CN108048904B - 一种铋晶体制作设备 - Google Patents

一种铋晶体制作设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108048904B
CN108048904B CN201711243055.5A CN201711243055A CN108048904B CN 108048904 B CN108048904 B CN 108048904B CN 201711243055 A CN201711243055 A CN 201711243055A CN 108048904 B CN108048904 B CN 108048904B
Authority
CN
China
Prior art keywords
binding
crucible
groove rail
rail
plates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711243055.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108048904A (zh
Inventor
张顺兵
张志龙
曹遗春
张巧凡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Hengwei Bismuth Industry Co ltd
Original Assignee
Anhui Hengwei Bismuth Industry Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Hengwei Bismuth Industry Co ltd filed Critical Anhui Hengwei Bismuth Industry Co ltd
Priority to CN201711243055.5A priority Critical patent/CN108048904B/zh
Publication of CN108048904A publication Critical patent/CN108048904A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108048904B publication Critical patent/CN108048904B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents

Abstract

本发明公开了一种铋晶体制作设备，所述晶体制作设备包括机架、坩埚、加热装置、结晶锅、晶粒捆扎装置和控制器，在机架上端水平设有滑轨，滑轨上设有滑块坩埚铰接在滑块上，在坩埚的外壁设有加热装置，在坩埚的下方并排设置有若干个结晶锅，结晶锅的顶端的机架位置设有叉架，机架一侧设有晶粒捆扎装置。本发明结构简单可以实现铋的快速结晶。

Description

一种铋晶体制作设备
技术领域
本发明属于金属冶炼技术领域，具体涉及一种铋晶体制作设备。
背景技术
铋晶体是融化的高纯度金属铋在缓慢冷却时结晶所得到的。晶体铋一般有复杂而美丽的形状，晶体铋在制作过程中会被氧化，氧化膜的厚度不同会决定所反射的光的颜色，从而形成多种颜色的氧化膜，显得十分耀眼，因此常常被人们作为装饰品。铋晶体是一种很貌美的晶体，但是传统的铋晶体制备方式制备不稳定，失败率高容易造成浪费，因此有必要设计一种新型的铋晶体制备装置。
发明内容
根据以上现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是提出一种铋晶体制作设备，通过重量和温度检测装置实现结晶过程的可视化监控，并通过晶体捆扎装置实现晶体的快速捆扎，解决了传统铋晶体结晶效率低，成功率低操作复杂的问题，具有结构简单结晶成功率高，结晶品质优良的特点。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种铋晶体制作设备包括机架、坩埚、加热装置、结晶锅、晶粒捆扎装置和控制器，在机架上端水平设有滑轨，滑轨上设有滑块坩埚铰接在滑块上，在坩埚的外壁设有加热装置，在坩埚的下方并排设置有若干个结晶锅，结晶锅的顶端的机架位置设有叉架，机架一侧设有晶粒捆扎装置。
作为一种优选的实施方式，所述加热装置为加热丝，加热丝缠绕在坩埚的外侧壁，在结晶锅的外壁设有保温层，在保温层与结晶锅外壁之间设有加热丝。叉架上设有压力传感器，优化的在叉架侧壁还设有激光温度检测探头，所述激光温度检测探头通过电连接的方式与控制器连接，控制器通过电连接的方式与显示屏连接。晶粒捆扎装置包括捆扎板、捆绳架、切割装置和支杆放置架，捆扎板有四块，捆扎板均为矩形板状结构，四块捆扎板成矩阵状设置在同一水平面上，在四块捆扎板之间留有十字形的间隙，四块捆扎板相交位置设有弧形凹槽，在捆扎板的上表面安装有捆绳架，在捆绳架上设有用于捆扎晶体的捆绳，捆扎板上还设有切割捆绳的切割装置，在捆扎板上表面设有支杆放置架。捆绳采用钨丝。切割装置包括第一切刀和第二切刀，第一活动切刀位于四块捆扎板相交位置的底部，在支杆放置架侧边设有第二切刀。支杆放置架包括凹槽轨道和顶料装置，凹槽轨道包括第一凹槽轨和第二凹槽轨，第一凹槽轨和第二凹槽轨的两凹槽相对设置，两凹槽轨垂直设置在捆扎板的上表面，第一凹槽轨底部朝向捆扎板设有供支杆伸出的出料口，在第二凹槽轨的底部设有顶料口，在顶料口的位置设有顶料杆，顶料杆垂直设置在第二凹槽轨的外侧，在第二凹槽轨与顶料杆之间设有复位弹簧。
本发明有益效果是:本发明通过重量和温度检测装置实现结晶过程的可视化监控，并通过晶体捆扎装置实现晶粒的快速捆扎，解决了传统铋晶体结晶效率低，成功率低操作复杂的问题。
附图说明
下面对本说明书附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1是本发明铋晶体制作设备具体实施方式的结构图；
图2是本发明晶粒捆扎装置具体实施方式的结构图。
其中，1、坩埚，2、滑块，3、机架，4、晶粒捆扎装置，5、滑轨，6、叉架，7、结晶锅，401、捆扎板，402、捆绳架，403、切割装置，404、弧形凹槽，405、支杆放置架。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
如图1-2所示，一种铋晶体制作设备包括机架3、坩埚1、加热装置、结晶锅7和晶粒捆扎装置4，在机架3上端水平设有滑轨5，滑轨5上设有滑块2坩埚1铰接在滑块2上，在坩埚1的外壁设有加热装置，加热装置为加热丝，当加热丝进行加热时可以将坩埚1进行加热，将单质铋放入加热后的坩埚1融化，在坩埚1的下方并排设置有一排结晶锅7，优化的在结晶锅7的外壁设有保温层，在保温层与结晶锅7外壁之间设有加热丝，先预热结晶锅7，将坩埚1中融化的金属铋倒入预热后的结晶锅7中，在机架3一侧设有晶粒捆扎装置4，结晶锅7的顶端的机架3位置设有叉架6，在叉架6上设有压力传感器，优化的在叉架6侧壁还设有激光温度检测探头，激光温度检测探头朝向结晶锅7内，所述激光温度检测探头通过电连接的方式与控制器连接，控制器通过电连接的方式与显示屏连接，通过显示器显示重量和温度。
晶粒捆扎装置4包括捆扎板401、捆绳架402、切割装置403和支杆放置架405，捆扎板401有四块，捆扎板401均为矩形板状结构，四块捆扎板401成矩阵状设置在同一水平面上，在四块捆扎板401之间留有十字形的间隙，四块捆扎板401相交位置设有弧形凹槽404，四个捆扎板401上的弧形凹槽404拼凑在一起可以形成一半球形凹槽用于放置晶体颗粒，在捆扎板401的上表面安装有捆绳架402，在捆绳架402上放有细的捆绳用于捆扎晶体，作为一种优选的实施方式，所述捆绳采用细钨丝卷，将细的钨丝卷安装在捆绳架402上，可以抽出钨丝，用于捆扎晶粒，在捆扎板401上还设有切割装置403，所述切割装置403包括第一切刀和第二切刀，第一活动切刀位于四块捆扎板401相交位置的底部，在捆扎板401上表面设有支杆放置架405，所述支杆放置架405包括凹槽轨道和顶料装置，凹槽轨道包括第一凹槽轨和第二凹槽轨，第一凹槽轨和第二凹槽轨的两凹槽相对设置，两凹槽轨垂直设置在捆扎板401的上表面，将若干个支杆依次水平放入两凹槽轨之间，第一凹槽轨底部朝向捆扎板401设有供支杆伸出的出料口，在第二凹槽轨的底部设有顶料口，在顶料口的位置设有顶料杆，顶料杆垂直设置在第二凹槽轨的外侧，在第二凹槽轨与顶料杆之间设有复位弹簧，顶出顶料杆可以将支杆顶出支杆放置架405，在支杆放置架405侧边设有第二切刀，将大小合适的晶粒放入捆扎板401上的凹槽，拉动钨丝沿四个捆扎板401之间的间隙将晶粒进行十字形的捆扎，在捆扎完成后将钨丝顶向第一切刀，切掉多余的线头，钨丝的另一端通过第二切刀切断，并缠绕在顶出的支杆上，实现晶粒的快速缠绕。
拉起支杆，把捆有晶粒的支杆架在叉架6上，将捆扎好的晶体颗粒放入有铋溶液的结晶锅7中缓慢降温实现结晶，通过显示屏可以实时监控铋晶体的结晶重量和铋溶液的温度，方便在适合的条件下取出铋单质。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

Claims (1)

1.一种铋晶体制作设备，其特征在于，所述晶体制作设备包括机架(3)、坩埚(1)、加热装置、结晶锅(7)、晶粒捆扎装置(4)和控制器，在机架(3)上端水平设有滑轨(5)，滑轨(5)上设有滑块(2)坩埚(1)铰接在滑块(2)上，在坩埚(1)的外壁设有加热装置，在坩埚(1)的下方并排设置有若干个结晶锅(7)，结晶锅(7)的顶端的机架(3)位置设有叉架(6)，机架(3)一侧设有晶粒捆扎装置(4)，所述加热装置为加热丝，加热 丝缠绕在坩埚(1)的外侧壁，在结晶锅(7)的外壁设有保温层，在保温层与结晶锅(7)外壁之 间设有加热丝，所述叉架(6)上设有压力传感 器，优化的在叉架(6)侧壁还设有激光温度检测探头，所述激光温度检测探头通过电连接的 方式与控制器连接，控制器通过电连接的方式与显示屏连接，所述晶粒捆扎装置(4)包括捆 扎板(401)、捆绳架(402)、切割装置(403)和支杆放置架(405)，捆扎板(401)有四块，捆扎板 (401)均为矩形板状结构，四块捆扎板(401)成矩阵状设置在同一水平面上，在四块捆扎板 (401)之间留有十字形的间隙，四块捆扎板(401)相交位置设有弧形凹槽(404)，在捆扎板 (401)的上表面安装有捆绳架(402)，在捆绳架(402)上设有用于捆扎晶体的捆绳，捆扎板 (401)上还设有切割捆绳的切割装置(403)，在捆扎板(401)上表面设有支杆放置架(405)，所述捆绳采用钨丝，所述切割装置(403)包括第一 切刀和第二切刀，第一活动切刀位于四块捆扎板(401)相交位置的底部，在支杆放置架 (405)侧边设有第二切刀，所述支杆放置架(405)包括凹 槽轨道和顶料装置，凹槽轨道包括第一凹槽轨和第二凹槽轨，第一凹槽轨和第二凹槽轨的 两凹槽相对设置，两凹槽轨垂直设置在捆扎板(401)的上表面，第一凹槽轨底部朝向捆扎板 (401)设有供支杆伸出的出料口，在第二凹槽轨的底部设有顶料口，在顶料口的位置设有顶 料杆，顶料杆垂直设置在第二凹槽轨的外侧，在第二凹槽轨与顶料杆之间设有复位弹簧。
CN201711243055.5A 2017-11-30 2017-11-30 一种铋晶体制作设备 Active CN108048904B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711243055.5A CN108048904B (zh) 2017-11-30 2017-11-30 一种铋晶体制作设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711243055.5A CN108048904B (zh) 2017-11-30 2017-11-30 一种铋晶体制作设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108048904A CN108048904A (zh) 2018-05-18
CN108048904B true CN108048904B (zh) 2021-02-26

Family

ID=62121738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711243055.5A Active CN108048904B (zh) 2017-11-30 2017-11-30 一种铋晶体制作设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108048904B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110865000A (zh) * 2019-12-02 2020-03-06 西安特种设备检验检测院 一种连续测量耐热钢高温腐蚀速率系统及方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56125294A (en) * 1980-03-07 1981-10-01 Univ Kyoto Preparation of transparent cyrstal substance of uniform melt composition material and its device
CN1067933A (zh) * 1992-06-19 1993-01-13 中国科学院固体物理研究所 金属双晶及三晶体的生长技术和装置
CN1068156A (zh) * 1992-06-11 1993-01-20 昆明冶金研究所 可控双球面锗单晶生长方法及模具
CN1076392A (zh) * 1992-03-16 1993-09-22 汪立果 铋针制造工艺及设备
JPH098368A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Oki Electric Ind Co Ltd 高温超電導ジョセフソン素子およびその製造方法
CN201411507Y (zh) * 2009-06-03 2010-02-24 西安工业大学 一种制备确定取向纯金属单晶的坩埚
CN102815413A (zh) * 2011-06-10 2012-12-12 京元电子股份有限公司 晶粒自动包装装置及其方法
CN203109213U (zh) * 2012-12-26 2013-08-07 浏阳市亚光高新材料有限公司 铋针生产设备
CN204171312U (zh) * 2014-10-19 2015-02-25 耒阳市诚松有色金属再生有限公司 一种铋锭模具
CN104555345A (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 苏州优谱德精密仪器科技有限公司 一种光电双向晶体电池片移动装置
CN205443508U (zh) * 2016-04-01 2016-08-10 上海征世科技有限公司 一种用于双向生长单晶金刚石的衬底托
CN105887184A (zh) * 2016-05-10 2016-08-24 河南鸿昌电子有限公司 半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法
CN205576350U (zh) * 2016-05-10 2016-09-14 河南鸿昌电子有限公司 半导体晶棒熔炼拉晶装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253696B2 (en) * 2005-03-17 2007-08-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Bi-crystal heterostructure electronic isolator

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56125294A (en) * 1980-03-07 1981-10-01 Univ Kyoto Preparation of transparent cyrstal substance of uniform melt composition material and its device
CN1076392A (zh) * 1992-03-16 1993-09-22 汪立果 铋针制造工艺及设备
CN1068156A (zh) * 1992-06-11 1993-01-20 昆明冶金研究所 可控双球面锗单晶生长方法及模具
CN1067933A (zh) * 1992-06-19 1993-01-13 中国科学院固体物理研究所 金属双晶及三晶体的生长技术和装置
JPH098368A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Oki Electric Ind Co Ltd 高温超電導ジョセフソン素子およびその製造方法
CN201411507Y (zh) * 2009-06-03 2010-02-24 西安工业大学 一种制备确定取向纯金属单晶的坩埚
CN102815413A (zh) * 2011-06-10 2012-12-12 京元电子股份有限公司 晶粒自动包装装置及其方法
CN203109213U (zh) * 2012-12-26 2013-08-07 浏阳市亚光高新材料有限公司 铋针生产设备
CN204171312U (zh) * 2014-10-19 2015-02-25 耒阳市诚松有色金属再生有限公司 一种铋锭模具
CN104555345A (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 苏州优谱德精密仪器科技有限公司 一种光电双向晶体电池片移动装置
CN205443508U (zh) * 2016-04-01 2016-08-10 上海征世科技有限公司 一种用于双向生长单晶金刚石的衬底托
CN105887184A (zh) * 2016-05-10 2016-08-24 河南鸿昌电子有限公司 半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法
CN205576350U (zh) * 2016-05-10 2016-09-14 河南鸿昌电子有限公司 半导体晶棒熔炼拉晶装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108048904A (zh) 2018-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108048904B (zh) 一种铋晶体制作设备
DE102008026144A1 (de) Kristallzüchtungsofen mit Konvektionskühlungsstruktur
CN102127663B (zh) 键合金丝及其制备方法
CN109941793B (zh) 一种丝带自动压纹生产线及其压纹工艺
CN212823252U (zh) 一种高温超导带材焊接接头制作装置
CN211331886U (zh) 一种带有防变形机构的型钢焊接装置
KR101271649B1 (ko) 단결정 실리콘 시드를 이용한 고품질 다결정 실리콘 잉곳의 제조방법
CN206941044U (zh) 一种用于塑料拉丝机的冷却水槽
DE2626761A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von einzelkristallschichten
CN212410292U (zh) 一种钢绞线松弛试验装置
CN206169213U (zh) 一种非晶细带制备系统
CN202081191U (zh) 一种蓝宝石生长炉
US2414680A (en) Process of crystal formation
CN207086870U (zh) 一种高强度铝钛合金、铝合金异型材连续制造装置
CN210854714U (zh) 一种熔化后拉丝制得铜丝的收线装置
CN211566737U (zh) 一种用于注塑生产的快速换模机构
CN210464007U (zh) 一种用于磷铜合金制备的混料加热炉
CN108048905B (zh) 一种铋结晶处理装置
CN216283829U (zh) 一种锡面高度感应装置
CN104233469B (zh) 一种倒置生长rebco块材的方法
CN206455157U (zh) 一种汇流排铸焊模具
CN219977075U (zh) 一种熔解保温炉
CN106001472B (zh) 一种用于连续铸造可变形合金的智能生产线
CN205133719U (zh) 线材芯线镀锡装置
CN216248707U (zh) 一种液晶玻璃用的灌浆机

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant