CN107958857A - 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法 - Google Patents

一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107958857A
CN107958857A CN201711212852.7A CN201711212852A CN107958857A CN 107958857 A CN107958857 A CN 107958857A CN 201711212852 A CN201711212852 A CN 201711212852A CN 107958857 A CN107958857 A CN 107958857A
Authority
CN
China
Prior art keywords
briquetting
trigger device
slide bar
epoxy resin
cover board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711212852.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107958857B (zh
Inventor
李�杰
金龙
宋哲宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui North Microelectronics Research Institute Group Co ltd
Original Assignee
North Electronic Research Institute Anhui Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North Electronic Research Institute Anhui Co., Ltd. filed Critical North Electronic Research Institute Anhui Co., Ltd.
Priority to CN201711212852.7A priority Critical patent/CN107958857B/zh
Publication of CN107958857A publication Critical patent/CN107958857A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107958857B publication Critical patent/CN107958857B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法,包括压块、活动销和气缸;压块上部具有一滑杆,活动销前端可嵌入至滑杆侧面的燕尾槽中;活动销末端通过连杆与气缸中的活塞相连,由活塞的运动带动活动销嵌入滑杆中或从滑杆中退出。采用预先固化环氧树脂作为粘接材料,操作较传统环氧树脂更为方便,成本低于焊料焊接方式,操作温度较低对器件损伤较小。采用真空烘箱进行环氧树脂的固化,保证密封腔体内部真空/低压状态,避免在固化时因内部膨胀导致形成密封界面气孔。设计环氧树脂固化流程,在预热阶段抽真空,采用压块触发装置控制压块下落对盖板进行施压,保证腔体内部气体排除并且预先固化环氧树脂能有效粘接。

Description

一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法
技术领域
本发明涉及一种环氧树脂真空低压封装工艺方法,属于陶瓷外壳封装技术领域。
背景技术
传统的陶瓷外壳封装一般采用采用环氧树脂粘接或焊料焊接的方法。环氧树脂粘接是预先在粘接区域涂覆绝缘环氧树脂,将盖板放置在涂覆好的环氧树脂上并夹持固定,通过加热固化使得壳体与盖板结合在一起。焊料焊接是预先在焊接区域涂覆焊膏或放置预先裁剪好的焊片,再将盖板放置在焊膏/焊片上并固定,通过高温使焊料熔化,使得盖板与壳体结合在一起。通常使用的焊料为金锡焊料。
缺点:
环氧树脂粘接:环氧树脂材料流动性较大,盖板放置后会蔓延流淌,会导致腔体内部器件失效并影响产品外观,在加热固化时内部气体膨胀会在粘接界面产生气孔从而气密性失效。传统的环氧树脂粘接方法无法实现内部的真空/低压状态,某些对此方面有要求的器件无法有效工作。
焊料焊接:成本较高,焊料应力较大,无法进行大尺寸外壳封装,操作温度较高,某些对温度较敏感的器件无法有效工作。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种压块触发装置,其特征是,包括压块、活动销和气缸;压块上部具有一滑杆,活动销前端可嵌入至滑杆侧面的燕尾槽中;活动销末端通过连杆与气缸中的活塞相连,由活塞的运动带动活动销嵌入滑杆中或从滑杆中退出。
还包括一对所述滑杆的滑动进行导向的导轨。
所述活动销前端穿过导轨嵌入至滑杆侧面的燕尾槽中。
置于抽真空的环境中时,气缸中的气体推动活塞运动,通过连杆带动活动销从滑杆侧面的燕尾槽中退出,使压块失去阻挡在重力作用下下落。
所述压块下方为一壳体,壳体上盖有一预先涂敷并固化环氧树脂的盖板;所述壳体和盖板置于同一抽真空的烘箱中。
所述壳体为陶瓷外壳或金属外壳;所述盖板为陶瓷盖板、玻璃盖板或金属盖板。
压块触发装置的环氧树脂真空低压封装工艺方法,其特征是,包括以下步骤:
将预先涂敷并固化环氧树脂的盖板盖于壳体上;
将带有盖板的壳体与压块触发装置放置于真空烘箱中;烘箱升温,到达设定温度后对烘箱进行抽真空并由压块触发装置触发压块下落至盖板上对盖板进行施压,再升温到峰值固化温度进行固化。
预先固化温度低于峰值固化温度50℃~70℃。
环氧树脂预先固化温度:80℃~125℃。
环氧树脂峰值固化温度:150℃~175℃。
本发明所达到的有益效果:
1) 本发明采用预先固化环氧树脂作为粘接材料,操作较传统环氧树脂更为方便,成本低于焊料焊接方式,操作温度较低对器件损伤较小。
2) 采用真空烘箱进行环氧树脂的固化,保证密封腔体内部真空/低压状态,避免在固化时因内部膨胀导致形成密封界面气孔。
3)设计环氧树脂固化流程,在预热阶段启动真空泵抽真空,采用压块触发装置控制压块下落对盖板进行施压,保证腔体内部气体排除并且预先固化环氧树脂能有效粘接。
4)触发动作控制方式简单可靠,与工艺实现可靠的配合。
附图说明
图1 预涂敷环氧树脂的盖板;
图2 真空压块触发装置(触发前);
图3 真空压块触发装置(触发后);
图4 固化时序图;
图5 技术实施流程框图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1-图3所示,本发明采用预固化的环氧树脂实现盖板1与壳体2的封装,将预涂敷并固化环氧树脂11的盖板1盖于壳体2上,涂敷环氧树脂11的面朝向壳体2并与壳体相配合。将上盖的壳体2与压块触发装置3放置于真空烘箱中,烘箱升温,到达一定温度后烘箱开始抽真空并触发压块下落至盖板1上,再升温到固化温度并完成固化。
环氧树脂的涂敷步骤:选用预先固化环氧树脂,采用涂敷设备在盖板1上预涂敷环状环氧树脂胶带,再进行预先固化,预先固化温度通常低于固化峰值温度50℃~70℃。预固化后的环氧树脂胶带具有一定的硬度和强度。
压块触发装置3采用活塞驱动原理,包括压块31、导轨32、活动销33和气缸34。压块31上部具有一置于导轨32中可沿导轨32滑动的滑杆35,活动销33前端穿过导轨32可嵌入至滑杆35侧面的燕尾槽中,阻止压块下落,活动销末端通过连杆36与气缸中的活塞341相连,由活塞的运动带动活动销可嵌入滑杆中,也可以从滑杆35中抽出。当抽真空时,由于外界气压较低,气缸34中的气体推动活塞341运动,通过连杆36带动活动销33后退,当活动销33从燕尾槽中退出,压块31失去阻挡在重力作用下下落至盖板1上,完成触发动作。
将盖上盖板1后的壳体2与压块触发装置3放置在真空烘箱中,开始进行加热固化操作。固化的时序为:从室温逐渐升温,到达预热阶段后开始抽真空,在将烘箱内气体抽走(由于此时盖板1和壳体2尚未形成密封腔体,其内部气体同时被抽走)的同时触发压块下落,在盖板1上施压,预热一段时间后再升温到固化峰值温度,加压固化一段时间后,降温并完成固化,如图4和图5所示。
腔体内气压控制:腔体内气压控制主要控制预热抽真空时间,此时环氧树脂尚未软化,环氧树脂胶带与壳体存在缝隙,延长抽气时间可以提高腔体内的真空度,如只需低压状态,采用短时间抽气即可。
技术特点:
1)本发明是采用环氧树脂作为封装材料,将封装壳体与盖板粘接在一起的密封封装工艺。环氧树脂选用预先固化环氧树脂(B-Stage环氧树脂),预先涂敷在盖板上,采用低温固化后形成有一定强度的环氧树脂胶带。
2)采用真空烘箱进行最终固化,固化过程中进行抽气,在烘箱腔体中形成真空或者低压气氛,保证密封腔体中氧气含量水平较低。
3)B-Stage环氧树脂在进行最终固化时需要施加较大的压力,为此设计采用了压块触发装置,在进行抽真空过程中,通过活塞的运动,当达到一定真空度时装置被触发,使得压块对盖板施加压力。
工艺参数设计:
1) 封装材料类型:预固化型环氧树脂
2) 壳体类型:陶瓷外壳(氧化铝(Al2O3)陶瓷、LTCC、HTCC)或金属外壳;
3)盖板类型:陶瓷盖板、玻璃盖板或金属盖板;
4)环氧树脂预固化温度:80℃~125℃;
4)环氧树脂峰值固化温度:150℃~175℃;
5) 峰值固化时间:30min~60min。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种压块触发装置,其特征是,包括压块、活动销和气缸;压块上部具有一滑杆,活动销前端可嵌入至滑杆侧面的燕尾槽中;活动销末端通过连杆与气缸中的活塞相连,由活塞的运动带动活动销嵌入滑杆中或从滑杆中退出。
2.根据权利要求1所述的一种压块触发装置,其特征是,还包括一对所述滑杆的滑动进行导向的导轨。
3.根据权利要求2所述的一种压块触发装置,其特征是,所述活动销前端穿过导轨嵌入至滑杆侧面的燕尾槽中。
4.根据权利要求1所述的一种压块触发装置,其特征是,置于抽真空的环境中时,气缸中的气体推动活塞运动,通过连杆带动活动销从滑杆侧面的燕尾槽中退出,使压块失去阻挡在重力作用下下落。
5.根据权利要求4所述的一种压块触发装置,其特征是,所述压块下方为一壳体,壳体上盖有一预先涂敷并固化环氧树脂的盖板;所述壳体和盖板置于同一抽真空的烘箱中。
6.根据权利要求5所述的一种压块触发装置,其特征是,所述壳体为陶瓷外壳或金属外壳;所述盖板为陶瓷盖板、玻璃盖板或金属盖板。
7.基于权利要求1所述的压块触发装置的环氧树脂真空低压封装工艺方法,其特征是,包括以下步骤:
将预先涂敷并固化环氧树脂的盖板盖于壳体上;
将带有盖板的壳体与压块触发装置放置于真空烘箱中;烘箱升温,到达设定温度后对烘箱进行抽真空并由压块触发装置触发压块下落至盖板上对盖板进行施压,再升温到峰值固化温度进行固化。
8.根据权利要求7所述的环氧树脂真空低压封装工艺方法,其特征是,预先固化温度低于峰值固化温度50℃~70℃。
9.根据权利要求7或8所述的环氧树脂真空低压封装工艺方法,其特征是,环氧树脂预先固化温度:80℃~125℃。
10.根据权利要求7或8所述的环氧树脂真空低压封装工艺方法,其特征是,环氧树脂峰值固化温度:150℃~175℃。
CN201711212852.7A 2017-11-28 2017-11-28 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法 Active CN107958857B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711212852.7A CN107958857B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711212852.7A CN107958857B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107958857A true CN107958857A (zh) 2018-04-24
CN107958857B CN107958857B (zh) 2024-03-19

Family

ID=61962324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711212852.7A Active CN107958857B (zh) 2017-11-28 2017-11-28 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107958857B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114551253A (zh) * 2022-04-28 2022-05-27 至芯半导体(杭州)有限公司 一种封装方法及封装装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08189454A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Eizaburo Murakami 圧力−機械変換装置
JPH11342524A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Yoshihiro Aoki 成形金型
US20030180985A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor
US20050218236A1 (en) * 1997-03-16 2005-10-06 Kia Silverbrook Document having an encoded data structure
KR20060037532A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 삼성전자주식회사 에어실린더장치
JP2007056070A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Fujitsu Ltd フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
CN101912900A (zh) * 2010-08-08 2010-12-15 天津必利优科技发展有限公司 焊带整形机构
CN102054997A (zh) * 2010-11-25 2011-05-11 新源动力股份有限公司 一种燃料电池双极板流场单通道流体测试装置及测试方法
CN103515351A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 英飞凌科技股份有限公司 器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法
CN103764713A (zh) * 2011-08-31 2014-04-30 日立化成株式会社 树脂组合物、树脂片、带金属箔的树脂片、树脂固化物片、结构体、以及动力用或光源用半导体装置
US20150159769A1 (en) * 2011-07-06 2015-06-11 National Tsing Hua University Operating Method of Slit Valve for Semiconductor Wafer Processing Chamber
CN204565656U (zh) * 2015-04-03 2015-08-19 中国一拖集团有限公司 一种工件毛坯定位装置
CN105328338A (zh) * 2015-11-27 2016-02-17 江苏大学 一种直线多工位激光冲击连接金属薄板的装置及其方法
CN207441672U (zh) * 2017-11-28 2018-06-01 北方电子研究院安徽有限公司 一种压块触发装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08189454A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Eizaburo Murakami 圧力−機械変換装置
US20050218236A1 (en) * 1997-03-16 2005-10-06 Kia Silverbrook Document having an encoded data structure
JPH11342524A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Yoshihiro Aoki 成形金型
US20030180985A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor
KR20060037532A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 삼성전자주식회사 에어실린더장치
JP2007056070A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Fujitsu Ltd フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
CN101912900A (zh) * 2010-08-08 2010-12-15 天津必利优科技发展有限公司 焊带整形机构
CN102054997A (zh) * 2010-11-25 2011-05-11 新源动力股份有限公司 一种燃料电池双极板流场单通道流体测试装置及测试方法
US20150159769A1 (en) * 2011-07-06 2015-06-11 National Tsing Hua University Operating Method of Slit Valve for Semiconductor Wafer Processing Chamber
CN103764713A (zh) * 2011-08-31 2014-04-30 日立化成株式会社 树脂组合物、树脂片、带金属箔的树脂片、树脂固化物片、结构体、以及动力用或光源用半导体装置
CN103515351A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 英飞凌科技股份有限公司 器件接触、电器件封装件以及制造电器件封装件的方法
CN204565656U (zh) * 2015-04-03 2015-08-19 中国一拖集团有限公司 一种工件毛坯定位装置
CN105328338A (zh) * 2015-11-27 2016-02-17 江苏大学 一种直线多工位激光冲击连接金属薄板的装置及其方法
CN207441672U (zh) * 2017-11-28 2018-06-01 北方电子研究院安徽有限公司 一种压块触发装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
慈惟红;宋文友;于海明;尤晓阳;夏丽君;: "可实现柔性生产的气动夹紧装置", 汽车与配件, no. 19 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114551253A (zh) * 2022-04-28 2022-05-27 至芯半导体(杭州)有限公司 一种封装方法及封装装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107958857B (zh) 2024-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2016413863B2 (en) Tempered vacuum glass
CN103318838B (zh) 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法
CN105895539B (zh) 芯片倒装封装中间结构和倒装封装结构及倒装封装方法
CN103109361B (zh) 一种半导体封装中的底胶填充方法及设备
CN105502961A (zh) 一种真空玻璃封口方法及装置
CN207441672U (zh) 一种压块触发装置
US10134704B2 (en) Thermocompression for semiconductor chip assembly
CN107958857A (zh) 一种压块触发装置和环氧树脂真空低压封装工艺方法
JP5264281B2 (ja) 圧電部品の製造方法
CN1252806C (zh) 集成电路用气密封装盖板制备方法
TW201106435A (en) Package structure and package process
CN101587846B (zh) 接合晶片的装置及方法及整平接合晶片的方法
CN105633041A (zh) 一种大功率可控硅封装结构及其制造方法
JP2000269267A (ja) 電子部品実装方法及び装置
CN218620635U (zh) 一种金属或陶瓷与玻璃封装治具
JPH11163048A (ja) 半導体チップの実装方法
CN109742227A (zh) 封装膜、封装装置、封装方法及电子器件
CN104779184B (zh) 封装设备以及封装方法
CN110224179B (zh) 一种消除锂离子电池顶部溢胶的方法
CN108994411A (zh) 一种负压可控气氛焊接系统
CN104773962B (zh) 真空玻璃封接结构以及半成品及其封接方法
JPH08241900A (ja) フリップチップ実装体の樹脂封止方法
CN112838015A (zh) 一种半导体封装方法及半导体器件
TW518728B (en) Flip chip underfill filling method of pressure drive type
CN103021887B (zh) 有散热要求fc电路的气密性封帽方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 233040 No.10 Caiyuan Road, Bengbu City, Anhui Province

Patentee after: Anhui North Microelectronics Research Institute Group Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 233040 No.10 Caiyuan Road, Bengbu City, Anhui Province

Patentee before: NORTH ELECTRON RESEARCH INSTITUTE ANHUI Co.,Ltd.

Country or region before: China