CN108091602A - 一种双腔传片装置和传片方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种双腔传片装置及传片方法，通过设置两个晶片托架，由升降机构同时带动两个晶片托架升降运动，从而在一个放片和取片过程中完成两个晶片的放片和取片操作，在保证晶片放置准确性的前提下，提高了晶片传递效率，缩短传片时间，减少机械手和升降机构往复次数，提高设备产能，可以将传片时间至少缩短一半。

Description

一种双腔传片装置和传片方法
技术领域
本发明涉及半导体设备制造领域，具体涉及一种双腔传片装置和传片方法。
背景技术
随着集成电路市场的高速发展，芯片产能扩大的需求一方面给设备商带来了新的市场机遇，另一方面也对设备商现有及前瞻性的技术能力提出了更高的要求。设备产能指设备单位工作时间内良品的产出数，是反映设备加工能力的一个重要技术参数。集成电路制造中使用的去气设备和退火设备在执行相应的工艺过程前，需要采用机械手与工艺腔室的升降机构配合完成晶片的传递。如何通过缩短传片时间、减少非工艺过程时间来提高设备产能，已经成为设备商亟需解决的一大难题。
现有的工艺腔室为单腔结构，包括传片装置，传片装置包括升降机构和晶片托架。晶片托架位于工艺腔室内，升降机构安装在工艺腔室外，工艺腔室安装到TM腔室上，机械手在工艺腔室与TM腔室之间传递晶片，并将晶片放置在工艺腔室内的加热器上。机械手为单手，每次只能拾取一个晶片，与工艺腔室配合传递晶片效率低、传片时间长，导致非工艺过程长，影响设备产能。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足，提供一种双腔传片装置和传片方法，用以解决晶片传递效率低的问题。
本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：
本发明提供一种传片装置，包括：升降机构、第一晶片托架和第二晶片托架，所述升降机构位于所述第一晶片托架和第二晶片托架的下方，且分别与所述第一晶片托架和第二晶片托架相连，能够同时带动所述第一晶片托架和第二晶片托架升降运动。
优选的，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别包括环形本体和竖直向上设置在所述环形本体上的多个晶片顶指，且所述第一晶片托架上的晶片顶指的高度大于所述第二晶片托架上的晶片顶指的高度。
优选的，所述第一晶片托架上的晶片顶指与所述第二晶片托架上的晶片顶指的高度差为6-10mm。
优选的，所述升降机构包括升降轴和托架安装板，所述托架安装板水平设置在所述升降轴的顶端，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别沿径向水平向外延伸形成片状的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和第二连接部分别与所述托架安装板的两端连接。
进一步的，所述传片装置还包括用于沿径向方向水平调节所述第一晶片托架与所述托架安装板的相对位置、以及第二晶片托架与所述托架安装板的相对位置的水平位移调节机构；
所述水平位移调节机构包括：第一连接螺钉、沿径向分别设置在所述第一连接部和第二连接部上的第一长槽孔和设置在所述托架安装板上的第一螺纹孔，所述第一连接螺钉穿过所述第一长槽孔与所述第一螺纹孔螺纹连接。
进一步的，所述传片装置还包括用于在水平方向上调节所述第一晶片托架与所述升降轴的相对角度以及第二晶片托架与所述升降轴的相对角度的水平角度调节机构；
所述水平角度调节机构包括：第二连接螺钉、沿周向设置在所述托架安装板上的第二长槽孔和设置在所述升降轴顶端的第二螺纹孔，所述第二连接螺钉穿过所述第二长槽孔与所述第二螺纹孔螺纹连接。
进一步的，所述传片装置还包括用于调整所述第一晶片托架和第二晶片托架的水平度的调平机构；
所述调平机构包括：紧定螺钉和设置在所述第一连接部和第二连接部上的第三螺纹孔，所述紧定螺钉与所述第三螺纹孔螺纹连接。
本发明还提供一种工艺腔室，包括一体成型的腔室本体和如前所述的传片装置；
所述腔室本体上开设有结构相同且对称设置的第一腔室和第二腔室，所述腔室本体上还开设有连接腔，所述第一腔室与第二腔室通过所述连接腔水平连接，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别位于所述第一腔室与第二腔室；
所述升降机构位于所述连接腔的下方，所述升降轴贯穿所述连接腔的底部，且所述托架安装板位于所述连接腔内。
本发明还提供一种半导体装置，包括如前所述的工艺腔室。
进一步的，所述半导体装置还包括传输腔室和机械手，所述机械手包括对称设置的两个传片手指，所述传片手指能够在所述传输腔室和第一腔室之间以及所述传输腔室和第二腔室之间以相同的高度同时传输第一晶片和第二晶片。
本发明还提供一种传片方法，应用于如前所述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程，其中，所述放片过程包括以下步骤：
S11：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升至传片位；
S12：所述传片手指同时将第一晶片和第二晶片传递至所述第一腔室和第二腔室，所述第一晶片高于所述第一晶片托架的晶片顶指；
S13：校准所述第一晶片的位置后，所述传片手指下降第一高度，用以将所述第一晶片放置在所述第一晶片托架的晶片顶指上；
S14：校准所述第二晶片的位置后，所述传片手指下降第二高度，用以将所述第二晶片放置在所述第二晶片托架的晶片顶指上；
S15：所述传片手指退出所述工艺腔室；
S16：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降至工艺位。
优选的，所述取片过程包括以下步骤：
S21：所述升降机构带动承载有第一晶片的第一晶片托架和承载有第二晶片的第二晶片托架上升至传片位；
S22：所述传片手指以低于所述第二晶片的高度进入工艺腔室；
S23：所述传片手指上升第三高度，以使所述第二晶片落在相应的传片手指上；
S24：所述传片手指上升第四高度，以使所述第一晶片落在相应的传片手指上；
S25：所述传片手指退出所述工艺腔室。
本发明还提供一种传片方法，应用于如前所述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程，其中，所述放片过程包括以下步骤：
S31：所述传片手指同时将所述第一晶片和第二晶片传递至所述第一腔室和第二腔室的传片位；
S32：校准所述第一晶片后，所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升第五高度，以使所述第一晶片托架的晶片顶指托住所述第一晶片；
S33：校准所述第二晶片后，所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升第六高度，以使所述第二晶片托架的晶片顶指托住所述第二晶片；
S34：所述传片手指退出工艺腔室；
S35：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降至工艺位。
优选的，所述取片过程包括以下步骤：
S41：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升至传片位；
S42：所述传片手指以低于所述第二晶片的高度进入工艺腔室；
S43：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降第七高度，以使所述第二晶片落在相应的传片手指上；
S44：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降第八高度，以使所述第一晶片落在相应的传片手指上；
S45：所述传片手指退出所述工艺腔室。
本发明通过设置两个晶片托架，由升降机构同时带动两个晶片托架升降运动，从而在一个放片和取片过程中完成两个晶片的放片和取片操作，在保证晶片放置准确性的前提下，提高了晶片传递效率，缩短传片时间，减少机械手和升降机构往复次数，提高设备产能，可以将传片时间至少缩短一半。
附图说明
图1为本发明实施例提供的双腔传片装置的剖视图；
图2为本发明实施例提供的双腔传片装置中升降机构与晶片托架的立体图；
图3为本发明实施例中机械手的立体图。
图例说明：
100、腔室本体 101、第一腔室 102、第二腔室
103、连接腔 104、底壁 200、晶片托架
201、第一晶片托架 202、第二晶片托架 203、晶片顶指
204、第一连接部 205、第二连接部 206、定位孔
207、环形本体 500、升降机构 501、升降轴
502、托架安装板 600、机械手 601、传片手指
602、腕机械臂 603、肘机械臂 604、驱动器
401、晶片托架定位销
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合图1-3，详细说明本发明的技术方案。
结合图1、2、3所示，本发明提供一种传片装置，包括：升降机构500、第一晶片托架201和第二晶片托架202，升降机构500位于第一晶片托架201和第二晶片托架202的下方，且分别与第一晶片托架201和第二晶片托架202相连，能够同时带动第一晶片托架201和第二晶片托架202升降运动。
本发明通过设置两个晶片托架，由升降机构同时带动两个晶片托架升降运动，从而在一个放片和取片过程中完成两个晶片的放片和取片操作，在保证晶片放置准确性的前提下，提高了晶片传递效率，缩短传片时间，减少机械手和升降机构往复次数，提高设备产能，可以将传片时间至少缩短一半。
如图2所示，第一晶片托架201和第二晶片托架202分别包括环形本体204和多个晶片顶指203，各晶片顶指203竖直向上设置在环形本体204上。第一晶片托架201上的晶片顶指203的高度大于第二晶片托架202上的晶片顶指203的高度。
具体的，在第一晶片托架201和第二晶片托架202上间隔设置有多个方形凹坑(图中未绘示)，晶片顶指203呈L型，通过螺钉将晶片顶指203的一边分别与第一晶片托架201和第二晶片托架202上的凹坑固定连接，从而使晶片顶指203的另一边竖直向上设置，以托接晶片。
优选的，第一晶片托架201个第二晶片托架202上可以设置三个或四个晶片顶指203，各晶片顶指203分别在第一晶片托架201和第二晶片托架202上均匀分布。第一晶片托架201上的各晶片顶指203的高度相同，第二片托架202上的各晶片顶指203的高度相同，但第一晶片托架201上的各晶片顶指203的高度与第二片托架202上的各晶片顶指203的高度不同。
优选的，第一晶片托架201上的晶片顶指203与202第二晶片托架202上的晶片顶指203的高度差为6-10mm。优选的，第一晶片托架201上的晶片顶指203与第二晶片托架202上的晶片顶指203的高度差为8mm。
如图2所示，升降机构500包括升降轴501和托架安装板502，托架安装板502呈矩形，水平设置在升降轴501的顶端，与升降轴501的端面固定连接。第一晶片托架201和第二晶片托架202的环形本体207分别沿径向水平向外延伸形成片状的第一连接部204和第二连接部205，第一连接部204和第二连接部205分别与托架安装板502的两端连接。具体的，第一连接部204和第二连接部205分别叠置于托架安装板502的两端，并与托架安装板502的两端可拆卸固定连接，从而使第一晶片托架201和第二晶片托架202通过托架安装板502与升降轴501相连。
第一晶片托架201和第二晶片托架202水平设置在升降机构500的升降轴501的顶端，且第一晶片托架201和第二晶片托架202关于升降轴501对称设置，即第一晶片托架201和第二晶片托架202对称设置在升降机构的升降轴501的两侧。
优选的，第一晶片托架201的连接部204和第二晶片托架202的连接部205与托架安装板502的两端通过螺钉和螺孔螺纹连接。
为了配合不同型号的工艺腔室和机械手使用，进一步的，所述传片装置还可以包括水平位移调节机构，水平位移调节机构用于沿径向方向水平调节第一晶片托架201与托架安装板502的相对位置以及第二晶片托架202与托架安装板502的相对位置。
具体的，如图2所示，水平位移调节机构包括：第一连接螺钉901、第一长槽孔(图中未绘示)和第一螺纹孔(图中未绘示)。第一长槽孔沿径向分别设置在第一连接部204和第二连接部205上，第一螺纹孔设置在托架安装板502上分别与第一连接部204和第二连接部205的第一长槽孔相对应的位置。第一连接螺钉901穿过第一长槽孔与第一螺纹孔螺纹连接。
如图2所示，第一长槽孔沿托架安装板502的两端的方向设置，即可以在第一晶片托架201的连接部204上和第二晶片托架202的连接部205上分别设置两个平行的长槽孔，两对第一螺钉901和第一螺纹孔与一个第一长槽孔配合，将第一晶片托架201和第二晶片托架202固定连接在托架安装板502上。
需要说明的是，所述传片装置需要与工艺腔室本体和机械手相互配合工作实现取片和放片。结合图1、2所示，第一晶片托架201和第二晶片托架202容置在工艺腔室本体内，在非使用状态下，第一晶片托架201和第二晶片托架202需要借助晶片托架定位销401固定在工艺腔室本体内。晶片托架定位销401的下端加工有外螺纹，与工艺腔室的底壁100螺纹连接。第一晶片托架201和第二晶片托架202上分别设置有两个定位孔206，第一晶片托架201和第二晶片托架202上的定位孔206分别与晶片托架定位销401的上端紧配合，从而将定第一晶片托架201和第二晶片托架202固定在工艺腔室内。
为了方便固定第一晶片托架201和第二晶片托架202，进一步的，所述传片装置还包括水平角度调节机构，水平角度调节机构用于在水平方向上调节第一晶片托架201与升降轴501的相对角度以及第二晶片托架202与升降轴501的相对角度。
具体的，如图2所示，水平角度调节机构包括：第二连接螺钉902、第二长槽孔和第二螺纹孔，第二长槽孔呈圆环状或圆弧状，沿周向设置在托架安装板502上与升降轴501相对应的位置，第二螺纹孔设置在升降轴501的顶端，第二连接螺钉902穿过第二长槽孔与第二螺纹孔螺纹连接。
通过调节第二螺钉902与第二长槽孔的相对位置，即可实现对第一安装托架201和第二安装托架202在水平方向上的角度的调节，以便晶片托架定位销401能够准确与工艺腔室的底壁104上的螺纹孔准确对位。
为了使晶片在传递过程中保持平稳，要保证第一晶片托架201和第二晶片托架202的水平度，因此，进一步的，所述传片装置还包括调平机构，调平机构用于调整第一晶片托架201和第二晶片托架202的水平度。调平机构分别设置于第一晶片托架201的连接部204与托架安装板502的连接处，以及第二晶片托架202的连接部205与托架安装板502的连接处。
具体的，所述调平机构包括：紧定螺钉903和分别设置在第一连接部204和第二连接部205上的第三螺纹孔(图中未绘示)，紧定螺钉903与第三螺纹孔螺纹连接，且紧定螺钉903的末端紧压在托架安装板502的上表面上。
通过调节紧定螺钉903拧入第三螺纹孔的深度，可以对第一晶片托架201的连接部204和第二晶片托架202的连接部205相对于托架安装板502在竖直方向上的距离进行微调，从而调节第一晶片托架201和第二晶片托架202的水平度。
如图1所示，本发明实施例还提供一种工艺腔室，所述工艺腔室包括一体成型的腔室本体100和前所述的传片装置。腔室本体100上开设有结构相同且对称设置的第一腔室101和第二腔室102，腔室本体100上还开设有连接腔103，第一腔室101与第二腔室102通过连接腔103水平连接，第一晶片托架201和第二晶片托架202分别位于第一腔室101与第二腔室102内。升降机构500位于连接腔103的下方，升降轴501贯穿连接腔103的底部，且托架安装板502位于连接腔103内。
本发明实施例还提供一种半导体装置，所述半导体装置包括如前所述的工艺腔室。
进一步的，所述半导体装置还包括传输腔室(图中未绘示)和机械手。结合图1、2、3所示，机械手包括对称设置的两个传片手指601，所述传片手指601能够在所述传输腔室和第一腔室101之间以及所述传输腔室和第二腔室102之间以相同的高度同时传输第一晶片和第二晶片。
如图3所示，所述机械手还包括：腕机械臂602、肘机械臂603和驱动器604，驱动器604可以带动两个传片手指601、腕机械臂602、肘机械臂603在竖直方向和水平方向运动。传片手指601分别设置在U型的、水平设置的机械手臂的两端，能够将晶片水平托起，并带动晶片水平或竖直运动。
工艺腔室安装到传输腔室上，所述机械手设置于工艺腔室外，能够在工艺腔室与传输腔室之间传递第一晶片和第二晶片，完成晶片的取片和放片操作。
由于在放置晶片过程中，需要利用自动校准器(AWC)对晶片的位置进行校准，只有在校准通过后，机械手才能够将晶片放置在相应的晶片托架上，若校准未通过，则需要通过调节机械手的位置来调整晶片的位置。而在本发明中，根据机械手的结构可以看出，两个传片手指601是相连的，无法实现单独调整，因此，通过将第一晶片托架201上的晶片顶指203与第二晶片托架202上的晶片顶指203设计为不同的高度，顺序放置晶片，先保证一个晶片的位置准确，待该晶片成功放置之后(此时该晶片已从相应的传片手指中释放)，再调整另一个晶片的位置，这样就不会再对已放置的晶片产生影响。
本发明实施例的传片装置有两种使用方式，一种是借助机械手上、下运动实现两个晶片顺序放片、取片，另一种是借助升降机构带动两个晶片托架上、下运动实现两个晶片顺序放片、取片。以下分别针对这两种方式进行详细说明。
本发明实施例还提供一种传片方法，该方法应用于前述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程。结合图1-3所示，放片过程包括以下步骤：
S11：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202上升至传片位。
S12：传片手指601同时将第一晶片和第二晶片传递至第一腔室101和第二腔室102，其中，第一晶片高于第一晶片托架201的晶片顶指203，即第一晶片位于第一晶片托架201的晶片顶指203的上方。
S13：校准第一晶片的位置后，传片手指601下降第一高度，用以将第一晶片放置在第一晶片托架201的晶片顶指上203。
S14：校准第二晶片的位置后，传片手指601下降第二高度，用以将第二晶片放置在第二晶片托架202的晶片顶指203上。
S15：传片手指601退出工艺腔室。
S16：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202下降至工艺位。
取片过程包括以下步骤：
S21：升降机构500带动承载有第一晶片的第一晶片托架201和承载有第二晶片的第二晶片托架202上升至传片位。
S22：传片手指601以低于第二晶片的高度进入工艺腔室。
S23：传片手指601上升第三高度，以使第二晶片落在相应的传片手指601上。
S24：传片手指601上升第四高度，以使所述第一晶片落在相应的传片手指601上。
S25：两个传片手指601退出所述工艺腔室。
本发明还提供一种传片方法，该方法应用于前述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程。结合图1-3所示，放片过程包括以下步骤：
S31：传片手指601同时将第一晶片和第二晶片传递至第一腔室101和第二腔室102的传片位。
S32：校准第一晶片后，升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202上升第五高度，以使第一晶片托架201的晶片顶指203托住第一晶片。
S33：校准第二晶片后，升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202上升第六高度，以使第二晶片托架202的晶片顶指203托住第二晶片。
S34：传片手指601退出工艺腔室。
S35：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202下降至工艺位。
所述取片过程包括以下步骤：
S41：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202上升至传片位。
S42：传片手指601以低于第二晶片的高度进入工艺腔室。
S43：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202下降第七高度，以使第二晶片落在相应的传片手指601上。
S44：升降机构500带动第一晶片托架201和第二晶片托架202下降第八高度，以使第一晶片落在相应的传片手指601上。
S45：传片手指601退出所述工艺腔室。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种传片装置，其特征在于，包括：升降机构、第一晶片托架和第二晶片托架，所述升降机构位于所述第一晶片托架和第二晶片托架的下方，且分别与所述第一晶片托架和第二晶片托架相连，能够同时带动所述第一晶片托架和第二晶片托架升降运动。
2.如权利要求1所述的传片装置，其特征在于，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别包括环形本体和竖直向上设置在所述环形本体上的多个晶片顶指，且所述第一晶片托架上的晶片顶指的高度大于所述第二晶片托架上的晶片顶指的高度。
3.如权利要求2所述的传片装置，其特征在于，所述第一晶片托架上的晶片顶指与所述第二晶片托架上的晶片顶指的高度差为6-10mm。
4.如权利要求2所述的传片装置，其特征在于，所述升降机构包括升降轴和托架安装板，所述托架安装板水平设置在所述升降轴的顶端，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别沿径向水平向外延伸形成片状的第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和第二连接部分别与所述托架安装板的两端连接。
5.如权利要求4所述的传片装置，其特征在于，还包括用于沿径向方向水平调节所述第一晶片托架与所述托架安装板的相对位置、以及第二晶片托架与所述托架安装板的相对位置的水平位移调节机构；
所述水平位移调节机构包括：第一连接螺钉、沿径向分别设置在所述第一连接部和第二连接部上的第一长槽孔和设置在所述托架安装板上的第一螺纹孔，所述第一连接螺钉穿过所述第一长槽孔与所述第一螺纹孔螺纹连接。
6.如权利要求4所述的传片装置，其特征在于，还包括用于在水平方向上调节所述第一晶片托架与所述升降轴的相对角度以及第二晶片托架与所述升降轴的相对角度的水平角度调节机构；
所述水平角度调节机构包括：第二连接螺钉、沿周向设置在所述托架安装板上的第二长槽孔和设置在所述升降轴顶端的第二螺纹孔，所述第二连接螺钉穿过所述第二长槽孔与所述第二螺纹孔螺纹连接。
7.如权利要求4所述的传片装置，其特征在于，还包括用于调整所述第一晶片托架和第二晶片托架的水平度的调平机构；
所述调平机构包括：紧定螺钉和设置在所述第一连接部和第二连接部上的第三螺纹孔，所述紧定螺钉与所述第三螺纹孔螺纹连接。
8.一种工艺腔室，其特征在于，包括一体成型的腔室本体和如权利要求4-7任一项所述的传片装置；
所述腔室本体上开设有结构相同且对称设置的第一腔室和第二腔室，所述腔室本体上还开设有连接腔，所述第一腔室与第二腔室通过所述连接腔水平连接，所述第一晶片托架和第二晶片托架分别位于所述第一腔室与第二腔室内；
所述升降机构位于所述连接腔的下方，所述升降轴贯穿所述连接腔的底部，且所述托架安装板位于所述连接腔内。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的工艺腔室。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还包括传输腔室和机械手，所述机械手包括对称设置的两个传片手指，所述传片手指能够在所述传输腔室和第一腔室之间以及所述传输腔室和第二腔室之间以相同的高度同时传输第一晶片和第二晶片。
11.一种传片方法，其特征在于，应用于如权利要求10所述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程，其中，所述放片过程包括以下步骤：
S11：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升至传片位；
S12：所述传片手指同时将第一晶片和第二晶片传递至所述第一腔室和第二腔室，所述第一晶片高于所述第一晶片托架的晶片顶指；
S13：校准所述第一晶片的位置后，所述传片手指下降第一高度，用以将所述第一晶片放置在所述第一晶片托架的晶片顶指上；
S14：校准所述第二晶片的位置后，所述传片手指下降第二高度，用以将所述第二晶片放置在所述第二晶片托架的晶片顶指上；
S15：所述传片手指退出所述工艺腔室；
S16：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降至工艺位。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述取片过程包括以下步骤：
S21：所述升降机构带动承载有第一晶片的第一晶片托架和承载有第二晶片的第二晶片托架上升至传片位；
S22：所述传片手指以低于所述第二晶片的高度进入工艺腔室；
S23：所述传片手指上升第三高度，以使所述第二晶片落在相应的传片手指上；
S24：所述传片手指上升第四高度，以使所述第一晶片落在相应的传片手指上；
S25：所述传片手指退出所述工艺腔室。
13.一种传片方法，其特征在于，应用于如权利要求10所述的半导体装置中，包括放片过程和取片过程，其中，所述放片过程包括以下步骤：
S31：所述传片手指同时将第一晶片和第二晶片传递至所述第一腔室和第二腔室的传片位；
S32：校准所述第一晶片后，所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升第五高度，以使所述第一晶片托架的晶片顶指托住所述第一晶片；
S33：校准所述第二晶片后，所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升第六高度，以使所述第二晶片托架的晶片顶指托住所述第二晶片；
S34：所述传片手指退出工艺腔室；
S35：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降至工艺位。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述取片过程包括以下步骤：
S41：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架上升至传片位；
S42：所述传片手指以低于所述第二晶片的高度进入工艺腔室；
S43：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降第七高度，以使所述第二晶片落在相应的传片手指上；
S44：所述升降机构带动所述第一晶片托架和第二晶片托架下降第八高度，以使所述第一晶片落在相应的传片手指上；
S45：所述传片手指退出所述工艺腔室。
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