CN108169534A - 电流传感器 - Google Patents
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Abstract
提供一种高灵敏度的电流传感器。该电流传感器具备:密封部;第一导体,其在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,且该第一导体的两个端部从密封部露出;第二导体,其在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,且该第二导体的两个端部从密封部露出;第一磁传感器,其设置在密封部内,且俯视时配置在第一导体的内侧;以及第二磁传感器,其设置在密封部内,且俯视时配置在第二导体的内侧,其中,第一导体的一个端部与第二导体的一个端部电连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种电流传感器。
背景技术
以往,已知一种使用了霍尔元件、磁阻元件等磁传感器的电流传感器(例如,参照专利文献1、2以及3)。
专利文献1:日本特开2005-283451号公报
专利文献2:国际公开2016/056135号
专利文献3:国际公开第2015/015539号
发明内容
发明要解决的问题
优选的是,电流传感器为高灵敏度。
用于解决问题的方案
在本发明的一个方式中,提供一种具备密封部的电流传感器。电流传感器可以具备第一导体。第一导体可以在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部。第一导体的两个端部可以从密封部露出。电流传感器可以具备第二导体。第二导体可以在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部。第二导体的两个端部可以从密封部露出。电流传感器可以具备第一磁传感器。第一磁传感器可以设置在密封部内,且俯视时配置在第一导体的内侧。电流传感器可以具备第二磁传感器。第二磁传感器可以设置在密封部内,且俯视时配置在第二导体的内侧。第一导体的一个端部与第二导体的一个端部可以电连接。
电流传感器可以具备连接部,该连接部将第一导体的一个端部与第二导体的一个端部电连接。第一导体与第二导体可以以在第一导体和第二导体中流过相同的被测定电流的方式电连接。
第一导体与第二导体可以以使通过第一导体中流过的被测定电流而对第一磁传感器的位置施加的磁场与通过第二导体中流过的被测定电流而对第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式电连接。
电流传感器可以具备第一外侧导体。第一外侧导体可以在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部。第一外侧导体的两个端部可以从密封部露出。第一外侧导体可以在俯视时在弯曲部的内侧配置第一导体和第一磁传感器。电流传感器可以具备第二外侧导体。第二外侧导体可以在密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部。第二外侧导体的两个端部可以从密封部露出。第二外侧导体可以在俯视时在弯曲部的内侧配置第二导体和第二磁传感器。
第一导体、第二导体、第一外侧导体以及第二外侧导体可以以在第一导体、第二导体、第一外侧导体以及第二外侧导体中流过相同的被测定电流的方式电连接。
第一导体和第一外侧导体可以以使通过第一导体中流过的被测定电流而对第一磁传感器的位置施加的磁场与通过第一外侧导体中流过的被测定电流而对第一磁传感器的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接。第二导体与第二外侧导体可以以使通过第二导体中流过的被测定电流而对第二磁传感器的位置施加的磁场与通过第二外侧导体中流过的被测定电流而对第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接。包含第一导体和第一外侧导体的第一导体群与包含第二导体和第二外侧导体的第二导体群可以以使对第一磁传感器的位置施加的磁场与对第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式电连接。
第一导体和第二导体可以具有相对于将第一磁传感器和第二磁传感器连结的线段的垂直平分线相互线对称的形状。可以还具备信号处理电路,该信号处理电路计算第一磁传感器的输出与第二磁传感器的输出之差。
信号处理电路可以以在俯视时相对于密封部倾斜的方式配置。信号处理电路可以以在俯视时相对于密封部倾斜45度的方式配置。可以在分别与信号处理电路的两个相邻的边相向的位置分别配置第一磁传感器和第二磁传感器。可以沿着信号处理电路的两个边分别配置传感器连接部。传感器连接部可以用于将信号处理电路与第一磁传感器连接以及用于将信号处理电路与第二磁传感器连接。
第一磁传感器和第二磁传感器可以为矩形。第一磁传感器和第二磁传感器可以分别以在俯视时相对于密封部倾斜的方式配置。第一磁传感器的各边和第二磁传感器的各边可以以在俯视时与信号处理电路的各边平行的方式配置。第一导体和第二导体可以串联连接。第一导体和第二导体可以并联连接。
电流传感器可以具备用于搭载信号处理电路的框部。电流传感器可以具备绝缘构件。绝缘构件可以固定于框部的下表面。绝缘构件可以用于搭载第一磁传感器和第二磁传感器。电流传感器可以具备被配置在第一导体和第二导体上的第一绝缘构件。信号处理电路可以被配置在第一绝缘构件上。
电流传感器可以具备引线框,该引线框具有突出部,该突出部在密封部内与第一导体和第二导体分离地设置,且以在俯视时将第一导体和第二导体夹在中间的方式配置。电流传感器可以具备与突出部接合的第二绝缘构件。第一磁传感器和第二磁传感器可以被载置在第二绝缘构件上。可以在第二绝缘构件与第一导体之间以及第二绝缘构件与第二导体之间形成有密封部。
第一磁传感器、第二磁传感器以及信号处理电路可以形成于同一半导体基板。第一导体的两个端部和第二导体的两个端部可以在密封部的同一侧面露出。第一导体和第二导体可以在俯视时为U字形、V字形或C字形。
上述发明的概要并没有列举出本发明的全部特征。这些特征群的子组合也能够成为发明。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的电流传感器100的概要的俯视图。
图2是将图1中的电流传感器100沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。
图3是将图1中的电流传感器100沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。
图4是示出连接部200的一例的图。
图5是示出连接部200的其它的例子的图。
图6是示出本发明的第二实施方式所涉及的电流传感器300的俯视图。
图7是将图6中的电流传感器300沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。
图8是将图6中的电流传感器300沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。
图9是示出图6中的连接部200的一例的图。
图10是示出本发明的第三实施方式所涉及的电流传感器400的俯视图。
图11是将图10中的电流传感器400沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。
图12是将图10中的电流传感器400沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。
图13是示出图10中的连接部200的一例的图。
图14是示出电流传感器100的其它构造例的图。
图15是示出电流传感器100的其它构造例的图。
图16示出从上部透视本发明的第四实施方式所涉及的电流传感器500的俯视图。
图17示出电流传感器500的沿图16中的基准线A-A’切断的情况下的截面结构。
图18示出电流传感器500的沿图16中的基准线B-B’切断的情况下的截面结构。
图19示出将第一导体20-1与第二导体20-2并联连接的情况下的电流路径的一例。
图20示出将第一导体20-1与第二导体20-2并联连接的情况下的电流路径的另一例。
图21示出将第一导体20-1与第二导体20-2串联连接的情况下的电流路径的一例。
附图标记说明
