CN108137391A - 显示器用玻璃基板及其制造方法 - Google Patents

显示器用玻璃基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108137391A
CN108137391A CN201680059475.5A CN201680059475A CN108137391A CN 108137391 A CN108137391 A CN 108137391A CN 201680059475 A CN201680059475 A CN 201680059475A CN 108137391 A CN108137391 A CN 108137391A
Authority
CN
China
Prior art keywords
face
glass substrate
display
mass
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680059475.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108137391B (zh
Inventor
佐藤启史
若林纱枝
中谷嘉孝
小林大介
似内佑辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of CN108137391A publication Critical patent/CN108137391A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108137391B publication Critical patent/CN108137391B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种从吸附台剥离时不容易产生剥离带电的显示器用玻璃基板及其制造方法。本发明的显示器用玻璃基板具有第一面和与该第一面相反侧的第二面，其中，上述第一面具有多个开口的孔，上述孔的平均开口面积为1.70×104nm2以下，并且上述孔的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上。

Description

显示器用玻璃基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示器用玻璃基板及其制造方法。
背景技术
在等离子体显示面板(PDP)、液晶显示装置(LCD)、电致发光显示器(ELD)、场发射显示器(FED)等平板显示器中，使用在玻璃基板上形成有透明电极、半导体元件等的构件作为基板。例如，在LCD中，使用在玻璃基板上形成有透明电极、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等的构件作为基板。
在玻璃基板上的透明电极、半导体元件等的形成是在通过吸附将玻璃基板固定于吸附台上的状态下进行的。
但是，由于玻璃基板的表面平滑，因此，玻璃基板强力地粘贴在吸附台上，玻璃基板难以从吸附台剥离，强行剥离时，会导致玻璃基板破损。
另外，在将形成有透明电极、半导体元件等的玻璃基板从吸附台剥离时，玻璃基板带电。玻璃基板产生剥离带电的情况下，会发生TFT等半导体元件的静电击穿。
因此，对与吸附台接触的一侧的玻璃基板的表面进行粗糙化处理，从而减小玻璃基板与吸附台的接触面积。如果减小该接触面积，则容易从吸附台剥离玻璃基板。另外，可以抑制剥离带电的产生，能够减少剥离带电量。作为粗糙化处理的方法而言，例如，已知有在向玻璃基板的一个面喷吹含有液体和研磨磨粒的浆料的同时利用刷对玻璃基板的表面进行研磨的方法(例如，参见专利文献1)。
但是，对于通过现有的方法进行了粗糙化处理的玻璃基板而言，无法充分地抑制剥离带电的产生，有时会发生半导体元件的静电击穿。另外，玻璃基板会由于剥离带电而再次粘贴于吸附台等，玻璃基板难以从吸附台等剥离，强行剥离时，有时会导致玻璃基板破损。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-343632号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明提供一种从吸附台剥离时不容易产生剥离带电的显示器用玻璃基板及其制造方法。
用于解决问题的手段
本发明的显示器用玻璃基板具有第一面和与该第一面相反侧的第二面，其特征在于，上述第一面具有多个开口的孔，上述孔的平均开口面积为1.70×104nm2以下，并且上述孔的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上。
本发明的显示器用玻璃基板优选：以氧化物基准的质量％表示，所述显示器用玻璃基板的玻璃组成为：SiO2的含量为50质量％～70质量％、Al2O3的含量为10质量％～20质量％、B2O3的含量为0～15质量％、MgO的含量为0～10质量％、CaO的含量为0～20质量％、SrO的含量为0～20质量％、BaO的含量为0～20质量％、MgO、CaO、SrO、BaO的合计含量为1质量％～30质量％、并且实质上不含碱金属氧化物。
本发明的显示器用玻璃基板优选：上述第二面为用于形成电子构件的面，上述第一面为不形成电子构件的面。
本发明的显示器用玻璃基板优选：上述第一面的算术平均粗糙度Sa为0.30nm以上。
本发明的显示器用玻璃基板优选：上述第一面和上述第二面为矩形，并且一边的长度为1m以上。
本发明的显示器用玻璃基板的制造方法的特征在于，其包括对具有第一面和与该第一面相反侧的第二面的玻璃板的上述第一面进行玻璃蚀刻处理的工序，并且在上述进行玻璃蚀刻处理的工序中，以使得平均开口面积为1.70×104nm2以下、合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上的方式形成在上述第一面开口的多个孔。
本发明的显示器用玻璃基板的制造方法优选：在上述进行玻璃蚀刻处理的工序之前具有利用含有碳酸钙的浆料对上述玻璃板进行清洗的工序。
本发明的显示器用玻璃基板的制造方法优选上述玻璃蚀刻处理为利用含有氟化氢的气体进行的蚀刻。
本发明的显示器用玻璃基板的制造方法优选：在上述利用含有氟化氢的气体进行的蚀刻中，从反应气体喷出口向蚀刻槽内以0.07m/秒喷出含有氟化氢反应成分的气体，并从反应气体排出口以0.07m/秒排出，从反应气体排出口排出的气体与反应气体排出口周围的空气一起被以0.5m/秒抽吸时的混合气体中所含的氟化氢浓度为500ppm～1500ppm。
发明效果
本发明的显示器用玻璃基板在从吸附台剥离时不容易产生剥离带电。
附图说明
图1是示出本发明的显示器用玻璃基板的一个实施方式的示意性剖视图。
图2是对实施例1的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图3是对实施例2的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图4是对实施例3的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图5是对比较例1的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图6是对比较例2的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图7是对比较例3的玻璃基板检测孔而得到的图像。
图8是示出玻璃基板的孔的合计开口面积与玻璃基板的剥离带电量的关系的图。
具体实施方式
[显示器用玻璃基板]
图1是示出本发明的显示器用玻璃基板的一个实施方式的示意性剖视图。
本实施方式的显示器用玻璃基板10具有第一面10a和与第一面10a相反侧的第二面10b。显示器用玻璃基板10在第一面10a形成有多个孔12。孔12以在显示器用玻璃基板10的第一面10a开口的方式形成。
需要说明的是，为了便于说明，图1中的孔12以大于实际的方式记载。
孔12在显示器用玻璃基板10的第一面10a开口。换而言之，孔12是在第一面10a中沿显示器用玻璃基板10的厚度方向凹陷的微小的空间。
在显示器用玻璃基板10的第一面10a中，孔12以岛状不规则地分散。另外，多个孔12的形状不均匀(不整齐)，并且，其开口面积(俯视与显示器用玻璃基板10的板厚方向垂直的平面时的尺寸)也不均匀(不整齐)。
孔12的平均开口面积为1.70×104nm2以下、优选为3.00×103nm2～1.65×104nm2。
平均开口面积是俯瞰显示器用玻璃基板10的第一面10a时的在规定区域内存在的多个开口的平均面积(平均开口面积＝(S1+S2+…+Sn)/n。在此，S1、S2、…、Sn表示在规定区域内存在的各开口的面积、n表示在规定区域内存在的开口的数量)。通过将平均开口面积调节至上述数值范围内，在将显示器用玻璃基板10载放于吸附台等上的情况下，孔12内部与吸附台的接触概率降低。即，显示器用玻璃基板10与吸附台的接触面积减小。
需要说明的是，孔12的平均开口面积是通过后述的方法测定的值。
另外，孔12的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上、优选为6.00×106nm2/25μm2～1.80×107nm2/25μm2、更优选为8.00×106nm2/25μm2～1.80×107nm2/25μm2。
合计开口面积为俯瞰显示器用玻璃基板10的第一面10a时的在规定区域内存在的多个开口的合计面积(合计开口面积＝S1+S2+…+Sn。在此，S1、S2、…、Sn表示在规定区域内存在的各开口的面积、n表示在规定区域内存在的开口的数量)。通过将合计开口面积调节至上述数值范围内，在将显示器用玻璃基板10载放于吸附台等上的情况下，显示器用玻璃基板10与吸附台的接触面积减小。
需要说明的是，孔12的合计开口面积是通过后述的方法测定的值。
