CN108026660A - 单晶拉制装置以及单晶拉制方法 - Google Patents

单晶拉制装置以及单晶拉制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108026660A
CN108026660A CN201680053903.3A CN201680053903A CN108026660A CN 108026660 A CN108026660 A CN 108026660A CN 201680053903 A CN201680053903 A CN 201680053903A CN 108026660 A CN108026660 A CN 108026660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
axis
magnetic flux
flux density
distribution
crucible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680053903.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108026660B (zh
Inventor
高野清隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN108026660A publication Critical patent/CN108026660A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108026660B publication Critical patent/CN108026660B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
    • H01F6/04—Cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
    • H01F6/06—Coils, e.g. winding, insulating, terminating or casing arrangements therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42—Gallium arsenide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，所述单晶拉制装置特征在于，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此，可提供一种能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹的单晶拉制装置。

Description

单晶拉制装置以及单晶拉制方法
技术领域
本发明涉及一种单晶拉制装置、以及使用其的单晶拉制方法。
背景技术
硅或砷化镓等的半导体由单晶构成，用于从小型到大型的计算机的存储器等，当前需求存储装置大容量化、低成本化以及高品质化。
以往，作为用于制造满足这些对半导体需求的单晶的单晶拉制方法的一种，已知如下方法：对收容在坩埚内的熔融状态的半导体材料施加磁场，由此抑止在熔融液中产生的热对流，从而制造大口径且高品质的半导体(一般称为施加磁场柴可拉斯基法(MCZ)法)。
使用图10对以往的使用CZ法的单晶拉制装置的一例进行说明。图10的单晶拉制装置100具备上面能够开闭的拉制炉101，该拉制炉101内为内藏有坩埚102的结构。而且，在拉制炉101的内侧，在坩埚102的周围设置有用于加热熔融坩埚102内的半导体材料的加热器103，在拉制炉101的外侧，配置有将一对超导线圈104(104a、104b)内藏于作为圆筒型容器的制冷剂容器(以下称为圆筒型制冷剂容器)105的超导磁体130。
在制造单晶时，在坩埚102内加入半导体材料106并用加热器103加热，使半导体材料106熔融。将未图示的晶种从例如坩埚102的中央部上方下降插入该熔融液中，用未图示的拉制机构以规定的速度向拉制方向108的方向拉制晶种。由此，晶体在固体·液体边界层生长，生成单晶。这时，若产生由加热器103的加热所引起的熔融液的流体运动、即热对流，则被拉制的单晶容易发生位错，单晶生成的成品率降低。
因此，作为其对策，使用超导磁体130的超导线圈104。即，熔融液的半导体材料106会由于因向超导线圈104通电而产生的磁力线107而受到动作抑止力，不会在坩埚102内对流，生长单晶随着晶种的拉制而被慢慢地向上方拉制，作为固体的单晶109而被制造。此外，虽未图示，在拉制炉101的上方，设置有用于沿着坩埚中心轴110拉制单晶109的拉制机构。
接着，通过图11，对图10所示的单晶拉制装置100所使用的超导磁体130的一例进行说明。该超导磁体130设置为在圆筒型真空容器119中通过圆筒形的制冷剂容器收纳超导线圈104(104a、104b)的结构。在该超导磁体130中，收纳有介由真空容器119内的中心部而彼此相向的一对超导线圈104a、104b。该等超导线圈104a、104b是产生沿着横向的同一方向的磁场的亥姆霍兹型磁力线圈，如图10所示，其产生相对于拉制炉101以及真空容器119的中心轴110轴对称的磁力线107(将该中心轴110的位置称为磁场中心)。
此外，该超导磁体130如图10、11所示的那样具备：向两个超导线圈104a、104b导入电流的电流引线111；用于冷却被收纳在圆筒型制冷剂容器105内部的第一辐射屏蔽件117及第二辐射屏蔽件118的小型氦制冷机112；放出圆筒型制冷剂容器105内的氦气的气体放出管113、以及具有补给液氮的补给口的服务接口114等。在这样的超导磁体130的孔115内，配设有图10所示的拉制炉101。