10:密封部;20:导体;21:外侧导体;22:高度差部;24:端部;26:弯曲部;30:磁传感器;32:引线框;40:引线框;42:突出部;50:信号处理芯片;51:信号处理电路;52、54:引线;56:绝缘构件;57、58:传感器连接部;60:绝缘构件;100:电流传感器;200:连接部;202、204、206、208、210、214、216、218、220、222、224、226、228、230、232、234:布线;240:第一导电路径;242:第二导电路径;244:第三导电路径;246:第四导电路径;250:第一导电路径;252:第二导电路径;254:第三导电路径;256:第四导电路径;260:第一导电路径;262:第二导电路径;264:第三导电路径;266:第四导电路径;268:第五导电路径;300:电流传感器;400:电流传感器;500:电流传感器;540:框部;532:端子部;541:主体部;542:第一扩展部;544:第二扩展部;546:器件端子。
具体实施方式
以下,通过发明的实施方式来说明本发明,但是以下的实施方式并不是对权利要求书所涉及的发明进行限定。另外,实施方式中说明的特征的组合的全部未必均是发明的解决方案所必需的。
(第一实施方式)
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的电流传感器100的概要的俯视图。电流传感器100具备密封部10、第一导体20-1、第二导体20-2、第一磁传感器30-1以及第二磁传感器30-2。在本发明的说明书中,有时将第一导体20-1和第二导体20-2称为导体20。另外,有时将第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2称为磁传感器30。
密封部10由树脂等绝缘材料形成。密封部10可以是模制树脂。作为一例,密封部10为长方体形状。密封部10以将导体20和磁传感器30的周围覆盖的方式形成。但是,各个导体20的一部分从密封部10露出。另外,也可以是,磁传感器30的一部分从密封部10露出。
各个导体20在密封部10内具有俯视时弯曲的弯曲部26。在本例中,俯视面是指与导体20的表面中的面积最大的面平行的面。本例的导体20具有板形状,将板形状的两个主表面称为上表面和下表面。在图1中示出导体20的上表面。
弯曲并不限定于俯视时为曲线形状。弯曲部26在俯视时既可以是将一个以上的曲线部分组合所得到的形状,也可以是将多个直线部分组合所得到的形状,还可以是将一个以上的曲线部分和一个以上的直线部分组合所得到的形状。作为一例,弯曲部26可以在俯视时具有U字形、V字形或C字形。
各个导体20具有二个以上的端部24。本例中的各个导体20具有两个端部24。各个端部24从密封部10露出。在本例中,两个导体20的各个端部24在密封部10中的相同的侧面露出。也可以是,至少一个端部24与其它端部24在不同的侧面露出。
弯曲部26以在俯视时包围规定区域的方式设置。将在俯视时由密封部10的侧面中的导体20的端部露出的侧面和导体20包围的区域设为弯曲部26的内侧。另外,导体的“内侧”是指由具有弯曲部的导体和密封部的导体露出面划分的区域。例如,导体20的内侧是指由具有弯曲部26的导体20和密封部10的侧面中的导体20的端部露出的侧面划分的区域。
第一磁传感器30-1被设置在密封部10内,且俯视时被配置在第一导体20-1的内侧。在本例中,第一磁传感器30-1在俯视时被配置在第一导体20-1的弯曲部26-1的内侧。第二磁传感器30-2被设置在密封部10内,且俯视时被配置在第二导体20-2的内侧。在本例中,第二磁传感器30-2在俯视时被配置在第二导体20-2的弯曲部26-2的内侧。
在第一导体20-1和第二导体20-2中流过电流传感器100所要测定的被测定电流。导体20由金属等导电材料形成。第一导体20-1的一个端部24与第二导体20-2的一个端部24电连接。第一导体20-1和第二导体20-2既可以串联连接,也可以并联连接。在两个导体20串联连接的情况下,在各个导体20中流过相同的被测定电流。在两个导体20并联连接的情况下,在各个导体20中流过根据电阻比分配的被测定电流。
连接部200将各个导体20串联连接或并联连接。另外,连接部200对导体20施加被测定电流并接受通过了导体20的被测定电流。连接部200既可以设置于电流传感器100,也可以设置于电流传感器100的外部。连接部200既可以为通过与各个导体20连接的引线框和引线接合的组合而构成的布线图案,也可以为设置于印刷电路板等的布线图案。
通过这样的结构,能够在各个导体20中流过被测定电流。因此,能够利用各个磁传感器30检测被测定电流。因此,易于实现被测定电流的检测的高精度化。
作为一例,第一导体20-1与第二导体20-2以使通过第一导体20-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场与通过第二导体20-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式电连接。在更具体的例子中,第一导体20-1的端部24-2与第二导体20-2的端部24-4电连接。而且,第一导体20-1的端部24-1和第二导体20-2的端部24-3中的一方的端部24被施加被测定电流,从另一方的端部24输出被测定电流。由此,在第一导体20-1中与在第二导体20-2中,相同的被测定电流相对于所对应的磁传感器30-1绕相反的方向流动。
在各个磁传感器30的输出中,包含与被测定电流对应的测定成分和与外部噪声对应的噪声成分。当如上述那样流过被测定电流时,第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2的输出中包含的测定成分的正负的符号不同,噪声成分的符号相同。因此,通过取第一磁传感器30-1的输出与第二磁传感器30-2的输出之差,能够降低或消掉外部噪声的影响且使针对被测定电流的灵敏度增大(例如,倍增)。因此,能够高精度地检测被测定电流。
各个导体20也可以在弯曲部26与端部24之间具有高度差部22。在弯曲部26和端部24被设置于不同的高度位置的情况下,高度差部22将弯曲部26与端部24连接。本例中的高度方向是指与图1所示的平面垂直的方向。高度差部22能够通过对板状的导体施以弯曲加工、半冲压加工、蚀刻加工等来形成。
本例的电流传感器100具备被配置在密封部10的内部的信号处理芯片50。信号处理芯片50具有对第一磁传感器30-1的输出信号和第二磁传感器30-2的输出信号进行处理的信号处理电路。信号处理电路可以是形成于半导体基板的集成电路。如上述的那样,信号处理芯片50可以计算第一磁传感器30-1的输出与第二磁传感器30-2的输出之差。此外,也可以是,设置于密封部10的外部的处理电路对第一磁传感器30-1的输出信号和第二磁传感器30-2的输出信号进行处理。
本例的电流传感器100具有引线框40、一个以上的引线框32、绝缘构件60、引线52以及引线54。绝缘构件60是第二绝缘构件的一例。引线框40由金属等导电材料形成,以与导体20电分离的方式设置。引线框40的材料可以与导体20的材料相同。引线框40可以具有板形状。引线框40既可以以俯视时与导体20重叠的方式设置,也可以以俯视时不与导体20重叠的方式设置。图1的例子中的引线框40以不与导体20重叠的方式设置。引线框40与导体20之间通过密封部10而绝缘。引线框40具有从密封部10露出的至少一个端部。
本例的信号处理芯片50被设置在引线框40上。信号处理芯片50如上述那样对磁传感器30的输出信号进行处理。信号处理芯片50也可以供给用于使磁传感器30进行动作的信号或电力。信号处理芯片50通过引线52而与各个磁传感器30电连接。
另外,信号处理芯片50通过引线54而与引线框40和一个以上的引线框32电连接。信号处理芯片50经由引线框40和引线框32来与外部的电路之间交接电力和信号。引线框40也可以被施加接地电位。
在俯视时,绝缘构件60的至少一部分被配置在各个导体20的内侧。本例的绝缘构件60具有片形状。作为一例,绝缘构件60为聚酰亚胺片。磁传感器30被配置在设置于导体20的内侧的绝缘构件60的上表面。由此,支承磁传感器30。
本例的引线框40具有突出部42,该突出部42以在俯视时将各个导体20的弯曲部26夹在中间的方式配置。引线框40也可以还在第一导体20-1与第二导体20-2之间具有突出部42。绝缘构件60被粘接于引线框40的两个以上的突出部42的下表面,且以跨过两个以上的突出部42的方式设置。
图2是将图1中的电流传感器100沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。本例的绝缘构件60被粘接于引线框40的突出部42的下表面和导体20的弯曲部26的下表面。本例的突出部42和弯曲部26具有下表面的高度相互相同的部分。绝缘构件60的一部分在导体20的内侧具有没有被导体20覆盖的部分。在绝缘构件60的该部分的上表面载置有磁传感器30。
通过这样的结构,能够将磁传感器30的感磁面配置为与导体20的高度相同程度或导体20的高度以内的高度。因此,能够提高磁传感器30的信噪比(S/N)。另外,能够通过绝缘构件60支承磁传感器30。
