上述制备方法制备的柔性LED器件,包括:柔性衬底基板30,所述柔性衬底基板30包括有显示区域;阳极层31,对应所述显示区域制备于所述柔性衬底基板30上;复合膜层32,制备于所述阳极层31上,所述复合膜层32包括软模高分子树脂320以及P-型硅微米柱321;N-型金属氧化物层33,制备于所述复合膜层32上;阴极层34,制备于所述N-型金属氧化物层33上。其中,所述P-型硅微米柱321均匀的分布于所述复合膜层32中,且贯穿于所述软模高分子树脂320,使所述P-型硅微米柱321两端分别与所述阳极层31以及所述N-型金属氧化物层33接触,且与所述N-型金属氧化物层33形成P-N结,从而导通所述阳极层31与所述阴极层34。
所述P-型硅微米柱321的直径范围在0.5um~10um之间,优选为2um~6um;高度在5um~100um之间,优选高度为20um~80um。以及相邻两所述P-型硅微米柱321之间的距离为2um~20um之间,优选为5um~12um之间。所述P-型硅微米柱321的形状为圆柱形、棱柱形、圆台形或者棱台形等形状,此处不做限制。
由于本发明将LED器件中的半导体硅材料制作成与高分子树脂结合的形式,在保证该半导体硅材料原有的作用下,通过增加柔性材料,改善该半导体硅材料的脆性问题,使该半导体硅材料在弯曲时不被破坏。本发明提供的实施例是将P-型硅材料制作成P-型硅微米柱的形式,可以理解的是,在不影响功能的情况下,本发明还可将P-型硅材料制作成其他工艺可接受的形状,使其与柔性材料有机的结合,从而改善硅材料在弯曲时的脆性问题。
相较于现有的LED器件,本发明提供的柔性LED器件及其制备方法,首先以P-型硅晶片的一部分作为衬底,另一部分刻蚀形成一层P-型硅微米柱,然后在P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括P-型硅微米柱与软模高分子树脂的复合膜层;再制备N-型掺杂金属氧化物膜层以形成P-N结,之后将P-型衬底机械剥离,完成电极的制备后再转移至PET衬底上形成柔性LED器件。本发明克服了LED器件的硅材料在弯曲时由于脆性而导致影响LED器件的显示性能,由于本发明的复合膜层在保证半导体硅材料的相应功能下,具有柔性的特质,突破硬质LED使用范围的局限性,制备的柔性LED器件具有发光均匀性,不仅制程相对简单,可以大规模生产,且在实现柔性的同时也能够节能。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种柔性LED器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底,在所述衬底上旋涂一层光刻胶,通过曝光、显影制程,在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱;
步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂,形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层;
步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层;
步骤S4、剥离所述衬底,在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层,然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上,形成柔性LED器件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,至少一部分所述P-型硅晶片用作所述衬底,另一部分图案化后经形成均一的所述P-型硅微米柱,且所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2之后,所述方法还包括以下步骤:刻蚀所述复合膜层,使所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂共平面。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S3中,采用离子磁控溅射的方式在所述复合膜层表面沉积一层所述N-型掺杂金属氧化物膜层,使所述N-型掺杂金属氧化物膜层与所述P-型硅微米柱形成P-N结。
5.一种采用权利要求1~4任一权利要求所述的制备方法制备的柔性LED器件,其特征在于,包括:
柔性衬底基板,所述柔性衬底基板包括有显示区域;
阳极层,对应所述显示区域制备于所述柔性衬底基板上;
复合膜层,制备于所述阳极层上,所述复合膜层包括软模高分子树脂以及P-型硅微米柱;
N-型金属氧化物层,制备于所述复合膜层上;
阴极层,制备于所述N-型金属氧化物层上;
其中,所述P-型硅微米柱均匀的分布于所述复合膜层中,且贯穿于所述软模高分子树脂,与所述N-型金属氧化物层形成P-N结。
6.根据权利要求5所述的柔性LED器件,其特征在于,所述P-型硅微米柱的直径为0.5um~10um。
7.根据权利要求5所述的柔性LED器件,其特征在于,所述P-型硅微米柱的高度为5um~100um。
8.根据权利要求5所述的柔性LED器件,其特征在于,相邻两所述P-型硅微米柱之间的距离为2um~20um。
9.根据权利要求5所述的柔性LED器件,其特征在于,所述P-型硅微米柱的形状为圆柱形、棱柱形、圆台形或者棱台形。
10.根据权利要求5所述的柔性LED器件,其特征在于,所述软模高分子树脂的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、柔性环氧树脂以及柔性聚亚酰胺中的一者或一者以上。
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