CN108204862A - 一种温度检测电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种温度检测电路，所述电路包括：电压调制单元和比较单元；所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制，所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，本发明实施例提供的温度检测电路提高了温度检测的精度。
Description
技术领域
本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种温度检测电路。
背景技术
非易失闪存介质(nor flash/nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
flash芯片的制作工艺决定了其是一类对温度很敏感的芯片，芯片温度的变化会影响到芯片的编程或者擦除等与芯片存储功能密切相关的性能，因此flash芯片对温度检测的精度要求相对较高，有了精确的温度信息，flash芯片便可以根据目前的温度信息反馈给相应的电路做出温度补偿，以保证自身的存储等各项性能。
因此，研发一种适用于flash芯片的高精度的温度检测电路显得意义重大。
发明内容
本发明提供一种温度检测电路，提高了温度检测的精度。
本发明实施例提供了一种温度检测电路，该电路包括：电压调制单元和比较单元；
其中，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；
所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近。
进一步地，所述比较单元包括：比较器和逐次逼近寄存器；
其中，所述比较器的第一输入端与所述基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，输出端与所述逐次逼近寄存器的输入端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并将比较结果输出给所述逐次逼近寄存器；
所述逐次逼近寄存器的输出端与所述电压调制单元的输入端相连，用于根据所述比较结果调整温度数字码，并将所述温度数字码输出给所述电压调制单元，以使所述电压调制单元根据所述温度数字码进行电压调制。
进一步地，所述逐次逼近寄存器还用于根据所述比较结果直接输出相应的温度数字码。
进一步地，所述电压调制单元包括：电压调制器和电阻串选择电路；
其中，所述电压调制器与所述电阻串选择电路相连，用于为所述电阻串选择电路产生一个不会溢出的正向端调制电压；
所述电阻串选择电路用于根据所述控制指令选择对应的电阻电压，以使所述电压调制单元的输出电压与所述基准电压逐次逼近。
进一步地，所述电路还包括：基准电压产生单元，用于产生所述基准电压。
示例性地，所述基准电压为flash芯片的一个随温度线性变化的电压。
进一步地，所述电压还包括：放大单元，用于对所述随温度线性变化的电压进行放大。
本发明实施例提供的一种温度检测电路包括：电压调制单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，通过该温度检测电路可以提高温度检测的精度。
附图说明
图1是本发明实施例一中的一种温度检测电路的结构示意图；
图2是本发明实施例二中的一种温度检测电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种温度检测电路的结构示意图，本实施例可适用于对flash芯片进行高精度的温度检测的情况。参见图1，本实施例提供的温度检测电路具体包括：
比较单元110和电压调制单元120；
其中，比较单元110的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制电压调制单元120进行电压调制；
电压调制单元120的输入端与比较单元110的输出端相连，用于接收比较单元110输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与基准电压VBE逐次逼近。
本实施例提供的一种温度检测电路包括：电压调制单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，通过该温度检测电路可以提高温度检测的精度。
实施例二
图2为本发明实施例二提供的一种温度检测电路的结构示意图，本实施例在实施例一的基础上进行进一步优化，具体可以参见图2，所述电路具体包括：
比较单元110和电压调制单元120；
其中，比较单元110的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制电压调制单元120进行电压调制；
电压调制单元120的输入端与比较单元110的输出端相连，用于接收比较单元110输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与基准电压VBE逐次逼近；
进一步地，比较单元110包括：比较器111和逐次逼近寄存器112；
其中，比较器111的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，输出端与逐次逼近寄存器112的输入端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并将比较结果输出给逐次逼近寄存器112；
逐次逼近寄存器112的输出端与电压调制单元120的输入端相连，用于根据所述比较结果调整温度数字码，并将所述温度数字码输出给电压调制单元120，以使电压调制单元120根据所述温度数字码进行电压调制。
进一步地，电压调制单元120包括：电压调制器121和电阻串选择电路122；
其中，电压调制器121与电阻串选择电路122相连，用于为电阻串选择电路122产生一个不会溢出的正向端调制电压；所述不会溢出的正向端调制电压具体指电阻串选择电路122能够选择的最大电阻电压。
电阻串选择电路122用于根据所述控制指令选择对应的电阻电压，以使电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逐次逼近；参见图2所示，电阻串选择电路122包括粗调制电阻串R11、R12、R13……R1(n-3)、R1(n-2)、R1(n-1)、R1n和细调制电阻串R21、R22、R23……R2(n-3)、R2(n-2)、R2(n-1)、R2n。
电阻串选择电路122根据所述温度数字码选择对应的电阻电压，以使电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逐次逼近的工作过程原理为：
假设比较器111的第一输入端输入的基准电压VBE为0.1V，所述不会溢出的正向端调制电压为1V，即电阻串选择电路122能够选择的最大电阻电压为1V，此时电阻串选择电路122的A端和B端并接在电阻R11的两端，逐次逼近寄存器112一共设定有8个温度数字码D<7>、D<6>、D<5>、D<4>、D<3>、D<2>、D<1>和D<0>，当逐次逼近寄存器112输出的温度数字码为D<7>、D<6>、D<5>、D<4>、D<3>、D<2>、D<1>和D<0>均等于1时，电阻串选择电路122输出最高的电阻电压；当电阻串选择电路122输出的初始电阻电压为1V时，即比较器111的第二输入端的电压为1V，通过比较器111的比较，得知第二输入端的电压1V比第一输入端输入的0.1V的基准电压VBE大，可以设定此时输出一个高电平给逐次逼近寄存器112，逐次逼近寄存器112接收到该高电平后知道电阻串选择电路122输出的电压比基准电压VBE大，因此逐次逼近寄存器112的温度数字码D<7>由1变为0，并将温度数字码“0111111”输出给电阻串选择电路122，电阻串选择电路122根据接收到的温度数字码通过改变自身选择接入的电阻来改变输出的电压，为了提高逼近速度，第二次输出的电压可以由1V变为0.5V；通过比较器111的比较，得知第二输入端的电压0.5V依然比第一输入端输入的0.1V的基准电压VBE大，此时比较器111还输出一个高电平给逐次逼近寄存器112，逐次逼近寄存器112接收到该高电平后知道电阻串选择电路122输出的电压比基准电压VBE大，因此逐次逼近寄存器112的温度数字码D<6>也由1变为0，并将温度数字码“0011111”输出给电阻串选择电路122，电阻串选择电路122根据接收到的温度数字码通过改变自身选择接入的电阻再次改变输出的电压，第三次输出的电压由0.5V变为0.25V；继续上述的比较、调整过程，直到电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逼近。
进一步地，逐次逼近寄存器112还用于根据所述比较结果直接输出相应的温度数字码，当电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逼近时，根据逐次逼近寄存器112输出的温度数字码即可知道基准电压VBE的大小，实现温度的检测。
进一步地，所述电路还可以包括基准电压产生单元，用于产生基准电压VBE。
示例性地，基准电压VBE为flash芯片的一个随温度线性变化的电压，此电压可以根据flash芯片的制作工艺通过仿真得出一个大概范围，然后通过上述温度检测电路进行精确检测。
进一步地，为了提高温度检测的精度，所述温度检测电路还可以包括：放大单元，用于对所述随温度线性变化的电压进行放大，然后将放大后的电压作为基准电压输入比较器111的第一输入端。
本实施例提供的一种温度检测电路，在上述实施例技术方案的基础上，进行了进一步优化，实现了提高温度检测精度的目的。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (7)
1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：电压调制单元和比较单元；
其中，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；
所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述比较单元包括：比较器和逐次逼近寄存器；
其中，所述比较器的第一输入端与所述基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，输出端与所述逐次逼近寄存器的输入端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并将比较结果输出给所述逐次逼近寄存器；
所述逐次逼近寄存器的输出端与所述电压调制单元的输入端相连，用于根据所述比较结果调整温度数字码，并将所述温度数字码输出给所述电压调制单元，以使所述电压调制单元根据所述温度数字码进行电压调制。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述逐次逼近寄存器还用于根据所述比较结果直接输出相应的温度数字码。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电路，其特征在于，所述电压调制单元包括：电压调制器和电阻串选择电路；
其中，所述电压调制器与所述电阻串选择电路相连，用于为所述电阻串选择电路产生一个不会溢出的正向端调制电压；
所述电阻串选择电路用于根据所述控制指令选择对应的电阻电压，以使所述电压调制单元的输出电压与所述基准电压逐次逼近。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括：基准电压产生单元，用于产生所述基准电压。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述基准电压为flash芯片的一个随温度线性变化的电压。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，还包括：放大单元，用于对所述随温度线性变化的电压进行放大。
Priority Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN108204862A (zh) |
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