如果孔12的平均开口面积为1.70×104nm2以下且孔12的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上，则从吸附台剥离显示器用玻璃基板10时产生的剥离带电量减少，容易从吸附台剥离显示器用玻璃基板10。
剥离带电量优选为-7200V以上、更优选为-7150V以上、进一步优选为-7000V以上、进一步优选为6800V以上、进一步优选为-6500V以上。如果剥离带电量减少，则显示器用玻璃基板10容易剥离，并且不容易受损。另外，不容易发生半导体元件的静电击穿。
孔12的平均开口面积和合计开口面积通过下述方法求出。
首先，利用原子力显微镜对显示器用玻璃基板10的第一面10a进行观察，获得孔12的形状图像。
在本实施方式中，孔12的形状图像使用下述原子力显微镜在下述测定条件下获得。
原子力显微镜：Bruker公司Dimension ICON
测定模式：轻敲(Tapping)模式
探针：RTESPA(弹性常数：40N/m)
样品/线路：512
扫描速率：0.5Hz
测定视野：5μm×5μm
测定部位：第一面10a的中心的一个部位
接着，利用纳米级三维图像处理软件(Image Metrology公司制造的SPIP6.4.1)对由原子力显微镜获得的形状图像实施调平处理、滤波处理和分析处理，计算孔12的平均开口面积和合计开口面积。详细情况之后进行说明。
对于本实施方式的显示器用玻璃基板10而言，优选第一面10a的算术平均粗糙度Sa为0.30nm～0.90nm。如果算术平均粗糙度Sa为0.3nm以上，则能够有效地减小带电量。算术平均粗糙度Sa越大，则带电量越小。但是，算术平均粗糙度Sa过大时，可见光透射率降低，因此，算术平均粗糙度Sa优选为0.9nm以下。
算术平均粗糙度Sa是由DIN 4768规定的、将算术平均粗糙度Ra(JIS B0601(2001年)中规定)在面内扩展而得到的参数。表示相对于第一面10a的平均面的、各点的高度差的绝对值的平均。
显示器用玻璃基板10的形状没有特别限制，优选第一面10a和第二面10b为矩形。显示器用玻璃基板10的尺寸没有特别限制，第一面10a和第二面10b为矩形时，其一边的长度优选为1m以上、更优选为1.5m以上、进一步优选为2m以上。
一边的长度越长，则第一面10a的面积越大，带电量也越大。但是，通过将第一面10a调节为具有上述平均开口面积和上述合计开口面积，由此，即使为一边的长度为1m以上的大尺寸，也能够减小带电量。
显示器用玻璃基板10的玻璃组成没有特别限制，在第二面10b形成薄膜晶体管的情况下，从粘附性、降低不良率的观点考虑，以氧化物基准的质量％表示，优选：SiO2的含量为50质量％～70质量％、Al2O3的含量为10质量％～20质量％、B2O3的含量为0～15质量％、MgO的含量为0～10质量％、CaO的含量为0～20质量％、SrO的含量为0～20质量％、BaO的含量为0～20质量％、MgO、CaO、SrO、BaO的合计含量为1质量％～30质量％、并且实质上不含碱金属氧化物。
无碱玻璃为实质上不含碱金属氧化物(Na2O、K2O、Li2O)的玻璃。无碱玻璃中的Na2O、K2O、Li2O等碱金属氧化物的合计含量例如可以为0.1质量％以下。
在应变点高、考虑到溶解性的情况下，无碱玻璃优选：以氧化物基准的质量％表示，SiO2的含量为58质量％～66质量％、Al2O3的含量为15质量％～22质量％、B2O3的含量为5质量％～12质量％、MgO的含量为0～8质量％、CaO的含量为0～9质量％、SrO的含量为3质量％～12.5质量％、BaO的含量为0～2质量％、MgO、CaO、SrO、BaO的合计含量为9质量％～18质量％。
考虑到高应变点的情况下，无碱玻璃优选：以氧化物基准的质量％表示，SiO2的含量为54质量％～73质量％、Al2O3的含量为10.5质量％～22.5质量％、B2O3的含量为0～5.5质量％、MgO的含量为0～10质量％、CaO的含量为0～9质量％、SrO的含量为0～16质量％、BaO的含量为0％～2.5％、MgO、CaO、SrO、BaO的合计含量为8质量％～26质量％。
根据本实施方式的显示器用玻璃基板10，第一面10a具有多个开口的孔12，孔12的平均开口面积为1.70×104nm2以下，孔12的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上，因此，将显示器用玻璃基板10载放于吸附台等上的情况下，两者的接触面积小，相互摩擦而带电的量(带电量)少，作为结果，容易从吸附台等剥离显示器用玻璃基板10。
[显示器用玻璃基板的制造方法]
本实施方式的显示器用玻璃基板的制造方法具有：利用含有碳酸钙的浆料对具有第一面11a和与第一面11a相反侧的第二面11b的玻璃板11进行清洗的工序；和对玻璃板11的第一面11a进行玻璃蚀刻处理的工序。
以下，将玻璃板11中作为显示器用玻璃基板10的第一面10a的一侧的面称为11a，将作为显示器用玻璃基板10的第二面10b的一侧的面称为11b。
在本实施方式的显示器用玻璃基板的制造方法中，优选通过浮法对玻璃板11进行成形。
详细而言，通过浮法将玻璃板11成形为带状，然后将该带状的玻璃板11切割成所期望的尺寸，进一步对端面进行倒角加工。
接着，优选利用含有氧化铈的浆料对玻璃板11的第二面11b进行研磨。
该研磨工序中使用的氧化铈的平均粒径优选为0.3μm～10μm、更优选为0.5μm～3μm。
另外，含有氧化铈的浆料中的氧化铈的含量优选为0.5质量％～10质量％、更优选为0.5质量％～7质量％。
接着，在利用含有氧化铈的浆料进行的研磨结束后，通过喷淋对玻璃板11进行清洗，利用水冲洗玻璃板11的第二面11b的浆料和绕至玻璃板11的第一面11a的浆料。
接着，利用含有碳酸钙的浆料对玻璃板11的第一面11a、优选对第一面11a和第二面11b进行清洗。
在该清洗工序中，为了除去无法通过喷淋清洗而除去的含有氧化铈的浆料，一边向玻璃板11喷出含有碳酸钙的浆料一边利用刷进行清洗。
相对于作为化学机械研磨的利用含有氧化铈的浆料进行的研磨，该利用含有碳酸钙的浆料进行的清洗以机械研磨为主。通过与残留在第二面11b的和/或从第二面11b绕至第一面11a的含有氧化铈的浆料、在第一面11a上存在的污渍等的物理性碰撞等，从而除去来自玻璃板11的第一面11a和/或第二面11b的含有氧化铈的浆料、污渍，进行清洗。
作为刷的形态而言，优选圆盘刷的形态，也可以使用辊刷等形态。
含有碳酸钙的浆料是使碳酸钙分散在水、有机溶剂等溶剂中而得到的分散液。
该含有碳酸钙的浆料中使用的碳酸钙的平均粒径优选为0.3μm～10μm、更优选为0.5μm～3μm。
另外，含有碳酸钙的浆料中的碳酸钙的含量优选为1质量％～15质量％、更优选为1质量％～10质量％。
含有碳酸钙的浆料对玻璃板11的研磨能力低，因此，能够在保持玻璃板11的第二面11b的表面状态不变的情况下从玻璃板11的第二面11b和第一面11a除去含有氧化铈的浆料。
接着，在利用含有碳酸钙的浆料进行清洗的工序结束后，优选经过对玻璃板11利用高压喷淋进行清洗的工序、利用洗涤剂进行清洗的工序、利用高压喷淋进行清洗的工序、利用纯水进行清洗的工序、利用高压喷淋进行清洗的工序、进行纯水喷淋清洗的工序，并通过干燥工序进行处理。
接着，对玻璃板11的第一面11a进行玻璃蚀刻处理。
在该进行玻璃蚀刻处理的工序中，以平均开口面积为1.70×104nm2以下、合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上的方式形成在玻璃板11的第一面11a开口的多个孔12。
作为蚀刻槽而言，使用设置有用于向蚀刻槽内导入反应气体的反应气体喷出口和用于从蚀刻槽内排出反应气体的反应气体排出口的蚀刻槽。反应气体喷出口为宽度为2mm、长度为能够向蚀刻槽内喷出反应气体的大小的狭缝。反应气体排出口是长度与反应气体喷出口相等的多个狭缝彼此隔开且并列形成的。反应气体排出口整体的宽度为17mm。反应气体喷出口朝向玻璃板11的第一面11a。
在本实施方式的显示器用玻璃基板的制造方法中，从反应气体喷出口向蚀刻槽内以0.07m/秒喷出含有氟化氢反应成分的气体，并以0.07m/秒从反应气体排出口排出。从反应气体排出口排出的气体与反应气体排出口周围的空气一起被以0.5m/秒抽吸，成为混合气体。混合气体中所含的氟化氢浓度优选为500ppm～1500ppm、更优选为600ppm～1000ppm。通过将混合气体的浓度调节至上述范围内，在玻璃板11的第一面11a开口的多个孔12的平均开口面积及合计开口面积容易在上述范围内。
换而言之，在进行玻璃蚀刻处理的工序中，不论反应气体的喷出量、排出量和抽吸量，混合气体中所含的氟化氢浓度优选为使得混合气体的浓度在上述范围内的浓度。
进行玻璃蚀刻处理的工序优选在常温、常压下进行。
反应气体优选在与进行玻璃蚀刻处理的槽(以下称为“蚀刻槽”)不同的等离子体处理槽中通过大气压等离子体处理而产生。例如，通过在水蒸气的存在下对作为原料气体的四氟化碳进行大气压等离子体处理，能够产生作为反应气体的氟化氢。作为载气而言，可以使用氮气等非活性气体。通过将所产生的反应气体经由管道从设置在蚀刻槽内的喷嘴向玻璃板11的第一面11a喷吹，由此能够进行玻璃蚀刻。
蚀刻槽中的反应气体的浓度和压力可以通过对等离子体处理槽的原料气体的供给量、水分的供给量、等离子体处理的放电功率等来调节。
在蚀刻槽中，为了连续地进行处理，优选设置基板搬入口和基板排出口。另外，优选设置将玻璃板11从基板搬入口运送至基板排出口的运送单元。这种情况下，喷吹反应气体的喷嘴设置在从基板搬入口到基板排出口的运送玻璃板11的路径上。
然后，利用纯水对玻璃板11进行清洗，进行干燥，从而得到显示器用玻璃基板10，并对所得到的显示器用玻璃基板10进行检查。
需要说明的是，在本实施方式中，对于在进行玻璃蚀刻处理的工序之前进行通过浮法制造玻璃板11的工序、利用含有氧化铈的浆料进行研磨的工序、利用含有碳酸钙的浆料进行清洗的工序的全部工序的方式进行了说明，但是，在本发明的显示器用玻璃基板的制造方法中，除进行玻璃蚀刻处理的工序以外的工序是可选的。
例如，可以从第三方购买完成了直到利用含有氧化铈的浆料进行研磨的工序为止的处理的玻璃板11，而仅进行利用含有碳酸钙的浆料进行清洗的工序和进行玻璃蚀刻处理的工序。另外，也可以从第三方购买完成了直到利用碳酸钙进行清洗的工序为止的处理的玻璃板11，而仅实施进行玻璃蚀刻处理的工序。另外，进行蚀刻处理的玻璃板11也可以是未经过利用含有氧化铈的浆料进行研磨的工序的玻璃板。
根据本实施方式的显示器用玻璃基板的制造方法，其具有对玻璃板11的第一面11a进行玻璃蚀刻处理的工序，并且在进行玻璃蚀刻处理的工序中，以平均开口面积为1.70×104nm2以下、合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上的方式形成在第一面11a开口的多个孔12，因此，在载放于吸附台等上的情况下，与吸附台等的接触面积小，与吸附台摩擦而带电的量(带电量)少，作为结果，能够得到容易从吸附台等剥离的显示器用玻璃基板10。
实施例
以下，通过实施例和比较例对本发明更具体地进行说明，但本发明不限于下述实施例。
[实施例1]
一边运送长度520mm×宽度410mm×厚度0.50mm的通过浮法得到的并且对第二面完成了利用氧化铈进行的研磨的玻璃板(商品名：AN100、旭硝子公司制造)，一边向玻璃板的第一面和第二面喷出通过使碳酸钙分散在水中而制备的浆料清洗用的浆料，并利用圆盘刷进行了清洗。
碳酸钙的浓度在浆料(100质量％)中设定为3.0质量％。
作为碳酸钙而言，使用平均粒径为1μm的碳酸钙。
将玻璃板的运送速度设定为10m/分钟。
接着，利用洗涤剂和纯水对完成了利用碳酸钙的浆料进行的清洗的玻璃板的第一面进行清洗，并利用气刀使玻璃板干燥。
接着，利用氟化氢对完成了利用纯水进行的洗涤处理的玻璃板的第一面进行了玻璃蚀刻处理。
作为蚀刻槽而言，使用设置有用于向蚀刻槽内导入反应气体的反应气体喷出口和用于从蚀刻槽内排出反应气体的反应气体排出口的蚀刻槽。反应气体喷出口为宽度为2mm、长度为能够向蚀刻槽内喷出反应气体的大小的狭缝。反应气体排出口是长度与反应气体喷出口相等的多个狭缝彼此隔开且并列形成的。反应气体排出口整体的宽度为17mm。
在本实施例中，从反应气体喷出口向蚀刻槽内以0.07m/秒喷出含有氟化氢反应成分的气体，并以0.07m/秒从反应气体排出口排出。从反应气体排出口排出的气体与反应气体排出口周围的空气一起被以0.5m/秒抽吸，成为混合气体。以使得混合气体中所含的氟化氢浓度为500ppm的方式进行调节，蚀刻槽中的氟化氢的压力和温度设定为常温、常压。
氟化氢是以四氟化碳作为原料气体在水蒸气的存在下通过等离子体处理而产生的。载气使用了氮气。
接着，通过利用纯水对完成了玻璃蚀刻处理的玻璃板进行清洗，并进行干燥，由此得到了实施例1的玻璃基板。
在所得到的玻璃基板的第一面如图2所示形成了多个孔。需要说明的是，在图2中，颜色较深的部分表示孔。另外，呈直线状的划痕是在利用氧化铈进行研磨时由环绕的氧化铈形成的划痕。该划痕被包含在后述的平均开口面积和合计开口面积中。
[实施例2]
在玻璃蚀刻处理中，以使得混合气体中所含的氟化氢浓度为850ppm的方式进行了调节，除此以外以与实施例1相同的方式得到了实施例2的玻璃基板。
在所得到的玻璃基板的第一面如图3所示形成了多个孔。
[实施例3]
在玻璃蚀刻处理中，以使得混合气体中所含的氟化氢浓度为700ppm的方式进行了调节，除此以外以与实施例1相同的方式得到了实施例3的玻璃基板。
在所得到的玻璃基板的第一面如图4所示形成了多个孔。
[比较例1]
一边运送与实施例1中使用的玻璃板相同的玻璃板(商品名：AN100、旭硝子公司制造)，一边向玻璃板的第一面喷出通过使氧化铈分散在水中而制备的浆料清洗用的浆料，同时利用圆盘刷对玻璃基板的第一面进行了清洗。
氧化铈的浓度在浆料(100质量％)中设定为7.0质量％。
作为氧化铈而言，使用平均粒径为1μm的氧化铈。
将玻璃板的运送速度设定为10m/分钟。
接着，利用洗涤剂和纯水对完成了利用氧化铈的浆料进行的清洗的玻璃板的第一面进行清洗，并利用气刀使玻璃板干燥，从而得到了比较例1的玻璃基板。
在所得到的玻璃基板的第一面如图5所示形成了通过利用氧化铈的浆料进行的清洗而产生的多个孔。
[比较例2]
一边运送与实施例1中使用的玻璃板相同的玻璃板(商品名：AN100、旭硝子公司制造)，一边向玻璃基板的第一面喷出通过使氧化铈分散在水中而制备的浆料清洗用的浆料，同时利用圆盘刷对玻璃板的第一面进行了清洗。
氧化铈的浓度在浆料(100质量％)中设定为7.0质量％。
作为氧化铈而言，使用平均粒径为1μm的氧化铈。
将玻璃板的运送速度设定为10m/分钟。
接着，利用洗涤剂和纯水对完成了利用氧化铈的浆料进行的清洗的玻璃板的第一面进行清洗，并利用气刀使玻璃板干燥。
接着，利用氟化氢对完成了利用纯水进行的洗涤处理的玻璃板的第一面进行了玻璃蚀刻处理。在玻璃蚀刻处理中，以使得混合气体中所含的氟化氢浓度为700ppm的方式进行了调节，除此以外以与实施例1相同的方式得到了比较例2的玻璃基板。
在所得到的玻璃板的第一面如图6所示形成了多个孔。
[比较例3]
一边运送与实施例1中使用的玻璃板相同的玻璃板(商品名：AN100、旭硝子公司制造)，一边向玻璃板的第一面喷出通过使碳酸钙分散在水中而制备的浆料清洗用的浆料，并利用圆盘刷进行了清洗。
碳酸钙的浓度在浆料(100质量％)中设定为3.0质量％。
作为碳酸钙而言，使用平均粒径为1μm的碳酸钙。
将玻璃基板的运送速度设定为10m/分钟。
接着，利用洗涤剂和纯水对完成了利用碳酸钙的浆料进行的清洗的玻璃板的第一面进行清洗，并利用气刀使玻璃板干燥，从而得到比较例3的玻璃基板。
所得到的玻璃基板的第一面如图7所示与实施例、其它比较例相比平坦性略差，并且形成了通过利用碳酸钙的浆料进行的清洗而产生的多个孔。
[玻璃基板的孔的平均开口面积和合计开口面积测定]
对于实施例1～3和比较例1～3中得到的玻璃基板，利用原子力显微镜(AFM)观察玻璃基板的第一面，获得孔的形状图像，然后使用图像分析软件(Image Metrology公司制造的SPIP6.4.1)，计算出孔的平均开口面积和合计开口面积。
将原子力显微镜和测定条件设定为如下所述。
原子力显微镜：Bruker公司Dimension ICON
测定模式：轻敲(Tapping)模式
探针：RTESPA(弹性常数：40N/m)
样品/线路：512
扫描速率：0.5Hz
测定视野：5μm×5μm
测定部位：第一面(10a)的中心的一个部位
另外，将使用了图像分析软件的孔的平均开口面积和合计开口面积的计算步骤设定为如下所述。
步骤1：调平处理(实施“每条线的调平”和“整个面的调平”。然后，使图像旋转90°，再次实施“每条线的调平”和“整个面的调平”。)
步骤2：滤波处理1(从中值(中位数)窗口选择或输入非定向干扰、高低值、进行置换的比例：2、窗口尺寸：5，启用“包含边界”，并应用)
步骤3：滤波处理2(从卷积窗口选择或输入平滑、高斯分布、标准偏差：1，启用“X＝Y”和“自动尺寸”，并应用)
步骤4：粒子·孔分析(首先，从检测窗口选择或输入分支线-分散的形状、孔检测、分类的平台范围：±0.50、滤波尺寸的平滑：2.00像素。接着，从后处理窗口，启用“形状完全保存”、“抑制像素干扰”、“包括图像端的形状”。最后点击检测，求出孔的平均面积和合计面积。)
将结果示于表1中。
[玻璃基板的算术平均粗糙度Sa测定]
对于实施例1～3和比较例1～3中得到的玻璃基板，测定了其第一面的算术平均粗糙度Sa(nm)。
算术平均粗糙度Sa通过DIN 4768中规定的、利用原子力显微镜(AFM)对各点处的5μm×5μm的测定区域进行测定而求出。将结果示于表1中。
[玻璃基板的带电量]
对实施例1～3和比较例1～3中得到的玻璃基板的剥离带电量进行测定。测定方法是首先保持玻璃基板的缘部并使第一面与不锈钢制(SUS304)的真空吸附台相对。接着，反复进行110次玻璃基板与真空吸附台的吸附·释放。最后，通过利用表面电位计(MODEL320C、Trek Japan公司制造)测定将玻璃基板从真空吸附台提起时的带电量，从而测定了剥离带电量(V)。玻璃基板的第一面与表面电位计的探针的间隔为30mm。将结果示于表1中。
另外，将玻璃基板的孔的合计开口面积(nm2/25μm2)与玻璃基板的剥离带电量(V)的关系示于图8中。
表1
根据表1和图8的结果可知：通过满足玻璃基板的孔的平均开口面积和合计开口面积两者的条件，能够降低剥离带电量。认为这是因为：与利用氧化铈进行的清洗相比，利用碳酸钙进行的清洗是在保持玻璃基板的表面状态不变的情况下进行清洗。即，利用氧化铈进行清洗的情况下，研磨能力高，因此，玻璃基板的第一面表层的容易被蚀刻的部分被磨削掉，另一方面，利用碳酸钙进行清洗的情况下，玻璃基板的第一面表层的容易被蚀刻的部分残留，仅除去污渍。因此，可以认为是容易通过蚀刻而开孔的玻璃基板。另外，还认为是因为：利用碳酸钙进行清洗的情况下，容易除去从第二面绕至第一面的、使用了含有氧化铈的浆料的研磨中的化学副产物(凝胶状二氧化硅等)。
详细且参考特定的实施方式对本发明进行了说明，但是，对于本领域技术人员而言显而易见的是在不脱离本发明的精神和范围的情况下能够进行各种变更、修正。本申请基于2015年10月15日提出的日本专利申请(日本特愿2015-203881)，其内容以参考的方式并入本说明书中。
产业实用性
本发明的显示器用玻璃基板作为等离子体显示面板(PDP)、液晶显示装置(LCD)、电致发光显示器(ELD)、场发射显示器(FED)等显示器的基板是有用的。
附图标记
10…显示器用玻璃基板、11…玻璃板、12…孔。

Claims (9)

1.一种显示器用玻璃基板，其具有第一面和与该第一面相反侧的第二面，其特征在于，
所述第一面具有多个开口的孔，
所述孔的平均开口面积为1.70×104nm2以下，并且
所述孔的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上。
2.如权利要求1所述的显示器用玻璃基板，其中，
以氧化物基准的质量％表示，所述显示器用玻璃基板的玻璃组成为：
SiO2的含量为50质量％～70质量％、
Al2O3的含量为10质量％～20质量％、
B2O3的含量为0～15质量％、
MgO的含量为0～10质量％、
CaO的含量为0～20质量％、
SrO的含量为0～20质量％、
BaO的含量为0～20质量％、
MgO、CaO、SrO、BaO的合计含量为1质量％～30质量％，
并且实质上不含有碱金属氧化物。
3.如权利要求1或2所述的显示器用玻璃基板，其中，所述第二面为用于形成电子构件的面，所述第一面为不形成电子构件的面。
4.如权利要求1～3中任一项所述的显示器用玻璃基板，其中，所述第一面的算术平均粗糙度Sa为0.30nm以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的显示器用玻璃基板，其中，所述第一面和所述第二面为矩形，并且一边的长度为1m以上。
6.一种显示器用玻璃基板的制造方法，其特征在于，
所述显示器用玻璃基板的制造方法包括对具有第一面和与该第一面相反侧的第二面的玻璃板的所述第一面进行玻璃蚀刻处理的工序，并且
在所述进行玻璃蚀刻处理的工序中，以使得平均开口面积为1.70×104nm2以下、合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上的方式形成在所述第一面开口的多个孔。
7.如权利要求6所述的显示器用玻璃基板的制造方法，其中，在所述进行玻璃蚀刻处理的工序之前具有利用含有碳酸钙的浆料对所述玻璃板进行清洗的工序。
8.如权利要求6或7所述的显示器用玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃蚀刻处理为利用含有氟化氢的气体进行的蚀刻。
9.如权利要求8所述的显示器用玻璃基板的制造方法，其中，在所述利用含有氟化氢的气体进行的蚀刻中，从反应气体喷出口向蚀刻槽内以0.07m/秒喷出含有氟化氢反应成分的气体，并从反应气体排出口以0.07m/秒排出，从反应气体排出口排出的气体与反应气体排出口周围的空气一起被以0.5m/秒抽吸时的混合气体中所含的氟化氢浓度为500ppm～1500ppm。
CN201680059475.5A 2015-10-15 2016-10-11 显示器用玻璃基板及其制造方法 Active CN108137391B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-203881 2015-10-15
JP2015203881 2015-10-15
PCT/JP2016/080131 WO2017065138A1 (ja) 2015-10-15 2016-10-11 ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108137391A true CN108137391A (zh) 2018-06-08
CN108137391B CN108137391B (zh) 2022-07-26

Family

ID=58518182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680059475.5A Active CN108137391B (zh) 2015-10-15 2016-10-11 显示器用玻璃基板及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6870617B2 (zh)
KR (1) KR102597824B1 (zh)
CN (1) CN108137391B (zh)
TW (1) TWI731884B (zh)
WO (1) WO2017065138A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022544054A (ja) * 2019-07-30 2022-10-17 コーニング インコーポレイテッド 処理中の静電帯電を減少させるためのガラス表面の大気圧プラズマエッチング
JP7230899B2 (ja) 2020-03-27 2023-03-01 Ａｇｃ株式会社 ガラス板及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137867A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Asahi Glass Co Ltd 表面処理ガラス及びその製造方法
CN102414140A (zh) * 2009-05-07 2012-04-11 日本电气硝子株式会社 玻璃基板及其制造方法
JP2014201446A (ja) * 2013-03-31 2014-10-27 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法、並びにディスプレイ用パネルの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001343632A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Sharp Corp 液晶表示素子の製造方法
JP2002072922A (ja) * 2000-06-13 2002-03-12 Asahi Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板およびその選別方法
JP4378769B2 (ja) * 2003-09-18 2009-12-09 日本電気硝子株式会社 ガラス基板
JP2007145656A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Nippon Electric Glass Co Ltd 縦穴を有するガラス基板およびその製造方法
JP5687088B2 (ja) * 2011-02-21 2015-03-18 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法
KR101522452B1 (ko) * 2012-04-17 2015-05-21 아반스트레이트 가부시키가이샤 디스플레이용 글래스 기판의 제조 방법, 글래스 기판 및 디스플레이용 패널
JP2016064926A (ja) * 2013-02-07 2016-04-28 旭硝子株式会社 ガラス製造方法
CN108594342B (zh) * 2013-12-19 2020-09-25 康宁股份有限公司 用于显示器应用的织构化表面

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137867A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Asahi Glass Co Ltd 表面処理ガラス及びその製造方法
CN102414140A (zh) * 2009-05-07 2012-04-11 日本电气硝子株式会社 玻璃基板及其制造方法
JP2014201446A (ja) * 2013-03-31 2014-10-27 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法、並びにディスプレイ用パネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI731884B (zh) 2021-07-01
KR20180069798A (ko) 2018-06-25
JP6870617B2 (ja) 2021-05-12
WO2017065138A1 (ja) 2017-04-20
TW201714850A (zh) 2017-05-01
CN108137391B (zh) 2022-07-26
KR102597824B1 (ko) 2023-11-03
JPWO2017065138A1 (ja) 2018-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9561982B2 (en) Method of cleaning glass substrates
KR101838339B1 (ko) 디스플레이용 글래스 기판의 제조 방법, 글래스 기판 및 디스플레이용 패널
JP2008120638A (ja) ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
TW201724125A (zh) 玻璃基板及玻璃板捆包體
JP5572196B2 (ja) ガラス基板、および、ガラス基板の製造方法
CN108137391A (zh) 显示器用玻璃基板及其制造方法
JP2018052804A (ja) ガラス板およびガラス基板の製造方法
JPWO2015159927A1 (ja) エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板
JP6263534B2 (ja) ガラス基板の製造方法、ガラス基板、および、ディスプレイ用パネル
TWI731167B (zh) 玻璃板
CN102446674A (zh) 显示器用玻璃基板及其分选方法
KR101543831B1 (ko) 글래스 기판 및 글래스 기판의 제조 방법
KR101521345B1 (ko) 글래스 기판의 제조 방법
CN107857479B (zh) 玻璃板
JP6225908B2 (ja) ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
JP7230899B2 (ja) ガラス板及びその製造方法
JP2015067512A (ja) ディスプレイ用ガラス基板、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法
JP2013075807A (ja) 有機物薄膜付きガラス基板の製造方法、および、有機物薄膜付きガラス基板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant