CN108063152A - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108063152A CN108063152A CN201610750128.9A CN201610750128A CN108063152A CN 108063152 A CN108063152 A CN 108063152A CN 201610750128 A CN201610750128 A CN 201610750128A CN 108063152 A CN108063152 A CN 108063152A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- capacitance
- pixel
- substrate
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 315
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 412
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 250
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 244
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 68
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- -1 benzocyclobutane Alkene Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003753 nitric oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019391 nitrogen oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示面板,包含基板、导电凸块、电容介电层、感应电极、对应基板、电激发光层以及对应电极。对应基板相对于基板设置。导电凸块突出设于基板的内表面,其中导电凸块包含上电容电极与被上电容电极覆盖的凸块,凸块设置于基板的内表面与上电容电极之间。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面一部份。第一感应电极设置于基板或对应基板的内表面上。对应基板具有至少一像素电极与一与该像素电极相分隔的第一电容电极。电激发光层夹设于像素电极与对应电极之间。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板。
背景技术
在各种平面显示器中,有机发光显示器(Organic Light Emitting Display,简称OLED)因具有视角广、色彩对比效果好、响应速度快及成本低等优点,可望成为下一代的平面显示器的主流。
有机发光显示器有多种型态,例如顶发光型、底发光型或双面发光型。为了维持所需要的储存电容,往往需要保留足够的面积,其中对底发光型以及双面发光型显示器而言,储存电容的设置将导致的有效发光区(有效发光区)变的很小,产生开口率较小的问题。此外,若欲设计额外的触控感应元件于有机发光显示器内,除了,工艺更复杂之外,也会让开口率变更小的问题。
发明内容
本发明的多个实施方式提供一种显示面板的子像素,通过设计子像素内部具有电容介电层,借以增大储存电容的面积,即储存电容元件(固态)位于二基板之间,并且提高开口率。于部份实施方式中,设计自容式或互容式的感应电极,且感应电极与子像素内部的图案化导电层一同形成,以使子像素具有感应(例如:触控)与显示的功能,并简化工艺步骤以降低成本。此外,设计感应电极可位于导线附近,避免影响发光区。
本发明的一目的提供一种显示面板,具有第一基板与设置于第一基板上的第二基板,且显示面板定义有包含多个子像素。每一子像素包含数据线、扫描线、电源线、开关元件、驱动元件、保护层、图案化电极层、电激发光层、对应电极、导电凸块以及电容介电层。数据线设置于第一基板上且沿着第一方向延伸。扫描线设置于第一基板上且沿着第二方向延伸,其中第二方向不平行于第一方向。电源线设置于第一基板上且电性连接于第一电压源。开关元件设置于第一基板上且包含二个端点及第一栅极,其中端点的其中一个电连接于数据线,第一栅极电连接于扫描线。驱动元件包含二个端点及第二栅极,其中端点的其中一个电连接于电源线,第二栅极经由连接导线电连接于开关元件的端点的另一个。保护层覆盖扫描线、数据线、电源线、开关元件、驱动元件、连接导线与第一基板,且保护层包含第一接触洞以及第二接触洞。图案化电极层设置于保护层上,其中图案化电极层包含第一电容电极以及与第一电容电极相分隔的像素电极,像素电极经由第一接触洞而电连接于驱动元件的端点的另一个,第一电容电极经由第二接触洞而电连接于连接导线。电激发光层位于像素电极上。对应电极设置于电激发光层上且电连接于第二电压源,其中第二电压源不同于第一电压源。导电凸块突出设置于第二基板的内表面,其中导电凸块包含导电材料,导电凸块在垂直投影方向上对应于第一电容电极设置。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面,其中导电凸块、电容介电层与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含第二电容电极,设置于第二基板的电容介电层上,其中第二电容电极位于导电凸块顶部上,其中第二电容电极的相对二表面分别接触电容介电层与第一电容电极,且导电凸块、电容介电层、第二电容电极与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,第二电容电极更延伸覆盖导电凸块侧边上的电容介电层或导电凸块侧边与位于第二基板内表面上的电容介电层。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含导电缓冲层,设置于于第一基板的第一电容电极上,其中导电缓冲层接触第一电容电极,且导电凸块、电容介电层、导电缓冲层与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含一第二电容电极,设置于第二基板的电容介电层之上,其中第二电容电极的相对二表面分别接触电容介电层与导电缓冲层,且导电凸块、电容介电层、第二电容电极、导电缓冲层与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,导电凸块包含上电容电极与凸块,各该子像素具有对应于电激发光层的发光区与至少设置于发光区的一侧的非发光区,凸块位于非发光区,且上电容电极至少覆盖凸块。
于本发明的部分实施方式中,上电容电极全面地覆盖第二基板与凸块。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含第二电容电极,设置于第二基板的电容介电层上,其中第二电容电极的相对二表面分别接触电容介电层与第一电容电极,且上电容电极、电容介电层、第二电容电极与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中显示面板还包含:感应电极,设置于各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且感应电极与非发光区部份重叠,其中第一感应电极区的感应电极与第二感应电极区的感应电极相分隔。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极以及第二电容电极。第一连接电极设置于第二基板上,其中第一连接电极连接相邻的两个子像素的上电容电极,且第一连接电极与感应电极相分隔且部份重叠。第二电容电极设置于第二基板上,且其位于电容介电层面对且接近图案化电极层的一侧上,其中第二电容电极与上电容电极至少一部份重叠。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有一第一桥接电极区以及一与第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中显示面板还包含第二连接电极以及第三连接电极。第二连接电极设置第二基板上,且其位于第一桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第一感应电极区的感应电极。第三连接电极设置第二基板上,且其位于第二桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第二感应电极区的感应电极,其中第二连接电极与第三连接电极相分隔且交错。
于本发明的部分实施方式中,其中第二连接电极包含至少一第一子电极段以及至少一第二子电极段。第一子电极段位于第一桥接电极区的相邻的两个子像素之间,且第一子电极段与位于第一桥接电极区的感应电极部份重叠。第二子电极段位于第一桥接电极区的各该子像素,以连接第一子电极段。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中显示面板还包含感应电极以及至少一第一连接电极。感应电极设置于各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且感应电极与发光区部份重叠,其中第一感应电极区的感应电极与第二感应电极区的感应电极相分隔。显示面板还包含第一连接电极,设置于第二基板上,其中第一连接电极连接相邻的两个子像素的感应电极。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含第二电容电极以及至少一第二连接电极。第二电容电极设置于第二基板上,且其位于电容介电层面对且接近图案化电极层的一侧上,其中第二电容电极与上电容电极部份重叠。第二连接电极,设置于第二基板上,其中第二连接电极连接相邻的两个子像素的上电容电极,且第二连接电极与第一连接电极相分隔。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有第一桥接电极区以及与第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中显示面板还包含第二电容电极以及至少一第二连接电极。第二电容电极,设置于第二基板上,且其位于电容介电层面对且接近图案化电极层的一侧上,其中,第二电容电极与上电容电极部份重叠。第二连接电极,设置于第二基板上,且其延伸经过位于第二桥接电极区的各子像素,以电性连接位于各第二感应电极区的感应电极,其中第二连接电极与第一连接电极相分隔,且第二连接电极不与位于第二桥接电极区的感应电极连接。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有第一桥接电极区以及与第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中显示面板还包含第三连接电极,设置第二基板上,且其位于第二桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第二感应电极区的感应电极,其中第三连接电极与位于第二桥接电极区的各该子像素的感应电极相分隔。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含堤坝,设置于保护层之上且具有第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中。
于本发明的部分实施方式中,子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中图案化电极层还包含:一感应电极,设置第一基板的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且感应电极与非发光区部份重叠,其中各该子像素的该像素电极以及第一电容电极皆与感应电极相分隔,且第一感应电极区的感应电极与第二感应电极区的感应电极相分隔。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含堤坝,设置于第一基板的该保护层上且具有第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中,其中堤坝覆盖感应电极。
于本发明的部份实施方式中,子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中显示面板还包含:感应电极,分别设置于第一基板的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且感应电极与非发光区部份重叠,其中,各该子像素的像素电极、对应电极以及第一电容电极皆与感应电极相分隔,且第一感应电极区的感应电极与第二感应电极区的感应电极相分隔。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极,分别设置于各该第一感应电极区与各该第二感应电极区的相邻的二个子像素间,以连接各该子像素的对应电极,且各该子像素的像素电极、感应电极以及第一电容电极皆与第一连接电极相分隔。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含堤坝,设置于第一基板的保护层上且具有第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中,其中感应电极设置于堤坝上,且堤坝覆盖该第一连接电极。
于本发明的部份实施方式中,子像素具有至少一个第一感应电极区以及至少一个与该第一感应电极区相交错且分隔的第二感应电极区,其中图案化电极层还包含:至少一第一感应电极,设置于第一基板的第一感应电极区的各该子像素上且相互连接,第一感应电极与非发光区部份重叠,其中各该子像素的像素电极以及第一电容电极皆与第一感应电极相分隔。显示面板还包含堤坝以及至少一第二感应电极,设置于第一基板的该保护层上且具有第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中,其中,堤坝覆盖第一感应电极。第二感应电极分别设置于该第一基板的该第二感应电极区的各该子像素上且相互连接,第二感应电极与非发光区部份重叠,其中第二感应电极设置于堤坝上,各该子像素的对应电极与第二感应电极相分隔,第一感应电极与第二感应电极相分隔。
于本发明的部份实施方式中,第一感应电极区与第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且该第一与第二感应电极在该交错区交错,其中显示面板还包含至少一第一连接电极以及至少一第二连接电极。第一连接电极设置于第一基板的各该子像素,以连接各该子像素的第二感应电极,其中各该子像素的第二感应电极与其所在的各该像素电极相分隔。第二连接电极设置于第一基板的各该子像素,第二连接电极位于堤坝上且连接在交错区的相邻两个子像素的对应电极,且第一连接电极与第二连接电极在交错区交错。
于本发明的部份实施方式中,堤坝更覆盖第一感应电极、部份第一连接电极,且第二连接电极位于堤坝上。
于本发明的部份实施方式中,子像素具有至少一个第一感应电极区以及至少一个与第一感应电极区相交错且分隔的第一感应电极区,其中显示面板还包含至少一第一感应电极以及至少一第二感应电极。第一感应电极分别设置于第二基板的第一感应电极区的各该子像素且相互连接,第一感应电极与非发光区部份重叠,其中各该子像素的电容上电极以及第二电容电极皆与该第一感应电极相分隔。第二感应电极设置第一基板的第二感应电极区的各该子像素且相互连接,第二感应电极与非发光区部份重叠,其中各子像素的像素电极以及第一电容电极皆与第二感应电极相分隔,且第一感应电极与第二感应电极相分隔。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含堤坝,设置于第一基板的保护层上且具第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中。
于本发明的部份实施方式中,第一感应电极区与第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且第一与第二感应电极于交错区交错,其中显示面板还包含至少一第一连接电极以及至少一第二连接电极。第一连接电极设置于该第二基板的各该子像素,以连接各该子像素的第一感应电极,其中各该子像素的第二电容电极与其所在的各该第一连接电极相分隔。第二连接电极设置于该第二基板的各该子像素且连接相邻两个子像素的电容上电极,且第一连接电极与第二连接电极交错。
于本发明的部份实施方式中,堤坝覆盖该第二感应电极,电容介电层覆盖第一感应电极、第二连接电极与上电容电极,且第一连接电极位于电容介电层之上。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含:至少一第三连接电极,设置于第一基板的各该子像素且连接相邻两个子像素的对应电极,像素电极与该第三连接电极相分隔,且第三连接电极与该第二感应电极交错。
于本发明的部份实施方式中,第二感应电极位于堤坝上,堤坝覆盖部份第三连接电极,电容介电层覆盖第一感应电极、第二连接电极与上电容电极,且第一连接电极位于电容介电层之上。
于本发明的部份实施方式中,第一感应电极区与第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且第一与第二感应电极于交错区交错,其中第一感应电极位于电容介电层上,堤坝覆盖部份第二感应电极。
于本发明的部份实施方式中,第一感应电极区与第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且第一与第二感应电极于交错区交错,其中显示面板还包含至少一第一连接电极以及至少一第二连接电极。第一连接电极设置于第一基板的各该子像素,以连接各该子像素的该第一感应电极,其中各该子像素的第二电容电极与其所在的各该第一连接电极相分隔。第二连接电极设置于第一基板的各该子像素且连接相邻两个子像素的对应电极,且第一连接电极与第二连接电极交错。
本发明的另一目的提供一种显示面板,包含基板、导电凸块、电容介电层、第一感应电极、对应基板、电激发光层以及对应电极。导电凸块突出设于基板的内表面,其中导电凸块包含上电容电极与被上电容电极覆盖的凸块,凸块设置于基板的内表面与上电容电极之间。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面一部份。第一感应电极设置于基板的内表面上。对应基板相对于基板设置,其中对应基板具有至少一像素电极与与该像素电极相分隔的第一电容电极。像素电极连接驱动元件的端点,驱动元件的栅极经由连接导线连接开关元件的一端点,第一电容电极连接连接导线。电激发光层夹设于基板与对应基板之间,且位于像素电极上。对应电极设置于电激发光层上。
于本发明的部份实施方式中,第一感应电极环绕该上电容电极。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含第一连接电极以及第二电容电极。第一连接电极设置于基板的内表面上且电性连接上电容电极或第一感应电极。第二电容电极,设置于基板的内表面上且位于电容介电层面对且接近于对应基板的内表面的一侧。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含一第二感应电极,设置于基板或对应基板的内表面上,其中第二感应电极与第一感应电极交错。
于本发明的部份实施方式中,上电容电极环绕第一感应电极。
本发明的再一目的提供一种显示面板,包含基板、导电凸块、电容介电层、对应基板、图案化电极层、电激发光层、对应电极以及第一感应电极。导电凸块突出设置于该基板的内表面上,其中导电凸块包含上电容电极与被该上电容电极覆盖的凸块,凸块设置于该基板的内表面与上电容电极之间。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面一部份。对应基板相对于基板设置。图案化电极层设置于对应基板的内表面上,其中图案化电极层包含第一电容电极以及与该第一电容电极相分隔的像素电极,像素电极连接驱动元件的一端点,该驱动元件的栅极经由连接导线连接一开关元件的一端点,第一电容电极连接连接导线。电激发光层位于像素电极上。对应电极设置于电激发光层上。第一感应电极设置于对应基板的内表面上。
于本发明的部份实施方式中,图案化电极层还包含第一连接电极,设置于对应基板上且电性连接对应电极。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含第二感应电极,设置于对应基板上且与第一感应电极交错。
于本发明的部份实施方式中,图案化电极层还包含第二连接电极,电性连接该第二感应电极。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含堤坝,设置于该对应基板的该图案化电极层上且具有第一开口以及第二开口,第一开口未遮蔽第一电容电极至少一部份,第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且电激发光层与对应电极位于第二开口中。
附图说明
图1A为根据本发明的部份实施方式的显示面板的子像素的等效电路图。
图1B为根据本发明的部份实施方式的显示面板的子像素的等效电路图。
图2A为根据本发明的第一实施方式的显示面板的子像素的上视示意图。
图2B为根据图2A的线2B-2B的剖面示意图。
图3为根据本发明的第二实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图4为根据本发明的第三实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图5为根据本发明的第四实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图6为根据本发明的第五实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图7A为根据本发明的第六实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图7B与图7C为根据本发明的部分实施方式的第二基板部分元件的剖面示意图。
图8为根据本发明的第七实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图9A为根据本发明的第八实施方式的显示面板的上视示意图。
图9B为图9A的显示面板的局部放大图。
图9C为沿图9B的线9C-9C的剖面示意图。
图9D为根据本发明的部分实施方式的显示面板的上视示意图。
图9E为根据本发明的部分实施方式的显示面板的上视示意图。
图10A为根据本发明的部分实施方式的显示面板的局部上视示意图。
图10B为根据本发明的部分实施方式的显示面板的局部上视示意图。
图10C为沿图10B的线10C-10C的剖面示意图。
图11A为根据本发明的第九实施方式的显示面板的上视示意图。
图11B为图11A的显示面板的局部放大图。
图12A为根据本发明的部分实施方式的显示面板的局部上视示意图。
图12B为根据本发明的部分实施方式的显示面板的局部上视示意图。
图13A为根据本发明的第十实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图13B为图13A的显示面板的子像素的第一基板部份元件的上视示意图。
图13C为沿图13B的线13C-13C的剖面示意图。
图14A为根据本发明的第十一实施方式的显示面板的子像素的剖面示意图。
图14B为图14A的显示面板的子像素的第一基板部份元件的上视示意图。
图14C为沿图14B的线14C-14C的剖面示意图。
图15A为根据本发明的第十二实施方式的显示面板的立体示意图。
图15B为图15A的显示面板于交错区的子像素的剖面示意图。
图15C为图15B的显示面板的子像素的第一基板部份元件的上视示意图。
图15D为沿图15C的线15D-15D的剖面示意图。
图16A为根据本发明的第十三实施方式的显示面板于交错区的子像素的剖面示意图。
图16B为图16A的显示面板的子像素的第二基板部份元件与第一基板部份元件的上视示意图。
图17A为根据本发明的第十四实施方式的显示面板于交错区的子像素的剖面示意图。
图17B为图17A的显示面板的子像素的第二基板部份元件与第一基板部份元件的上视示意图。
图18A为根据本发明的第十五实施方式的显示面板于交错区的子像素的剖面示意图。
图18B为图18A的显示面板的子像素的第二基板部份元件与第一基板部份元件的上视示意图。
图19A为根据本发明的第十六实施方式的显示面板于交错区的子像素的剖面示意图。
图19B为图19A的显示面板的子像素的第二基板部份元件与第一基板部份元件的上视示意图。
其中,附图标记说明如下:
100:子像素 C3:第三连接电极
110:第一基板 D1:端点
120:图案化电极层 D2:端点
122:第一电容电极 G1:第一栅极
124:像素电极 G2:第二栅极
130:电激发光层 S1:端点
140:对应电极 S2:端点
150:堤坝 H1:第一接触洞
152:第一开口 H2:第二接触洞
154:第二开口 O1:开口
156:开口 O2:开口
160:保护层 OC:开口
170:第二基板 L1:缓冲层
172:表面 L2:栅极介电层
180:导电凸块 L3:层间介电层
182a:上电容电极 DL:数据线
182b:凸块 SW:开关元件
190:电容介电层 DI:驱动元件
190a:开口 SL:扫描线
192a:表面 PL:电源线
192:第一部分 CA:电容元件
194:第二部分 CO1:第一连接电极
200:第二电容电极 CO3:第三连接电极
202:延伸段 OLED:电激发光元件
210:导电缓冲层 DR1:第一方向
300:子像素 DR2:第二方向
SE:感应电极 GR1:第一感应电极区
SE1:第一感应电极 GR2:第二感应电极区
SE2:第二感应电极 GR3:第三感应电极区
C1:第一连接电极 BR1:第一桥接电极区
C2:第二连接电极 BR2:第二桥接电极区
C21:第一子电极段 IT:交错区
C22:第二子电极段 NA:非发光区
DA:发光区
DD:显示面板
CL:连接导线
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化附图起见,一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为的。
本发明的部份实施方式的显示面板定义有包含多个子像素100。图1A为根据本发明的部份实施方式的显示面板的子像素100的等效电路图。如图1A所示,本发明的部份实施方式的子像素100至少包含数据线DL、扫描线SL、电源线PL、开关元件SW、驱动元件DI、电容元件CA以及电激发光元件OLED。必需说明的是,本发明的子像素100依照设计的需要,亦可包含其它薄膜晶体管,且电容元件CA个数亦可数个。
于本发明的多个实施方式中,开关元件SW包含二个端点S1、D1及第一栅极G1,其中端点S1、D1的其中一个电连接于数据线DL,第一栅极G1电连接于扫描线SL。驱动元件DI包含二个端点S2、D2及第二栅极G2,其中端点S2、D2的其中一个电连接于电源线PL,端点S2、D2的另一个电连接于电激发光元件OLED,第二栅极G2电连接于开关元件SW的端点S1、D1的另一个。电容元件CA的一端电连接于第二栅极G2,电容元件CA的另一端电连接于电源线PL。
于本发明的部份实施方式中,电容元件CA是为储存电容(固态储存电容),当电信号经过开关元件SW传送至第二栅极G2时,电容元件CA可维持第二栅极G2的电压稳定。
于此,开关元件SW以及驱动元件DI可以是薄膜晶体管包含底栅型、顶栅型、或其它合适的类型。本发明图1A中的开关元件SW以及驱动元件DI是以P型(P-type)薄膜晶体管为范例,但实际配置上,开关元件SW以及驱动元件DI亦可为图1B中开关元件SW以及驱动元件DI所示的N型(N-type)薄膜晶体管设计像素电路,或者是开关元件SW以及驱动元件DI其中一个为P型薄膜晶体管,另一个为N型薄膜晶体管。其中薄膜晶体管的半导体层可为单层或多层结构,且其材料包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、金属氧化物半导体材料、金属氮化物半导体材料、金属氮氧化物半导体材料、有机半导体材料或其它合适的材料。
图2A为根据本发明的第一实施方式的显示面板的子像素100的上视示意图。图2B为根据图2A的线2B-2B的剖面示意图。显示面板具有第一基板110与设置于第一基板110上的第二基板170。同时参照图1A、图2A与图2B。于本发明的部份实施方式中,每一子像素100至少包含数据线DL、扫描线SL、电源线PL、开关元件SW、驱动元件DI、保护层160、图案化电极层120、电激发光层130、对应电极140、导电凸块180以及电容介电层190。
开关元件SW、驱动元件DI、数据线DL、扫描线SL以及电源线PL设置于第一基板110上。扫描线SL沿着第一方向DR1延伸,数据线DL沿着第二方向DR2延伸,其中第二方向DR2不平行于第一方向DR1,即第一方向DR1与第二方向DR2交错。本发明的多个实施方式以第一方向DR1与第二方向DR2垂直设置为范例,但不限于此。电源线PL电性连接于第一电压源(未标示)。于本实施方式中,驱动元件DI的第二栅极G2经由连接导线CL电连接于开关元件SW的端点S1、D1的另一个。开关元件SW、驱动元件DI的配置大致如前图1A或图1B所述,在此不再赘述。其中,图2B所示的开关元件SW与驱动元件DI是以顶栅型薄膜晶体管为范例,其余类型如前述所描述。简单地举例而言,顶栅型薄膜晶体管包含半导体层(未标示),第一栅极G1/第二栅极G2设置于半导体层(未标示)之上,栅极绝缘层L2夹设于半导体层(未标示)与第一栅极G1/第二栅极G2之间,层间介电层L3覆盖第一栅极G1/第二栅极G2与栅极绝缘层L2,而薄膜晶体管的二端S1/D1就各别连接至半导体层(未标示)。对于底栅型薄膜晶体管而言,其包含第一栅极G1/第二栅极G2,半导体层(未标示)设置于第一栅极G1/第二栅极G2之上,栅极绝缘层L2夹设于半导体层(未标示)与第一栅极G1/第二栅极G2之间,层间介电层L3覆盖该半导体层(未标示)与栅极绝缘层L2,而薄膜晶体管的二端S2/D2就各别连接至半导体层(未标示)。其中,缓冲层L1可选择性的设置于第一基板110内表面上。
保护层160覆盖扫描线SL、数据线DL、电源线PL、开关元件SW、驱动元件DI、连接导线CL与第一基板110,且保护层160包含第一接触洞H1以及第二接触洞H2。其中,保护层160可为单层或多层结构,其材料可为无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:光致抗蚀剂、聚亚酰胺(polyimide;PI)、苯并环丁烯(benzocyclobutene;BCB)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。
图案化电极层120设置于保护层160上,其中图案化电极层120包含第一电容电极122以及与第一电容电极122相分隔的像素电极124,像素电极124经由第二接触洞H2而电连接于驱动元件DI的端点S2、D2的另一个,第一电容电极122经由第一接触洞H1而电连接于连接导线CL。第一电容电极122与连接导线CL至少部分重叠,以利通过第二接触洞H2而电性连接。其中,第一电容电极122不与驱动元件DI以及开关元件SW的半导体层(未标示,如图2A或图2B所示)重叠,以降低第一电容电极122对驱动元件DI以及开关元件SW的耦合效应,且连接导线CL位于驱动元件DI以及开关元件SW之间,其为导体材料所构成,例如:金属、合金、欧姆接触半导体层(例如浓掺杂的半导体层),其电阻小于半导体层本身(例如本征层或微掺杂的半导体层)的电阻、或其它合适的材料,或前述的组合。
图案化电极层120可为单层或多层结构,且其材料包含透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。举例而言,根据显示面板为底发光型(即光仅从第一基板110外表面离开)与双面发光型(即光分别从第一基板110与第二基板170外表面离开),则图案化电极层120为透明导电材料。根据显示面板为顶发光型(即光仅从第二基板170外表面离开),则图案化电极层120为非透明导电材料。
电激发光层130位于像素电极124上。对应电极140设置于电激发光层130上且电连接于第二电压源(未标示),其中第二电压源不同于第一电压源。电激发光层130可以由有机发光材料、无机发光材料或前述的组合形成。如此一来,像素电极124、电激发光层130以及对应电极140共同形成前述的电激发光元件OLED(例如参照图1A或图1B)。对应电极140可为单层或多层结构,且其材料包含透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。举例而言,根据显示面板是为底发光型(即光仅从第一基板110外表面离开),则对应电极140为非透明导电材料。根据显示面板是为顶发光型(即光仅从第二基板170外表面离开)与双面发光型(即光分别从第一基板110与第二基板170外表面离开),则图案化电极层120为透明导电材料。
导电凸块180突出设置于第二基板170的内表面172,其中导电凸块180可包含单层或多层结构,且其材料包含导电性聚合物(例如:分子式中有金属、本质型导电高分子、纳米或微米粒子混入聚合物中(即导电胶)、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。一般而言,为了提高导电凸块180的导电能力,较佳地,其材料选用非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)。导电凸块180在垂直投影方向上对应于第一电容电极122设置,即导电凸块180在垂直投影方向第一电容电极122上,且其与第一电容电极122重叠。
电容介电层190覆盖导电凸块180与第二基板170的内表面172。于此,电容介电层190包含设置于导电凸块180顶部的第一部分192以及未设置于导电凸块180顶部的第二部分194(即导电凸块180的侧壁与第二基板170部份内表面),其中位于导电凸块180顶部的第一部分192对应于第一电容电极122,即导电凸块180顶部的第一部分192在垂直投影方向第一电容电极122上,且其与第一电容电极122重叠,电容介电层190可为单层或多层结构,且其材料包含非自发光材料(即非电激发光材料),例如:无机材料(例如:氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋡或其它合适的材料)、有机材料(例如:光致抗蚀剂、聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)或其它合适的材料)、光转换材料(例如:彩色光致抗蚀剂、量子点/杆或其它合适的材料)、或其它合适的材料。于本实施方式中,电容介电层190的第一部分192与第一电容电极122接触。导电凸块180、电容介电层190与第一电容电极122形成储存电容,即前述的电容元件CA(例如参照图1A或图1B)。
于本发明的多个实施方式中,显示面板可选择性地还包含堤坝150,设置于保护层160之上且具有第一开口152以及第二开口154,第一开口152未遮蔽第一电容电极122至少一部份,即第一开口152显露(或称为显现或暴露出)第一电容电极122至少一部份,第二开口154未遮蔽像素电极124至少一部份,即第二开口154显露(或称为显现或暴露出)像素电极124至少一部份。换言之,第一开口152垂直投影于第一电容电极122上,且第一开口152与第一电容电极122至少一部份重叠,可视为第一开口152位于第一电容电极122至少一部份之上;第二开口154垂直投影于像素电极124上,且第二开口154与像素电极124至少一部份重叠,可视为第二开口154位于像素电极124至少一部份之上。电激发光层130与对应电极140位于第二开口154中,则堤坝150可使得电激发光层130易于位在第二开口154内,而导电凸块180会插入(或称为伸入、进入)第一开口152中,以构成本实施例前述的储存电容(电容元件CA)的结构。其中,堤坝150可为单层或多层结构,其材料可为无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:光致抗蚀剂、聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。本发明的实施例以有机材料为范例,但不限于此。
于本发明的多个实施方式中,子像素100具有对应于电激发光层130的发光区DA与至少设置于发光区DA的一侧的非发光区NA。于部份实施方式中,数据线DL、扫描线SL、电源线PL、开关元件SW与驱动元件DI设置于非发光区NA中,以免影响显示效果。
于本发明的多个实施方式中,通过导电凸块180、电容介电层190以及第一电容电极122,能在维持第二基板170与第一基板110的间距的同时,也构成电容元件CA,以维持子像素的显示效果稳定。更甚而,本发明电容元件CA分别由第一基板110上的第一电容电极122相关设计与第二基板170上的导电凸块180相关设计,可以改善底发光或双面发光型的显示面板,因只有在第一基板110上设计较大的电容元件面积所造成的开口率较小的问题,即可视为解析度及/或亮度可提高,例如约可提高至少50%。更甚者,本发明电容元件CA的布局可较为宽松。于其它实施例中,顶发光型显示面板亦可适用。且,通过设计电容介电层190整面地覆盖第二基板170,可以避免因图案化电容介电层190而衍伸额外的工艺步骤,有利于降低制造成本与时间。
图3为根据本发明的第二实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图2B的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,显示面板还包含第二电容电极200,至少设置于第二基板170的电容介电层190的第一部分(即顶部)192上,第二电容电极200的相对二表面分别接触且连接电容介电层190的第一部分192与第一电容电极122,且导电凸块180、电容介电层190、第二电容电极200与第一电容电极122形成储存电容(固态),即第二电容电极200与第一电容电极122当作储存电容中一个电极(例如:下电极),导电凸块180当作储存电容中另一个电极(例如:上电极)。
在部分情况下,因突出结构不利于平坦化的因素,电容介电层190的表面192a可能具有一定的粗糙度,使得电极层与电容介电层190可能接触不完整,而影响电容值。
本实施方式通过直接设置第二电容电极200于电容介电层190上,使第二电容电极200与电容介电层190完整地接触。详细而言,第二电容电极200是通过沉积、涂布导电材料于电容介电层190上而形成的。第二电容电极200可为单层或多层结构,且其材料包含导电性聚合物(例如:分子式中有金属元素、本质型导电高分子、纳米粒子混入聚合物中(即导电胶)、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。若为了增加第二电容电极200的粘着性,第二电容电极200材料(例如:导电性聚合物)可以具有适当的粘性以附着于电容介电层190的表面192a并填入表面192a不平整的凹陷部分。
于本实施方式中,第二电容电极200与第一电容电极122各别的电极表面如有存在多个接触点,电压就容易从第一电容电极122传导至第二电容电极200。因此,通过第二电容电极200,使电容介电层190的一端与第一电容电极122可以达到良好的电性连接。如此一来,第二电容电极200(与第一电容电极122)、电容介电层190以及导电凸块180共同形成前述的电容元件CA(例如参照图1A或图1B),而可避免电容介电层190的表面192a粗糙度对电容值的影响。本实施方式的其他细节大致上如前述实施方式所述,在此不再赘述。
图4为根据本发明的第三实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图3的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,第二电容电极200更延伸覆盖导电凸块180侧边上的电容介电层190或导电凸块180侧边与位于第二基板170内表面上的电容介电层190。换句话说,第二电容电极200具有延伸段202,延伸段202覆盖电容介电层190的第二部分194。
本实施方式通过延伸段202增加第二电容电极200与电容介电层190之间的接触面积,以强化两者之间的附着力。此外,根据平板电容公式,C=εA/d,C为电容,ε为电容介电层190的介电常数,A为第二电容电极200与导电凸块180的重叠面积,d为电容介电层190的厚度,延伸段202的设置使位于第二电容电极200与导电凸块180之间的电容介电层190的面积增大,有利于提升电容值,例如约可提高至少50%。因第二电容电极200位于导电凸块180的顶部与侧壁上,则前述与电容介电层190和第一电容电极122构成了立体电容元件(固态)。本实施方式的其他细节大致上如前述实施方式所述,在此不再赘述。
图5为根据本发明的第四实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图2B的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,显示面板还包含导电缓冲层210,设置于第一基板110的第一电容电极122上,其中导电缓冲层210接触第一电容电极122,且导电凸块180、电容介电层190、导电缓冲层210与第一电容电极122形成储存电容(固态),即导电缓冲层210与第一电容电极122当作储存电容中一个电极(例如:下电极),导电凸块180当作储存电容中另一个电极(例如:上电极)。
于此,导电缓冲层210包含单层或多层结构,且其材料包含导电性聚合物(例如:分子式中有金属、本质型导电高分子、纳米粒子混入聚合物中(即导电胶)、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。较佳地,导电缓冲层210可与对应电极140同一膜层,但不限于此。导电缓冲层210可以具有适当的高度,以垫高第一基板100上的元件与第二基板170上的元件接触的表面。通过此设计,可以降低导电凸块180的高度。且,由于堤坝150的侧面倾斜程度小于导电凸块180的侧面倾斜程度,随着连接位置的提高,可提高第一基板100上的元件与第二基板170上的元件位置对齐时的容许误差。本实施方式的其他细节大致上如前述实施方式所述,在此不再赘述。
图6为根据本发明的第五实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图5的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,显示面板还包含第二电容电极200,设置第二基板170的电容介电层190的第一部分192上,其中第二电容电极200的相对二表面分别接触电容介电层190与导电缓冲层210,且导电凸块180、电容介电层190、第二电容电极200、导电缓冲层210与第一电容电极122形成储存电容(固态),即导电缓冲层210、第二电容电极200与第一电容电极122当作储存电容中一个电极(例如:下电极),导电凸块180当作储存电容中另一个电极(例如:上电极)。
如前所述,第二电容电极200是通过沉积、涂布导电材料于电容介电层190上而形成的。第二电容电极200可为单层或多层结构,且其材料包含导电性聚合物(例如:分子式中有金属元素、本质型导电高分子、纳米粒子混入聚合物中(即导电胶)、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)、或其它合适的材料。若为了增加第二电容电极200与第一电容电极122的粘着性,第二电容电极200材料(例如:导电性聚合物)可以具有适当的粘性以及较小的粒子,以附着于电容介电层190的表面192a并填入表面192a不平整的凹陷部分。
本实施方式的其他细节大致上如前述实施方式所述且具备前述的效果,在此不再赘述。
图7A为根据本发明的第六实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图2B的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,导电凸块180为复合膜层,导电凸块180包含上电容电极182a与凸块182b,且凸块182b位于非发光区NA,且上电容电极182a至少覆盖凸块182b。
于此,凸块182b可为单层或多层结构,且其材料包含绝缘材料(例如:可参阅前述的有机材料、无机材料或其它合适的材料、或前述的组合)、导电材料(例如:可参阅前述的导电性聚合物、非透明导电材料、透明导电材料、或其它合适的材料、或前述的组合)或前述的组合。
上电容电极182a可为单层或多层结构,且其材料包含导电性聚合物(例如:分子式中有金属、本质型导电高分子、纳米粒子混入聚合物中(即导电胶)、或其它合适的材料)、非透明导电材料(例如:金属、合金、或其它合适的材料)、透明导电材料(例如:氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、纳米碳管、氧化铟镓锌、或其它合适的材料)或其它合适的材料。再者,凸块182b为非透明导电材料或非透明材料时,其仅会位于非发光区NA,且凸块182b会对应于前述的第一电容电极122,即凸块182b垂直投影于第一电容电极122,凸块182b会与第一电容电极122至少一部份重叠,而上电容电极182a的材料与显示面板类型搭配如后所述。
参照图7B,图7B为根据本发明的部分实施方式的第二基板部分元件的剖面示意图。于部份实施方式中,显示面板为顶发光型或双面发光型,且上电容电极182a为非透明导电材料,其可以不设置于发光区DA(即上电容电极182a仅设置于非发光区NA)、或者上电容电极182a在发光区DA为透明导电材料而在非发光区NA为非透明导电材料。如此一来,光线可以从电激发光层130(参照图7A)发出经过电容介电层190与第二基板170外表面,且仅由第二基板170外表面输出(顶发光型)、或者光线可以从电激发光层130(参照图7A)发出分别经过电容介电层190与第二基板170外表面与第一基板110外表面后输出(双面发光型),上电容电极182a不会影响到发光区DA内的光线。
参照图7C,图7C为根据本发明的部分实施方式的第二基板部分元件的剖面示意图。于部份实施方式中,当显示面板是为底发光型时,且上电容电极182a为非透明导电材料,其可全面地覆盖第二基板170与凸块182b,而使上电容电极182a设置于发光区DA与非发光区NA。如此一来,光线可以从电激发光层130(参照图7A)发出经过像素电极124(参照图7A)、保护层160(参照图7A)、缓冲层L1(参照图7A)、层间介电层L2(参照图7A)、层间介电层L3(参照图7A)以及第一基板110(参照图7A)外表面,且仅由第一基板110(参照图7A)外表面输出。于部份实施方式中,当显示面板是为顶发光型或双面发光型时,且上电容电极182a为透明导电材料,其可全面地覆盖第二基板170与凸块182b,而使上电容电极182a设置于发光区DA与非发光区NA。如此一来,光线可以从电激发光层130(参照图7A)发出分别由第一基板110(参照图7A)外表面与第二基板170(参照图7A)外表面输出(双面发光型)或者仅由与第二基板170(参照图7A)外表面输出(顶发光型)。本实施方式的其他细节大致如前述实施方式所述,在此不再赘述。
图8为根据本发明的第七实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。本实施方式与图7A的实施方式相似,差别在于:于本实施方式中,显示面板还包含第二电容电极200,设置于第二基板170的电容介电层190上,其中第二电容电极200的相对二表面(即厚度方向上的表面)分别接触电容介电层190与第一电容电极122,且上电容电极182a、电容介电层190、第二电容电极200与第一电容电极122形成储存电容,即第二电容电极200与第一电容电极122当作储存电容中一个电极(例如:下电极),导电凸块180当作储存电容中另一个电极(例如:上电极)。
于此,第二电容电极200具有延伸段202,其与上电容电极182a相应作为电容的上下电极。通过设置延伸段202与上电容电极182a向外延伸,电容介电层190与上下电极的接触面积增大,即如同图4所述的立体电容元件,进而提升电容量。
于本实施方式中,第二电容电极200于第二基板170的投影与上电容电极182a于第二基板170的投影大致重叠。于其他实施方式中,第二电容电极200于第二基板170的投影与上电容电极182a于第二基板170的投影可以仅部分重叠。此外,于部份实施方式中,第二电容电极200或电容介电层190可以不延伸而仅邻近于凸块182b的顶面。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。此外,前述的开口152与154垂直投影于第一基板110的形状可为多边形,本发明以矩形为范例,但不限于此。本发明前述的导电凸块180或凸块182b的剖面形状以容易制造的梯形为范例,但不限于此。于其它实施例中,导电凸块180或凸块182b的剖面形状可为阶梯形,以更于第二电容电极200爬坡容易且较不易断裂,或是其它合适的剖面形状。
以上多个实施方式分别介绍多种子像素的结构。针对上述子像素的结构,以下提出进一步的应用,例如:内建感应元件于显示面板中,即感应元件位于第一基板与第二基板内表面之间,其中,感应元件可包含电容式触控(位置)感应元件、电容式触控(力)感应元件、指纹辨识感应元件、电磁感应元件(例如:近场通信感应元件、无线充电感应元件或其它合适元件)、或其它合适元件、或前述至少二种的组合。详细而言,设置感应电极与连接电极于这些子像素中,感应电极与连接电极可与子像素100内的任一导电层(例如前述的图案化电极层120、对应电极140、上电容电极182a与第二电容电极200)由同一图案化层体所形成,感应电极与连接电极的另一可与对应的导电层由同一图案化层所形成,并整合于显示面板内的像素结构阵列,借以达成感应与显示效果,且可减少额外的膜层与工艺步骤的使用,有利于降低制造成本与时间。
以下图9A至图14C叙述配置有交错式与非交错式的感应阵列。
图9A为根据本发明的第八实施方式的显示面板DD的上视示意图。本实施方式的显示面板与图8的实施方式的显示面板相似,显示面板DD包含多个如前所述的子像素100,差别在于:本实施方式的显示面板还包含感应电极SE,且其设置于第二基板170上。具体而言,显示面板DD包含具有感应电极SE的子像素100以及不具有感应电极的子像素300。为方便说明起见,在此仅绘示显示面板DD的部份结构,且仅以感应电极SE设置于子像素100的周围为例,但实际应用上不应以此限制本发明的范围。
于本实施方式中,多个子像素100可大致分成第一感应电极区GR1、第二感应电极区GR2以及可选择性设置的第三感应电极区GR3,感应电极SE设置于第一感应电极区GR1、第二感应电极区GR2以及可选择性设置的第三感应电极区GR3上,其中第一感应电极区GR1的感应电极SE、第二感应电极区GR2的感应电极SE以及可选择性设置的第三感应电极区GR3的感应电极SE相分隔。第一感应电极区GR1的子像素100的感应电极SE彼此电性连接,第二感应电极区GR2的子像素100的感应电极SE彼此电性连接,可选择性设置的第三感应电极区GR3的子像素100的感应电极SE彼此电性连接。可选择性设置的第三感应电极区GR3的子像素100的感应电极SE可以连接接地端(未绘示)或浮接(floating)。当使用者触碰显示面板DD时,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的子像素100的感应电极SE产生电容量变化,借以感测手指位置、力、指纹图案其中至少一种。
详细而言,同时参照图9A至图9C。图9B为图9A的显示面板DD的部分9B的局部放大图。图9C为沿图9B的线9C-9C的剖面示意图。于此,第一感应电极区GR1的子像素100的感应电极SE与上电容电极182a(参考前述实施方式)可由同一图案化层所形成。感应电极SE位于上电容电极182a的周边,例如:感应电极SE环绕上电容电极182a,且各个相邻的子像素100的感应电极SE彼此可直接互相连接。
虽然在此并未绘示,第二感应电极区GR2的子像素100以及可选择性设置的第三感应电极区GR3的子像素100的结构与第一感应电极区GR1的子像素100的结构可以大致相同。第二感应电极区GR2的子像素100的感应电极SE以及第三感应电极区GR3的子像素100的感应电极SE与上电容电极182a(参考前述实施方式)可由同一图案化层所形成。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极C1以及第二电容电极200。第一连接电极C1设置于第二基板170上,其中第一连接电极C1连接相邻的两个子像素100的上电容电极182a,且第一连接电极C1与感应电极SE相分隔且部份重叠。第二电容电极200的配置如同前述,其中第二电容电极200与上电容电极182a至少一部份重叠。于此,第一连接电极C1与第二电容电极200可由同一图案化层所形成。或者,于其他实施方式中,感应电极SE位于上电容电极182a的周边,感应电极SE具有至少一个开口,且各个相邻的子像素100的上电容电极182a通过感应电极SE的开口彼此可直接互相连接。第一连接电极C1与第二电容电极200可由同一图案化层所形成,且第一连接电极C1跨过开口而连接子像素100的感应电极SE,且第一连接电极C1与上电容电极182a相分隔且部份重叠。于此,感应电极SE与第一连接电极C1分别与非发光区NA部份重叠。
于部份实施方式中,第一连接电极C1可以跨过感应电极SE且通过电容介电层190中的开口190a而连接上电容电极182a,其中第一连接电极C1电性连接子像素100的上电容电极182a与另一子像素100的上电容电极182a。
于此,再回到图9A,子像素300可以是前述实施方式中的任何一个子像素结构。但是,仍需具有本发明所述的电容元件结构(如图8),其余的结构可参阅本发明其它附图。
应了解到,不应以图9A的第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的子像素100排列,即第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的开口方向是朝着同一方向,限制本发明的范围。参照图9D与图9E,图9D与图9E为根据本发明的部分实施方式的显示面板的上视示意图。于其他实施方式中,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的子像素100可以有不同的排列图案,即第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的开口方向是朝着不同方向或二者相互交错,亦能达到如前述的感应的效果。
虽然在此感应电极SE位于上电容电极182a周边,而需通过第一连接电极C1的设置连接相邻的子像素100的上电容电极182a,但本发明不以此为限。于其他实施方式中,子像素100可以具有其他结构,例如上电容电极182a可位于感应电极SE周边。以下以图10A、图10B来说明上电容电极182a位于感应电极SE周边的实施方式。
同时参照图10A、图10B与图10C。图10A为根据本发明的部分实施方式其一的显示面板DD的局部上视示意图。图10B为根据本发明的部分实施方式其二的显示面板DD的局部上视示意图。图10C为沿图10A的线10C-10C的剖面示意图。图10A至图10C的实施方式与图9A至图9C的实施方式相似,差别在于:于图10A至图10C的实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极C1以连接相邻的两个子像素100的感应电极SE。于本实施方式中,至少部分上电容电极182a可位于感应电极SE周边,例如:至少部分上电容电极182a可环绕感应电极SE。为方便说明起见,图10A、图10B中仅绘示第二基板170上部份元件(参考图9C)的结构。
参考图10A,第一连接电极C1与第二电容电极200由同一图案化层所形成,上电容电极182a形成容纳区,可使得感应电极SE位于容纳区中。第一连接电极C1与第二电容电极200由同一图案化层所形成。第一连接电极C1跨过上电容电极182a电性连接相邻的两个子像素100的感应电极SE。
或者,于其他实施方式中,参考图10B,于此,第一连接电极C1、感应电极SE与上电容电极182a由同一图案化层所形成,显示面板DD还包含至少一第二连接电极C2,且第二连接电极C2与第二电容电极200同一图案化层所形成。第二连接电极C2设置于第二基板170上,例如:第二连接电极C2设置于第二基板170的电容介电层190上,其中第二连接电极C2连接相邻的两个子像素100的上电容电极182a,且第二连接电极C2与第一连接电极C1相分隔且部份重叠。于此,第二连接电极C2与上电容电极182a部份重叠。第二连接电极C2与第二电容电极200由同一图案化层所形成。其中,图10A与图10B的感应电极SE会与发光区DA部份重叠。
详细而言,图10B上电容电极182a具有开口OC,第一连接电极C1延伸过开口OC电性连接子像素100的感应电极SE与另一子像素100的感应电极SE。第二连接电极C2设置于第二基板170上,第二连接电极C2跨越开口OC而连接第一连接电极C1两侧的上电容电极182a,且第二连接电极C2与第一连接电极C1相分隔且部份重叠。应了解到,本发明的多个实施方式中,可以在设置上电容电极182a以及第二电容电极200的同时,设置多种感应电极与连接电极,不应以图中所绘而限制本发明的范围。
本实施方式的其他细节大致如前述实施方式所述,在此不再赘述。
以上图9A至图9C与图10A至图10C分别说明感应电极SE与上电容电极182a由同一图案化层所形成时的非交错式的多种实施方式,以下将介绍感应电极SE与上电容电极182a由同一图案化层体所形成时的交错式的多种实施方式。
参照图11A,图11A为根据本发明的第九实施方式的显示面板DD的上视示意图。本实施方式的显示面板DD与图9A的实施方式的显示面板DD相似,差别在于本实施方式采用交错式配置。具体而言,本实施方式中,子像素100具有至少二个第一感应电极区GR1、至少二个与第一感应电极区GR1相分隔的第二感应电极区GR2、第一桥接电极区BR1以及与第一桥接电极区BR1分隔且交错的第二桥接电极区BR2,以排列构成互电容形式感应的阵列。显示面板DD还包含不具有感应电极的子像素300。
详细而言,参照图11B,图11B为图11A的显示面板DD的部份11B的局部放大图。于本实施方式中,显示面板DD包含第一连接电极C1、第二连接电极C2以及第三连接电极C3。
第一连接电极C1,设置于第二基板170上,且其位于各该子像素100,以跨接相邻的子像素100的上电容电极182a。
第二连接电极C2设置第二基板170上,且其位于第一桥接电极区BR1的各该子像素100,以连接位于各该第一感应电极区GR1的感应电极SE。于本发明的部分实施方式中,第二连接电极C2包含至少一第一子电极段C21以及至少一第二子电极段C22。第一子电极段C21位于第一桥接电极区BR1的相邻的两个子像素100之间,且第一子电极段C21与位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE部份重叠。第二子电极段C22位于第一桥接电极区BR1的各该子像素100,以连接第一子电极段C21。
第三连接电极C3设置第二基板170上,且其位于第二桥接电极区BR2的各该子像素100,以连接位于各该第二感应电极区GR2的感应电极SE,其中第二连接电极C2与第三连接电极C3相分隔且交错,例如:第三连接电极C3与第二连接电极C2的第二子电极段C22交错。较佳地,第三连接电极C3可为第二桥接电极区BR2的感应电极SE一部份,第三连接电极C3可由第二感应电极区GR2的感应电极SE延伸经过第二桥接电极区BR2的各子像素100后连接另一第二感应电极区GR2的感应电极SE,以使得工艺精简且良率提升,但不限于此。于本实施方式中,第一连接电极C1、第二连接电极C2与第二电容电极200由同一图案化层所形成,第三连接电极C3与上电容电极182a由同一图案化层所形成,但不限于此。
在此,第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2分隔且交错是指:位于第一桥接电极区BR1的第二连接电极C2的以及位于第二桥接电极区BR2的第三连接电极C3分隔且交错,不应该以图中所绘第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而认为第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2不会交错,来限制本发明的范围。此外,第一连接电极C1、第二连接电极C2以及第三连接电极C3的配置并不图中所绘为限,可以适当配置其他膜层以帮助这些连接线段的设置。
必需说明的是,以第二基板170上的部份元件来说明,第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而存在交错处(区)及其外的部份第一桥接电极区BR1的该些子像素,会存在第一连接电极C1与第二连接电极C2于第二基板上,而第三连接电极C3会存在于交错处(区)与部份第二桥接电极区BR2的该些子像素。再者,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的该些子像素会存在第一连接电极C1。虽然以上实施方式中,感应电极SE位于上电容电极182a周边,例如感应电极SE环绕上电容电极182a,但本发明不以此为限。于其他实施方式中,子像素100可以具有其他结构,例如上电容电极182a可位于感应电极SE周边,请参照以下实施方式。
参考图12A,图12A为根据本发明的部分实施方式的显示面板DD的的局部上视示意图。于此,上电容电极182a可以通过非封闭形式位于感应电极SE周边。显示面板DD包含第一连接电极C1、第二连接电极C2以及第三连接电极C3。较佳地,第一连接电极C1、第二连接电极C2与第二电容电极200由同一图案化层所形成,且第三连接电极C3与上电容电极182a由同一图案化层所形成,但不限于此。于部份实施例中,第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而存在交错处(区)的该些子像素的第一连接电极C1与第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2的该些子像素的第一连接电极C1为不同图案化层所形成,而存在交错处(区)的该些子像素的第一连接电极C1与第二连接电极C2为同一图案化层所形成。第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而存在交错处(区)的该些子像素的第三连接电极C3与第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2的该些子像素的第一连接电极C1为同一图案化层所形成。
第一连接电极C1设置该第二基板170上,且其位于第一桥接电极区BR1的各该子像素100,以连接位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE,且电连接于位于各该第一感应电极区GR1的感应电极SE。举例而言,位于第一桥接电极区BR1的第一连接电极C1包含第一方向DR1以及一与第一方向DR1不同的第二方向DR2,第一方向DR1的第一连接电极C1连接相邻的两个子像素100,以电性连接于各该第一感应电极区GR1的感应电极SE。第二方向DR2的第一连接电极C1仅连接位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE。
第二连接电极C2设置该第二基板170上,且其位于该第一桥接电极区BR1、第二桥接电极区BR2、第一感应电极区GR1以及第二感应电极区GR2的各该子像素100,以连接位于相邻的两个子像素100的上电容电极182a,且第二连接电极C2与第一连接电极C1相分隔。第二连接电极C2至少位于第一桥接电极区BR1,第二连接电极C2跨越开口OC而连接第三连接电极C3两侧的上电容电极182a。
第三连接电极C3设置该第二基板170上,且其位于该第二桥接电极区BR2的各该子像素100,以连接位于各该第二感应电极区GR2的感应电极SE。详细而言,上电容电极182a具有开口OC,第三连接电极C3穿过(延伸过)开口OC而连接子像素100的感应电极SE与另一子像素100的感应电极SE。第三连接电极C3与位于第二桥接电极区BR2的各该子像素100的感应电极SE相分隔。较佳地,第三连接电极C3可为第二桥接电极区BR2的感应电极SE一部份,例如:原本位于第一感应电极区GR1或第二感应电极区GR2的感应电极SE一部份,其中,第三连接电极C3不与位于第二桥接电极区BR2的感应电极SE连接,也不与位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE连接,即第三连接电极C3与位于第二桥接电极区BR2的感应电极SE相分隔,也与位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE相分隔。换言之,位于第二桥接电极区BR2的第三连接电极C3可由第二感应电极区GR2的感应电极SE延伸经过第二桥接电极区BR2的各子像素100后连接另一第二感应电极区GR2的感应电极SE,以使得工艺精简且良率提升,但不限于此。必需说明的是,以第二基板170上的部份元件来说明,第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而存在交错处(区)及其外的部份第一桥接电极区BR1的该些子像素,会存在第一连接电极C1与第二连接电极C2于第二基板上,而第三连接电极C3会存在于交错处(区)与部份第二桥接电极区BR2的该些子像素。再者,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的该些子像素会存在第一连接电极C1与第二连接电极C2。
或者,参考图12B,图12B为根据本发明的部分实施方式的显示面板DD的子像素100的上视示意图。本实施方式与图12A的实施方式相似,差别在于:本实施方式中,上电容电极182a位于感应电极SE周边形成容纳区,可使得感应电极SE位于容纳区中。显示面板DD包含第一连接电极C1与第二连接电极C2。于此,第一连接电极C1、第二连接电极C2的一部份与第二电容电极200由同一图案化层所形成,但不限于此。第一连接电极C1跨过上电容电极182a而电性连接子像素100的感应电极SE与另一子像素100的感应电极SE,以使第一感应电极区GR1的感应电极SE电性连接。举例而言,位于第一桥接电极区BR1的第一连接电极C1包含第一方向DR1以及一与第一方向DR1不同的第二方向DR2,第一方向DR1的第一连接电极C1连接相邻的两个子像素100,以电性连接于各该第一感应电极区GR1的感应电极SE。第二方向DR2的第一连接电极C1仅连接位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE。
第二连接电极C2设置第二基板170上,且其延伸经过位于第二桥接电极区BR2的各该子像素100,以电性连接位于各该第二感应电极区GR2的感应电极SE,且第二连接电极C2与第一连接电极C1相分隔,第二连接电极C2与位于第二桥接电极区BR2的感应电极SE相分隔。较佳地,第二连接电极C2包含第一子电极段C21以及第二子电极段C22。第一子电极段C21可与第二桥接电极区BR2的感应电极SE由同一图案化层所形成,其中,第二连接电极C2的第一子电极段C21不与位于第二桥接电极区BR2的感应电极SE连接,也不与位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE连接,即第一子电极段C21与位于第二桥接电极区BR2的感应电极SE相分隔,也与位于第一桥接电极区BR1的感应电极SE相分隔。第二子电极段C22可与第一连接电极C1一部份由同一图案化层所形成。如此一来,位于第二桥接电极区BR2的第二连接电极C2可由第一子电极段C21延伸经过第二桥接电极区BR2的各子像素100后连接另一第二感应电极区GR2的感应电极SE,以使得工艺精简且良率提升,但不限于此。必需说明的是,以第二基板170上的部份元件来说明,第一桥接电极区BR1与第二桥接电极区BR2重叠而存在交错处(区)及其外的部份第一桥接电极区BR1的该些子像素,会存在第一连接电极C1与第二连接电极C2于第二基板上。再者,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2的该些子像素会存在第一连接电极C1。
以上介绍多种感应电极的位置设计,应了解到,感应电极与连接电极的层体并不限于与上电容电极182a以及第二电容电极200同层。除了上述配置感应电极的方式之外,于本发明的部分实施方式中,还可以配置感应电极与其他膜层一同形成。
图13A为根据本发明的第十实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。图13B为图13A的显示面板的子像素100的第一基板110部份元件的上视示意图。图13C为沿图13B的线13C-13C的剖面示意图。于本实施方式的子像素100与图8的实施方式的子像素100相似,差别在于:本实施方式中,图案化电极层120还包含感应电极SE,感应电极SE与非发光区NA部份重叠,其中各该子像素100的像素电极124以及第一电容电极122皆与感应电极SE相分隔。
本实施例是以图9A、图9D或图9E所述的配置方式,例如:非交错式的实施方式,感应电极SE可设置第一基板110的各该第一感应电极区GR1与各该第二感应电极区GR2上,且第一感应电极区GR1的感应电极SE与第二感应电极区GR2的感应电极SE相分隔。于其它实施例中,显示面板可选择性包含至少一第三感应电极区GR3,感应电极SE可设置第一基板110的该第三感应电极区GR3上,且第一感应电极区GR1的感应电极SE、第二感应电极区GR2的感应电极SE与第三感应电极区GR3的感应电极SE相分隔,其余可参阅前述实施例,于此不再赘言。
如同前述,显示面板可选择性的包含堤坝150,设置于该保护层160上且具有第一开口152以及第二开口154,第一开口152未遮蔽第一电容电极122至少一部份,即第一开口152显露(或称为显现或暴露出)第一电容电极122至少一部份,第二开口154未遮蔽像素电极124至少一部份,即第二开口154显露(或称为显现或暴露出)像素电极124至少一部份。换言之,第一开口152垂直投影于第一电容电极122上,且第一开口152与第一电容电极122至少一部份重叠,可视为第一开口152位于第一电容电极122至少一部份之上;第二开口154垂直投影于像素电极124上,且第二开口154与像素电极124至少一部份重叠,可视为第二开口154位于像素电极124至少一部份之上。电激发光层130与对应电极140位于第二开口154中,而导电凸块180会插入(或称为伸入、进入)第一开口152中,以构成本实施例前述的储存电容(电容元件CA)的结构。于此,堤坝150覆盖感应电极SE。
于此,感应电极SE位于第一电容电极122以及像素电极124周边,例如:感应电极SE环绕第一电容电极122以及像素电极124。第一电容电极122可以通过保护层160的第一接触洞H1经由连接导线CL电性连接开关元件SW的端点D1与驱动元件DI的第二栅极G2,像素电极124可以通过保护层160的第二接触洞H2电性连接驱动元件DI的端点D2,因此,不需再设计额外的连接线来分别供给第一电容电极122以及像素电极124的电压。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
图14A为根据本发明的第十一实施方式的显示面板的子像素100的剖面示意图。图14B为图14A的显示面板的子像素100的第一基板110部份元件的上视示意图。图14C为沿图14B的线14C-14C的剖面示意图。于本实施方式的子像素100与图8的实施方式的子像素100相似,差别在于:于本发明的多个实施方式中,显示面板还包含感应电极SE,分别设置于第一感应电极区GR1与各该第二感应电极区GR2(参照图9A、图9D或图9E)上,且感应电极SE与非发光区NA部份重叠,其中,各该子像素100的像素电极124、对应电极140以及第一电容电极122皆与感应电极SE相分隔,导电凸块200也与感应电极SE相分隔,且第一感应电极区GR1的感应电极SE与第二感应电极区GR2(参照图9A、图9D或图9E)的感应电极SE相分隔。于其他实施例中,显示面板可选择性包含至少一第三感应电极区GR3,感应电极SE可设置第一基板110的该第三感应电极区GR3上,且第一感应电极区GR1的感应电极SE、第二感应电极区GR2的感应电极SE与第三感应电极区GR3的感应电极SE相分隔,其余可参阅前述实施例,于此不再赘言。
于此,感应电极SE与对应电极140由同一图案化层所形成。于本发明的多个实施方式中,感应电极SE环绕对应电极140而形成封闭的空间。于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极CO1,分别设置于各该第一感应电极区GR1与各该第二感应电极区GR2(参照图9A、图9D或图9E)的相邻的二个子像素间,以连接各该子像素100的对应电极140,且各该子像素100的像素电极124、感应电极SE以及第一电容电极122皆与第一连接电极CO1相分隔。通过设置第一连接电极CO1越过感应电极SE,可以使相邻的子像素的对应电极140电性连接。较佳地,第一连接电极CO1与像素电极124由同一图案化层所形成,但不限于此。
如同前述,显示面板包含堤坝150,设置于第一基板110的保护层160上且具有第一开口152以及第二开口154,第一开口152未遮蔽第一电容电极122至少一部份,即第一开口152显露(或称为显现或暴露出)第一电容电极122至少一部份,第二开口154未遮蔽像素电极124至少一部份,即第二开口154显露(或称为显现或暴露出)像素电极124至少一部份。换言之,第一开口152垂直投影于第一电容电极122上,且第一开口152与第一电容电极122至少一部份重叠,可视为第一开口152位于第一电容电极122至少一部份之上;第二开口154垂直投影于像素电极124上,且第二开口154与像素电极124至少一部份重叠,可视为第二开口154位于像素电极124至少一部份之上。电激发光层130与对应电极140位于第二开口154中,而导电凸块180会插入(或称为伸入、进入)第一开口152中,而构成本实施例前述的储存电容(电容元件CA)的结构,其中感应电极SE设置于堤坝150上,且堤坝150覆盖该第一连接电极CO1。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
应了解到,虽然在此并未详细绘示,前述的感应电极SE于第一基板110上的垂直投影可与扫描线SL、电源线PL或数据线DL于第一基板110上的垂直投影部份重叠,以降低对透光区域(例如发光区DA)的影响。
图15A为根据本发明的第十二实施方式的显示面板DD的立体示意图。本实施方式与前述实施方式相似,差别在于:本实施方式中,子像素100具有至少一个第一感应电极区GR1以及至少一个与第一感应电极区GR1相交错且分隔的第二感应电极区GR2。于此,第一感应电极区GR1沿第一方向DR1延伸,第二感应电极SE2沿第二方向DR2延伸,其中第二方向DR2不平行于第一方向DR1,即第一方向DR1与第二方向DR2交错。本发明的多个实施方式以第一方向DR1与第二方向DR2垂直设置为范例,但不限于此。第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2交错处具有至少一交错区IT。显示面板DD还包含至少一第一感应电极SE1以及至少一第二感应电极SE2,分别设置于第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2,其中第一与第二感应电极SE1、SE2在交错区IT交错,即在交错区IT会包含第一与第二感应电极SE1、SE2以及相关配合的元件。
图15B为图15A的显示面板于交错区IT的子像素100的剖面示意图。同时参照图15A与图15B。详细而言,第一感应电极SE1属于图案化电极层120,设置于第一基板110的第一感应电极区GR1的各该子像素100上且相互连接,第一感应电极SE1与非发光区NA部份重叠,其中各该子像素100的像素电极124以及第一电容电极122皆与第一感应电极SE1相分隔。较佳地,像素电极124、第一电容电极122与第一感应电极SE1由同一图案化层所形成,但不限于此。堤坝150覆盖第一感应电极SE1。第二感应电极SE2分别设置于该第一基板110的第二感应电极区GR2的各该子像素100上且相互连接,第二感应电极SE2与非发光区NA部份重叠,其中第二感应电极SE2设置于堤坝150(例如顶面)上,各该子像素100的对应电极140与第二感应电极SE2相分隔。较佳地,第二感应电极SE2与对应电极140由同一图案化层所形成,但不限于此。
图15C为图15B的显示面板的子像素100的第一基板110部份元件的上视示意图。图15D为沿图15C的线15D-15D的剖面示意图,且省略第二基板170上的元件。同时参照图15B至图15D。于本实施方式中,第一感应电极SE1设置于第二感应电极SE2下方且位于第一电容电极122以及像素电极124周边,例如:第一感应电极SE1环绕第一电容电极122以及像素电极124。
于本发明的部份实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极C1以及至少一第二连接电极140C。第一连接电极C1设置于第一基板110的各该子像素100,以连接各该子像素100的第二感应电极SE2,其中各该子像素100的第二感应电极SE2与其所在的各该像素电极124相分隔。第二连接电极140C设置于第一基板110的各该子像素100,第二连接电极140C位于堤坝150(例如顶面)上且连接在交错区IT(参照图15A与图15D)的相邻两个子像素100的对应电极140。详细而言,第二感应电极SE2包含开口O2,第二连接电极140C通过(延伸过)开口O2而与另一子像素的对应电极(未绘出)电性连接。第一连接电极C1可越过开口O2而电性连接第二连接电极140C两侧的第二感应电极SE2。第一连接电极C1与第二连接电极140C在交错区IT(参照图15A)交错。
同时参照图15A至图15D。必需说明的是,除了交错区IT,第一感应电极区(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感应电极SE1及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122、对应电极140与第二连接电极140C等等),但不包含第一连接电极C1与第二感应电极SE2。除了交错区IT,第二感应电极区(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感应电极SE2及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122、对应电极140、第一连接电极C1与第二连接电极140C等等),但不包含至少一第一感应电极SE1。因此,在交错区IT的子像素,除了包含构成本发明前述实施例(例如图1至图8其一)之外,也包含了第一感应电极SE1、第二感应电极SE2、第一连接电极C1、第二连接电极140C及相关的元件。
于本发明的部份实施方式中,堤坝150更覆盖第一感应电极SE1、部份第一连接电极C1,且第二连接电极140C位于堤坝150上。堤坝150除了前述第一开口152与第二开口154之外,可另包含多个开口156,其内填入导电材料以电性连接第一连接电极C1与第二感应电极SE2。
于本发明的多个实施方式中,第一连接电极C1、第一电容电极122、第一感应电极SE1以及像素电极124由同一图案化层所形成。第二感应电极SE2以及第二连接电极140C与对应电极140由同一图案化层所形成。较佳地,可以配置第二感应电极SE2于图案化电极层120(即第一基板110)上的垂直投影与第一感应电极SE1至少部份重叠,以达到较佳地感测效果,但不限于此。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
图16A为根据本发明的第十三实施方式的显示面板于交错区IT(参考图15A)的子像素100的剖面示意图。图16B为图16A的显示面板的子像素100的第二基板170部份元件(图的右边)与第一基板110部份元件(图的左边)的上视示意图。于本实施方式的子像素100的第二基板170部份元件的上视示意图所绘出的剖面图与图9C类似以及本实施方式的子像素100的第一基板110部份元件的上视示意图和剖面图与图13A的剖面图和图13B的第一基板110部份元件的上视示意图类似,主要差别在于:于本实施方式中,显示面板包含至少一第一感应电极SE1位于第二基板170上以及至少一第二感应电极SE2位于第一基板110上。然而,图9C的实施方式,仅为一感应电极于第二基板170上,或者是图13A和图13B的实施方式,仅为一感应电极于第一基板110上。
第一感应电极SE1分别设置于第二基板170的第一感应电极区GR1(参考图15A)的各该子像素100。第一感应电极SE1相互连接,第一感应电极SE1与非发光区NA部份重叠,其中各该子像素100的上电容电极182a以及第二电容电极200皆与该第一感应电极SE1相分隔。第二感应电极SE2设置第一基板110的第二感应电极区GR2(参考图15A)的各该子像素100且相互连接,第二感应电极SE2与非发光区NA部份重叠,其中各子像素100的像素电极124以及第一电容电极122皆与第二感应电极SE2相分隔,且第一感应电极SE1与第二感应电极SE2相分隔。
如前所述,显示面板还包含堤坝150,设置于第一基板110的保护层160上且具第一开口152以及第二开口154,第一开口152未遮蔽第一电容电极122至少一部份,即第一开口152显露(或称为显现或暴露出)第一电容电极122至少一部份,第二开口154未遮蔽像素电极124至少一部份,即第二开口154显露(或称为显现或暴露出)像素电极124至少一部份。换言之,第一开口152垂直投影于第一电容电极122上,且第一开口152与第一电容电极122至少一部份重叠,可视为第一开口152位于第一电容电极122至少一部份之上;第二开口154垂直投影于像素电极124上,且第二开口154与像素电极124至少一部份重叠,可视为第二开口154位于像素电极124至少一部份之上。电激发光层130与对应电极140位于第二开口154中,而导电凸块180会插入(或称为伸入、进入)第一开口152中,而构成本实施例前述的储存电容(电容元件CA)的结构。
本实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极C1以及至少一第二连接电极C2。第一连接电极C1设置于该第二基板170的各该子像素100,以连接各该子像素100的第一感应电极SE1,其中各该子像素100的第二电容电极200与其所在的各该第一连接电极C1相分隔。第二连接电极C2设置于该第二基板170的各该子像素100且连接相邻两个子像素100的上电容电极182a,且第一连接电极C1与第二连接电极C2交错。
同时参照图15A、图16A与图16B。必需说明的是,除了交错区IT,第一感应电极区(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感应电极SE1及其它相关的元件(以第二基板170上的部份元件为例:上电容电极182a与第一连接电极C1与第二连接电极C2等等),但于第一基板110上不包含第二感应电极SE2。除了交错区IT,第二感应电极区(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感应电极SE2及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122等等),但于第二基板170上不包含至少一第一感应电极SE1与第一连接电极C1。因此,在交错区IT的子像素,除了包含构成本发明前述实施例(例如图1至图8其一)之外,也包含了第一感应电极SE1、第二感应电极SE2、第一连接电极C1、第二连接电极C2及相关的元件。
如图16A所示,堤坝150覆盖该第二感应电极SE2,电容介电层190覆盖第一感应电极SE1、第二连接电极C2与上电容电极182a,且第一连接电极C1位于电容介电层190之上。
于本实施方式中,较佳地,第一感应电极SE1与上电容电极182a由同一图案化层所形成,而第二感应电极SE2、像素电极124与第一电容电极122由同一图案化层所形成,但不限于此。第一感应电极SE1具有开口O1,第二连接电极C2经由(延伸过)开口O1而电性连接上电容电极182a与另一子像素的上电容电极(未绘出)。第一连接电极C1越过开口O1而电性连接第二连接电极C2两侧的第一感应电极SE1。第二感应电极SE2位于第一电容电极122以及像素电极124周边,例如:感应电极SE2位于第一电容电极122以及像素电极124的周边,例如:第二感应电极SE2环绕第一电容电极122以及像素电极124。于部份实施方式中,第一感应电极SE1于第一基板110上的垂直投影与第二感应电极SE2部份重叠。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
图17A为根据本发明的第十四实施方式的显示面板于交错区IT(参考图15A)的子像素100的剖面示意图。图17B为图17A的显示面板的子像素100的第二基板170部份元件(图的右边)与第一基板110部份元件(图的左边)的上视示意图。于本实施方式的子像素100的第二基板170部份元件的上视示意图所绘出的剖面图与图9C的实施方式类似以及本实施方式的子像素100的第一基板110部份元件的上视示意图和剖面图与图14A的剖面图和图14B的第一基板110部份元件的上视示意图类似,主要差别在于:显示面板包含至少一第一感应电极SE1位于第二基板170上以及至少一第二感应电极SE2位于第一基板110上。然而,图9C的实施方式,仅为一感应电极SE于第二基板170上,或者是图14A和图14B的实施方式,仅为一感应电极SE于第一基板110上。
于本发明的多个实施方式中,第二感应电极SE2位于对应电极140的周边,例如:第二感应电极SE2环绕对应电极140,而形成容纳对应电极140的容纳区。显示面板的图案化电极层120还包含至少一第三连接电极CO3,设置于第一基板110的各该子像素100,设置第三连接电极CO3越过第二感应电极SE2以连接相邻两个子像素100的对应电极140,像素电极124与第三连接电极CO3相分隔,且第三连接电极CO3与第二感应电极SE2交错。较佳地,第二感应电极SE2与对应电极140由同一图案化层所形成,像素电极124与第一电容电极122由同一图案化层所形成,但不限于此。于本发明的部份实施方式中,第二感应电极SE2位于堤坝150(例如:顶面)上,堤坝150覆盖部份第三连接电极CO3,如图17A所示。
同时参照图15A、图17A与图17B。必需说明的是,除了交错区IT,第一感应电极区(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感应电极SE1及其它相关的元件(以第二基板170上的部份元件为例:上电容电极182a与第一连接电极C1与第二连接电极C2等等),但于第一基板110上不包含第二感应电极SE2。除了交错区IT,第二感应电极区(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感应电极SE2及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122、第三连接电极CO3、对应电极140等等),但于第二基板170上不包含至少一第一感应电极SE1与第一连接电极C1。因此,在交错区IT的子像素,除了包含构成本发明前述实施例(例如图1至图8其一)之外,也包含了第一感应电极SE1、第二感应电极SE2、第一连接电极C1、第二连接电极C2、第三连接电极CO3及相关的元件。
于本发明的部份实施方式中,电容介电层190覆盖第一感应电极SE1、第二连接电极C2与上电容电极182a,且第一连接电极C1位于电容介电层190之上。第一感应电极SE1设置于非发光区NA,第一感应电极SE1具有开口O1,第二连接电极C2经由(延伸过)开口O1而电性连接上电容电极182a与另一子像素的上电容电极(未绘示)。第一连接电极C1越过开口O1而电性连接两侧的第一感应电极SE1。较佳地,第一连接电极C1与第二电容电极200由同一图案化层所形成,第一感应电极SE1、第二连接电极C2与上电容电极182a由同一图案化层所形成,但不限于此。
于本实施方式中,第一感应电极SE1于图案化电极层120(即第一基板110)上的垂直投影与第二感应电极SE2部份重叠。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
图18A为根据本发明的第十五实施方式的显示面板于交错区IT(参考图15A)的子像素100的剖面示意图。图18B为图18A的显示面板的子像素100的第二基板170部份元件(图的右边)与第一基板110部份元件(图的左边)的上视示意图。于本实施方式的子像素100与图13A的实施方式的子像素100类似,差别在于:于本发明的多个实施方式中,显示面板包含至少一第一感应电极SE1位于第二基板170上以及至少一第二感应电极SE2位于第一基板110上。然而,图13A和图13B的实施方式,仅为一感应电极SE于第一基板110上。
同时参考图15A与图18A,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2交错处具有至少一交错区IT,且第一与第二感应电极SE1、SE2于交错区IT交错。第一感应电极SE1分别设置于第二基板170的第一感应电极区GR1(参考图15A)的各该子像素100。第一感应电极SE1相互连接,第一感应电极SE1与非发光区NA部份重叠,其中各该子像素100的上电容电极182a以及第二电容电极200皆与第一感应电极SE1相分隔。第二感应电极SE2设置第一基板110的第二感应电极区GR2(参考图15A)的各该子像素100且相互连接,第二感应电极SE2与非发光区NA部份重叠,其中各子像素100的像素电极124以及第一电容电极122皆与第二感应电极SE2相分隔,且第一感应电极SE1与第二感应电极SE2相分隔。
同时参照图15A、图18A与图18B。必需说明的是,除了交错区IT,第一感应电极区(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感应电极SE1及其它相关的元件(以第二基板170上的部份元件为例:上电容电极182a、第二电容电极200等等),但于第一基板110上不包含第二感应电极SE2。除了交错区IT,第二感应电极区(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感应电极SE2及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122与对应电极140等等),但于第二基板170上不包含至少一第一感应电极SE1。因此,在交错区IT的子像素,除了包含构成本发明前述实施例(例如图1至图8其一)之外,也包含了第一感应电极SE1、第二感应电极SE2及相关的元件。
如图18A所示,第一感应电极SE1位于电容介电层190上,堤坝150覆盖部份第二感应电极SE2,其余相关细节请参阅前述。于本发明的多个实施方式中,如图18B图所示,于第二基板170上的第一感应电极SE1位于第二电容电极200周边,例如:第一感应电极SE1环绕第二电容电极200,于第一基板110上的第二感应电极SE2位于第一电容电极122以及像素电极124周边,例如:第二感应电极SE2环绕第一电容电极122以及像素电极124,其中第一感应电极SE1于图案化电极层120(即第一基板110)上的垂直投影与第二感应电极SE2部份重叠。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
图19A为根据本发明的第十六实施方式的显示面板于交错区IT(参考图15A)的子像素100的剖面示意图。图19B为图19A的显示面板的子像素100的第二基板170部份元件(图的右边)与第一基板110部份元件(图的左边)的上视示意图。于本实施方式的子像素100与图14A的实施方式的子像素100类似,主要差别在于:显示面板包含至少一第一感应电极SE1位于第二基板170上以及至少一第二感应电极SE2位于第一基板110上。然而,图14A和图14B的实施方式,仅为一感应电极SE于第一基板110上。
同时参考图15A与图19A,第一感应电极区GR1与第二感应电极区GR2交错处具有至少一交错区IT,且第一与第二感应电极SE1、SE2于交错区IT交错。第一感应电极SE1分别设置于第二基板170的第一感应电极区GR1(参考图15A)的各该子像素100。第一感应电极SE1相互连接,第一感应电极SE1与非发光区NA部份重叠,其中各该子像素100的上电容电极182a以及第二电容电极200皆与该第一感应电极SE1相分隔。第二感应电极SE2设置第一基板110的第二感应电极区GR2(参考图15A)的各该子像素100且相互连接,第二感应电极SE2与非发光区NA部份重叠,其中各子像素100的像素电极124以及第一电容电极122皆与第二感应电极SE2相分隔,且第一感应电极SE1与第二感应电极SE2相分隔。
本实施方式中,显示面板还包含至少一第一连接电极C1以及至少一第二连接电极140C。第一连接电极C1设置于第一基板110的各该子像素100,以连接各该子像素100的第二感应电极SE2,其中各该子像素100的第一电容电极122与其所在的各该第一连接电极C1相分隔。第二连接电极140C设置于第一基板110的各该子像素100且连接相邻两个子像素100的对应电极140,且第一连接电极C1与第二连接电极140C交错。较佳地,第二感应电极SE2、第二连接电极140C与对应电极140由同一图案化层所形成,像素电极124、第一连接电极C1与第一电容电极122由同一图案化层所形成,但不限于此。于本发明的部份实施方式中,第一感测电极位于电容介电层上,第二感应电极SE2与第二连接电极140C位于堤坝150(例如:顶面)上,堤坝150覆盖部份第一连接电极C1,如图19A所示。
同时参照图15A、图19A与图19B。必需说明的是,除了交错区,第一感应电极区(沿第一方向DR1延伸)GR1包含至少一第一感应电极SE1及其它相关的元件(以第二基板170上的部份元件为例:上电容电极182a与第二电容电极200等等),但于第一基板110上不包含第二感应电极SE2。除了交错区IT,第二感应电极区(沿第二方向DR2延伸)GR2包含至少一第二感应电极SE2及其它相关的元件(以第一基板110上的部份元件为例:薄膜晶体管、像素电极124、第一电容电极122、第一连接电极C1、第二连接电极140C、对应电极140等等),但于第二基板170上不包含至少一第一感应电极SE1。因此,在交错区IT的子像素,除了包含构成本发明前述实施例(例如图1至图8其一)之外,也包含了第一感应电极SE1、第二感应电极SE2、第一连接电极C1、第二连接电极140C及相关的元件。于其它实施例中,若为了连接相邻的两个子像素中的上电容电极182a可还包含一第三连接电极(未绘示)来连接。
于本发明的多个实施方式中,第一感应电极SE1位于第二电容电极200周边,例如:第一感应电极SE1环绕第二电容电极200,第二感应电极SE2位于对应电极140周边,例如:第二感应电极SE2环绕对应电极140,其中第一感应电极SE1于第一基板110上的垂直投影与第二感应电极SE2于第一基板110上的垂直投影部份重叠。
于本发明的部份实施方式中,图案化电极层120包含第一连接电极C1。第一感应电极SE1包含开口O1,第二连接电极140C通过(延伸过)开口O1而电性连接对应电极140与另一子像素的对应电极。第一连接电极C1可越过开口O1而电性连接第二连接电极140C两侧的第一感应电极SE1。本实施方式的其他细节大致上如前所述,在此不再赘述。
应了解到,以上的多个实施方式中,第一感应电极SE1与第二感应电极SE2于第一基板110上的垂直投影可与扫描线SL、电源线PL或数据线DL于第一基板110上的垂直投影部份重叠,以降低对透光区域(例如发光区DA)的影响,但不限于此。此外,前述感应电极,若需要做成回圈式的感应电极(例如:电磁感应元件)时,可以在两相邻的感应电极之间或尾端额外设置连接电极;或者是,可以在该些第一或第二感应电极之间或尾端额外设置连接电极,使得该些第一或第二感应感应电极形成回圈式的感应电极;或者是,可以在该些第一与第二感应电极之间或尾端额外设置连接电极,使得该些第一与第二感应感应电极形成回圈式的感应电极。本发明的多个实施方式提供一种显示面板的子像素,通过设计子像素内部具有电容介电层,借以增大储存电容的面积,即储存电容元件(固态)位于二基板之间,并且提高开口率。于部份实施方式中,设计自容型或互容型的感应电极,且感应电极与子像素内部的图案化导电层一同形成,以使子像素具有感应(例如:触控)与显示的功能,并简化工艺步骤以降低成本。此外,设计感应电极位于导线附近,避免影响发光区。
虽然本发明已以多种实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (43)
1.一种显示面板,具有一第一基板与一设置于该第一基板上的第二基板,且该显示面板定义有包含多个子像素,其中每个子像素包含:
一数据线,设置于该第一基板上,且沿着一第一方向延伸;
一扫描线,设置于该第一基板上,且沿着一第二方向延伸,其中该第二方向不平行于该第一方向;
一电源线,设置于该第一基板上,且其电性连接于一第一电压源;
一开关元件,设置于该第一基板上,且其包含二个端点及一第一栅极,其中所述两个端点的其中一个电连接于该数据线,该第一栅极电连接于该扫描线;
一驱动元件,包含二个端点及一第二栅极,其中所述两个端点的其中一个电连接于该电源线,该第二栅极经由一连接导线电连接于该开关元件的所述两个端点的另一个;
一保护层,覆盖该扫描线、该数据线、该电源线、该开关元件、该驱动元件、该连接导线与该第一基板,且该保护层包含一第一接触洞以及一第二接触洞;
一图案化电极层,设置于该保护层上且位于该子像素区域内,其中该图案化电极层包含一第一电容电极以及与该第一电容电极相分隔的一像素电极,该像素电极经由该第一接触洞而电连接于该驱动元件的所述两个端点的另一个,该第一电容电极经由该第二接触洞而电连接于该连接导线;
一电激发光层,位于该像素电极上;
一对应电极,设置于该电激发光层上且电连接于一第二电压源,其中,该第二电压源不同于该第一电压源;
一导电凸块,突出设置于该第二基板的内表面,其中该导电凸块包含导电材料,该导电凸块在垂直投影方向上对应于该第一电容电极设置;以及
一电容介电层,覆盖该导电凸块与该第二基板的内表面,其中该导电凸块、该电容介电层与该第一电容电极形成一储存电容。
2.如权利要求1所述的显示面板,还包含一第二电容电极,设置于该第二基板的该电容介电层上,其中,该第二电容电极位于该导电凸块顶部上,其中该第二电容电极的相对二表面分别接触该电容介电层与该第一电容电极,且该导电凸块、该电容介电层、该第二电容电极与该第一电容电极形成该储存电容。
3.如权利要求2所述的显示面板,其中该第二电容电极更延伸覆盖该导电凸块侧边上的该电容介电层或该导电凸块侧边与位于该第二基板内表面上的该电容介电层。
4.如权利要求1所述的显示面板,还包含一导电缓冲层,设置于于该第一基板的该第一电容电极上,其中,该导电缓冲层接触该第一电容电极,且该导电凸块、该电容介电层、该导电缓冲层与该第一电容电极形成该储存电容。
5.如权利要求4所述的显示面板,还包含一第二电容电极,设置于该第二基板的该电容介电层之上,其中该第二电容电极的相对二表面分别接触该电容介电层与该导电缓冲层,且该导电凸块、该电容介电层、该第二电容电极、该导电缓冲层与该第一电容电极形成该储存电容。
6.如权利要求1所述的显示面板,其中该导电凸块包含一上电容电极与一凸块,各该子像素具有对应于该电激发光层的一发光区与至少设置于该发光区的一侧的一非发光区,该凸块位于该非发光区,且该上电容电极至少覆盖该凸块。
7.如权利要求6所述的显示面板,其中该上电容电极全面地覆盖该第二基板与该凸块。
8.如权利要求6所述的显示面板,还包含一第二电容电极,设置于该第二基板的该电容介电层上,其中,该第二电容电极的相对二表面分别接触该电容介电层与该第一电容电极,且该上电容电极、该电容介电层、该第二电容电极与该第一电容电极形成该储存电容。
9.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与所述多个第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中该显示面板还包含:一感应电极,设置于该第二基板上的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且该感应电极与该非发光区部份重叠,其中,所述多个第一感应电极区的该感应电极与所述多个第二感应电极区的该感应电极相分隔。
10.如权利要求9所述的显示面板,还包含:
至少一第一连接电极,设置于该第二基板上,其中该第一连接电极连接相邻的两个子像素的该上电容电极,且该第一连接电极与该感应电极相分隔且部份重叠;
一第二电容电极,设置于该第二基板上,且其位于该电容介电层面对且接近该图案化电极层的一侧上,其中,该第二电容电极与该上电容电极至少一部份重叠。
11.如权利要求10所述的显示面板,其中所述多个子像素具有一第一桥接电极区以及一与该第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中该显示面板还包含:
一第二连接电极,设置该第二基板上,且其位于该第一桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第一感应电极区的该感应电极;以及
一第三连接电极,设置该第二基板上,且其位于该第二桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第二感应电极区的该感应电极,其中该第二连接电极与该第三连接电极相分隔且交错。
12.如权利要求11所述的显示面板,其中该第二连接电极包含:
至少一第一子电极段,位于该第一桥接电极区的相邻的两个所述子像素之间,其中该第一子电极段与位于该第一桥接电极区的该感应电极部份重叠;以及
至少一第二子电极段,位于该第一桥接电极区的各该子像素,以连接该第一子电极段。
13.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与该第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中该显示面板还包含:
一感应电极,设置该第二基板上的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且该感应电极与该发光区部份重叠,其中,所述多个第一感应电极区的该感应电极与所述多个第二感应电极区的该感应电极相分隔;以及
至少一第一连接电极,设置于该第二基板上,其中该第一连接电极连接相邻的两个子像素的该感应电极。
14.如权利要求13所述的显示面板,还包含:
一第二电容电极,设置于该第二基板上,且其位于该电容介电层面对且接近该图案化电极层的一侧上,其中,该第二电容电极与该上电容电极部份重叠;以及
至少一第二连接电极,设置于该第二基板上,其中该第二连接电极连接相邻的两个子像素的该上电容电极,且该第二连接电极与该第一连接电极相分隔。
15.如权利要求14所述的显示面板,其中所述多个子像素具有一第一桥接电极区以及一与该第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中该显示面板还包含:
一第三连接电极,设置该第二基板上,且其位于该第二桥接电极区的各该子像素,以连接位于各该第二感应电极区的该感应电极,其中该第三连接电极与位于该第二桥接电极区的各该子像素的该感应电极相分隔。
16.如权利要求13所述的显示面板,其中所述多个子像素具有一第一桥接电极区以及一与该第一桥接电极区相分隔且交错的第二桥接电极区,其中该显示面板还包含:
一第二电容电极,设置于该第二基板上,且其位于该电容介电层面对且接近该图案化电极层的一侧上,其中,该第二电容电极与该上电容电极部份重叠;以及
至少一第二连接电极,设置于该第二基板上,且其延伸经过位于该第二桥接电极区的各该子像素,以电性连接位于各该第二感应电极区的该感应电极,其中该第二连接电极与该第一连接电极相分隔,且该第二连接电极不与位于该第二桥接电极区的感应电极连接。
17.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与所述多个第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中该图案化电极层还包含:一感应电极,设置该第一基板的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且该感应电极与该非发光区部份重叠,其中,各该子像素的该像素电极以及该第一电容电极皆与该感应电极相分隔,且所述多个第一感应电极区的该感应电极与所述多个第二感应电极区的该感应电极相分隔。
18.如权利要求17所述的显示面板,还包含:
一堤坝,设置于该第一基板的该保护层上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中,其中该堤坝覆盖该感应电极。
19.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少二个第一感应电极区以及至少二个与所述多个第一感应电极区相分隔的第二感应电极区,其中该显示面板还包含:一感应电极,分别设置于该第一基板的各该第一感应电极区与各该第二感应电极区上,且该感应电极与该非发光区部份重叠,其中,各该子像素的该像素电极、该对应电极以及该第一电容电极皆与该感应电极相分隔,且所述多个第一感应电极区的该感应电极与所述多个第二感应电极区的该感应电极相分隔。
20.如权利要求19所述的显示面板,还包含:
至少一第一连接电极,分别设置于各该第一感应电极区与各该第二感应电极区的相邻的二个子像素间,以连接各该子像素的该对应电极,且各该子像素的该像素电极、该感应电极以及该第一电容电极皆与该第一连接电极相分隔。
21.如权利要求20所述的显示面板,还包含:
一堤坝,设置于该第一基板的该保护层上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中,其中,该感应电极设置于该堤坝上,且该堤坝覆盖该第一连接电极。
22.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少一个第一感应电极区以及至少一个与该第一感应电极区相交错且分隔的第二感应电极区,其中该图案化电极层还包含:至少一第一感应电极,设置该第一基板的该第一感应电极区的各该子像素上且相互连接,该第一感应电极与该非发光区部份重叠,其中各该子像素的该像素电极以及该第一电容电极皆与该第一感应电极相分隔,其中该显示面板还包含:一堤坝,设置于该第一基板的该保护层上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中,其中,该堤坝覆盖该第一感应电极;以及
至少一第二感应电极,分别设置于该第一基板的该第二感应电极区的各该子像素上且相互连接,该第二感应电极与该非发光区部份重叠,其中,该第二感应电极设置于该堤坝上,各该子像素的该对应电极与该第二感应电极相分隔,该第一感应电极与该第二感应电极相分隔。
23.如权利要求22所述的显示面板,其中该第一感应电极区与该第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且该第一与第二感应电极在该交错区交错,其中显示面板还包含:
至少一第一连接电极,设置于该第一基板的各该子像素,以连接各该子像素的该第二感应电极,其中,各该子像素的该第二感应电极与其所在的各该像素电极相分隔;以及
至少一第二连接电极,设置于该第一基板的各该子像素,该第二连接电极位于该堤坝上且连接在该交错区的相邻两个所述子像素的该对应电极,且该第一连接电极与该第二连接电极在该交错区交错。
24.如权利要求23所述的显示面板,其中该堤坝更覆盖该第一感应电极与部份该第一连接电极,且该第二连接电极位于该堤坝上。
25.如权利要求6所述的显示面板,其中所述多个子像素具有至少一个第一感应电极区以及至少一个与该第一感应电极区相交错且分隔的第一感应电极区,其中该显示面板还包含:
至少一第一感应电极,分别设置于该第二基板的该第一感应电极区的各该子像素且相互连接,该第一感应电极与该非发光区部份重叠,其中,各该子像素的该电容上电极以及该第二电容电极皆与该第一感应电极相分隔;以及
至少一第二感应电极,设置该第一基板的该第二感应电极区的各该子像素且相互连接,该第二感应电极与该非发光区部份重叠,其中,各该子像素的该像素电极以及该第一电容电极皆与该第二感应电极相分隔,且该第一感应电极与该第二感应电极相分隔。
26.如权利要求25所述的显示面板,还包含:
一堤坝,设置于该第一基板的该保护层上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中。
27.如权利要求26所述的显示面板,其中该第一感应电极区与该第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且该第一与第二感应电极于该交错区交错,其中该显示面板还包含:
至少一第一连接电极,设置于该第二基板的各该子像素,以连接各该子像素的该第一感应电极,其中,各该子像素的该第二电容电极与其所在的各该第一连接电极相分隔;以及
至少一第二连接电极,设置于该第二基板的各该子像素且连接相邻两个所述子像素的该电容上电极,且该第一连接电极与该第二连接电极交错。
28.如权利要求27所述的显示面板,其中该堤坝覆盖该第二感应电极,该电容介电层覆盖该第一感应电极、该第二连接电极与该上电容电极,且该第一连接电极位于该电容介电层之上。
29.如权利要求27所述的显示面板,还包含:
至少一第三连接电极,设置于该第一基板的各该子像素且连接相邻两个所述子像素的该对应电极,该像素电极与该第三连接电极相分隔,且该第三连接电极与该第二感应电极交错。
30.如权利要求29所述的显示面板,其中该第二感应电极位于该堤坝上,该堤坝覆盖部份该第三连接电极,该电容介电层覆盖该第一感应电极、该第二连接电极与该上电容电极,且该第一连接电极位于该电容介电层之上。
31.如权利要求26所述的显示面板,其中该第一感应电极区与该第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且该第一与第二感应电极于该交错区交错,其中,该第一感应电极位于该电容介电层上,该堤坝覆盖部份该第二感应电极。
32.如权利要求26所述的显示面板,其中该第一感应电极区与该第二感应电极区交错处具有至少一交错区,且该第一与第二感应电极于该交错区交错,其中该显示面板还包含:
至少一第一连接电极,设置于该第一基板的各该子像素,以连接各该子像素的该第二感应电极,其中各该子像素的该第一电容电极与其所在的各该第一连接电极相分隔;以及
至少一第二连接电极,设置于该第一基板的各该子像素且连接相邻两个所述子像素的该对应电极,且该第一连接电极与该第二连接电极交错。
33.如权利要求1所述的显示面板,还包含:
一堤坝,设置于该保护层之上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中。
34.一种显示面板,包含:
一基板;
一导电凸块突出设于该基板的内表面,其中该导电凸块包含一上电容电极与一被该上电容电极覆盖的凸块,该凸块设置于该基板的该内表面与该上电容电极之间;
一电容介电层,覆盖该导电凸块与该基板的该内表面一部份;
一第一感应电极,设置于该基板的该内表面上;
一对应基板,相对于该基板设置,其中该对应基板具有至少一像素电极以及一与该像素电极相分隔的一第一电容电极,该像素电极连接一驱动元件的一端点,该驱动元件的栅极经由一连接导线连接一开关元件的一端点,该第一电容电极连接该连接导线;
一电激发光层,夹设于该基板与该对应基板之间,且位于该像素电极上;以及
一对应电极,设置于该电激发光层上。
35.如权利要求34所述的显示面板,其中该第一感应电极环绕该上电容电极。
36.如权利要求34所述的显示面板,还包含:
一第一连接电极,设置于该基板的内表面上且电性连接该上电容电极或该第一感应电极;以及
一第二电容电极,设置于该基板的内表面上且位于该电容介电层面对且接近于该对应基板的该内表面的一侧。
37.如权利要求34所述的显示面板,还包含一第二感应电极,设置于该基板或该对应基板的内表面上,其中该第二感应电极与该第一感应电极交错。
38.如权利要求34所述的显示面板,其中该上电容电极环绕该第一感应电极。
39.一种显示面板,包含:
一基板;
一导电凸块,突出设置于该基板的内表面上,其中该导电凸块包含一上电容电极与一被该上电容电极覆盖的凸块,该凸块设置于该基板的该内表面与该上电容电极之间;
一电容介电层,覆盖该导电凸块与该第二基板的该内表面一部份;
一对应基板,相对于该基板设置;
一图案化电极层,设置于该对应基板的内表面上,其中该图案化电极层包含一第一电容电极以及一与该第一电容电极相分隔的像素电极,该像素电极连接一驱动元件的一端点,该驱动元件的栅极经由一连接导线连接一开关元件的一端点,该第一电容电极连接该连接导线;
一电激发光层,位于该像素电极上;
一对应电极,设置于该电激发光层上;以及
一第一感应电极,设置于该对应基板的内表面上。
40.如权利要求39所述的显示面板,其中该图案化电极层还包含一第一连接电极,设置于该对应基板上且电性连接该对应电极。
41.如权利要求40所述的显示面板,还包含一第二感应电极,设置于该对应基板上且与该第一感应电极交错。
42.如权利要求41所述的显示面板,其中该图案化电极层还包含一第二连接电极,电性连接该第二感应电极。
43.如权利要求39所述的显示面板,还包含:
一堤坝,设置于该对应基板的该图案化电极层上且具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口未遮蔽该第一电容电极至少一部份,该第二开口未遮蔽该像素电极至少一部份,且该电激发光层与该对应电极位于该第二开口中。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105121779A TWI607562B (zh) | 2016-07-11 | 2016-07-11 | 顯示面板 |
TW105121779 | 2016-07-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108063152A true CN108063152A (zh) | 2018-05-22 |
CN108063152B CN108063152B (zh) | 2021-09-03 |
Family
ID=60911292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610750128.9A Active CN108063152B (zh) | 2016-07-11 | 2016-08-29 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10062859B2 (zh) |
CN (1) | CN108063152B (zh) |
TW (1) | TWI607562B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111129077A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN112885978A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105045453B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种内嵌式触摸屏及显示装置 |
TWI590215B (zh) * | 2016-07-11 | 2017-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
US10353123B2 (en) | 2017-08-08 | 2019-07-16 | Apple Inc. | Electronic Devices with glass layer coatings |
JP6959065B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2021-11-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10340322B2 (en) * | 2017-10-18 | 2019-07-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device and organic light emitting diode (OLED) display panel |
KR102367826B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2022-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시 장치와 그의 제조방법 |
TWI648879B (zh) | 2018-04-11 | 2019-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件 |
CN112750861A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060138922A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Kim Yong H | Low temperature active matrix display device and method of fabricating the same |
US20110193475A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Samsung Mobile Display Co. Ltd. | Organic light emitting display and manufacturing method thereof |
CN103904099A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN104915084A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 内嵌式触摸屏及有机发光二极管显示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7009203B2 (en) * | 2000-12-14 | 2006-03-07 | Samsung Soi Co., Ltd. | Organic EL device and method for manufacturing the same |
CN100381924C (zh) | 2005-01-31 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
JP4438665B2 (ja) | 2005-03-29 | 2010-03-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20070074891A (ko) | 2006-01-11 | 2007-07-18 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터 기판 및 이를 포함한 액정 표시 패널 |
US7554644B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-06-30 | Tpo Displays Corp. | LCD panel having capacitor disposed over or below photo spacer with active device also disposed between the photo spacer and a substrate, all disposed over opaque region of display |
CN101059738A (zh) | 2006-04-20 | 2007-10-24 | 铼宝科技股份有限公司 | 向上发光型有机发光二极管的透明触摸屏幕 |
CN101398572A (zh) | 2007-09-29 | 2009-04-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器及在其中制作导电隔垫物的方法 |
CN101339314B (zh) | 2008-08-13 | 2010-08-18 | 友达光电股份有限公司 | 触控式显示面板、光电装置及其制造方法 |
CN101710586B (zh) | 2009-01-09 | 2011-12-28 | 深超光电(深圳)有限公司 | 提高开口率的储存电容及其制作方法 |
CN101464603B (zh) | 2009-01-12 | 2010-07-14 | 上海广电光电子有限公司 | 液晶显示装置 |
TWI394071B (zh) | 2009-08-14 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體觸控面板及其製作方法 |
JP5789113B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-10-07 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
CN202351848U (zh) | 2011-11-18 | 2012-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸液晶显示器 |
US9229564B2 (en) | 2012-01-18 | 2016-01-05 | Htc Corporation | Touch display and electronic device |
KR102096622B1 (ko) | 2013-08-19 | 2020-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN104716157B (zh) * | 2013-12-16 | 2018-04-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光显示装置的阵列基板及其制备方法 |
CN104252276B (zh) * | 2014-06-30 | 2018-04-27 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种触控显示装置及其制造方法 |
-
2016
- 2016-07-11 TW TW105121779A patent/TWI607562B/zh active
- 2016-08-29 CN CN201610750128.9A patent/CN108063152B/zh active Active
-
2017
- 2017-07-06 US US15/642,638 patent/US10062859B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060138922A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Kim Yong H | Low temperature active matrix display device and method of fabricating the same |
US20110193475A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Samsung Mobile Display Co. Ltd. | Organic light emitting display and manufacturing method thereof |
CN103904099A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN104915084A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 内嵌式触摸屏及有机发光二极管显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111129077A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN111129077B (zh) * | 2018-10-30 | 2024-03-05 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN112885978A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2022156290A1 (zh) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108063152B (zh) | 2021-09-03 |
US20180013086A1 (en) | 2018-01-11 |
TW201803103A (zh) | 2018-01-16 |
US10062859B2 (en) | 2018-08-28 |
TWI607562B (zh) | 2017-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108063152A (zh) | 显示面板 | |
CN106206664B (zh) | 显示面板 | |
US20210103352A1 (en) | Display Device with Touch Sensor | |
CN107887408B (zh) | 具有触摸传感器的有机发光显示器 | |
CN107068720B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及显示装置 | |
CN109407905A (zh) | 触摸传感器及包括其的显示装置 | |
CN104808376B (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
CN110007808A (zh) | 包括触摸传感器的电致发光显示器 | |
CN108874202A (zh) | 显示装置 | |
CN109786430A (zh) | 一种柔性显示面板及显示装置 | |
CN108400149A (zh) | 显示装置 | |
CN108241451A (zh) | 显示装置 | |
CN109560109A (zh) | 显示装置 | |
CN110444563A (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN107887522A (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN107357475A (zh) | 触控面板和显示装置 | |
CN109585492A (zh) | 显示装置 | |
CN108493211A (zh) | 显示面板 | |
CN107230696A (zh) | 柔性显示装置 | |
CN107357467A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN106611773A (zh) | 显示设备 | |
CN108304086A (zh) | 触控显示装置 | |
CN107871763A (zh) | 触摸式传感器及带触摸式传感器的显示装置 | |
CN107403817A (zh) | 显示装置 | |
CN109284027A (zh) | 触摸传感器及包括该触摸传感器的显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |