CN110444563A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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金铉哲
李圣俊
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Abstract

本公开涉及一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基础衬底、像素阵列、第一电源电压布线以及第二电源电压布线。基础衬底包括像素区域和围绕像素区域的外围区域。像素阵列设置在像素区域中。第一电源电压布线设置在外围区域中并且包括第一下部电源电压线和第一上部电源电压线。第一上部电源电压线设置在第一下部电源电压线上并且接触第一下部电源电压线。第二电源电压布线设置在外围区域中并且包括第二下部电源电压线和第二上部电源电压线。第二上部电源电压线设置在第二下部电源电压线上并且接触第二下部电源电压线。在平面图中，第一上部电源电压线与第二下部电源电压线重叠。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本公开的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
平板显示装置由于其重量轻且相对薄而取代了诸如阴极射线管显示装置的传统显示装置。平板显示装置的示例包括液晶显示(LCD)装置和有机发光显示装置。
近来，已经研究和开发了柔性有机发光显示装置。柔性有机发光显示装置能够至少在其一部分处弯曲或折叠。例如，柔性有机发光显示装置可包括：柔性基础衬底、设置在基础衬底上的像素阵列以及覆盖像素阵列的薄膜封装层。柔性有机发光显示装置可通过弯曲或折叠其一部分以提高可视性并减小非显示区域的区域尺寸。
发明内容
本公开的示例性实施例提供一种有机发光显示装置。
根据示例性实施例，有机发光显示装置包括：基础衬底、像素阵列、第一电源电压布线以及第二电源电压布线。基础衬底包括像素区域和围绕像素区域的外围区域。像素阵列设置在像素区域中。第一电源电压布线设置在外围区域中并且包括第一下部电源电压线和第一上部电源电压线。第一上部电源电压线设置在第一下部电源电压线上并且接触第一下部电源电压线。第二电源电压布线设置在外围区域中并且包括第二下部电源电压线和第二上部电源电压线。第二上部电源电压线设置在第二下部电源电压线上并且接触第二下部电源电压线。在平面图中，第一上部电源电压线与第二下部电源电压线重叠。
在示例性实施例中，第二电源电压布线设置在第一电源电压布线和像素区域之间。
在示例性实施例中，第一下部电源电压线与第二下部电源电压线间隔开，并且第一上部电源电压线与第二上部电源电压线间隔开。
在示例性实施例中，第一上部电源电压线的宽度大于第一下部电源电压线的宽度，并且第二上部电源电压线的宽度小于第二下部电源电压线的宽度。
在示例性实施例中，在平面图中，第一上部电源电压线覆盖第一下部电源电压线和第二下部电源电压线之间的间隙。
在示例性实施例中，像素阵列包括有机发光二极管，有机发光二极管包括第一电极和第二电极。有机发光二极管的第二电极从像素区域延伸到外围区域并且接触第一上部电源电压线。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括与第一电源电压布线和第二电源电压布线重叠的扇出布线。
在示例性实施例中，扇出布线设置在第一电源电压布线和第二电源电压布线下方。
在示例性实施例中，扇出布线包括彼此间隔开的多个线。在平面图中，扇出布线的至少一部分与第一下部电源电压线和第二下部电源电压线之间的间隙重叠。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括设置在像素区域和外围区域中以与扇出布线重叠的触摸屏结构。
在示例性实施例中，扇出布线配置为将数据信号传输到像素阵列。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括部分地覆盖第一下部电源电压线和第二下部电源电压线的第一通孔绝缘层。
在示例性实施例中，第一通孔绝缘层包括一个或更多个接触孔。第一上部电源电压线通过第一通孔绝缘层的一个或更多个接触孔连接到第一下部电源电压线。
在示例性实施例中，第一通孔绝缘层包括一个或更多个接触孔。第二上部电源电压线通过第一通孔绝缘层的一个或更多个接触孔连接到第二下部电源电压线。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括覆盖像素阵列并且延伸到外围区域的薄膜封装层。
在示例性实施例中，薄膜封装层包括至少一个有机层和至少一个无机层。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括设置在外围区域中的至少一个坝结构。
在示例性实施例中，有机发光显示装置还包括设置在至少一个坝结构和像素区域之间的至少一个谷结构。
在示例性实施例中，像素阵列包括有机发光二极管，有机发光二极管包括第一电极和第二电极。有机发光二极管的第二电极设置在像素区域和外围区域中，沿着外围区域中的至少一个谷结构的侧表面和上表面延伸并且接触第一上部电源电压线。
在示例性实施例中，至少一个谷结构设置在第一上部电源电压线上并且通过第一上部电源电压线的接触孔连接到设置在第一上部电源电压线下方的第一通孔绝缘层。
根据示例性实施例，设置在外围区域中的第一电源电压布线和第二电源电压布线包括分别形成在不同的层中且设置在不同的平面上的多个线。因此，鉴于导电性，第一电源电压布线和第二电源电压布线相比于单层结构可具有减小的宽度。因此，可减小外围区域的尺寸，并且可减小有机发光显示装置中的非显示区域的尺寸。
在示例性实施例中，第一上部电源电压线朝向像素区域扩展，并且第二下部电源电压线朝向第一电源电压布线扩展，从而形成非对称结构。因此，有机发光二极管的第二电极的边界可朝向像素区域偏移。因此，可减小外围区域中的第二电极的尺寸，并且可减小有机发光显示装置中的非显示区域的尺寸。
在示例性实施例中，在平面图中，第一上部电源电压线可覆盖第一下部电源电压线和第二下部电源电压线之间的间隙。因此，可减小或防止由扇出布线和触摸屏结构之间的干扰产生的噪声。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明构思的一个或更多个示例性实施例的各方面。
图1是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。
图2是示出图1中所示的有机发光显示装置的弯曲形状的透视图。
图3和图4是示出图1的区域“A”的放大平面图。
图5是沿着图3和图4的线I-I’截取的剖视图。
图6至图12是示出根据示例性实施例的制造图1至图5中所示的有机发光显示装置的示例工艺的剖视图。
图13是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
图14是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
下文中，将参照示出了一些示例性实施例的附图描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。相同或类似的附图标记可用于图中的相同或类似的元件。
图1是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
图2是示出图1中所示的有机发光显示装置100的弯曲形状的透视图。
参照图1和图2，有机发光显示装置100可包括显示区域10、弯曲区域50和信号提供区域60。显示区域10可包括像素区域30和围绕像素区域30的外围区域40。包括多个像素PX的像素阵列可设置在像素区域30中。显示区域10可对应于有机发光显示装置100的前部。
电连接到外部装置的多个焊盘电极可设置在信号提供区域60中。例如，诸如驱动芯片的外部装置可安装在信号提供区域60中，或者焊盘电极可通过柔性印刷电路板连接到外部装置。
像素阵列可基于由外部装置提供的电信号产生光以在显示区域10中显示图像。
弯曲区域50可设置在显示区域10和信号提供区域60之间。显示区域10、弯曲区域50和信号提供区域60可依次布置。连接布线可设置在弯曲区域50中以将电信号从信号提供区域60传输到外围区域40。
多个信号布线可设置在外围区域40中以将电信号传输到像素区域30。例如，信号布线可传输数据信号、扫描信号、发光信号、电源电压信号、触摸感测信号等。此外，扫描驱动器、数据驱动器等可设置在外围区域40中。
参照图1，围绕像素区域30的外围区域40的宽度可以是均匀的。即，外围区域40的宽度沿着有机发光显示装置100的周边是相同的。然而，示例性实施例不限于此，并且外围区域40可根据有机发光显示装置100的期望设计而具有各种配置、形状和尺寸。
参照图2，弯曲区域50可相对于沿着第一方向D1的轴弯曲，使得信号提供区域60可设置在显示区域10下方以与显示区域10的至少一部分重叠。因此，在将弯曲区域50弯曲之后，弯曲区域50可具有弯曲形状。
图3和图4是示出图1的区域“A”的放大平面图。具体来说，图3示出设置在外围区域40中的第一下部电源电压线VSS1、第二下部电源电压线VDD1和扇出布线FL。图4示出第一上部电源电压线VSS2、第二下部电源电压线VDD1和扇出布线FL。
参照图3，第一下部电源电压线VSS1、第二下部电源电压线VDD1和扇出布线FL可设置在外围区域40中。第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1可形成在相同的层中。因此，第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1可彼此间隔开。在示例性实施例中，第一下部电源电压线VSS1可沿着外围区域40基本上在第一方向D1上延伸。第二下部电源电压线VDD1可设置在第一下部电源电压线VSS1和像素区域30之间。第二下部电源电压线VDD1可基本上在与第一下部电源电压线VSS1相同的方向上延伸。
扇出布线FL可设置在与第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1不同的层中。在示例性实施例中，扇出布线FL可设置在第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1下方，与第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1的至少一部分重叠。扇出布线FL可电连接到像素区域30中的像素阵列以将电信号提供到像素区域30中的像素PX。例如，扇出布线FL可将数据信号传输到像素区域30中的像素阵列。
参照图4，第一上部电源电压线VSS2设置在第一下部电源电压线VSS1上。第一上部电源电压线VSS2接触并且电连接到第一下部电源电压线VSS1。此外，第一上部电源电压线VSS2可从第一下部电源电压线VSS1朝向像素区域30扩展以与第二下部电源电压线VDD1的一部分重叠。因此，在平面图中，第一上部电源电压线VSS2可具有覆盖第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1之间的间隙的形状。
虽然在图3中没有示出，但是第二上部电源电压线VDD2可设置在第二下部电源电压线VDD1上。第二上部电源电压线VDD2接触并且电连接到第二下部电源电压线VDD1。第二上部电源电压线VDD2可与第一上部电源电压线VSS2形成在相同的层中。因此，第二上部电源电压线VDD2和第一上部电源电压线VSS2可彼此间隔开。下面，将更充分地描述包括第二上部电源电压线VDD2的上述结构。
图5是沿着图3和图4的线I-I’截取的剖视图。
参照图5，设置在像素区域30中的像素PX可包括：设置在基础衬底110上的驱动晶体管、电连接到驱动晶体管的有机发光二极管(OLED)和覆盖有机发光二极管的薄膜封装层。驱动晶体管可包括：有源图案AP、与有源图案AP重叠的栅电极GE、电连接到有源图案AP的源电极SE以及电连接到有源图案AP并与源电极SE间隔开的漏电极DE。
基础衬底110可包括玻璃、石英、硅、聚合物等。例如，聚合物可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺或它们的任何组合。
缓冲层120可设置在基础衬底110上。缓冲层120可防止或减少来自基础衬底110下面的杂质、湿气或外部气体的渗透，并且可平坦化基础衬底110的上表面。例如，缓冲层120可包括诸如氧化物和氮化物的无机材料。
有源图案AP可设置在缓冲层120上。有源图案AP可与栅电极GE重叠。
有源图案AP可包括诸如非晶硅、多晶硅(polysilicon)和氧化物半导体的半导体材料。例如，当有源图案AP包括多晶硅时，有源图案AP的至少一部分可掺杂有例如n型杂质或p型杂质的杂质。
第一绝缘层130可设置在有源图案AP上。第一绝缘层130可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或它们的任何组合。此外，第一绝缘层130可包括诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化钛的绝缘金属氧化物。第一绝缘层130可具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
栅电极GE可设置在第一绝缘层130上。栅电极GE可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们的任何合金，并且可具有单层结构或包括不同的金属层的多层结构。
第二绝缘层140可设置在栅电极GE和第一绝缘层130上。第二绝缘层140可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或它们的任何组合。此外，第二绝缘层140可包括诸如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化钛的绝缘金属氧化物。
源电极SE和漏电极DE可设置在第二绝缘层140上。源电极SE和漏电极DE可经由穿过第一绝缘层130和第二绝缘层140的各个接触孔电连接到有源图案AP。源电极SE和漏电极DE可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们的任何合金，并且可具有单层结构或包括不同的金属层的多层结构。
第三绝缘层150可设置在第二绝缘层140上以覆盖源电极SE和漏电极DE。第三绝缘层150可包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或它们的任何组合。有机绝缘材料的示例可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、酚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
源极线SL和连接电极CE可设置在第三绝缘层150上。源极线SL可将扫描信号、数据信号、发光信号、初始化信号、电源电压等传输到像素阵列的晶体管。连接电极CE可经由穿过第三绝缘层150的接触孔电连接到漏电极DE。连接电极CE可将漏电极DE电连接到有机发光二极管的第一电极EL1。源极线SL和连接电极CE可包括与源电极SE和漏电极DE相同的材料。
第四绝缘层160可设置在第三绝缘层150上以覆盖源极线SL和连接电极CE。例如，第四绝缘层160可包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或它们的任何组合。例如，有机绝缘材料可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、酚树脂、苯并环丁烯(BCB)等。
有机发光二极管的第一电极EL1可设置在第四绝缘层160上。在示例性实施例中，第一电极EL1可用作阳极。根据有机发光二极管的发射类型，第一电极EL1可形成为透射电极或反射电极。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡等。当第一电极EL1是反射电极时，第一电极EL1可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)或它们的任何组合，并且可具有进一步包括可用于透射电极的材料的堆叠结构。
像素限定层PDL可设置在第四绝缘层160上。像素限定层PDL可包括暴露第一电极EL1的至少一部分的开口。像素限定层PDL可包括有机绝缘材料。
有机发光层OL可设置在第一电极EL1上。在示例性实施例中，有机发光层OL可设置在像素限定层PDL的开口中。在另一示例性实施例中，有机发光层OL可在像素限定层PDL的上表面上方延伸，或者可连续地延伸跨越像素区域30中的多个像素PX。
有机发光层OL可至少包括发光层，并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。有机发光层OL可包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
在示例性实施例中，有机发光层OL可发射红光、绿光或蓝光。在另一示例性实施例中，有机发光层OL可发射白光。发射白光的有机发光层OL可具有包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的多层结构或者包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的混合物的单层结构。
有机发光二极管的第二电极EL2可设置在有机发光层OL上。第二电极EL2可连续地延伸跨越像素区域30中的多个像素PX。
在示例性实施例中，第二电极EL2可用作阴极。根据有机发光二极管的发射类型，第二电极EL2可形成为透射电极或反射电极。例如，第二电极EL2可包括金属、金属合金、金属氟化物、金属氮化物、金属氧化物或者它们的组合，并且有机发光显示装置100还可包括子电极或总线电极线，子电极线或总线电极线包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡等。
薄膜封装层可设置在第二电极EL2上。薄膜封装层可具有无机层174和有机层172的堆叠结构。在此情况下，有机层172可设置在第二电极EL2上，并且无机层174可设置在有机层172上。然而，示例性实施例不限于此。例如，薄膜封装层可具有：包括第一无机层、有机层和第二无机层中的一个或更多个的堆叠结构；包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层的堆叠结构。
在示例性实施例中，有机层172可包括诸如聚(甲基)丙烯酸酯的固化树脂。例如，固化树脂可通过单体的交联反应形成。
在示例性实施例中，无机层174可包括诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化钛的无机材料。
虽然没有示出，但是覆盖层和阻挡层可设置在第二电极EL2和薄膜封装层之间。
覆盖层可保护有机发光二极管并且可促使由有机发光二极管产生的光向外部出射。
在示例性实施例中，覆盖层可包括无机材料或有机材料。无机材料的示例可包括氧化锌、氧化钽、氧化锆和氧化钛。有机材料的示例可包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4',4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)-氨基]-苯(o-MTDAB)以及1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-苯(m-MTDAB)。
阻挡层可设置在覆盖层上。阻挡层可在后面的工艺中通过等离子体等防止对有机发光二极管的损坏。阻挡层可包括氟化锂、氟化镁、氟化钙等。
触摸屏结构可设置在薄膜封装层上。触摸屏结构可包括感测电极TE。在示例性实施例中，触摸屏结构可包括感测电极TE和子感测电极的任何组合。触摸屏结构可以是互电容式。例如，外部装置可将触摸感测信号提供到感测电极TE和子感测电极。当用户接触对应于感测电极TE的区域时，感测电极TE和子感测电极之间的电容可改变。外部装置可感测由用户的触摸引起的电容变化，从而检测触摸位置。
扇出布线FL、第一电源电压布线VSS、第二电源电压布线VDD、第一坝结构(firstdam structure)DM1和第二坝结构DM2可设置在外围区域40中。坝结构DM1和DM2可沿着外围区域40(例如在第二方向D2上)延伸。
在外围区域40中，缓冲层120可设置在基础衬底110上，并且第一绝缘层130可设置在缓冲层120上。缓冲层120和第一绝缘层130可从像素区域30延伸到外围区域40。扇出布线FL可设置在第一绝缘层130上。
扇出布线FL可与栅电极GE形成在相同的层中。因此，扇出布线FL和栅电极GE可被包括在栅极金属图案中。
扇出布线FL可具有在一个方向上延伸的形状，并且多个线可如图3和图4中所示地彼此间隔开。
第二绝缘层140覆盖扇出布线FL。
第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1可设置在第二绝缘层140上。
第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1可与源电极SE和漏电极DE形成在相同的层中，并且在剖视图中可在水平方向上彼此间隔开。第二下部电源电压线VDD1可设置在第一下部电源电压线VSS1和像素区域30之间。
第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1可与扇出布线FL重叠。
第三绝缘层150可部分地覆盖第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1。
第一上部电源电压线VSS2和第二上部电源电压线VDD2可设置在第三绝缘层150上。第一上部电源电压线VSS2接触第一下部电源电压线VSS1，并且第二上部电源电压线VDD2接触第二下部电源电压线VDD1。
第一上部电源电压线VSS2和第二上部电源电压线VDD2可与源极线SL和连接电极CE形成在相同的层中，并且可在水平方向上彼此间隔开。此外，第一上部电源电压线VSS2可与第二下部电源电压线VDD1的一部分重叠。因此，在如图4中所示的平面图中，第一上部电源电压线VSS2可覆盖第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1之间的间隙。
第四绝缘层160可覆盖第一上部电源电压线VSS2和第二上部电源电压线VDD2的至少一部分。在示例性实施例中，第四绝缘层160可从像素区域30延伸到外围区域40以覆盖第一上部电源电压线VSS2的至少边缘。
第二电极EL2可从像素区域30延伸并且可接触外围区域40中的第一上部电源电压线VSS2。因此，由第一电源电压布线VSS提供的第一电源电压可传输到第二电极EL2。
第二电源电压布线VDD可将第二电源电压提供到像素区域30中的像素PX。例如，像素PX的晶体管可通过使用第二电源电压产生驱动电流。可将驱动电流提供到像素PX的有机发光二极管。
第一坝结构DM1可设置在第一上部电源电压线VSS2上。第一坝结构DM1可设置在第二坝结构DM2和像素区域30之间。
第一坝结构DM1可包括上部图案DM1b和下部图案DM1a。上部图案DM1b可与像素限定层PDL形成在相同的层中。下部图案DM1a可与第四绝缘层160形成在相同的层中。
第二坝结构DM2可包括上部图案DM2b和下部图案DM2a。上部图案DM2b可与像素限定层PDL形成在相同的层中。下部图案DM2a可与第四绝缘层160形成在相同的层中。
第一坝结构DM1和第二坝结构DM2可在形成薄膜封装层的有机层172的工艺中防止单体溢流。
在示例性实施例中，坝结构的数量不限于两个，根据需要，可设置一个或至少三个坝结构。此外，可省略坝结构。
薄膜封装层可从像素区域30延伸到外围区域40。例如，有机层172可延伸以覆盖第一上部电源电压线VSS2的至少一部分。无机层174可延伸以覆盖第二坝结构DM2。
触摸屏结构可在薄膜封装层上方延伸使得感测电极TE可进一步设置在外围区域40中。
在示例性实施例中，第一电源电压布线VSS和第二电源电压布线VDD分别包括分别形成在不同的层中且设置在不同的平面上的下部电源电压线和上部电源电压线。因此，第一电源电压布线VSS和第二电源电压布线VDD的宽度相比于单层的电源电压布线结构可减小，以呈现类似的导电性。因此，可减小外围区域40的尺寸(例如，宽度)，并且可减小有机发光显示装置100中的非显示区域(例如，边框区域)的尺寸。
在示例性实施例中，第一上部电源电压线VSS2朝向像素区域30扩展，并且第二下部电源电压线VDD1朝向第一电源电压布线VSS扩展，从而形成非对称结构。因此，有机发光二极管的第二电极EL2的边界可朝向像素区域30偏移。因此，可减小外围区域40中的第二电极EL2的尺寸，并且可减小有机发光显示装置中的非显示区域的尺寸。
在示例性实施例中，在平面图中，第一上部电源电压线VSS2覆盖第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1之间的间隙。因此，可减小或防止由扇出布线FL和触摸屏结构之间的干扰产生的噪声。
在示例性实施例中，第一电源电压布线VSS和第二电源电压布线VDD设置在像素区域30和弯曲区域50之间的外围区域40中。然而，示例性实施例不限于此，并且非对称结构可适用于设有第一电源电压布线VSS和第二电源电压布线VDD的各种区域。
图6至图12是示出根据示例性实施例的制造图1至图5中所示的有机发光显示装置100的示例工艺的剖视图。图6至图12示出沿着图3和图4的线I-I’截取的剖面。
参照图6，在基础衬底110上形成缓冲层120。在缓冲层120上形成半导体层，并且将半导体层图案化以在像素区域30中形成有源图案AP。有源图案AP可包括多晶硅。例如，在缓冲层120上形成非晶硅层，并且可将激光照射到非晶硅层上以形成多晶硅层。根据需要，可进一步抛光多晶硅层。
参照图7，第一绝缘层130形成为覆盖有源图案AP。在第一绝缘层130上形成栅极金属图案。在此情况下，第一绝缘层130可以是栅极绝缘层。
栅极金属图案可包括设置在像素区域30中的栅电极GE和设置在外围区域40中的扇出布线FL。栅电极GE可与有源图案AP重叠。扇出布线FL可包括在一方向上延伸且彼此间隔开的多个线。栅极金属图案可具有单层结构或多层结构。在示例性实施例中，栅极金属图案可包括钼。
在另一示例性实施例中，为了形成双栅极结构和/或电容器电极，可在不同的层中加入至少一个附加的栅极金属图案，并且可加入至少一个栅极绝缘层以覆盖附加的栅极金属图案。
参照图8，形成第二绝缘层140以覆盖栅极金属图案。此后，穿过第二绝缘层140和第一绝缘层130形成接触孔以暴露有源图案AP的一部分。此后，在第二绝缘层140上形成第一源极金属图案。
第一源极金属图案可包括源电极SE、漏电极DE、第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1。源电极SE和漏电极DE设置在像素区域30中。源电极SE和漏电极DE经由穿过第一绝缘层130和第二绝缘层140的各个接触孔电连接到有源图案AP，并且彼此间隔开。第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1设置在外围区域40中，并且彼此间隔开。
第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1中的至少一个可与扇出布线FL重叠。在示例性实施例中，第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1两者均可与扇出布线FL重叠。此外，在平面图中，第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1之间的间隙可与扇出布线FL重叠。
第一源极金属图案可具有单层结构或多层结构。在示例性实施例中，第一源极金属图案可具有包括钛层和铝层的多层结构。
参照图9，形成第三绝缘层150以覆盖第一源极金属图案。第三绝缘层150可包括暴露漏电极DE、第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1的接触孔或开口。此后，在第三绝缘层150上形成第二源极金属图案。第三绝缘层150也可称作第一通孔绝缘层(first via insulation layer)。
第二源极金属图案可包括：接触漏电极DE的连接电极CE、源极线SL、接触第一下部电源电压线VSS1的第一上部电源电压线VSS2以及接触第二下部电源电压线VDD1的第二上部电源电压线VDD2。
第一上部电源电压线VSS2的宽度可大于第一下部电源电压线VSS1的宽度。例如，在剖视图中，第一上部电源电压线VSS2可具有朝向像素区域30延伸的形状。第二下部电源电压线VDD1的宽度可大于第二上部电源电压线VDD2的宽度。例如，在剖视图中，第二下部电源电压线VDD1可具有朝向第一下部电源电压线VSS1延伸的形状。在示例性实施例中，在平面图中，第一上部电源电压线VSS2可与第二下部电源电压线VDD1的至少一部分重叠。在平面图中，第一上部电源电压线VSS2可覆盖第一下部电源电压线VSS1和第二下部电源电压线VDD1之间的间隙。
参照图10，形成第四绝缘层160以覆盖第二源极金属图案。第四绝缘层160也可称作第二通孔绝缘层。第四绝缘层160可包括暴露连接电极CE的接触孔。第四绝缘层160可从像素区域30延伸到外围区域40以覆盖第二上部电源电压线VDD2。第四绝缘层160可包括一个或更多个坝结构。例如，第一坝结构DM1的下部图案DM1a可形成在第一上部电源电压线VSS2上，并且第二坝结构DM2的下部图案DM2a可形成为与第一坝结构DM1间隔开。
此后，在第四绝缘层160上形成有机发光二极管的第一电极EL1。第一电极EL1可接触连接电极CE。
参照图11，在第四绝缘层160上形成像素限定层PDL。像素限定层PDL包括暴露第一电极EL1的至少一部分的开口。在像素限定层PDL中可形成坝结构DM1和DM2的另一图案。例如，在第一坝结构DM1的下部图案DM1a上可形成第一坝结构DM1的上部图案DM1b，并且在第二坝结构DM2的下部图案DM2a上可形成第二坝结构DM2的上部图案DM2b。
在第一电极EL1上可形成有机发光层OL。在有机发光层OL和像素限定层PDL上可形成第二电极EL2。第二电极EL2可从像素区域30延伸到外围区域40以连接到第一上部电源电压线VSS2。
虽然未示出，但是在第二电极EL2上还可形成覆盖层、阻挡层等。
参照图12，在像素区域30和外围区域40中形成薄膜封装层。薄膜封装层可包括有机层172和无机层174。
此后，如图5中所示，在薄膜封装层上可形成包括感测电极TE的触摸屏结构。
图13是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。图13示出沿着图3和图4的线I-I’截取的剖面。
参照图13，设置在像素区域30中的像素PX包括：设置在基础衬底110上的驱动晶体管、电连接到驱动晶体管的有机发光二极管以及覆盖有机发光二极管的薄膜封装层。
扇出布线FL、第一电源电压布线VSS、第二电源电压布线VDD、第一坝结构DM1和第二坝结构DM2可设置在围绕像素区域30的外围区域40中。
除了电源电压布线VSS和VDD的上层和下层的连接结构之外，图13中所示的有机发光显示装置可具有与图5中所示的有机发光显示装置100基本上相同的配置。因此，可省略任何重复说明。
参照图13，第一电源电压布线VSS包括第一下部电源电压线VSS1和第一上部电源电压线VSS2。第一上部电源电压线VSS2设置在第一下部电源电压线VSS1上。第一上部电源电压线VSS2可穿过形成在第三绝缘层150中的多个接触孔以连接到第一下部电源电压线VSS1。
第二电源电压布线VDD包括第二下部电源电压线VDD1和第二上部电源电压线VDD2。第二上部电源电压线VDD2可穿过形成在第三绝缘层150中的接触孔以连接到第二下部电源电压线VDD1。在另一示例性实施例中，第二上部电源电压线VDD2可经由形成在第三绝缘层150中的多个接触孔电连接到第二下部电源电压线VDD1。
当上层和下层不形成连续的接触界面而是通过一个或更多个接触孔连接时，可降低或防止由于静电引起的对像素电路的污染或损坏。
图14是示出根据示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图。图14示出沿着图3和图4的线I-I’截取的剖面。
参照图14，设置在像素区域30中的像素PX包括：设置在基础衬底110上的驱动晶体管、电连接到驱动晶体管的有机发光二极管以及覆盖有机发光二极管的薄膜封装层。
扇出布线FL、第一电源电压布线VSS、第二电源电压布线VDD、第一坝结构DM1、第二坝结构DM2和谷结构(valley structure)VS可设置在围绕像素区域30的外围区域40中。
除了谷结构VS之外，图14中所示的有机发光显示装置可具有与图13中所示的有机发光显示装置基本上相同的配置。因此，可省略任何重复说明。
参照图14，谷结构VS可设置在第一坝结构DM1和像素区域30之间。例如，谷结构VS可设置在第一坝结构DM1和第四绝缘层160的端部之间，并且可设置在第一上部电源电压线VSS2上。谷结构VS可在与坝结构DM1和DM2相同的方向上延伸。
有机发光二极管的第二电极EL2可沿着谷结构VS的上表面和侧表面延伸。薄膜封装层的有机层172可覆盖谷结构VS。
谷结构VS可具有包括下部图案VSa和上部图案VSb的堆叠结构。下部图案VSa可与第四绝缘层160形成在相同的层中，并且上部图案VSb可与像素限定层PDL形成在相同的层中。谷结构VS可增加设置在其上的单体的润湿区域(wetting area)的尺寸，并且可在谷结构VS和第四绝缘层160的端部之间形成谷。因此，可在形成薄膜封装层的有机层172的工艺中控制单体的回流。
根据需要，可设有多个谷结构VS。
在示例性实施例中，第一上部电源电压线VSS2可包括至少一个接触孔。谷结构VS的下部图案VSa可通过接触孔连接到第三绝缘层150。
第一上部电源电压线VSS2的接触孔可在固化通孔绝缘层的工艺中改善除气(outgassing)。此外，当谷结构VS的下部图案VSa连接到第三绝缘层150时，可在显影工艺中防止谷结构VS的分离或提升。
本发明构思的示例性实施例可适用于各种显示装置，各种显示装置可用于汽车、船舶、飞机、移动通信装置、用于展示或信息传递的显示装置、医疗显示装置、家用电器等。
上文示出了示例性实施例，并且不被解释为对示例性实施例的限制。尽管已经描述了示例性实施例，但是本领域技术人员将易于理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖性教导和各方面的情况下在示例性实施例中可能进行很多修改。因此，这些修改旨在被包括在本发明构思的范围内。因此，将理解的是，上文示出了各种示例性实施例，并且将不被解释为限于公开的具体示例性实施例，并且如同在权利要求及其等同物中阐述的那样，对公开的示例性实施例以及其他示例性实施例的修改旨在被包括在本发明构思的范围内。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基础衬底，所述基础衬底包括像素区域和围绕所述像素区域的外围区域；
像素阵列，所述像素阵列设置在所述像素区域中；
第一电源电压布线，所述第一电源电压布线设置在所述外围区域中并且包括第一下部电源电压线和第一上部电源电压线，其中，所述第一上部电源电压线设置在所述第一下部电源电压线上并且接触所述第一下部电源电压线；以及
第二电源电压布线，所述第二电源电压布线设置在所述外围区域中并且包括第二下部电源电压线和第二上部电源电压线，其中，所述第二上部电源电压线设置在所述第二下部电源电压线上并且接触所述第二下部电源电压线，
其中，在平面图中，所述第一上部电源电压线与所述第二下部电源电压线重叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电源电压布线设置在所述第一电源电压布线和所述像素区域之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第一下部电源电压线与所述第二下部电源电压线间隔开，并且所述第一上部电源电压线与所述第二上部电源电压线间隔开。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一上部电源电压线的宽度大于所述第一下部电源电压线的宽度，并且所述第二上部电源电压线的宽度小于所述第二下部电源电压线的宽度。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，在平面图中，所述第一上部电源电压线覆盖所述第一下部电源电压线和所述第二下部电源电压线之间的间隙。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述像素阵列包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极和第二电极，其中，所述有机发光二极管的所述第二电极从所述像素区域延伸到所述外围区域并且接触所述第一上部电源电压线。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括与所述第一电源电压布线和所述第二电源电压布线重叠的扇出布线。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述扇出布线设置在所述第一电源电压布线和所述第二电源电压布线的下方。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述扇出布线包括彼此间隔开的多个线，其中，在平面图中，所述扇出布线的至少一部分与所述第一下部电源电压线和所述第二下部电源电压线之间的间隙重叠。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述像素区域和所述外围区域中以与所述扇出布线重叠的触摸屏结构。
11.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述扇出布线配置为将数据信号传输到所述像素阵列。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括部分地覆盖所述第一下部电源电压线和所述第二下部电源电压线的第一通孔绝缘层。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第一通孔绝缘层包括一个或更多个接触孔，并且所述第一上部电源电压线通过所述第一通孔绝缘层的所述一个或更多个接触孔连接到所述第一下部电源电压线。
14.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第一通孔绝缘层包括一个或更多个接触孔，并且所述第二上部电源电压线通过所述第一通孔绝缘层的所述一个或更多个接触孔连接到所述第二下部电源电压线。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括覆盖所述像素阵列并且延伸到所述外围区域的薄膜封装层。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述薄膜封装层包括至少一个有机层和至少一个无机层。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述外围区域中的至少一个坝结构。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述至少一个坝结构和所述像素区域之间的至少一个谷结构。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，所述像素阵列包括有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极和第二电极，其中，所述有机发光二极管的所述第二电极设置在所述像素区域和所述外围区域中，沿着所述外围区域中的所述至少一个谷结构的侧表面和上表面延伸并且接触所述第一上部电源电压线。
20.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个谷结构设置在所述第一上部电源电压线上并且通过所述第一上部电源电压线的接触孔连接到设置在所述第一上部电源电压线下方的第一通孔绝缘层。
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