CN108277530A - 一种n型太阳能硅单晶料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,包括如下步骤:加料、熔化、缩颈生长、放肩生长和收尾。本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况,为控制硅单晶料的外形提供了有利条件,利用控制提拉速度控制晶体的直径,能够精密控制生长条件,以较快的速度获得优质大单晶,并且采用了缩颈工艺,对降低晶体的位错密度,减少镶嵌结构,提高晶体的完整性有很大作用。
Description
技术领域
本发明涉及一种N型太阳能硅单晶料的制备方法。
背景技术
在硅单晶中掺杂Ⅴ族元素,如磷或砷,磷和砷原子最外层电子数有五个,它比硅原子的外层电子数多一个电子,做为导体可增加硅的导电性能,这种掺杂的硅叫N型半导体。半导体材料的电学性能与掺杂景多少及掺杂源的纯度有直接的关系,一般在制造这些材料及掺杂过程中,都需要在超净环境下进行,否则不需要的杂质,也变成了掺杂源,污染了半导体材料,严重影响材料和器件的质量。
P型硅太阳能电池具有转换效率高,技术成熟等优点,占有世界太阳能电池产量的绝大部分。但在制造过程中,扩散制结工艺需要在温度约1000℃进行,工艺复杂,成品率低。而N型硅太阳能电池生产工艺可在200℃以下进行。符合低成本、高产量、高效率的要求。其次,相同电阻率的N型硅片的少数载流子寿命比P型硅片高。第三,N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种N型太阳能硅单晶料的制备方法以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,掺杂物为磷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,将长晶炉关闭并抽成真空后充入纯度为99.97%的高纯度氩气,然后打开石墨加热器电源,以14℃/min的速率加热至1200℃,将单晶硅原料熔化,熔化后保温,排除熔体中的气泡;
(3)缩颈生长:当熔体的温度稳定之后,将一根直径为12mm的籽晶慢慢浸入硅熔体中,将籽晶快速向上提升,晶棒以15rpm旋转,坩埚以-6rpm旋转,使长出的籽晶的直径为4mm-17mm,长为24-36mm;
(4)放肩生长:长完细颈之后,晶棒以10rpm旋转,坩埚以-5rpm旋转,降低熔体温度至700℃-720℃,逐步增大直径,使得晶体的直径渐渐增大到26mm;
(5)收尾:在晶体硅结束生长时,晶体硅的生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度到1400℃,使得晶体硅的直径不断缩小,形成一个圆锥形,最终晶体硅离开液面,单晶硅生长完成。
有益效果:本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况,为控制硅单晶料的外形提供了有利条件,利用控制提拉速度控制晶体的直径,能够精密控制生长条件,以较快的速度获得优质大单晶。
具体实施方式
下面具体实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述说明。
具体实施例1:
一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,掺杂物为磷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,将长晶炉关闭并抽成真空后充入纯度为99.97%的高纯度氩气,然后打开石墨加热器电源,以14℃/min的速率加热至1200℃,将单晶硅原料熔化,熔化后保温,排除熔体中的气泡;
(3)缩颈生长:当熔体的温度稳定之后,将一根直径为12mm的籽晶慢慢浸入硅熔体中,将籽晶快速向上提升,晶棒以15rpm旋转,坩埚以-6rpm旋转,使长出的籽晶的直径为4mm,长为24mm;
(4)放肩生长:长完细颈之后,晶棒以10rpm旋转,坩埚以-5rpm旋转,降低熔体温度至700℃,逐步增大直径,使得晶体的直径渐渐增大到26mm;
(5)收尾:在晶体硅结束生长时,晶体硅的生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度到1400℃,使得晶体硅的直径不断缩小,形成一个圆锥形,最终晶体硅离开液面,单晶硅生长完成。
具体实施例2:
一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,掺杂物为磷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,将长晶炉关闭并抽成真空后充入纯度为99.97%的高纯度氩气,然后打开石墨加热器电源,以14℃/min的速率加热至1200℃,将单晶硅原料熔化,熔化后保温,排除熔体中的气泡;
(3)缩颈生长:当熔体的温度稳定之后,将一根直径为12mm的籽晶慢慢浸入硅熔体中,将籽晶快速向上提升,晶棒以15rpm旋转,坩埚以-6rpm旋转,使长出的籽晶的直径17mm,长为36mm;
(4)放肩生长:长完细颈之后,晶棒以10rpm旋转,坩埚以-5rpm旋转,降低熔体温度至720℃,逐步增大直径,使得晶体的直径渐渐增大到26mm;
(5)收尾:在晶体硅结束生长时,晶体硅的生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度到1400℃,使得晶体硅的直径不断缩小,形成一个圆锥形,最终晶体硅离开液面,单晶硅生长完成。
上述所提的实施例,仅是说明本发明的技术特点和优选方式。对于本领域技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干相似的变形和改进,这些也应视为发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种N型太阳能硅单晶料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)加料:将单晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,掺杂物为磷;
(2)熔化:加完单晶硅原料于石英埚内后,将长晶炉关闭并抽成真空后充入纯度为99.97%的高纯度氩气,然后打开石墨加热器电源,以14℃/min的速率加热至1200℃,将单晶硅原料熔化,熔化后保温,排除熔体中的气泡;
(3)缩颈生长:当熔体的温度稳定之后,将一根直径为12mm的籽晶慢慢浸入硅熔体中,将籽晶快速向上提升,晶棒以15rpm旋转,坩埚以-6rpm旋转,使长出的籽晶的直径为4mm-17mm,长为24-36mm;
(4)放肩生长:长完细颈之后,晶棒以10rpm旋转,坩埚以-5rpm旋转,降低熔体温度至700℃-720℃,逐步增大直径,使得晶体的直径渐渐增大到26mm;
(5)收尾:在晶体硅结束生长时,晶体硅的生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度到1400℃,使得晶体硅的直径不断缩小,形成一个圆锥形,最终晶体硅离开液面,单晶硅生长完成。
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