图3是将图1中的电流传感器100沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。本例的绝缘构件60被粘接于引线框40的突出部42的下表面且没有被粘接于导体20的弯曲部26的下表面。本例的弯曲部26的下表面被配置于比突出部42的下表面高的位置。导体20的端部24中的位于密封部10的内部的部分可以被配置为与突出部42相同的高度。在该情况下,导体20在端部24与弯曲部26之间具有图1所示的高度差部22。
绝缘构件60的一部分在导体20的内侧具有没有被导体20覆盖的部分。在绝缘构件60的该部分的上表面载置有磁传感器30。能够通过绝缘构件60支承磁传感器30。
另外,通过具有高度差部22,在绝缘构件60与导体20的弯曲部26之间填充密封部10的树脂,因此导体20与引线框40不通过绝缘构件60连接。由此,在导体20与引线框40之间不形成由绝缘构件60产生的沿面,因此能够提高导体20与引线框40之间的耐压。
另外,优选的是,以磁传感器30的感磁面被配置在弯曲部26的上表面与下表面之间的方式设置弯曲部26。在本例中,磁传感器30的感磁面为磁传感器30的上表面。通过具有高度差部22的结构,能够在不使磁传感器30的厚度变薄的情况下使磁传感器30的感磁面接近于导体20的弯曲部26的上表面与下表面之间的中央的位置。由此,能够提高磁传感器30的S/N。磁传感器30的感磁面也可以配置于弯曲部26的上表面与下表面之间的中央的位置。在该情况下,磁传感器30可以为霍尔元件。弯曲部26的上表面与下表面之间的中央可以具有弯曲部26的高度方向上的厚度的10%左右的误差范围。
图4是示出连接部200的一例的图。本例的连接部200具有布线202、布线204以及布线206。各个布线中交叉的部分可以配置在与其它部分不同的高度。作为一例,也可以使用多层布线基板的不同的层。在图4的例子中,用虚线表示被配置于不同的高度(层)的部分。
布线204将第一导体20-1的端部24-2与第二导体20-2的端部24-4连接。布线202与第一导体20-1的端部24-1连接。布线206与第二导体20-2的端部24-3连接。通过这样的结构,布线206、第二导体20-2、布线204、第一导体20-1以及布线202按此顺序串联连接。通过从布线202和布线206中的一方施加被测定电流并由另一方接受被测定电流,能够在第一导体20-1和第二导体20-2中流过相同的被测定电流。在图4中,用箭头表示被测定电流流动的方向。
另外,通过这样的结构,通过第一导体20-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场与通过第二导体20-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场为相互相反的方向。在图4的例子中,在第一导体20-1中,俯视时被测定电流沿逆时针方向流过第一磁传感器30-1的周围,在第二导体20-2中,俯视时被测定电流沿顺时针方向流过第二磁传感器30-2的周围。如上述那样,通过计算各个磁传感器30的输出之差,能够抑制外部噪声的影响来高精度地检测被测定电流。另外,即使在被测定电流小的情况下,也由于第一导体20-1与第二导体20-2经由布线202、204、206串联连接而将由多个磁传感器30检测的测定成分相加,因此能够高精度地检测被测定电流。
此外,第一导体20-1和第二导体20-2可以具有相对于将第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2连结的线段的垂直平分线相互线对称的形状。或者,第一导体20-1和第二导体20-2可以具有相对于经过信号处理电路的中心与第一导体20-1及第二导体20-2之间的线相互线对称的形状。信号处理电路的中心在俯视时可以是具有信号处理电路的信号处理芯片50的中心。第一导体20-1和第二导体20-2可以具有相同的形状。第一导体20-1和第二导体20-2中的配置在密封部10的内部的部分也可以具有相同的形状。另外,第一磁传感器30-1相对于第一导体20-1的相对位置与第二磁传感器30-2相对于第二导体20-2的相对位置可以相同。由此,能够使由第一磁传感器30-1检测的测定成分与由第二磁传感器30-2检测的测定成分相同。
图5是示出连接部200的其它的例子的图。本例的连接部200具有布线208和布线210。各个布线相互分离地设置。
布线208将第一导体20-1的端部24-1与第二导体20-2的端部24-4连接。布线210将第一导体20-1的端部24-2与第二导体20-2的端部24-3连接。通过这样的结构,在布线208与布线210之间,第一导体20-1与第二导体20-2并联连接。通过从布线208和布线210中的一方施加被测定电流并由另一方接受被测定电流,能够对第一导体20-1和第二导体20-2分配被测定电流并使被测定电流流过第一导体20-1和第二导体20-2。
另外,通过这样的结构,通过第一导体20-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场与通过第二导体20-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场为相互相反的方向。如上述那样,通过计算各个磁传感器30的输出之差,能够抑制外部噪声的影响来高精度地检测被测定电流。另外,分配被测定电流来进行测量,因此能够降低以磁传感器30和导体20为一组的每个组的发热量,在被测定电流大的情况下,是特别优选的。此外,第一导体20-1中流过的电流量与第二导体20-2中流过的电流量既可以相同,也可以不同。连接部200也可以是能够在将第一导体20-1和第二导体20-2串联连接与将第一导体20-1和第二导体20-2并联连接之间进行切换。作为一例,可以是能够经由跳线(jumper)、开关、继电器等来进行切换。
(第二实施方式)
图6是示出本发明的第二实施方式所涉及的电流传感器300的俯视图。关于电流传感器300,相对于电流传感器100而言,导体20和磁传感器30的结构不同。其它结构可以与电流传感器100相同。
电流传感器300具有一个磁传感器30、一个导体20、一个以上的外侧导体21。本例的电流传感器300具有外侧导体21-1和外侧导体21-2。外侧导体21的数量也可以是一个,还可以是三个以上。导体20和外侧导体21各自具有弯曲部26和两个端部24。导体20和外侧导体21也可以各自具有高度差部22。弯曲部26、端部24以及高度差部22的构造与电流传感器100的导体20中的弯曲部26、端部24以及高度差部22的构造相同。
外侧导体21-2在密封部10内具有俯视时弯曲的弯曲部26-3,且两个端部24从密封部10露出。外侧导体21-1在密封部10内具有俯视时弯曲的弯曲部26-2,两个端部24从密封部10露出且俯视时被配置在外侧导体21-2的弯曲部26-3的内侧。
导体20在密封部10内具有俯视时弯曲的弯曲部26-1,两个端部24从密封部10露出且俯视时被配置在外侧导体21-1的弯曲部26-2的内侧。磁传感器30被设置在密封部10内,且俯视时被配置在导体20的弯曲部26-1的内侧。导体20和磁传感器30具有与电流传感器100中的第一导体20-1和第一磁传感器30-1相同的构造。
连接部200将导体20与各个外侧导体21以在导体20和各个外侧导体21中流过相同的被测定电流的方式连接。也就是说,连接部200将导体20与各个外侧导体21串联连接。
连接部200将导体20的一个端部24与外侧导体21-1的一个端部24电连接。连接部200将导体20与外侧导体21-1以使通过导体20中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场与通过外侧导体21-1中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接。也就是说,连接部200将导体20与外侧导体21-1以使导体20中流过的被测定电流在俯视时在磁传感器30的周围环绕的方向与外侧导体21-1中流过的被测定电流在俯视时在磁传感器30的周围环绕的方向相同的方式连接。
连接部200将外侧导体21-1的一个端部24与外侧导体21-2的一个端部24电连接。连接部200将外侧导体21-1与外侧导体21-2以使通过外侧导体21-1中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场与通过外侧导体21-2中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接。也就是说,连接部200将外侧导体21-1与外侧导体21-2以使外侧导体21-1中流过的被测定电流在俯视时在磁传感器30的周围环绕的方向与外侧导体21-2中流过的被测定电流在俯视时在磁传感器30的周围环绕的方向相同的方式连接。
通过这样的构造,将通过导体20和一个以上的外侧导体21中流过的被测定电流而产生的各个磁场相加后对磁传感器30的位置施加。因此,即使是小的被测定电流,也能够高精度地进行检测。
图7是将图6中的电流传感器300沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。本例的绝缘构件60与图2所示的例子同样地被粘接于引线框40的突出部42的下表面以及导体20及外侧导体21的各个弯曲部26的下表面。本例的突出部42和弯曲部26具有下表面的高度相互相同的部分。绝缘构件60的一部分在导体20的内侧具有没有被导体20覆盖的部分。在绝缘构件60的该部分的上表面载置有磁传感器30。
通过这样的结构,能够将磁传感器30的感磁面配置为与导体20的高度相同程度或导体20的高度以内的高度。因此,能够提高磁传感器30的S/N。另外,能够通过绝缘构件60支承磁传感器30。
图8是将图6中的电流传感器300沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。本例的绝缘构件60与图3所示的例子同样地被粘接于引线框40的突出部42的下表面且没有被粘接于导体20及外侧导体21的弯曲部26的下表面。本例的弯曲部26的下表面被配置于比突出部42的下表面高的位置。本例的导体20和外侧导体21在端部24与弯曲部26之间具有图6所示的高度差部22。
绝缘构件60的一部分在导体20的内侧具有没有被导体20覆盖的部分。在绝缘构件60的该部分的上表面载置有磁传感器30。能够通过绝缘构件60支承磁传感器30。
另外,通过具有高度差部22,在绝缘构件60与各个弯曲部26之间填充密封部10的树脂,因此导体20与引线框40以及外侧导体21与引线框40不通过绝缘构件60连接。由此,在导体20与引线框40之间以及外侧导体21与引线框40之间不形成由绝缘构件60产生的沿面,因此能够提高导体20与引线框40之间的耐压以及外侧导体21与引线框40之间的耐压。
另外,优选的是,以磁传感器30的感磁面被配置在各个弯曲部26的上表面与下表面之间的方式设置各个弯曲部26。优选的是,各个弯曲部26的高度相同。磁传感器30的感磁面可以被配置于弯曲部26的上表面与下表面之间的中央的位置。
图9是示出图6中的连接部200的一例的图。本例的连接部200具有布线214、布线216、布线218以及布线220。各个布线中交叉的部分可以配置在与其它部分不同的高度。作为一例,可以使用多层布线基板的不同的层。
布线218与导体20的端部24-3连接。布线216将导体20的端部24-4与外侧导体21-1的端部24-2连接。布线214将外侧导体21-1的端部24-5与外侧导体21-2的端部24-1连接。布线220与外侧导体21-2的端部24-6连接。通过这样的结构,布线220、外侧导体21-2、布线214、外侧导体21-1、布线216、导体20以及布线218按此顺序串联连接。通过从布线220和布线218中的一方施加被测定电流并由另一方接受被测定电流,能够在导体20、外侧导体21-1以及外侧导体21-2中流过相同的被测定电流。
另外,通过这样的结构,通过导体20中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场、通过外侧导体21-1中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场以及通过外侧导体21-2中流过的被测定电流而对磁传感器30的位置施加的磁场为相互相同的方向。在图9的例子中,在导体20、外侧导体21-1以及外侧导体21-2中,俯视时被测定电流沿逆时针方向流过磁传感器30的周围。由此,能够与被测定电流相应地将对磁传感器30的位置施加的磁场放大。
(第三实施方式)
图10是示出本发明的第三实施方式所涉及的电流传感器400的俯视图。电流传感器400与电流传感器100同样地具有第一导体20-1、第二导体20-2、第一磁传感器30-1以及第二磁传感器30-2。另外,电流传感器400与电流传感器300同样地针对各个导体20具有一个以上的外侧导体21。其它结构可以与电流传感器100相同。
本例的电流传感器400针对各个导体20具有外侧导体21-1和外侧导体21-2。针对一个导体20设置的外侧导体21的数量也可以为一个,还可以为三个以上。导体20和外侧导体21的构造与电流传感器300中的导体20和外侧导体21的构造相同。在本发明的说明书中,有时将与第一导体20-1对应的外侧导体21称为第一外侧导体21,将与第二导体20-2对应的外侧导体21称为第二外侧导体21。
在第一外侧导体21-2的弯曲部26-3的内侧配置第一外侧导体21-1。在第一外侧导体21-1的弯曲部26-2的内侧配置第一导体20-1和第一磁传感器30-1。在第二外侧导体21-2的弯曲部26-3的内侧配置第二外侧导体21-1。在第二外侧导体21-1的弯曲部26-2的内侧配置第二导体20-2和第二磁传感器30-2。
连接部200将各个导体20与各个外侧导体21连接。本例的连接部200将第一导体20-1、第一外侧导体21-1以及第一外侧导体21-2与图6所示的导体20、外侧导体21-1以及外侧导体21-2同样地连接。也就是说,将这些导体串联连接。另外,连接部200将第二导体20-2、第二外侧导体21-1以及第二外侧导体21-2与图6所示的导体20、外侧导体21-1以及外侧导体21-2同样地连接。也就是说,将这些导体串联连接。
连接部200将第一导体20-1、第一外侧导体21-1以及第一外侧导体21-2以使通过第一导体20-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场的方向、通过第一外侧导体21-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场的方向以及通过第一外侧导体21-2中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场的方向相互相同的方式连接。同样地,连接部200将第二导体20-2、第二外侧导体21-1以及第二外侧导体21-2以使通过第二导体20-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场的方向、通过第二外侧导体21-1中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场的方向以及通过第二外侧导体21-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场的方向相互相同的方式连接。
另外,连接部200既可以将包含第一导体20-1、第一外侧导体21-1以及第一外侧导体21-2的第一导体群与包含第二导体20-2、第二外侧导体21-1以及第二外侧导体21-2的第二导体群串联连接,也可以将该第一导体群与该第二导体群并联连接。在将第一导体群与第二导体群串联连接的情况下,在第一导体20-1、第一外侧导体21-1、第一外侧导体21-2、第二导体20-2、第二外侧导体21-1以及第二外侧导体21-2中流过相同的被测定电流。另外,连接部200将第一导体群与第二导体群以使通过第一导体20-1中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场与通过第二导体20-2中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式连接。
通过这样的构造,能够抑制由外部噪声产生的影响来高精度地检测被测定电流。另外,通过使用外侧导体21,能够提高各个磁传感器30的S/N。另外,通过计算两个磁传感器30的输出之差,能够进一步提高灵敏度。
图11是将图10中的电流传感器400沿A-A’线切断的情况下的侧视图的一例。本例的绝缘构件60与图2所示的例子同样地被粘接于引线框40的突出部42的下表面以及导体20及外侧导体21的各个弯曲部26的下表面。本例的突出部42和弯曲部26具有下表面的高度相互相同的部分。绝缘构件60的一部分在各个导体20的内侧具有没有被导体20覆盖的部分。在绝缘构件60的该部分的上表面载置有各个磁传感器30。
关于本例中的电流传感器400的构造,具有两组包含导体20和外侧导体21的导体群,在导体群之间具有突出部42,除此以外与图7所示的电流传感器300相同。通过这样的结构,能够将磁传感器30的感磁面配置为与导体20的高度相同程度或导体20的高度以内的高度。因此,能够提高磁传感器30的S/N。另外,能够通过绝缘构件60支承磁传感器30。
图12是将图10中的电流传感器400沿A-A’线切断的情况下的侧视图的其它的例子。本例的绝缘构件60与图3所示的例子同样地被粘接于引线框40的突出部42的下表面且没有被粘接于导体20及外侧导体21的弯曲部26的下表面。本例的弯曲部26的下表面被配置于比突出部42的下表面高的位置。本例的导体20和外侧导体21在端部24与弯曲部26之间具有图10所示的高度差部22。
关于本例中的电流传感器400的构造,具有两组包含导体20和外侧导体21的导体群,在导体群之间具有突出部42,除此以外与图8所示的电流传感器300相同。根据本例的构造,能够提高电流传感器400的S/N。
图13是示出图10中的连接部200的一例的图。本例的连接部200具有布线222、布线224、布线226、布线228、布线230、布线232以及布线234。各个布线中交叉的部分可以配置在与其它部分不同的高度。作为一例,也可以使用多层布线基板的不同的层。
布线230与第二外侧导体21-2的端部24-7连接。布线232将第二外侧导体21-2的端部24-12与第二外侧导体21-1的端部24-8连接。布线234将第二外侧导体21-1的端部24-11与第二导体20-2的端部24-9连接。布线228将第二导体20-2的端部24-10与第一外侧导体21-2的端部24-6连接。
布线222将第一外侧导体21-2的端部24-1与第一外侧导体21-1的端部24-5连接。布线224将第一外侧导体21-1的端部24-2与第一导体20-1的端部24-4连接。布线226与第一导体20-1的端部24-3连接。通过这样的结构,布线230、第二外侧导体21-2、布线232、第二外侧导体21-1、布线234、第二导体20-2、布线228、第一外侧导体21-2、布线222、第一外侧导体21-1、布线224、第一导体20-1以及布线226按此顺序串联连接。通过从布线226和布线230中的一方施加被测定电流并由另一方接受被测定电流,能够在各导体中流过相同的被测定电流。
另外,通过这样的结构,通过第一导体群中流过的被测定电流而对第一磁传感器30-1的位置施加的磁场与通过第二导体群中流过的被测定电流而对第二磁传感器30-2的位置施加的磁场为相互相反的方向。通过计算两个磁传感器30的输出之差,能够提高测定被测定电流时的S/N。
图14是示出电流传感器100的其它构造例的图。本例的电流传感器100相对于图1所示的构造还具备绝缘构件56。绝缘构件56是第一绝缘构件的一例。绝缘构件56例如为聚酰亚胺片。绝缘构件56被配置于第一导体20-1和第二导体20-2的上表面。本例的绝缘构件56还被配置于引线框40的上表面。
信号处理芯片50被配置在绝缘构件56上。信号处理芯片50的至少一部分被配置于第一导体20-1和第二导体20-2的上方。本例的信号处理芯片50以跨过引线框40、第一导体20-1以及第二导体20-2的上方的方式配置。
通过将信号处理芯片50以还跨过导体20的上方的方式配置,能够使引线框40缩小。因此,能够使电流传感器100小型化。另外,能够将信号处理芯片50配置于各个磁传感器30的附近。因此,能够降低磁传感器30与信号处理芯片50之间的温度差。信号处理芯片50可以具有检测温度的温度检测部。信号处理芯片50可以基于所检测出的温度来对磁传感器30中的动作或磁传感器30的输出信号进行校正。通过降低信号处理芯片50与磁传感器30之间的温度差,能够提高该校正的精度。
图15是示出电流传感器100的其它构造例的图。在本例中的电流传感器100中,与图14的例子同样地具有绝缘构件56,并且磁传感器30形成于信号处理芯片50的内部。例如,也可以在形成有信号处理电路的半导体基板上集成磁传感器30。通过这样的结构,也能够减小电流传感器100的尺寸。
在该情况下,将信号处理芯片50的形成有磁传感器30的部分配置于弯曲部26的内侧区域的上方。同样地,可以将绝缘构件56的一部分也配置于弯曲部26的内侧区域的上方。在图15中,用虚线表示形成有磁传感器30的部分。另外,在本例的电流传感器100中,能够省略绝缘构件60。
在图14和图15中,对将绝缘构件56设置于电流传感器100的例子进行了说明,但是也可以将绝缘构件56设置于电流传感器300或电流传感器400并将信号处理芯片50配置在绝缘构件56上。另外,也可以是,在电流传感器300或电流传感器400中,磁传感器30形成于信号处理芯片50的内部。
(第四实施方式)
图16至图18示出本发明的第四实施方式所涉及的电流传感器500的内部构成。在此,图16是从上部透视电流传感器500的俯视图,图17示出沿图16中的基准线A-A’切断的情况下的电流传感器500的截面结构,图18示出沿图16中的基准线B-B’切断的情况下的电流传感器500的截面结构。本实施方式中的电流传感器500解决如下问题:当为了使电流传感器小型化而使密封部相对于信号处理芯片而言小时,在密封部内配置磁传感器和一次导体的空间不足。
在此,将图16中的上下方向设为纵方向,将图16和图18中的左右方向设为横方向,并且将图17和图18中的上下方向设为高度方向,将由纵方向和横方向形成的面设为主表面,将主表面的上侧/下侧设为上表面侧/下表面侧。另外,“在俯视时”这样的记载包含从与该主面相对的视点观察主表面侧的情形。在本实施方式中,电流传感器500是使用磁传感器来对向电流路径输入的电流的量进行检测的电流传感器,但是也可以如后述的那样电流传感器500为其它种类的传感器。
电流传感器500具备第一磁传感器30-1、第二磁传感器30-2、第一导体20-1、第二导体20-2、信号处理电路51、框部540、端子部532、绝缘构件60以及密封部10。
第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2(以下,将多个磁传感器也统称为“磁传感器30”。)通过测定由被测定电流产生的磁,来测定被测定电流的大小。例如,磁传感器30可以是具有以上表面侧为感磁部的霍尔元件的磁传感器。关于第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2,可以通过从多面板等进行切割来同时地大量制造,在俯视时外形可以为矩形。
第一磁传感器30-1在电流传感器500中被配置在主表面上,第二磁传感器30-2在电流传感器500中被配置在主表面上。作为第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2,能够采用相同或类似的元件。
如图16所示,第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2可以各自具有六个端子,例如可以是,四个端子与十字形的霍尔元件的各端部连接,其余两个端子与霍尔元件的灵敏度调整用的线圈连接。第一磁传感器30-1的端子和第二磁传感器30-2的端子分别通过引线接合来与信号处理电路51连接,从信号处理电路51接受驱动电流或驱动电压,将与所检测出的磁场的强度相应的电压作为输出信号向信号处理电路51输出。
第一导体20-1和第二导体20-2为一次导体。第一导体20-1提供使由第一磁传感器30-1检测的电流(即,被测定电流)流过的电流路径。第二导体20-2提供使由第二磁传感器30-2检测的被测定电流流过的电流路径。第一导体20-1和第二导体20-2在图的纵方向上分离。第一导体20-1使被测定电流在第一磁传感器30-1的附近流过。第二导体20-2使被测定电流在第二磁传感器30-2的附近流过。
各个导体20由金属等导电材料形成。各个导体20在俯视时具备弯曲部26。第一导体20-1以包围第一磁传感器30-1的方式具有弯曲部26-1。第二导体20-2以包围第二磁传感器30-2的方式具有弯曲部26-2。第一磁传感器30-1被设置在密封部10内,且俯视时被配置在第一导体20-1的内侧。第二磁传感器30-2被设置在密封部10内,且俯视时被配置在第二导体20-2的内侧。例如,第一导体20-1的至少一部分被配置于与矩形的第一磁传感器30-1的三个以上的边相向的位置,第二导体20-2的至少一部分被配置于与矩形的第二磁传感器30-2的三个以上的边相向的位置。由此,能够使流过第一导体20-1和第二导体20-2的被测定电流的电流磁场转换系数提高,因此能够提高磁传感器30对被测定电流的测定精度。在将电流传感器500搭载于印刷电路板等时,第一导体20-1的端部24-1和端部24-2以及第二磁传感器30-2的端部24-3和端部24-4可以作为端子发挥功能。
各个导体20可以在弯曲部26与端部24之间具有高度差部22。例如,可以以使信号处理电路51侧、即弯曲部26侧比端部24侧高的方式设置高度差部22。例如图18所示的那样,以第一导体20-1和第二导体20-2的各导体的右侧高的方式设置高度差部22。由此,各个导体20与磁传感器30之间的绝缘耐压提高,并且能够使各个导体20的厚度的中心位置接近磁传感器30的感磁部的高度位置,能够提高磁传感器30对被测定电流的测定精度。
在一例中,流过第一导体20-1的电流的朝向可以与流过第二导体20-2的电流的朝向不同。例如可以是,在第一导体20-1中被测定电流沿顺时针方向流动,在第二导体20-2中被测定电流沿逆时针方向流动。通过这样,能够使外部磁场等外部干扰的影响的方向实质上相抵消。即,电流传感器500能够计算第一磁传感器30-1的输出信号与第二磁传感器30-2的输出信号之差来抵消外部干扰的影响。
在一例中,第一导体20-1与第二导体20-2可以针对被测定电流并联连接。另外,第一导体20-1与第二导体20-2也可以针对被测定电流串联连接。在后面记述第一导体20-1与第二导体20-2的串联连接和并联连接的具体例。
信号处理电路51可以被构成为上述的信号处理芯片50。信号处理电路51对磁传感器30的输出信号进行处理来计算流过导体20的被测定电流的大小。信号处理电路51也可以内置存储器、灵敏度校正电路、对输出的偏移进行校正的偏移校正电路、将来自磁传感器30的输出信号放大的放大电路、运算来自第一磁传感器30-1的输出信号与来自第二磁传感器30-2的输出信号之差的差运算电路以及根据温度来对输出进行校正的温度校正电路等中的至少一个。
在本例中,采用信号处理电路51作为与磁传感器30不同的器件而由其它基板制造出的混合结构。也可以代替该方式,信号处理电路51采用由与磁传感器30相同的基板(例如,硅基板)制造出的单片式结构。在单片式结构的情况下,也可以如在图15中说明的那样设为在信号处理电路51内包含磁传感器30的结构。
信号处理电路51可以在主表面的俯视时为矩形。作为一例,信号处理电路51可以如图16所示那样在主表面的俯视时为正方形。由此,能够使规定大小的密封部10内所能密封的信号处理电路51的平面尺寸最大化。另外,通过将正方形的信号处理电路51配置于密封部10的中央附近,能够降低应力对电流传感器500的输出产生的影响。
另外,也可以使将第一磁传感器30-1连接到信号处理电路51的引线的形状和长度与将第二磁传感器30-2连接到信号处理电路51的引线的形状和长度等效。另外,将第一磁传感器30-1连接到信号处理电路51的各引线可以处于以通过第一磁传感器30-1的中心且朝向信号处理电路51的与第一磁传感器30-1相向的一边的法线为轴而线对称的关系。第二磁传感器30-2的各引线也同样。由此,在第一导体20-1与各引线之间和第二导体20-2与各引线之间的寄生电容被均等化,从而能够避免磁传感器30的响应特性劣化。
框部540具有主体部541、第一扩展部542以及第二扩展部544,框部540用于搭载信号处理电路51并支承绝缘构件60。框部540可以由导热性良好的金属形成。框部540和第一扩展部542可以相当于图1至图15所示的引线框40和突出部42。
主体部541在上表面搭载信号处理电路51。主体部541可以为与信号处理电路51大致相同的形状(例如,在本例中为矩形或正方形)或相似形状或类似形状。另外,主体部541可以比信号处理电路51小。主体部541可以配置于电流传感器500或密封部10的大致中央位置。
第一扩展部542形成为从主体部541的至少一个边上朝向外侧伸出。在本例中,第一扩展部542包含从主体部541的左上边向左上方向扩展的臂部分以及从主体部541的左下边向左下方向扩展的臂部分。第一扩展部542在背面支承后述的绝缘构件60。
第二扩展部544形成为从与第一扩展部542不同的主体部541的至少一个边上朝向外侧伸出。在本例中,第二扩展部544包含从主体部541的右上边向右上方向扩展的臂部分以及从主体部541的右下边向右下方向扩展的臂部分。也可以是,第二扩展部544支承主体部541,并且通过引线接合等与信号处理电路51连接,作为信号处理电路51的端子发挥功能。
关于第一扩展部542和第二扩展部544,可以至少一部分具有以主体部541(或电流传感器500)的重心为中心的对称性(例如,旋转对称性或镜像对称性)。例如,在图16中,第一扩展部542和第二扩展部544为大致左右对称。由此,能够降低应力对电流传感器500的输出产生的影响。
可以是,端子部532通过引线接合等与信号处理电路51连接,与第二扩展部544一同作为信号处理电路51的器件端子546发挥功能。端子部532可以由与框部540同样的材料形成。端子部532可以相当于图1至图15中说明的引线框32。
在本例中,八个器件端子546与信号处理电路51相连接。由此,信号处理电路51经由八个器件端子546来输入输出向导体20通电的电流的量的计算结果以及参数的设定等。另外,通过将框部540设为接地电位或恒定电位,框部540起到将从电流传感器500的背面侧过来的静电噪声遮蔽的静电屏蔽的作用。
绝缘构件60通过粘接剂等被固定于框部540的第一扩展部542和主体部541的下表面。绝缘构件60可以为绝缘膜。绝缘构件60搭载磁传感器30并与第一导体20-1和第二导体20-2分离。由此,绝缘构件60与导体20之间不形成沿面而具有高的绝缘性,并且能够将磁传感器30紧密固定于框部540。
密封部10将磁传感器30和信号处理电路51等电流传感器500的构成部件固定于内部,将第一导体20-1、第二导体20-2、框部540以及端子部532绝缘来进行保护。密封部10可以将第一导体20-1、第二导体20-2、框部540以及端子部532的至少一部分固定。例如,可以如图16所示那样,密封部10将第一导体20-1中的除端部24-1和端部24-2以外的部分以及第二导体20-2中的除端部24-3和端部24-4以外的部分密封,将没有被密封的端部24-1至端部24-4作为端子使它们露出。另外,密封部10可以以使器件端子546的单侧的端部露出的方式将剩余部分密封。
密封部10例如是通过使用环氧树脂等绝缘性优异的树脂进行模制成形而形成的。例如,密封封装可以是在俯视时为矩形形状的长方体形状。作为一例,密封封装在俯视时可以为正方形形状。
在此,对信号处理电路51和密封部10的主表面上的配置进行说明。
在本实施方式中,信号处理电路51以在俯视时相对于密封部10倾斜的方式配置。例如,构成信号处理电路51的外形的各边可以相对于构成密封部10的外形的边中的相向的一个边或多个边倾斜。作为一例,矩形的信号处理电路51可以以相对于矩形的密封部10倾斜的方式配置。
根据这样的配置,能够将空间集中于密封部10的四角侧,能够具有余裕地将磁传感器30和导体20配置于该空间。例如,在图16中,在将第一磁传感器30-1配置于密封部10的左上的空间之后,也能够在第一磁传感器30-1与信号处理电路51之间以及第一磁传感器30-1与密封部10的外缘部分之间保持充足的间隔。
因此,在图16所示的例子中,能够以第一导体20-1包围第一磁传感器30-1的方式将第一导体20-1配置于第一磁传感器30-1的周围。由此,在被第一导体20-1包围的区域产生的垂直方向的磁场变大,从而能够提高第一磁传感器30-1对被测定电流的测定精度。第二磁传感器30-2和第二导体20-2也同样。
另外,根据本实施方式的电流传感器500,能够使密封部10的大小相对于信号处理电路51的大小而言小型化,因此能够在维持性能的同时使电流传感器500整体小型化。
作为一例,如图16所示,信号处理电路51可以以在俯视时相对于密封部10倾斜45度的方式配置。由此,能够使在密封部10的四个角产生的空间最大化。此外,信号处理电路51和密封部10的倾斜角度也可以是45度以外的角度。例如,信号处理电路51和密封部10只要在30度~60度的范围内倾斜,就能够在密封部10的四个角产生充足的空间。
接着,对信号处理电路51和磁传感器30的主表面上的配置进行说明。
第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2可以分别被配置于与信号处理电路51的两个边分别相向的位置。传感器连接部57和传感器连接部58可以分别沿着信号处理电路51的两个相邻的边配置。传感器连接部57可以用于将信号处理电路51与相向的第一磁传感器30-1连接。传感器连接部58可以用于将信号处理电路51与相向的第二磁传感器30-2连接。此外,传感器连接部57和传感器连接部58可以分别包含多个焊盘。根据以上那样的结构,能够将信号处理电路51的两个边用于与多个磁传感器30的连接,因此相比于只将信号处理电路51的一个边用于与多个磁传感器30的连接的情况而言,能够缩短信号处理电路51的边的长度。
例如,在图16中,第一磁传感器30-1被配置于与信号处理电路51的左上边相向的位置,通过引线接合而与信号处理电路51的左上边上的焊盘连接。同样地,第二磁传感器30-2被配置于与信号处理电路51的左下边相向的位置,通过引线接合而与信号处理电路51的左下边上的焊盘连接。
另外,磁传感器30可以分别配置于与信号处理电路51的两个以上的相邻的边分别相向的位置。由此,磁传感器30被配置于信号处理电路51的附近位置,因此易于进行对配置于密封部10内的导体20的处理。例如,在图16中,各磁传感器30被配置于与信号处理电路51的相邻的边(左上边和左下边)分别相向的位置。另外,能够将第一磁传感器30-1与第二磁传感器30-2配置为以信号处理电路51为中心而线对称(图16中为上下对称),由此能够改善dv/dt等AC(直流)特性。
第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2可以以在俯视时分别相对于密封部10倾斜的方式配置。例如,构成第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2的外形的各边可以相对于构成密封部10的外形的一个边或多个边中的相向的边倾斜。
作为一例,在图16的实施方式中,矩形的第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2分别相对于矩形的密封部10倾斜45度,由此第一磁传感器30-1的各边和第二磁传感器30-2的各边以在俯视时与信号处理电路51的各边平行的方式配置。由此,将第一磁传感器30-1与信号处理电路51连接的引线不交叉,并且能够保持多个引线之间的对称性。将第二磁传感器30-2与信号处理电路51连接的引线也同样。
此外,在图16至图18中,对将导体20配置在磁传感器30与信号处理电路51之间的方式进行了说明,但是配置不限定于此。例如,磁传感器30也可以配置在导体20与信号处理电路51之间。在该配置的情况下,以使第一磁传感器30-1的配置位置的磁场的朝向与第二磁传感器30-2的配置位置的磁场的朝向为相互相反方向的方式决定第一导体20-1的电流的朝向和第二导体20-2的电流的朝向。
图19示出将第一导体20-1与第二导体20-2并联连接的情况下的电流路径的一例。在本例中,电流传感器500可以与图16至图18中说明的电流传感器相同,电流传感器500被搭载于印刷电路板。第一导体20-1具有端部24-1和端部24-2,第二导体20-2具有端部24-3和端部24-4。另外,附图中的黑色箭头和实线表示印刷电路板的表面侧,虚线箭头和虚线表示印刷电路板的背面侧。
在图19所示的例子中,被供给到印刷电路板的表面的第一导电路径240的被测定电流分别流入第一导体20-1的端部24-2和第二导体20-2的端部24-3。例如,向端部24-2和端部24-3流入将被测定电流均等地分割所得到的电流。由此,在第一导体20-1和第二导体20-2中分别流过朝向相反的相同的电流。从第一导体20-1的端部24-2流入的电流从第一磁传感器30-1的左下侧起沿逆时针方向绕转后从第一导体20-1的端部24-1向印刷电路板的表面的第二导电路径242输出。
被输入第二导电路径242的电流经由贯穿印刷电路板的通孔流过形成于背面的第三导电路径244,再次经由其它通孔流过形成于印刷电路板的表面的第四导电路径246。另一方面,从第二导体20-2的端部24-3流入的电流从第二磁传感器30-2的左上侧起沿顺时针方向绕转后从第二导体20-2的端部24-4向第四导电路径246合流。
这样,在图19的例子中,被测定电流被分割后以并联的方式分别流过第一磁传感器30-1的附近和第二磁传感器30-2的附近。由此,各磁传感器30的发热量降低,能够减轻因发热引起的对被测定电流测量的影响。
在此,对于第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2而言,流过朝向相反的被测定电流。即,对第一磁传感器30-1施加的由被测定电流产生的磁场与对第二磁传感器30-2施加的由被测定电流产生的磁场为相互相反的方向,另一方面,成为噪声的外部磁场为相互相同的方向。因而,信号处理电路51通过计算第一磁传感器30-1的输出与第二磁传感器30-2的输出之差,能够抵消外部磁场的影响,从而来以更高的精度测定被测定电流。
另外,根据图19所示的例子,即使在由于导体20的加工的偏差或印刷电路板的影响而在流过第一导体20-1的被测定电流与流过第二导体20-2的被测定电流之间产生了差的情况下,被测定电流的差也固定。因而,能够与加工偏差等无关地高精度地检测被测定电流。
图20示出将第一导体20-1与第二导体20-2并联连接的情况下的电流路径的另一例。关于与图19共同的事项,省略其说明。
在本例中,被供给到印刷电路板的表面的第一导电路径250的被测定电流分别流入端部24-2和端部24-3。例如,向端部24-2和端部24-3流入将被测定电流均等地分割所得到的电流。由此,第一导体20-1和第二导体20-2中流过朝向相互相反的相同的电流。从第一导体20-1的端部24-2流入的电流从第一磁传感器30-1的左下侧起沿逆时针方向绕转后从第一导体20-1的端部24-1向表面的第二导电路径252输出。
被输入到第二导电路径252的电流经由贯穿印刷电路板的通孔向形成于印刷电路板的背面的第四导电路径256输入。另一方面,从第二导体20-2的端部24-3流入的电流从第二磁传感器30-2的左上侧起沿顺时针方向绕转后从第二导体20-2的端部24-4向表面的第三导电路径254输出。被输入到第三导电路径254的电流经由贯穿印刷电路板的通孔向第四导电路径256合流。
根据图20所示的例子,与图19所示的例子不同,能够从印刷电路板的表面输入被测定电流并从背面输出被测定电流。
图21示出将第一导体20-1与第二导体20-2串联连接的情况下的电流路径的一例。关于与图19共同的事项,省略其说明。
在本例中,被供给到印刷电路板的表面的第一导电路径260的被测定电流流入第二导体20-2的端部24-3。由此,在第二导体20-2中流过被测定电流。被测定电流在第二导体20-2中从第二磁传感器30-2的左上侧起沿顺时针方向绕转后从第二导体20-2的端部24-4向表面的第二导电路径262输出。
被输入到第二导电路径262的被测定电流经由贯穿印刷电路板的通孔向形成于背面的第三导电路径264输入,再经由通孔向形成于表面的第四导电路径266流入。被测定电流从第四导电路径266经由第一导体20-1的端部24-2流向第一导体20-1。被测定电流在第一导体20-1中从第一磁传感器30-1的左下侧起沿逆时针方向绕转后经由第一导体20-1的端部24-1向形成于印刷电路板的表面的第五导电路径268输出。
这样,在图21所示的例子中,第一导体20-1与第二导体20-2针对被测定电流串联连接,因此电流传感器500能够利用多个磁传感器30测定被测定电流,由此与并联连接的情况相比较,能够以高灵敏度(即,高SN比)测定被测定电流。
另外,对于第一磁传感器30-1和第二磁传感器30-2而言,流过朝向相反的被测定电流,因此信号处理电路51通过计算第一磁传感器30-1的输出与第二磁传感器30-2的输出之差,能够抵消外部磁场的影响,从而以更高的精度测定被测定电流。
例如,在将电流传感器500使用于比较大的被测定电流(作为一例,为35A以上)流过的用途的情况下,可以如图19和图20所说明的那样将第一导体20-1与第二导体20-2并联连接。另外,例如,在将电流传感器500使用于比较小的被测定电流(作为一例,为小于35A)流过的用途的情况下,可以如图21所说明的那样将第一导体20-1与第二导体20-2串联连接。
此外,在上述说明中,对设置有两个磁传感器30的电流传感器500的例子进行了说明,但是磁传感器30的数量不限于两个。电流传感器500也可以搭载三个或四个以上的磁传感器30。例如,可以将三个以上的磁传感器30设置于信号处理电路51的三个边以上的对应的位置。在该情况下,器件端子546可以设置于图16中的信号处理电路51的上方和/或下方。
另外,在上述说明中,对电流传感器500进行了说明,但是本实施方式能够应用于电流传感器以外的传感器。例如,关于传感器,只要是将任意的传感器芯片和信号处理电路以密封的方式封装的传感器即可,例如,可以是位置传感器、光传感器或红外线传感器等。
以上,使用实施方式对本发明进行了说明,但是本发明的技术范围不限定于上述实施方式所记载的范围。本领域技术人员明确可知的是,能够对上述实施方式施以各种变更或改进。根据权利要求书的记载明确可知的是,施以这样的变更或改进所得到的方式也能够包含在本发明的技术范围内。
应该留意的是,关于专利权利要求书、说明书以及附图中示出的装置、系统、程序以及方法中的动作、过程、步骤以及阶段等各处理的执行顺序,只要没有特别注明“在…之前”、“先于…”等、并且不是前面的处理输出在后面的处理中使用的情况,就能够以任意的顺序实现。关于专利权利要求书、说明书以及附图中的动作流程,为了方便而使用“首先,”、“接着,”等来进行了说明,但是并不意味着必须以此顺序来实施。
Claims (20)
1.一种电流传感器,具备:
密封部;
第一导体,其在所述密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,且该第一导体的两个端部从所述密封部露出;
第二导体,其在所述密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,且该第二导体的两个端部从所述密封部露出;
第一磁传感器,其设置在所述密封部内,且俯视时配置在所述第一导体的内侧;以及
第二磁传感器,其设置在所述密封部内,且俯视时配置在所述第二导体的内侧,
其中,所述第一导体的一个端部与所述第二导体的一个端部电连接。
2.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,
还具备连接部,该连接部将所述第一导体的一个端部与所述第二导体的一个端部电连接。
3.根据权利要求1或2所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体与所述第二导体以在所述第一导体和所述第二导体中流过相同的被测定电流的方式电连接。
4.根据权利要求3所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体与所述第二导体以使通过所述第一导体中流过的所述被测定电流而对所述第一磁传感器的位置施加的磁场与通过所述第二导体中流过的所述被测定电流而对所述第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式电连接。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,还具备:
第一外侧导体,其在所述密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,该第一外侧导体的两个端部从所述密封部露出,且在俯视时在所述弯曲部的内侧配置所述第一导体和所述第一磁传感器;以及
第二外侧导体,其在所述密封部内具有俯视时弯曲的弯曲部,该第二外侧导体的两个端部从所述密封部露出,且在俯视时在所述弯曲部的内侧配置所述第二导体和所述第二磁传感器。
6.根据权利要求5所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体、所述第二导体、所述第一外侧导体以及所述第二外侧导体以在所述第一导体、所述第二导体、所述第一外侧导体以及所述第二外侧导体中流过相同的被测定电流的方式电连接。
7.根据权利要求6所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体与所述第一外侧导体以使通过所述第一导体中流过的所述被测定电流而对所述第一磁传感器的位置施加的磁场与通过所述第一外侧导体中流过的所述被测定电流而对所述第一磁传感器的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接,
所述第二导体与所述第二外侧导体以使通过所述第二导体中流过的所述被测定电流而对所述第二磁传感器的位置施加的磁场与通过所述第二外侧导体中流过的所述被测定电流而对所述第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相同的方向的方式电连接,
包含所述第一导体和所述第一外侧导体的第一导体群与包含所述第二导体和所述第二外侧导体的第二导体群以使对所述第一磁传感器的位置施加的磁场与对所述第二磁传感器的位置施加的磁场为相互相反的方向的方式电连接。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
还具备信号处理电路,该信号处理电路计算所述第一磁传感器的输出与所述第二磁传感器的输出之差。
9.根据权利要求8所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体和所述第二导体具有相对于将所述第一磁传感器和所述第二磁传感器连结的线段的垂直平分线相互线对称的形状。
10.根据权利要求8或9所述的电流传感器,其特征在于,
所述信号处理电路以在俯视时相对于所述密封部倾斜的方式配置。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述信号处理电路以在俯视时相对于所述密封部倾斜45度的方式配置。
12.根据权利要求10或11所述的电流传感器,其特征在于,
在分别与所述信号处理电路的两个相邻的边相向的位置分别配置所述第一磁传感器和所述第二磁传感器,
沿着所述信号处理电路的所述两个边分别配置用于将所述信号处理电路与所述第一磁传感器连接以及用于将所述信号处理电路与所述第二磁传感器连接的传感器连接部。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一磁传感器和所述第二磁传感器为矩形,
所述第一磁传感器和所述第二磁传感器分别以在俯视时相对于所述密封部倾斜的方式配置,
所述第一磁传感器的各边和所述第二磁传感器的各边以在俯视时与所述信号处理电路的各边平行的方式配置。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体和所述第二导体串联连接。
15.根据权利要求1至13中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体和所述第二导体并联连接。
16.根据权利要求8至13中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,还具备:
框部,其用于搭载所述信号处理电路;以及
绝缘构件,其固定于所述框部的下表面,用于搭载所述第一磁传感器和所述第二磁传感器;
在所述第一导体和所述第二导体分别设置有高度差,
其中,所述第一导体和所述第二导体与所述绝缘构件分离。
17.根据权利要求8至13中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
还具备第一绝缘构件,该第一绝缘构件被配置在所述第一导体和所述第二导体上,
所述信号处理电路被配置在所述第一绝缘构件上。
18.根据权利要求1至17中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,还具备:
引线框,其具有突出部,该突出部在所述密封部内与所述第一导体和所述第二导体分离地设置,且以在俯视时将所述第一导体和所述第二导体夹在中间的方式配置;以及
第二绝缘构件,其与所述突出部接合,
所述第一磁传感器和所述第二磁传感器被载置在所述第二绝缘构件上,在所述第二绝缘构件与所述第一导体之间以及所述第二绝缘构件与所述第二导体之间形成有所述密封部。
19.根据权利要求8至13中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一磁传感器、所述第二磁传感器以及所述信号处理电路形成于同一半导体基板。
20.根据权利要求1至19中的任一项所述的电流传感器,其特征在于,
所述第一导体的两个端部和所述第二导体的两个端部在所述密封部的同一侧面露出。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016237478 | 2016-12-07 | ||
JP2016-237478 | 2016-12-07 | ||
JP2017-004691 | 2017-01-13 | ||
JP2017004691 | 2017-01-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108169534A true CN108169534A (zh) | 2018-06-15 |
CN108169534B CN108169534B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=62243764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711277636.0A Active CN108169534B (zh) | 2016-12-07 | 2017-12-06 | 电流传感器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10663492B2 (zh) |
JP (1) | JP7049102B2 (zh) |
CN (1) | CN108169534B (zh) |
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US10663492B2 (en) | 2020-05-26 |
JP2018116047A (ja) | 2018-07-26 |
US20180156845A1 (en) | 2018-06-07 |
CN108169534B (zh) | 2020-12-01 |
JP7049102B2 (ja) | 2022-04-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |