CN108281292B - 一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种Ni‑Co‑S纳米针阵列的制备方法，其主要改进点为，将水热反应的时间控制在8h时，水热反应的温度120℃增大到160℃，Ni‑Co‑S纳米片阵列将转变成Ni‑Co‑S纳米针阵列；成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni‑Co‑S纳米阵列作为自支撑电极，在碱性电解液中通过三电极测试，当电流密度为2mAcm‑2时比电容高达1.334Fcm‑1，大电流充放电时比电容保持率可达到80％(电流密度在20mAcm‑2时)，同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法，为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。

Description

一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法及其应用
技术领域
本发明涉及一种纳米材料，特别涉及一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法。
背景技术
目前，具有高的功率密度，快速充放电，良好循环稳定性和环境友好性的电化学超级电容器(ESCs)在储能器件方面引起了高度关注。然而，大多数电化学超级电容器与传统充放电电池相比仍然有着相对较低的能量密度(一般低于10W h kg-1)。赝电容器作为超级电容器的一种，其储能原理主要是电极材料表面快速可逆的多电子法拉第反应，与双层电容器相比，具有更大的比电容和能量密度。然而电极材料如过渡金属氧化物/氢氧化物和碳材料，本身通常具有低的电导率和比电容，这就阻碍了电化学超级电容器的大规模实际应用。
最近，过渡金属硫化物(TMS)，尤其是硫化镍(Ni2S3等)，硫化钴 (Co9S8,Co3S4等)和立方结构的钴镍硫化物(Co-Ni-S等)与其对应的氧化物相比，由于具有优良的导电性和高的电化学活性被报道为有效的赝电容电极材料。此外，双金属硫化物同时具有镍和钴离子与单金属硫化物(硫化镍、硫化钴)相比可以提供更丰富的氧化还原反应，这就使得其具有更高的比电容性质。这种双金属硫化物可以通过其金属氧化物/氢氧化物前驱体的阴离子交换反应和Kirkendall效应制备获得，最终重构多种可调形貌的纳米结构，如纳米球、纳米线、碳纳米管和纳米片。但是目前为止，过渡金属硫化物电极材料，由于它们的高度依赖于材料表面的法拉第氧化还原反应和大电流密度下迟缓的反应动力，使得其具有低电容保持率和较差的电化学稳定性。因此，先进的赝电容电极材料结构的合理设计不仅可以提高电导率和原子利用率，而且可以有效的缩短电子/离子扩散路径。二维纳米片结构由于结构的各向异性和高的面积体积比,这赋予电子和离子较短的扩散路径。更重要的是，直接在具有导电性基底上(石墨烯、碳纤维、碳纳米管/纳米线、导电聚合物、和泡沫镍等)构建无粘合剂自支撑结构的纳米阵列将有效的促进赝电容的电荷转移和提高电导率。但是，在导电基底上二位纳米片的自聚集和无序排列限制了活性位点的暴露，使其比电容和氧化还原反应的动力学降低。因此，探索合适的功能材料，进一步精细地设计和加工它们的微纳结构和特定的成分，以满足上述前提条件，是十分重要和迫切的工作。
发明内容
本发明的目的是提供一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法，包括如下步骤：
1)将Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O和C6H12N4溶解于甲醇中，形成清晰的溶液，然后将泡沫镍添加到上述溶液中，得混合液；将所述混合液置于高压反应釜中，在温度170～190℃保持11～13h，得负载有Ni-Co前驱体的泡沫镍；
2)将硫代乙酰胺溶解于去离子水中，充分分散后得硫代乙酰胺溶液，将所述负载有Ni-Co前驱体的泡沫镍添加到所述硫代乙酰胺溶液中，在温度140～160℃的条件下保持8～12h,得Ni-Co-S纳米针阵列。
优选的，钴元素和镍元素的物质的量之比为2：1；
优选的，所述C6H12N4的浓度为0.015～0.025g/ml；
进一步优选的，所述C6H12N4的浓度为0.02g/ml。
优选的，所述泡沫镍为片状，其面积为2～6cm2。本申请对泡沫镍的大小形状没有具体要求，只需可以放入反应釜中并完全浸入反应溶液即可。
优选的，所述步骤1)中，在温度180℃的条件下保持12h。
优选的，所述硫代乙酰胺与钴元素的质量比为0.2：1。
优选的，所述硫代乙酰胺在去离子水中的质量浓度为 0.008～0.012g/ml。
进一步优选的，所述硫代乙酰胺在去离子水中的质量浓度为 0.01g/ml。
优选的，步骤2)中，在温度160℃的条件下保持8h,得Ni-Co-S 纳米针阵列。
作为优选的方案，本申请的方法包括如下步骤：
1)将Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O和C6H12N4溶解于甲醇中，形成清晰的溶液，然后将泡沫镍添加到上述溶液中，得混合液；将所述混合液置于高压反应釜中，在温度180℃保持12h，得负载有 Ni-Co前驱体的泡沫镍；Co(NO3)2·6H2O和Ni(NO3)2·6H2O中钴元素和镍元素的物质的量之比为2：1；所述C6H12N4的浓度为0.02g/ml；
2)将硫代乙酰胺溶解于去离子水中，充分分散后得硫代乙酰胺溶液，将所述负载有Ni-Co前驱体的泡沫镍添加到所述硫代乙酰胺溶液中，在温度160℃的条件下保持8h,得Ni-Co-S纳米针阵列；所述硫代乙酰胺与钴元素的质量比为0.2：1；所述硫代乙酰胺在去离子水中的质量浓度为0.01g/ml。
本发明的另一目的是保护本发明的方法制备得到的Ni-Co-S纳米针阵列。
本发明的最后一个目的是保护Ni-Co-S纳米针阵列在制备自支撑电极中的应用。
本发明具有如下有益效果：
通过简单的硫化过程将以泡沫镍为基底的三维Ni-Co前驱体转化Ni-Co-S纳米针阵列电极。在制备过程中发现，将水热反应的时间控制在8～12h时，水热反应的温度为140～160℃，可形成Ni-Co-S 纳米针阵列；其中在水热反应的时间控制在8h时，水热反应的温度为160℃时，可形成形貌良好的Ni-Co-S纳米针阵列；成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni-Co-S纳米阵列作为自支撑电极，在碱性电解液中通过三电极测试，当电流密度为2 mA cm-2时比电容高达1.334F cm-1，大电流充放电时比电容保持率可达到80％(电流密度在20mA cm-2时)，同时具有极好的导电性，而且由于其原料易于获取，低成本，工艺简单，便于生产。
附图说明
图1(a),(b)和(c)泡沫镍为基底生长Ni-Co前驱体纳米网络的不同放大倍数的SEM图；
(d)和(e)反应温度为120℃，保温时间为8h得到的Ni-Co-S 纳米片阵列SEM图像；
(f)和(g)反应温度为140℃，保温时间为8h得到的Ni-Co-S 纳米片和纳米针混合阵列SEM图像；
(h)和(i)反应温度为160℃，保温时间为8h得到的Ni-Co-S 纳米针阵列SEM图像；
图2反应温度为140℃，保温时间为10h得到的Ni-Co-S纳米针阵列。
图3在3mol/L的KOH溶液中通过三电极系统测试得到的 Ni-Co-S纳米针阵列自支撑电极的电化学性质图。
(a)不同扫速下Ni-Co-S纳米针阵列的CV(循环伏安曲线)曲线。
(b)不同电流密度下Ni-Co-S纳米针阵列的恒流充分电(GCD)图。
(c)Ni-Co-S纳米针阵列的比电容与电流密度的关系图。
(d)自支撑Ni-Co-S纳米针阵列电极的阻抗谱(EIS)。
(e)在电流密度为10mA/cm2时Ni-Co-S纳米针阵列电极的循环寿命图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本实施例涉及一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法，包括如下步骤：
1)将0.29g Co(NO3)2·6H2O,0.145gNi(NO3)2·6H2O和0.6g C6H12N4 (六次甲基四胺)溶解在30ml甲醇溶液中，搅拌形成清晰的溶液。然后，一片泡沫镍(2cm×2cm)放在溶液中，并将其转移到聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，温度设置在180℃保持12h。反应结束后冷却到室温，将泡沫镍取出，分别用去离子水和乙醇清洗去除表面的污染物杂质，最后在真空干燥箱中60℃干燥12小时，得到Ni-Co前驱体 /NF(泡沫镍)。
2)将0.3g硫代乙酰胺(C2H5NS)加入到30ml去离子水中并且磁力搅拌均匀。然后，把上述溶液转业到聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，同时置入已经制备的Ni–Co前驱体/NF。接着，反应体系在烘箱中16 0℃下保持8h。合成的样品然后经过去离子水和乙醇清洗，最后放在真空干燥箱中60℃干燥12小时，得到Ni-Co-S纳米针阵列。
实施例2
将0.3g硫代乙酰胺(C2H5NS)加入到30ml去离子水中并且磁力搅拌均匀。然后，把上述溶液转业到聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，同时置入已经制备的Ni–Co前驱体/NF。接着，反应体系在烘箱中14 0℃下保持10-12h。合成的样品然后经过去离子水和乙醇清洗，最后放在真空干燥箱中60℃干燥12小时，也可得到Ni-Co-S纳米针阵列。
对比例1
与实施例1相比，其区别在于，所述步骤2)将反应体系在烘箱中 120℃下保持8h，得到Ni-Co-S纳米片阵列。
对比例2
与实施例1相比，其区别在于，所述步骤2)将反应体系在烘箱中 140℃下保持8h，得到Ni-Co-S纳米片阵列。
实验例
图1(a),(b)和(c)以泡沫镍为基底生长Ni-Co前驱体纳米网络的不同放大倍数的SEM图；图1 (a)表明泡沫镍表面均匀覆盖了垂直排列的镍钴前驱物纳米片。高倍的SEM图1(b,c)展示了镍钴前驱体纳米片密集排列，高度有序生长在泡沫镍表面。镍钴前驱体纳米片是相互联系、彼此交叉形成具有大量间隙的三维网络状结构。如图1 ( c) 表明三维网络结构，表面光滑，无自团聚现象。图1(d)和(e)反应温度为120℃，保温时间为8h得到的Ni-Co-S纳米片阵列SEM图像,当进行硫化过程后，互连和相交的镍钴前驱体纳米结构保持完好, 表明此种硫化条件对纳米结构的影响不明显；(f)和(g)反应温度为140℃，保温时间为8h得到的SEM图像，表明Ni-Co-S纳米片阵列已经部分转化为纳米针阵列；(h)和(i)反应温度为160℃，保温时间为8h得到的Ni-Co-S纳米针阵列SEM图像，表明Ni-Co-S 纳米片阵列已经完全转化为纳米针阵列，表明硫化对纳米结构有着显著的影响。
图2反应温度为140℃，保温时间为10h得到的Ni-Co-S纳米针状物阵列SEM图像。与反应温度为160℃，保温时间为8h得到的 Ni-Co-S纳米针阵列相比，此种条件得到的针状物宽度较大。
图3在3mol/L的KOH溶液中通过三电极系统测试得到的 Ni-Co-S纳米针阵列自支撑电极的电化学性质图。图3(a)是Ni-Co-S 纳米针阵列电极在5-50mV s-1扫描速率下的循环伏安曲线。正如预期的那样，在电位窗口0-0.6V内有一对显著的法拉第氧化还原峰(参比电极为Hg/HgO)，表明Ni-Co-S纳米针阵列电极发生了氧化还原反应。随着扫描速率的增加，可以看到准对称氧化还原峰和类似形状的CV曲线图，暗示着其理想的赝电容性能和优良的倍率性能。此外，由于离子从电解质中插入到纳米结构致密中心的不足，纳米结构中的阳极峰移向更高的电位，而阴极峰移向较低的电位。同时，阳极峰值电流密度增大，阴极峰值电流密度降低，表明界面上相对较低的电阻和快速氧化还原反应。图3(b)是恒电流放电图(GCD图)， 0.30–0.37V电压平台区暗示着电极材料有着典型的赝电容行为，这是由于在电极/电解质界面处电荷转移过程和电化学吸附–脱附过程引起。图3(c)Ni-Co-S纳米片阵列的比电容与电流密度的关系图, Ni-Co-S纳米针阵列电极的比电容值高达1.39,1.28,1.16,0.92,0.84 和0.7F cm-2，分别对应电流密度2,5,10,20,30and 50mA cm-2。即使在较高的电流密度20mA cm-2下仍然保持初始电容的66.0％(图 3e)。图3(d)自支撑Ni-Co-S纳米片阵列电极的交流阻抗谱，在低频区Ni-Co-S纳米针阵列的直线坡度角较大(≈80°)，揭示了在氧化还原反应过程中电解质离子小扩散阻力(RW)。另外，Ni-Co-S纳米针阵列的Rct(电荷传输电阻)的传输电阻低，这是由于充放电过程中其快速电荷转移。电化学阻抗谱(EIS)的分析结构也进一步证实Ni-Co-S 纳米针阵列有着良好的反应动力学和内电阻。图3(e)显示的是电流密度为10mA cm-2、电压为0～0.5V时，Ni-Co-S纳米针阵列电极的循环稳定性。经过1000次循环后，样品的电容有轻微的下降，保持为原来的83.0％。
插图为Ni-Co-S纳米针阵列电极在循环1000次过程中前五次和最后五次恒流充方电的对比图。
虽然，上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验，对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (3)

1.一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O和C6H12N4溶解于甲醇中，形成清晰的溶液，然后将泡沫镍添加到上述溶液中，得混合液；将所述混合液置于高压反应釜中，在温度180℃保持12h，得负载有Ni-Co前驱体的泡沫镍；Co(NO3)2·6H2O和Ni(NO3)2·6H2O中钴元素和镍元素的物质的量之比为2：1；所述C6H12N4的浓度为0 .02g/ml；
2)将硫代乙酰胺溶解于去离子水中，充分分散后得硫代乙酰胺溶液，将所述负载有Ni-Co前驱体的泡沫镍添加到所述硫代乙酰胺溶液中，在温度160℃的条件下保持8h ,得Ni-Co-S纳米针阵列；所述硫代乙酰胺与钴元素的物质的量之比为4：1；所述硫代乙酰胺在去离子水中的质量浓度为0 .01g/ml。
2.权利要求1所述方法制备得到的Ni-Co-S纳米针阵列。
3.权利要求1所述的Ni-Co-S纳米针阵列在制备自支撑电极中的应用。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109216707A (zh) * 2018-09-12 2019-01-15 成都理工大学 CuCo2S4@Ni复合材料及其制备方法和应用
CN111218693B (zh) * 2018-11-26 2021-07-23 中国科学院大连化学物理研究所 一种碱性水电解全电池
CN113529120B (zh) * 2021-08-11 2023-04-07 中国石油大学(北京) 过渡金属硫化物复合电极、其制备方法及其应用

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9957163B2 (en) * 2014-06-12 2018-05-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for manufacturing of three-dimensional freestanding porous thin-graphite with hierarchical porosity
CN105551812B (zh) * 2016-01-19 2018-07-31 南京理工大学 一种NiCo2S4超级电容器材料及其制备方法
CN106252092B (zh) * 2016-09-14 2018-12-25 中国计量大学 聚吡咯包覆的硫化钴镍纳米管材料、制备方法及应用
CN107492452A (zh) * 2017-08-02 2017-12-19 河南师范大学 阵列状多级结构硫化钴镍/泡沫镍超级电容器电极的制备方法

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