CN107946480A - Oled封装方法与oled封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过在OLED器件的表面设置紫外光吸收层，一方面，所述紫外光吸收层具有低紫外光透过率，在对封装材料与框胶进行紫外固化的过程中能够阻挡紫外光照向TFT，降低或者消除紫外光对TFT的影响；另一方面，所述紫外光吸收层具有高可见光透过率，因此不会降低OLED器件的出光强度。本发明的OLED封装结构采用上述方法制得，其TFT具有优异的电学性能，其OLED器件具有较强的出光强度。

Description

OLED封装方法与OLED封装结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
背景技术
有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应以及柔性显示等优势，在显示领域、照明领域、智能穿戴等领域有广泛的应用。
随着科学技术的发展，OLED技术成为第三代显示技术的重要候选者，用于手机、电脑、电视等消费类电子。OLED的基本显示原理为：在电场的驱动下，通过载流子的注入和复合使得有机材料发光。OLED可以通过RGB像素独立发光、白光OLED结合彩色滤光膜或者蓝光OLED结合光色转换来实现全彩显示。OLED显示技术可以使屏幕更轻薄，其自发光的特性在野外的傍晚也可以实现较高的对比度，并且能够在不同材质的基板上制造，可以做成柔性显示器。
绿色环保和高效节能的生活方式已成为人们的生活趋势，因此OLED被认为是未来的新兴照明技术。OLED的发光材料为有机半导体，可以控制其发光层的材料性质以产生不同波长的光。OLED是发光柔和的平面光源，其照明可实现轻薄化，如果是在柔性衬底上制作的OLED，则可实现大面积、可弯曲的光源，在家居装饰等方面有潜在的应用。
智能穿戴市场将会是OLED技术发展的一个重要方向。柔性AMOLED(有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)体积轻薄、可弯曲以及便于携带的性质决定了其在穿戴设备上将有更广的应用空间。OLED显示屏可配备于手环或手表上，既可以实现与手腕完美贴合，同时还可以实现打电话、上网等功能。
此外，OLED在车载音响显示方面、智能家居、航天科技等方面均具有潜在的应用。
OLED与传统的LCD的不同之处在于其无需采用背光灯，通过电子和空穴这两种载流子注入有机薄膜材料并在有机材料复合发光。但是有机材料对水汽和氧气非常敏感，水/氧渗透会大大缩减器件寿命，为达到商业化对于OLED器件使用寿命和稳定性的要求，OLED器件对于封装效果要求非常高：使用寿命至少在104小时以上，水汽透过率小于10-6g/m2/day，氧气穿透率小于10-5cc/m2/day(1atm)。因此封装在OLED器件制作中处于重要的位置，是影响产品良率的关键因素之一。
现有的OLED器件封装方式主要为玻璃封装，即在封装玻璃上涂覆可以紫外(UV)固化的框胶、镭射封装的玻璃胶(Laser sealing)、或框胶及填充干燥剂(Dam&Fill)后经过固化后为发光器件提供一个相对密闭的环境，在一定时间内可以达到良好的水/氧阻隔能力。
柔性OLED面板是有机发光器件的重要研究方向。近两年，关于柔性OLED器件封装的探索如火如荼，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或者原子层沉积法(ALD)的薄膜封装成为研究热点。但是，柔性OLED器件的封装成本为传统盖板封装器件成本的1～5倍，柔性OLED虽为将来的显示趋势，但是传统平板玻璃封装OLED器件并不会消失。
TFT在有源矩阵驱动显示器件(AMOLED)中发挥重要的作用，一般在显示器件中作为开关器件和驱动器件。紫外光能量高，TFT在光照下会产生载流子，电子或者空穴，当自由载流子浓度增加时，阈值电压(Vth)降低，Vth漂移会直接引起像素发光亮度变化，从而影响整体显示质量。因此TFT的长期稳定性对显示器件十分重要。
对大尺寸器件封装需要加入封装材料(Filler)来提高器件机械性能，另外可消除牛顿环(尤其对顶发光器件，必须消除牛顿环)。目前Filler按照固化方式有两大类：紫外固化(UV curing)与热固化(Thermal curing)。其中，UV curing制程简单，固化时间短，通常为5min～15min，在量产中可缩短生产时间(Tact time)；其缺点为：UV光从盖板侧照向器件，在引发Filler固化的同时，引起TFT电性漂移，降低画面整体显示质量。Thermal curing目前市场上的Filler的热固化温度在100℃左右，固化时间长达60min～90min；另外采用的烘箱(Oven)温度均一性对Filler的固化程度也有很大影响，Filler固化不均会造成封装mura(显示器亮度不均匀的现象)。
图1为现有的一种OLED封装制程的示意图，如图1所示，现有的OLED封装结构包括相对设置的TFT基板100与封装盖板200、设于TFT基板100与封装盖板200之间且位于TFT基板100上的OLED器件300、设于TFT基板100与封装盖板200之间并在TFT基板100与封装盖板200之间围成密封空间610的框胶600、以及填充于密封空间610内的封装材料700。
如图1所示，从封装盖板200一侧对封装材料700进行UV固化时，UV光在引发封装材料700固化的同时，会对TFT基板100中的TFT器件的性能造成影响，引起TFT基板100中的TFT器件出现电性漂移，降低画面整体显示质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED封装方法，能够在对封装材料与框胶进行紫外固化的过程中降低或者消除紫外光对TFT的影响。
本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，采用上述方法制得，其TFT具有优异的电学性能。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供TFT基板，在所述TFT基板上制作OLED器件；在所述OLED器件外表面形成包覆所述OLED器件的第一钝化层；
步骤S2、在所述第一钝化层外表面形成包覆所述第一钝化层的紫外光吸收层，所述紫外光吸收层包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层呈透明状；
步骤S3、提供封装盖板，在所述封装盖板上对应OLED器件的外围区域涂布框胶，并在所述封装盖板上被框胶围成的区域内设置封装材料；
步骤S4、将封装盖板与TFT基板对位组合，框胶分别黏附于TFT基板与封装盖板上并在TFT基板与封装盖板之间围成密封空间，所述封装材料填充于所述密封空间内。
所述紫外光吸收层的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％；所述紫外光吸收层的厚度为1μm～10μm；所述无机颗粒在紫外光吸收层中的含量为0.1vol％～1.0vol％；所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。
所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种；所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、及氧化铈颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
所述紫外光吸收层的制备方法为：将无机颗粒分散至有机树脂前驱体溶液中制备紫外光吸收溶液，采用溶液成膜法使所述紫外光吸收溶液在所述第一钝化层外表面成膜，固化后得到紫外光吸收层；所述溶液成膜法包括旋涂、滴注、喷墨打印、流延成膜、及喷嘴打印中的一种或多种。
所述步骤S2还包括：在所述紫外光吸收层外表面形成包覆所述紫外光吸收层的第二钝化层。
本发明还提供一种OLED封装结构，包括：相对设置的TFT基板与封装盖板、设于TFT基板与封装盖板之间且位于TFT基板上的OLED器件、设于所述OLED器件外表面且包覆所述OLED器件的第一钝化层、设于所述第一钝化层外表面且包覆所述第一钝化层的紫外光吸收层、设于TFT基板与封装盖板之间并在TFT基板与封装盖板之间围成密封空间的框胶、以及填充于所述密封空间内的封装材料；
其中，所述框胶设于所述OLED器件的外围，所述紫外光吸收层包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层呈透明状。
所述紫外光吸收层的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％；所述紫外光吸收层的厚度为1μm～10μm；所述无机颗粒在紫外光吸收层中的含量为0.1vol％～1.0vol％；所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。
所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种；所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、及氧化铈颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
所述OLED封装结构还包括：设于所述紫外光吸收层外表面且包覆所述紫外光吸收层的第二钝化层。
所述第一钝化层与第二钝化层的材料均包括氮化硅，所述第一钝化层与第二钝化层的厚度均为500nm～800nm；所述封装材料包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种。
本发明的有益效果：本发明的OLED封装方法通过在OLED器件的表面设置紫外光吸收层，一方面，所述紫外光吸收层具有低紫外光透过率，在对封装材料与框胶进行紫外固化的过程中能够阻挡紫外光照向TFT，降低或者消除紫外光对TFT的影响；另一方面，所述紫外光吸收层具有高可见光透过率，因此不会降低OLED器件的出光强度。本发明的OLED封装结构采用上述方法制得，其TFT具有优异的电学性能，其OLED器件具有较强的出光强度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种OLED封装制程的示意图；
图2为本发明的OLED封装方法的流程图；
图3为本发明的OLED封装方法的步骤S1的示意图；
图4为图3中的OLED器件的具体结构示意图；
图5为本发明的OLED封装方法的步骤S2的第一实施例的示意图；
图6为本发明的OLED封装方法的步骤S2的第二实施例的示意图；
图7为本发明的OLED封装方法的步骤S3的示意图；
图8为本发明的OLED封装方法的步骤S4的第一实施例的示意图；
图9为本发明的OLED封装方法的步骤S4的第二实施例的示意图；
图10为本发明的OLED封装结构的第一实施例的剖视示意图；
图11为本发明的OLED封装结构的第一实施例的剖视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图3所示，提供TFT基板10，在所述TFT基板10上制作OLED器件30；在所述OLED器件30外表面形成包覆所述OLED器件30的第一钝化层41。
具体的，如图4所示，所述OLED器件30包括在所述TFT基板10上从下到上依次设置的阳极31、空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35、电子注入层36和阴极37。
具体的，所述阳极31、空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35、电子注入层36和阴极37均采用蒸镀法制备。
具体的，所述第一钝化层41的材料包括氮化硅，所述第一钝化层41的厚度为500nm～800nm，所述第一钝化层41采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备。
优选的，采用等离子体增强化学气相沉积法制备所述第一钝化层41的工艺条件为：反应气体为纯度大于99.99％的甲硅烷(SiH4)与纯度大于99.99％的氨气(NH3)，辅助电离气体为纯度大于99.99％的氩气(Ar)，射频电源功率为10W～500W，沉积腔的压强为10Pa～20Pa，沉积速率为3nm/s～20nm/s。
步骤S2、如图5所示，在所述第一钝化层41外表面形成包覆所述第一钝化层41的紫外光吸收层50，所述紫外光吸收层50包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层50呈透明状。
具体的，所述紫外光吸收层50的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％。
具体的，所述紫外光吸收层50的厚度为1μm～10μm。
具体的，所述无机颗粒在紫外光吸收层50中的含量为0.1vol％～1.0vol％。
具体的，所述紫外光吸收层50的主体材料为有机树脂，所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂等具有高可见光透过率及透明性好的有机树脂中的一种或多种。优选的，所述丙烯酸树脂为亚克力树脂(即聚甲基丙烯酸甲酯)。
具体的，所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒等具有低紫外光透过率与高可见光透过率的无机颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛(TiO2)颗粒、氧化锌(ZnO)颗粒、及氧化铈(CeO2)颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
具体的，所述金属氧化物改性颗粒指的是在金属氧化物材料中掺杂其它化学物质后得到的金属氧化物改性材料的颗粒，通过掺杂其它化学元素使金属氧化物改性材料的紫外光吸收性能提升，大于原金属氧化物材料的紫外光吸收性能。
优选的，所述氧化锌改性颗粒为铝掺杂氧化锌(Al-ZnO)颗粒。
具体的，所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。优选的，所述无机颗粒的粒径为20nm～50nm。
具体的，所述紫外光吸收层50的制备方法为：将无机颗粒分散至有机树脂前驱体溶液中制备紫外光吸收溶液，采用溶液成膜法使所述紫外光吸收溶液在所述第一钝化层41外表面成膜，固化后得到紫外光吸收层50。
具体的，所述溶液成膜法包括旋涂、滴注(ODF)、喷墨打印(IJP)、流延成膜、及喷嘴打印(Nozzle printing)等方式中的一种或多种。
优选的，所述紫外光吸收层50的制备方法中，所述无机颗粒为氧化锌(ZnO)颗粒，所述氧化锌颗粒的粒径为20nm～50nm，所述紫外光吸收溶液中氧化锌颗粒的含量为0.1vol％～1.0vol％，所述有机树脂前驱体溶液为甲基丙烯酸甲酯单体溶液，所述紫外光吸收溶液还含有均匀分散于其中的引发剂，所述溶液成膜法为喷墨打印(IJP)，所述紫外光吸收溶液在所述第一钝化层41外表面形成的未固化薄膜的厚度为1.0μm～5.0μm。
具体的，如图6所示，所述步骤S2还可以包括：在所述紫外光吸收层50外表面形成包覆所述紫外光吸收层50的第二钝化层42。
具体的，所述第二钝化层42的材料包括氮化硅，所述第二钝化层42的厚度为500nm～800nm，所述第二钝化层42采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备。
优选的，采用等离子体增强化学气相沉积法制备所述第二钝化层42的工艺条件为：反应气体为纯度大于99.99％的甲硅烷(SiH4)与纯度大于99.99％的氨气(NH3)，辅助电离气体为纯度大于99.99％的氩气(Ar)，射频电源功率为10W～500W，沉积腔的压强为10Pa～20Pa，沉积速率为3nm/s～20nm/s。
步骤S3、如图7所示，提供封装盖板20，在所述封装盖板20上对应OLED器件30的外围区域涂布框胶60，并在所述封装盖板20上被框胶60围成的区域内设置封装材料70。
具体的，所述封装材料70为未固化的液态材料(对应UV curing Dam&Fill封装制程)或者已固化的薄膜(对应UV curing Face sealant&Film封装制程)。
所述步骤S3中，所述封装材料70为未固化的液态材料时，将封装材料70涂布或者印刷于所述封装盖板20上；所述封装材料70为已固化的薄膜时，将封装材料70贴附于所述封装盖板20上。
具体的，所述封装材料70包括聚氨酯、丙烯酸树脂及环氧树脂等具有高可见光透过率及透明性好的有机树脂中的一种或多种。优选的，所述丙烯酸树脂为亚克力树脂(即聚甲基丙烯酸甲酯)。
优选的，所述封装材料70与所述紫外光吸收层50中的有机树脂为同种材料。
具体的，所述封装材料70能够提高后续制备的OLED封装结构的机械性能，另外可消除牛顿环，提高显示效果。
步骤S4、如图8与图9所示，将封装盖板20与TFT基板10对位组合，框胶60分别黏附于TFT基板10与封装盖板20上并在TFT基板10与封装盖板20之间围成密封空间61，所述封装材料70填充于所述密封空间61内。
具体的，所述步骤S3中的封装材料70为已固化的薄膜时，所述步骤S4还包括对框胶60进行UV固化的步骤。
具体的，如图8与图9所示，所述步骤S3中的封装材料70为未固化的液态材料时，所述步骤S4还包括对封装材料70与框胶60同时进行UV固化的步骤。优选的，对封装材料70与框胶60同时进行UV固化的方式为：从封装盖板20一侧对封装材料70与框胶60进行紫外光照射，使其固化。所述紫外光的波长为365nm，所述紫外光的照射强度为5000Mj/cm2～9000Mj/cm2。
本发明的OLED封装方法通过在OLED器件30的表面设置紫外光吸收层50，一方面，所述紫外光吸收层50具有低紫外光透过率，因此在对封装材料70与框胶60进行紫外固化的过程中能够阻挡紫外光照向TFT，降低或者消除紫外光对TFT的影响；另一方面，所述紫外光吸收层50具有高可见光透过率，因此不会降低OLED器件30的出光强度。
请参阅图10与图11，同时参阅图4，基于上述OLED封装方法，本发明提供一种OLED封装结构，包括：相对设置的TFT基板10与封装盖板20、设于TFT基板10与封装盖板20之间且位于TFT基板10上的OLED器件30、设于所述OLED器件30外表面且包覆所述OLED器件30的第一钝化层41、设于所述第一钝化层41外表面且包覆所述第一钝化层41的紫外光吸收层50、设于TFT基板10与封装盖板20之间并在TFT基板10与封装盖板20之间围成密封空间61的框胶60、以及填充于所述密封空间61内的封装材料70；
其中，所述框胶60设于所述OLED器件30的外围，所述紫外光吸收层50包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层50呈透明状。
具体的，如图4所示，所述OLED器件30包括在所述TFT基板10上从下到上依次设置的阳极31、空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35、电子注入层36和阴极37。
具体的，所述第一钝化层41的材料包括氮化硅，所述第一钝化层41的厚度为500nm～800nm。
具体的，所述紫外光吸收层50的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％。
具体的，所述紫外光吸收层50的厚度为1μm～10μm。
具体的，所述无机颗粒在紫外光吸收层50中的含量为0.1vol％～1.0vol％。
具体的，所述紫外光吸收层50的主体材料为有机树脂，所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂等具有高可见光透过率及透明性好的有机树脂中的一种或多种。优选的，所述丙烯酸树脂为亚克力树脂(即聚甲基丙烯酸甲酯)。
具体的，所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒等具有低紫外光透过率与高可见光透过率的无机颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛(TiO2)颗粒、氧化锌(ZnO)颗粒、及氧化铈(CeO2)颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
具体的，所述金属氧化物改性颗粒指的是在金属氧化物材料中掺杂其它化学物质后得到的金属氧化物改性材料的颗粒，通过掺杂其它化学元素使金属氧化物改性材料的紫外光吸收性能提升，大于原金属氧化物材料的紫外光吸收性能。
优选的，所述氧化锌改性颗粒为铝掺杂氧化锌(Al-ZnO)颗粒。
具体的，所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。优选的，所述无机颗粒的粒径为20nm～50nm。
具体的，如图11所示，所述OLED封装结构还可以包括：设于所述紫外光吸收层50外表面且包覆所述紫外光吸收层50的第二钝化层42。
具体的，所述第二钝化层42的材料包括氮化硅，所述第二钝化层42的厚度为500nm～800nm。
具体的，所述封装材料70包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂等具有高可见光透过率及透明性好的有机树脂中的一种或多种。优选的，所述丙烯酸树脂为亚克力树脂(即聚甲基丙烯酸甲酯)。
优选的，所述封装材料70与所述紫外光吸收层50中的有机树脂为同种材料。
本发明的OLED封装结构通过在OLED器件30的表面设置紫外光吸收层50，一方面，所述紫外光吸收层50具有低紫外光透过率，因此在对封装材料70与框胶60进行紫外固化的过程中能够阻挡紫外光照向TFT，降低或者消除紫外光对TFT的影响；另一方面，所述紫外光吸收层50具有高可见光透过率，因此不会降低OLED器件30的出光强度。
综上所述，本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过在OLED器件的表面设置紫外光吸收层，一方面，所述紫外光吸收层具有低紫外光透过率，在对封装材料与框胶进行紫外固化的过程中能够阻挡紫外光照向TFT，降低或者消除紫外光对TFT的影响；另一方面，所述紫外光吸收层具有高可见光透过率，因此不会降低OLED器件的出光强度。本发明的OLED封装结构采用上述方法制得，其TFT具有优异的电学性能，其OLED器件具有较强的出光强度。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上制作OLED器件(30)；在所述OLED器件(30)外表面形成包覆所述OLED器件(30)的第一钝化层(41)；
步骤S2、在所述第一钝化层(41)外表面形成包覆所述第一钝化层(41)的紫外光吸收层(50)，所述紫外光吸收层(50)包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层(50)呈透明状；
步骤S3、提供封装盖板(20)，在所述封装盖板(20)上对应OLED器件(30)的外围区域涂布框胶(60)，并在所述封装盖板(20)上被框胶(60)围成的区域内设置封装材料(70)；
步骤S4、将封装盖板(20)与TFT基板(10)对位组合，框胶(60)分别黏附于TFT基板(10)与封装盖板(20)上并在TFT基板(10)与封装盖板(20)之间围成密封空间(61)，所述封装材料(70)填充于所述密封空间(61)内。
2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述紫外光吸收层(50)的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％；所述紫外光吸收层(50)的厚度为1μm～10μm；所述无机颗粒在紫外光吸收层(50)中的含量为0.1vol％～1.0vol％；所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。
3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种；所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、及氧化铈颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述紫外光吸收层(50)的制备方法为：将无机颗粒分散至有机树脂前驱体溶液中制备紫外光吸收溶液，采用溶液成膜法使所述紫外光吸收溶液在所述第一钝化层(41)外表面成膜，固化后得到紫外光吸收层(50)；所述溶液成膜法包括旋涂、滴注、喷墨打印、流延成膜、及喷嘴打印中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：在所述紫外光吸收层(50)外表面形成包覆所述紫外光吸收层(50)的第二钝化层(42)。
6.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：相对设置的TFT基板(10)与封装盖板(20)、设于TFT基板(10)与封装盖板(20)之间且位于TFT基板(10)上的OLED器件(30)、设于所述OLED器件(30)外表面且包覆所述OLED器件(30)的第一钝化层(41)、设于所述第一钝化层(41)外表面且包覆所述第一钝化层(41)的紫外光吸收层(50)、设于TFT基板(10)与封装盖板(20)之间并在TFT基板(10)与封装盖板(20)之间围成密封空间(61)的框胶(60)、以及填充于所述密封空间(61)内的封装材料(70)；
其中，所述框胶(60)设于所述OLED器件(30)的外围，所述紫外光吸收层(50)包括有机树脂与分散于有机树脂中且具有紫外光吸收性能的无机颗粒，所述紫外光吸收层(50)呈透明状。
7.如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，所述紫外光吸收层(50)的紫外光透过率小于5％，可见光透过率超过80％；所述紫外光吸收层(50)的厚度为1μm～10μm；所述无机颗粒在紫外光吸收层(50)中的含量为0.1vol％～1.0vol％；所述无机颗粒的粒径为1nm～150nm。
8.如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，所述有机树脂包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种；所述无机颗粒包括金属氧化物颗粒与金属氧化物改性颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物颗粒包括氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、及氧化铈颗粒中的一种或多种，所述金属氧化物改性颗粒包括氧化钛改性颗粒、氧化锌改性颗粒、及氧化铈改性颗粒中的一种或多种。
9.如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述紫外光吸收层(50)外表面且包覆所述紫外光吸收层(50)的第二钝化层(42)。
10.如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，所述第一钝化层(41)与第二钝化层(42)的材料均包括氮化硅，所述第一钝化层(41)与第二钝化层(42)的厚度均为500nm～800nm；所述封装材料(70)包括聚氨酯、丙烯酸树脂、及环氧树脂中的一种或多种。
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