图12表示上述的以往的超导磁体130的磁场分布。如图11所示，在以往的超导磁体130中，由于配置有彼此相向的一对超导线圈104a、104b，因此磁场在各线圈配置方向(图12的X方向)上朝向两侧逐渐变大，且磁场在与其正交的方向(图12的Y方向)上朝向上下方向逐渐变小。在这样的以往的结构中，如图12所示的那样孔115内的范围的磁场梯度过大，因此对于熔融的单晶材料所产生的热对流的抑制不均衡，且磁场效率差。即，如图12中用斜线表示相同的磁通密度的区域那样，在中心磁场近傍附近的区域中，磁场均匀性不良(即，在图12中呈上下、左右细长的十字状)，因此存在对热对流的抑制效果低，无法拉制高品质的单晶的问题。
为了解决上述的问题，在专利文献1中公开了一种方案：如图13中的(a)、图13中的(b)所示，使超导线圈104的数量为四个以上(例如104a、104b、104c、104d这四个)，并且在拉制炉周围同轴地设置的筒形容器内的平面上配置，同时将该配置的各超导线圈设定为介由筒形容器的轴心相对的朝向，且将超导线圈中相邻的一对线圈之间朝向所述筒形容器的内侧的配设角度θ(参照图13中的(b))设定在100度～130度的范围内(即夹着X轴相邻的线圈轴间的中心角度α(参照图13中的(b))为50度～80度)。也公开了：由此，能够在孔115内部产生磁场梯度较少而均匀性良好的横磁场，另外，能够在平面上产生同心圆状或正方形状的磁场分布，并能够大幅抑制不均衡电磁力，另外，其结果为，拉制方向的均匀磁场区域提高，并且横磁场方向的磁场变得大致水平，通过对不均衡电磁力的抑制，能够实现高品质的单晶的制造，进一步地，根据该单晶拉制方法，能够以较高的成品率拉制高品质的单晶体。
即，图14～图18表示图13的超导线圈104a、104b、104c、104d的配设角度θ分别为100度、110度、115度、120度、130度(即，线圈轴间的中心角度α分别为80度、70度、65度、60度、50度)时的磁场分布，在图14～图18所示的磁场分布中，中心磁场均匀地配置在足够大的区域内。另一方面，如图19所示，在配设角度θ为90度(线圈轴间的中心角度α为90度)而较小的情况下，中心磁场的Y方向的宽度变得极端狭窄，如图20所示，在配设角度θ为140度(线圈轴间的中心角度α为40度)而较大的情况下，中心磁场的X方向的宽度变得极端狭窄。
因此，在图13的超导磁体130中，通过将配设角度θ设定在100度～130度的范围内，能够在孔115内部获得同心圆状或正方倾斜状的等分布磁场。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公开2004-051475号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
然而，本发明人研究的结果为，通过进行包含三维的熔液对流的综合传热分析，明确了：即使是在如图14～图18所示那样为均匀的磁场分布的情况下，在中心轴110的磁力线朝向X轴方向的横磁场中，热对流在与X轴平行的截面内和与X轴垂直的截面内存在不同。
图8是对以图10、11所示的使用两个线圈的以往技术进行单晶拉制的状态进行分析的结果，图中左侧表示与中心轴110的磁力线方向(即X轴)平行的截面内的流速分布，而右侧表示与X轴垂直的截面(即与Y轴平行的截面)内的流速分布。通过这样对熔融的半导体材料施加磁场来抑制对流，特别是在熔融的半导体材料的下半部分中基本上没有流动，但在上半部分还残留有流场。在导电性流体在磁场中流动的情况下，会在与磁力线以及垂直于磁力线的速度成分正交的方向上产生感应电流，但在使用具有电绝缘性的石英坩埚的情况下，坩埚壁和熔融的半导体材料的自由表面成为绝缘壁，因此不会流过与其正交的方向的感应电流。因此，在熔融的半导体材料的上部，电磁力所产生的对流抑制力变弱，另外，若比较图8的左侧(与X轴平行的截面内)和右侧(与X轴垂直的截面内)，则可知对流在与X轴垂直的截面内(与磁力线垂直的截面内)要比在与X轴平行的截面内(与磁力线平行的截面内)更强。
另一方面，图9示出了对以图13所示的由四个线圈形成均匀的磁场分布的专利文献1所公开的技术(其中，线圈轴间的中心角度α为60°)进行单晶拉制的状态进行分析的结果，该图9相较于图8，左侧(与X轴平行的截面内)和右侧(与X轴垂直的截面内)的流速差略微变小，但这也是在坩埚的周向上不均匀的流速分布。
这里，图8、9所示的分析结果是使用FEMAG-TMF作为分析软件，对使用以下所示的单晶拉制条件进行拉制的状态的模拟分析的结果。
使用坩埚：直径800mm；
单晶材料的装料量：400kg；
生成的单晶：直径306mm；
单晶的直体部的长度：40cm；
磁通密度：调整为在含有线圈轴的水平面内的中心轴110上为3000G；
单晶旋转速度：6rpm；
坩埚旋转速度：0.03rpm。
此外，在图8、9中表示的速度为截面内的速度，排除了周向速度。
由图8、9可见，在以往技术以及专利文献1所公开的技术中，存在的问题是：由于在与X轴垂直的截面内残存有从坩埚壁向生长界面的流场，因此从石英坩埚脱出的氧到达晶体，因而基于施加水平磁场的氧浓度降低效果有限，难以满足最近需求增多的功率器件、图像传感器用半导体晶体中对极低浓度的氧浓度的要求。另外，也存在着如下问题：在坩埚的周向上存在不均匀的流场，这成为在一边使单晶旋转一边进行拉制的单晶中生长条纹的原因，若评价与生长方向平行的截面内，则由于观察到晶体旋转周期的电阻率·氧浓度变动，因此在与生长方向垂直地切片的晶片面内会呈环状的分布。
本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于，提供一种能够降低生成的单晶中的氧浓度，并且能够抑制生成的单晶中的生长条纹的单晶拉制装置、以及单晶拉制方法。
(二)技术方案
为了达成上述目的，本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容加热器及熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在所述拉制炉周围且具有超导线圈，该单晶拉制装置通过向所述超导线圈的通电而对所述熔融的单晶材料施加水平磁场，抑制所述熔融的单晶材料在所述坩埚内的对流，所述单晶拉制装置的特征在于，
所述磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有所述超导线圈的线圈轴的水平面内的所述中心轴上的磁力线方向作为X轴时，所述X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将所述水平面内的所述中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，所述X轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的80％以下，同时在所述水平面内与所述X轴正交且通过所述中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，所述Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的140％以上。
若单晶拉制装置的磁场产生装置是产生如上所述的磁场分布的装置，则即使在基于电磁力的对流抑制力不充分的与X轴垂直的截面内，也能够使熔融的单晶材料的流速下降，同时能够使熔融的单晶材料在与X轴平行的截面中的流速，与熔融的单晶材料在与X轴垂直的截面中的流速平衡。能够获得一种单晶拉制装置，其中，即使在与X轴垂直的截面内，也能够使熔融的单晶材料的流速降低，从而使从坩埚壁脱出的氧到达单晶之前的时间变长，且来自熔融的单晶材料的自由表面的氧蒸发量增加，从而能够使被吸入单晶的氧浓度大幅下降。另外，能够获得一种单晶拉制装置，其通过使熔融的单晶材料在与X轴平行的截面中的流速，与熔融的单晶材料在与X轴垂直的截面中的流速平衡，能够抑制生成的单晶中的生长条纹。
这时，在所述磁场产生装置中，也可以为，将分别相对配置的超导线圈的线圈对以各自的线圈轴被包含在同一水平面内的方式设置两对，并且使所述线圈轴间的夹着所述X轴的中心角度α为90度以上120度以下。
通过这样配置磁场产生装置的超导线圈，能够切实地产生如上所述的磁场分布。
另外，本发明提供一种单晶拉制方法，其特征在于，其使用上述的单晶拉制装置来拉制半导体单晶。
若是这样的单晶拉制方法，则能够生成被吸入的氧浓度大幅下降且生长条纹受到抑制的半导体单晶。
(三)有益效果
如上所述，若是本发明的单晶拉制装置，则能够获得一种能够使被单晶吸入的氧浓度大幅下降，并且能够抑制生成的单晶中的生长条纹的单晶拉制装置。另外，根据本发明的单晶拉制方法，能够生成被吸入的氧浓度大幅下降且生长条纹受到抑制的单晶。
附图说明
图1是表示本发明的单晶拉制装置一例的图。
图2是表示实施例1的线圈配置(从上观察的图)的图。
图3是表示比较例1的线圈配置(从上观察的图)的图。
图4是表示实施例1、实施例3、比较例1、比较例3中的磁通密度部分的图。
图5是表示含有线圈轴的平面内的磁通密度分布的图。
图6是表示实施例1、实施例3、比较例1、比较例3中的熔液截面内的流速分布的图。
图7是表示线圈轴间的中心角度α与单晶中氧浓度的关系的图表。
图8是表示使用以往技术的超导磁体(两个线圈)的情况下的熔液截面中的流速分布的图。
图9是表示使用专利文献1的超导磁体(四个线圈)的情况下的熔液截面中的流速分布的图。
图10是表示以往的单晶拉制装置一例的概略截面图。
图11是表示超导磁体一例的概略立体图。
图12是表示以往的磁通密度分布的图。
图13是表示专利文献1的超导磁体的概略立体图以及概略横截面图。
图14是表示图13中配设角度θ＝100度时的磁通密度分布的图。
图15是表示图13中配设角度θ＝110度时的磁通密度分布的图。
图16是表示图13中配设角度θ＝115度时的磁通密度分布的图。
图17是表示图13中配设角度θ＝120度时的磁通密度分布的图。
图18是表示图13中配设角度θ＝130度时的磁通密度分布的图。
图19是表示图13中配设角度θ＝90度时的磁通密度分布的图。
图20是表示图13中配设角度θ＝140度时的磁通密度分布的图。
具体实施方式
以下，作为实施方式的一例，参照附图对本发明进行详细的说明，但本发明并不限定于此。
如上所述，在专利文献1中，通过将配设角度θ设定在100度～130度(即线圈轴间的中心角度α为50度～80度)的范围内，从而能够在孔内部获得同心圆状或正方倾斜状的等分布磁场。然而，由本发明人进行的包含三维的熔液对流的综合传热分析可知：即使是这样的均匀的磁场分布，在中心轴110上的磁力线朝向X轴方向的横磁场中，热对流在与X轴平行的截面内和在与X轴垂直的截面内存在不同。存在的问题是：由于在与X轴垂直的截面内残存有从坩埚壁向生长界面的流场，因此从石英坩埚脱出的氧会到达晶体，因而基于施加水平磁场的氧浓度降低效果有限，难以满足最近需求增多的功率器件、图像传感器用半导体晶体中对极低浓度的氧浓度的要求。另外，也存在着如下问题：在坩埚的周向上存在不均匀的流场，这成为在一边使单晶旋转一边进行拉制的单晶中生长条纹的原因，若评价与生长方向平行的截面内，则由于观察到晶体旋转周期的电阻率·氧浓度变动，因此也存在与生长方向垂直地切片的晶片面内会呈环状的分布的问题。
因此，本发明人对能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹的单晶拉制装置反复进行了大量研究。
其结果为，发现：以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交而通过所述中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此能够获得一种单晶拉制装置，其中，即使在基于电磁力的对流抑制力不充分的与X轴垂直的截面内，也能够使熔融的单晶材料的流速下降，并且能够使熔融的单晶材料在与X轴平行的截面中的流速，与熔融的单晶材料在与X轴垂直的截面中的流速平衡，由此，从坩埚壁脱出的氧到达单晶之前的时间变长，且来自熔融的单晶材料的自由表面的氧蒸发量增加，从而能够降低生成的单晶中的氧浓度，并且能够抑制生成的单晶中的生长条纹，从而完成本发明。
首先，参照图1对本发明的单晶拉制装置的实施方式一例进行说明。
图1的单晶拉制装置11构成为具备：加热器3、配置有收容熔融的单晶材料(以下称为熔液)6的坩埚2且具有中心轴10的拉制炉1、以及设置在拉制炉1周围且具有超导线圈的磁场产生装置30，且通过向超导线圈的通电而对熔液6施加水平磁场，抑制熔液6在坩埚2内的对流，并同时向拉制方向8拉制单晶9。
磁场产生装置30以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面12内的所述中心轴10上的磁力线7方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面12内的中心轴10上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交而通过中心轴10的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。
若单晶拉制装置11的磁场产生装置30是产生如上所述的磁场分布的装置，则即使在基于电磁力的对流抑制力不充分的与X轴垂直的截面内，也能够降低熔液6的流速，并且能够使熔液6在与X轴平行的截面中的流速，与熔液6在与X轴垂直的截面中的流速平衡。能够获得一种单晶拉制装置，其中，即使在与X轴垂直的截面内，也能够使熔融的单晶材料的流速降低，由此，使从坩埚壁脱出的氧到达单晶之前的时间变长，且来自熔液6的自由表面的氧蒸发量增加，从而使被单晶吸入的氧浓度大幅下降。另外，能够获得一种单晶拉制装置，其通过使熔液6在与X轴平行的截面中的流速，与熔液6在与X轴垂直的截面中的流速平衡，，能够抑制生成的单晶9中的生长条纹。
产生如上所述的磁场分布的磁场产生装置30例如可以构成为具有如下所述线圈配置：如从上观察磁场产生装置30的图即图1中的(b)所示，将分别相对配置的超导线圈4的线圈对以各自的线圈轴13被包含在同一水平面12(参照图1中的(a))内的方式设置两对(即，4(a)、4(c)的线圈对、以及4(b)、4(d)的线圈对)，并且使线圈轴13之间的夹着X轴的中心角度α为90度以上120度以下。
通过使中心角度α为90度以上，能够切实地产生上述的磁场分布，且通过使中心角度α为120度以下，即使不缩小线圈直径，也能够以相邻的超导线圈彼此不会相撞的方式配置超导线圈。
当然，若线圈是产生上述磁场分布的线圈，则不限于两对的情况，也可以是一对或三对以上。
接着，参照图1对本发明的单晶拉制方法的实施方式一例进行说明。
本发明的单晶拉制方法是使用上述说明的图1的单晶拉制装置11拉制半导体单晶9的方法。
具体地说，是如下那样拉制半导体单晶9。
首先，在单晶拉制装置11中，向坩埚2内加入半导体材料并用加热器3加热，从而使半导体材料熔融(参照图1中的(a))。
接着，通过向超导线圈的通电而对熔融的单晶材料(即熔液)6施加由磁场产生装置30产生的水平磁场，抑制熔液6在坩埚2内的对流(参照图1中的(a))。这时，通过磁场产生装置30以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面12内的所述中心轴10上的磁力线7方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面12内的中心轴10中的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交而通过中心轴10的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上(参照图1中的(a))。作为产生如上所述的磁场分布的磁场产生装置30，例如可以使用具有如下所述线圈配置的磁场产生装置：如图1中的(b)所示，将分别相对配置的超导线圈4的线圈对以各自的线圈轴13被包含在同一水平面内的方式设置两对，并且使线圈轴13之间的夹着X轴的中心角度α为90度以上120度以下。
在该情况下，X轴上的坩埚壁中的磁通密度的下限值，以及Y轴上的坩埚壁中的磁通密度的上限值并无特别限定，但由于装置的原因，一般X轴上的坩埚壁中的磁通密度为磁通密度设定值的30％以上，Y轴上的坩埚壁中的磁通密度为磁通密度设定值的250％以下。
接着，将晶种(未图示)从例如坩埚2的中央部上方下降插入熔液6中，并用拉制机构(未图示)一边使晶种旋转一边以规定的速度向拉制方向8的方向拉制(参照图1中的(a))。由此，晶体在固体·液体边界层生长，生成半导体单晶9。
若是这样的单晶拉制方法，则能够生成使被吸入的氧浓度大幅下降且生长条纹受到抑制的半导体单晶。
实施例
以下，示出实施例以及比较例来对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于此。
(实施例1)
在图1中的(a)的单晶拉制装置11中，使用具有图2所示的线圈配置(即线圈轴间的中心角度α为120度)的磁场产生装置作为磁场产生装置30。
使用这样的单晶拉制装置，以如下所示的拉制条件进行了半导体单晶的拉制。
使用坩埚：直径800mm；
单晶材料的装料量：400kg；
生成的单晶：直径306mm；
磁通密度：调整为在含有线圈轴的水平面内的中心轴10上为3000G(磁通密度设定值)；
单晶旋转速度：6rpm；
坩埚旋转速度：0.03rpm。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图4中的(d)、图5、表1所示。这里，图5中的(a)表示X轴上的磁通密度分布，图5中的(b)表示Y轴上的磁通密度分布。在实施例1中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下(44％)(参照表1)。另外，在实施例1中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上(203％)(参照表1)。
进一步地，使用FEMAG-TMF作为分析软件，对使用上述所示的拉制条件进行单晶拉制的情况下的单晶直体部的长度为40cm的状态时的熔液6的截面(X轴上的截面以及Y轴上的截面)中的流速分布进行了模拟分析。其分析结果如图6中的(d)所示。
对这样生成的半导体单晶调查了其氧浓度。其结果如图7所示。这里，在图7中表示有各半导体单晶内的氧浓度的最大值以及最小值，由此示出了半导体单晶内的氧浓度波动。
(实施例2)
除了使线圈轴间的中心角度α为110度以外，采用了与实施例1同样结构的单晶拉制装置。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图5、表1所示。在实施例2中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下(52％)(参照表1)。另外，在实施例2中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上(183％)(参照表1)。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
(实施例3)
除了使线圈轴间的中心角度α为100度以外，采用了与实施例1同样结构的单晶拉制装置。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图4中的(c)、图5、表1所示。在实施例3中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下(63％)(参照表1)。另外，在实施例3中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上(164％)(参照表1)。
进一步地，与实施例1同样地分析了熔液6的截面中的流速分布。其分析结果如图6中的(c)所示。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
(实施例4)
除了使线圈轴间的中心角度α为90度以外，采用了与实施例1同样结构的单晶拉制装置。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图5、表1所示。在实施例4中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下(76％)(参照表1)。另外，在实施例4中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上(145％)(参照表1)。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
(比较例1)
在图1中的(a)的单晶拉制装置11中，使用具有图3所示的线圈配置(即线圈轴间的中心角度α为60度)的磁场产生装置作为磁场产生装置30。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图4中的(a)、图5、表1所示。在比较例1中，X轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中大于磁通密度设定值的80％(121％)(参照表1)。另外，在比较例1中，Y轴上的磁通密度分布大致一定(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中不足磁通密度设定值的140％(102％)(参照表1)。
进一步地，与实施例1同样地分析了熔液6的截面中的流速分布。其分析结果如图6中的(a)所示。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
(比较例2)
除了使线圈轴间的中心角度α为70度以外，采用了与比较例1同样结构的单晶拉制装置。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图5、表1所示。在比较例2中，X轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中大于磁通密度设定值的80％(105％)(参照表1)。另外，在比较例2中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中不足磁通密度设定值的140％(114％)(参照表1)。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
(比较例3)
除了使线圈轴间的中心角度α为80度以外，采用了与比较例1同样结构的单晶拉制装置。
使用这样的单晶拉制装置，与实施例1同样地进行了半导体单晶的拉制。
测量了此时的含有线圈轴的水平面内的磁通密度分布。其结果如图4中的(b)、图5、表1所示。在比较例3中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布(参照图5中的(a))，X轴上的磁通密度在坩埚壁中大于磁通密度设定值的80％(90％)(参照表1)。另外，在比较例3中，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布(参照图5中的(b))，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中不足磁通密度设定值的140％(129％)(参照表1)。
进一步地，与实施例1同样地分析了熔液6的截面中的流速分布。其分析结果如图6中的(b)所示。
对这样生成的半导体单晶，调查了其氧浓度。其结果如图7所示。
[表1]
※设定值为3000G
由图6可知，实施例1、3中，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时，Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上，在如此这样的实施例1、3中，相较于未满足上述的磁通密度分布条件的比较例1、3，熔液在Y轴上的截面中的流速下降，并且熔液在X轴上的截面中的流速与熔液在Y轴上的截面中的流速的差降低。
而且，由图7可知，在满足上述的磁通密度分布条件的实施例1～4中，相较于未满足上述的磁通密度条件的比较例1～3，生成的半导体单晶的氧浓度下降，氧浓度的波动也下降。
进一步地，由图5、表1可知，通过使线圈轴间的中心角度α为90度以上120度以下，从而能够产生满足上述的磁通密度分布条件的磁场分布。
此外，本发明不限于上述实施方式。上述实施方式仅为例示，具有本发明的权利要求书所述的技术性思想实质上相同的结构并起到同样的作用效果的任意方式均包含在本发明的技术性范围内。

Claims (3)

1.一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容加热器及熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在所述拉制炉周围且具有超导线圈，该单晶拉制装置通过向所述超导线圈的通电而对所述熔融的单晶材料施加水平磁场，抑制所述熔融的单晶材料在所述坩埚内的对流，所述单晶拉制装置的特征在于，
所述磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有所述超导线圈的线圈轴的水平面内的所述中心轴上的磁力线方向作为X轴时，所述X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将所述水平面内的所述中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，所述X轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的80％以下，同时在所述水平面内与所述X轴正交且通过所述中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，所述Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为所述磁通密度设定值的140％以上。
2.根据权利要求1所述的单晶拉制装置，其特征在于，在所述磁场产生装置中，将分别相对配置的超导线圈的线圈对以各自的线圈轴被包含在同一水平面内的方式设置两对，并且使所述线圈轴间的夹着所述X轴的中心角度α为90度以上120度以下。
3.一种单晶拉制方法，其特征在于，其使用权利要求1或2所述的单晶拉制装置来拉制半导体单晶。
CN201680053903.3A 2015-09-18 2016-08-23 单晶拉制装置以及单晶拉制方法 Active CN108026660B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015185654A JP6436031B2 (ja) 2015-09-18 2015-09-18 単結晶引き上げ装置、及び単結晶引き上げ方法
JP2015-185654 2015-09-18
PCT/JP2016/003827 WO2017047008A1 (ja) 2015-09-18 2016-08-23 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108026660A true CN108026660A (zh) 2018-05-11
CN108026660B CN108026660B (zh) 2020-07-24

Family

ID=58288507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680053903.3A Active CN108026660B (zh) 2015-09-18 2016-08-23 单晶拉制装置以及单晶拉制方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10253425B2 (zh)
JP (1) JP6436031B2 (zh)
KR (2) KR102478863B1 (zh)
CN (1) CN108026660B (zh)
DE (1) DE112016003796T5 (zh)
WO (1) WO2017047008A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110129883A (zh) * 2018-03-30 2019-08-16 杭州慧翔电液技术开发有限公司 一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法
CN111243821A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 中国科学院电工研究所 一种磁控直拉单晶超导磁体系统
TWI751726B (zh) * 2019-12-27 2022-01-01 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 一種半導體晶體生長裝置
CN114302981A (zh) * 2019-09-02 2022-04-08 硅电子股份公司 由单晶硅制备半导体晶片的方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019196289A (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法及び単結晶引き上げ装置
JP7070500B2 (ja) * 2019-05-08 2022-05-18 信越半導体株式会社 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
JP7160006B2 (ja) * 2019-09-19 2022-10-25 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法
JP7230781B2 (ja) * 2019-11-14 2023-03-01 信越半導体株式会社 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
KR20220145847A (ko) 2020-03-17 2022-10-31 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 단결정 인상장치 및 단결정 인상방법
JP2022141151A (ja) 2021-03-15 2022-09-29 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004051475A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Toshiba Corp 単結晶引上げ装置、超電導磁石および単結晶引上げ方法
JP2009173536A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Siltron Inc 高品質の半導体単結晶インゴットの製造装置及び方法
US20140053771A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Babcock Noell Gmbh Generating a Homogeneous Magnetic Field While Pulling a Single Crystal from Molten Semiconductor Material

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173536A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Toshiba Corp 光ディスク装置及び記録倍速切替方法
JP3982353B2 (ja) * 2002-07-12 2007-09-26 日本電気株式会社 フォルトトレラントコンピュータ装置、その再同期化方法及び再同期化プログラム
JP4193558B2 (ja) * 2003-04-16 2008-12-10 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法
JP4749661B2 (ja) * 2003-10-15 2011-08-17 住友重機械工業株式会社 単結晶引上げ装置用超電導磁石装置における冷凍機の装着構造及び冷凍機のメンテナンス方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004051475A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Toshiba Corp 単結晶引上げ装置、超電導磁石および単結晶引上げ方法
JP2009173536A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Siltron Inc 高品質の半導体単結晶インゴットの製造装置及び方法
US20140053771A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Babcock Noell Gmbh Generating a Homogeneous Magnetic Field While Pulling a Single Crystal from Molten Semiconductor Material

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110129883A (zh) * 2018-03-30 2019-08-16 杭州慧翔电液技术开发有限公司 一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法
CN114302981A (zh) * 2019-09-02 2022-04-08 硅电子股份公司 由单晶硅制备半导体晶片的方法
CN114302981B (zh) * 2019-09-02 2024-04-16 硅电子股份公司 由单晶硅制备半导体晶片的方法
TWI751726B (zh) * 2019-12-27 2022-01-01 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 一種半導體晶體生長裝置
CN111243821A (zh) * 2020-03-13 2020-06-05 中国科学院电工研究所 一种磁控直拉单晶超导磁体系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20180237940A1 (en) 2018-08-23
CN108026660B (zh) 2020-07-24
KR20210107902A (ko) 2021-09-01
US10253425B2 (en) 2019-04-09
KR102478863B1 (ko) 2022-12-19
DE112016003796T5 (de) 2018-05-30
KR20180054615A (ko) 2018-05-24
JP2017057127A (ja) 2017-03-23
JP6436031B2 (ja) 2018-12-12
WO2017047008A1 (ja) 2017-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108026660A (zh) 单晶拉制装置以及单晶拉制方法
US6984264B2 (en) Single crystal pulling device and method and superconducting magnet
US11578423B2 (en) Magnet coil for magnetic czochralski single crystal growth and magnetic czochralski single crystal growth method
JP7029733B2 (ja) 単結晶の磁場印加引き上げに用いられる磁性体、および単結晶の磁場印加引き上げ方法
US9127377B2 (en) Generating a homogeneous magnetic field while pulling a single crystal from molten semiconductor material
KR102422122B1 (ko) 실리콘 융액의 대류 패턴 제어 방법, 실리콘 단결정의 제조 방법 및, 실리콘 단결정의 인상 장치
JP6620670B2 (ja) 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
Chen et al. Effects of crystal-crucible iso-rotation and a balanced/unbalanced cusp magnetic field on the heat, flow, and oxygen transport in a Czochralski silicon melt
US20230175166A1 (en) Single-crystal pulling apparatus and single-crystal pulling method
JPH10139599A (ja) 単結晶引上げ装置用超電導磁石
Morthland et al. Thermocapillary convection during floating-zone silicon growth with a uniform or non-uniform magnetic field
Vizman Flow control by magnetic fields during crystal growth from melt
Hassaan et al. Simulation of the superconducting magnet for a silicon single crystal growth
JP7160006B2 (ja) 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法
JP7230781B2 (ja) 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
TW202248471A (zh) 單晶提拉裝置及單晶提拉方法
TW202214918A (zh) 用於減少矽生產過程中的矽晶體搖晃及跌落的系統及方法
JPH10167875A (ja) 単結晶製造装置
JPH08188493A (ja) 単結晶製造装置
CN115244229A (zh) 单晶提拉装置及单晶提拉方法
JPS6278184A (ja) 単結晶育成装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant