JP7387436B2 - 表示基板、表示装置および表示基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 301
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 429
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 263
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 91
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 85
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 469
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 9
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- -1 but not limited to Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FXOFAYKVTOLJTJ-UHFFFAOYSA-N fluoridooxygen(.) Chemical class F[O] FXOFAYKVTOLJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/142—Energy conversion devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
20 発光素子
31 第1のバリア層
32 第2のバリア層
33 第3のバリア層
41 第1の無機封止サブ層
42 第2の無機封止サブ層
43 第3の無機封止サブ層
51 第1の有機封止サブ層
51’ 第1の有機材料層
52 第2の有機封止サブ層
52’ 第2の有機材料層
60 封止層
Claims (31)
- ベース基板と、
前記ベース基板上かつ表示エリア内に位置する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記複数の発光素子を封止する封止層と、
前記ベース基板上かつ周辺エリア内に位置し、第1のエリアを実質的に取り囲む第1の囲いを形成する第1のバリア層と、を含み、
前記第1のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されたアップコンバージョン材料を含み、
前記封止層は、
前記ベース基板上に位置する第1の有機封止サブ層を含み、
前記第1の有機封止サブ層は、移動度を有する第1の有機材料層からなり、前記第1の有機材料層の周辺部分は、前記紫外光により硬化されて移動度を失い、前記第1の有機材料層の中央部分は、前記紫外光により硬化されず、前記移動度を保持し、経時的に平坦化される、表示エリアおよび周辺エリアを有する表示基板。 - 前記複数の発光素子および前記第1のバリア層を封止する第1の無機封止サブ層をさらに含み、
前記第1の有機封止サブ層は、前記第1のエリア内に実質的に囲まれ、前記第1の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置する、請求項1に記載の表示基板。 - 前記ベース基板上かつ前記周辺エリア内に位置し、前記第1のエリアより大きい第2のエリアを実質的に取り囲む第2の囲いを形成する第2のバリア層をさらに含み、
前記第1の無機封止サブ層は、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層とを封止し、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第1のバリア層と前記第2のバリア層の間のエリアにおいて前記ベース基板と接する、請求項2に記載の表示基板。 - 前記第1の有機封止サブ層は、前記第2のエリア内に実質的に囲まれる、請求項3に記載の表示基板。
- 前記第2のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されるアップコンバージョン材料を含む、請求項3に記載の表示基板。
- 前記第2のバリア層の前記ベース基板に対する高さは、前記第1のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きい、請求項3に記載の表示基板。
- 前記第1のバリア層と前記第2のバリア層は、約0.5mmから約2mmの範囲の距離で互いに離間しており、
前記第1のバリア層および前記第2のバリア層の各々は、約10μmから約20μmの範囲にある横方向の厚みを有する、請求項3に記載の表示基板。 - 前記封止層は、前記第1の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層とを封止する第2の無機封止サブ層をさらに含む、請求項4から7のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記封止層は、前記第2の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記第2のエリア内に実質的に囲まれる第2の有機封止サブ層をさらに含む、請求項8に記載の表示基板。
- 前記封止層は、前記第2の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置する第3の無機封止サブ層をさらに含む、請求項9に記載の表示基板。
- 前記ベース基板上かつ前記周辺エリア内に位置するとともに、前記第2のエリアより大きい第3のエリアを実質的に取り囲む第3の囲いを形成する第3のバリア層をさらに含み、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層とを封止し、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第2のバリア層と前記第3のバリア層の間のエリアにおいて前記ベース基板と接し、
前記第2の無機封止サブ層は、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層とを封止する、請求項8に記載の表示基板。 - 前記封止層は、前記第2の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記第3のエリア内に実質的に囲まれる第2の有機封止サブ層をさらに含む、請求項11に記載の表示基板。
- 前記第3のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されるアップコンバージョン材料を含む、請求項11に記載の表示基板。
- 前記第2のバリア層の前記ベース基板に対する高さは、前記第1のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きく、
前記第3のバリア層の前記ベース基板に対する高さは、前記第2のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きい、請求項11に記載の表示基板。 - 前記封止層は、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第2の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層と、前記第2の有機封止サブ層とを封止する第3の無機封止サブ層をさらに含む、請求項12に記載の表示基板。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の表示基板を含む、表示装置。
- ベース基板上かつ表示エリア内に複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子の前記ベース基板から離れた側に、前記複数の発光素子を封止する封止層を形成する工程と、
前記ベース基板上かつ周辺エリア内に、第1のエリアを実質的に取り囲む第1の囲いを形成する第1のバリア層を形成する工程と、を含み、
前記第1のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されたアップコンバージョン材料を含む材料を用いて形成され、
前記封止層を形成する工程は、
前記ベース基板上に第1の有機封止サブ層を形成する工程を含み、
前記第1の有機封止サブ層を形成する工程は、
前記第1のエリア内に実質的に囲まれる、移動度を有する第1の有機材料層を形成することと、
前記第1の有機材料層を形成した後、入射光により前記第1のバリア層を照射し、前記第1のバリア層によって前記入射光を紫外光に変換することと、
前記第1のバリア層によって変換された前記紫外光により、前記第1の有機材料層の中央部分を硬化させることなく、前記第1の有機材料層の周辺部分を硬化させることで、前記第1の有機材料層の周辺部分が前記移動度を失うこととを含む、表示エリアおよび周辺エリアを有する表示基板の製造方法。 - 前記複数の発光素子および前記第1のバリア層を封止する第1の無機封止サブ層を形成する工程をさらに含み、
前記第1の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に前記第1の有機封止サブ層が形成される、請求項17に記載の方法。 - 前記ベース基板上かつ前記周辺エリア内に、前記第1のエリアより大きい第2のエリアを実質的に取り囲む第2の囲いを形成する第2のバリア層を形成する工程をさらに含み、
前記第1の無機封止サブ層は、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層とを封止するように形成され、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第1のバリア層と前記第2のバリア層の間のエリアにおいて前記ベース基板と接するように形成される、請求項18に記載の方法。 - 前記第1の有機封止サブ層は、前記第2のエリア内に実質的に囲まれるように形成され、
前記第1の有機封止サブ層を形成する工程は、
前記第2のエリア内に実質的に囲まれる、移動度を有する第1の有機材料層を形成することと、
前記第1の有機材料層を形成した後、入射光により前記第1のバリア層を照射し、前記第1のバリア層によって前記入射光を紫外光に変換することと、
前記第1のバリア層によって変換された前記紫外光により前記第1の有機材料層の周辺部分を硬化させることで、前記第1の有機材料層の周辺部分が前記移動度を失うこととを含む、請求項19に記載の方法。 - 前記第2のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されるアップコンバージョン材料を含む材料を用いて形成され、
前記封止層を形成する工程は、前記第1の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記第2のエリア内に実質的に囲まれるように第1の有機封止サブ層を形成する工程をさらに含み、
前記第1の有機封止サブ層を形成する工程は、
前記第2のエリア内に実質的に囲まれる、移動度を有する第1の有機材料層を形成することと、
前記第1の有機材料層を形成した後、入射光により前記第1のバリア層および前記第2のバリア層を照射し、前記第1のバリア層および前記第2のバリア層によって前記入射光を紫外光に変換することと、
前記第1のバリア層および前記第2のバリア層によって変換された前記紫外光により前記第1の有機材料層の周辺部分を硬化させることで、前記第1の有機材料層の周辺部分が前記移動度を失うこととを含む、請求項19に記載の方法。 - 前記第2のバリア層は、前記ベース基板に対する高さが、前記第1のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きくなるように形成される、請求項19に記載の方法。
- 前記第1のバリア層と前記第2のバリア層は、約0.5mmから約2mmの範囲の距離で互いに離間して形成され、
前記第1のバリア層および前記第2のバリア層の各々は、約10μmから約20μmの範囲にある横方向の厚みを有するように形成される、請求項19に記載の方法。 - 前記封止層を形成する工程は、前記第1の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層とを封止する第2の無機封止サブ層を形成する工程をさらに含む、請求項21から23のいずれか1項に記載の方法。
- 前記封止層を形成する工程は、前記第2の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記第2のエリア内に実質的に囲まれるように形成される第2の有機封止サブ層を形成する工程をさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 前記封止層を形成する工程は、前記第2の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置する第3の無機封止サブ層を形成する工程をさらに含む、請求項25に記載の方法。
- 前記ベース基板上かつ前記周辺エリア内に、前記第2のエリアより大きい第3のエリアを実質的に取り囲む第3の囲いを形成する第3のバリア層を形成することをさらに含み、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層の前記ベース基板から離れた側に形成され、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層とを封止し、
前記第1の無機封止サブ層は、前記第2のバリア層と前記第3のバリア層の間のエリアにおいて前記ベース基板と接するように形成され、
前記第2の無機封止サブ層は、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に形成され、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層とを封止する、請求項24に記載の方法。 - 前記封止層を形成する工程は、前記第2の無機封止サブ層の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記第3のエリア内に実質的に囲まれるように形成される第2の有機封止サブ層を形成する工程をさらに含み、
前記第2の有機封止サブ層を形成する工程は、
前記第3のエリア内に実質的に囲まれる、移動度を有する第2の有機材料層を形成することと、
前記第2の有機材料層を形成した後、入射光により前記第2のバリア層および前記第3のバリア層を照射し、前記第2のバリア層および前記第3のバリア層によって前記入射光を紫外光に変換することと、
前記第2のバリア層および前記第3のバリア層によって変換された前記紫外光により前記第2の有機材料層の周辺部分を硬化させることで、前記第2の有機材料層の周辺部分が前記移動度を失うこととを含む、請求項27に記載の方法。 - 前記第3のバリア層は、入射光を紫外光に変換するように構成されるアップコンバージョン材料を含む材料を用いて形成される、請求項27に記載の方法。
- 前記第2のバリア層は、前記ベース基板に対する高さが、前記第1のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きくなるように形成され、
前記第3のバリア層は、前記ベース基板に対する高さが、前記第2のバリア層の前記ベース基板に対する高さより大きくなるように形成される、請求項27に記載の方法。 - 前記封止層を形成する工程は、前記複数の発光素子と、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層と、前記第3のバリア層と、前記第1の無機封止サブ層と、前記第2の無機封止サブ層と、前記第1の有機封止サブ層と、前記第2の有機封止サブ層とを封止する第3の無機封止サブ層を形成する工程をさらに含む、請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/085061 WO2019205127A1 (en) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021528803A JP2021528803A (ja) | 2021-10-21 |
JP7387436B2 true JP7387436B2 (ja) | 2023-11-28 |
Family
ID=68294728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019544905A Active JP7387436B2 (ja) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 表示基板、表示装置および表示基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251403B2 (ja) |
EP (1) | EP3791435A4 (ja) |
JP (1) | JP7387436B2 (ja) |
KR (1) | KR102343708B1 (ja) |
CN (1) | CN110663120B (ja) |
WO (1) | WO2019205127A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114094033A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-02-25 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | Oled封装方法和oled封装结构 |
CN113838998B (zh) * | 2021-09-24 | 2024-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板,其制备方法及显示装置 |
CN114203779B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-06-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
CN114300634A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
CN114551753A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-05-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN114883377A (zh) * | 2022-05-25 | 2022-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
KR20240052296A (ko) * | 2022-10-14 | 2024-04-23 | 주성엔지니어링(주) | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104880864A (zh) | 2015-06-17 | 2015-09-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 封框胶固化装置及封装方法 |
WO2015147096A1 (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | リンテック株式会社 | シート状封止材、封止シートおよび電子デバイス封止体 |
CN107689424A (zh) | 2017-08-21 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、oled显示基板的封装方法、结构及显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102454664B1 (ko) | 2014-06-25 | 2022-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104793408A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20160140074A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN105116629A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封框胶组合物、显示面板及其制备方法、显示装置 |
KR102509079B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2023-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102663900B1 (ko) | 2016-05-26 | 2024-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법 |
CN106450029A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-02-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制作方法 |
KR102567001B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-08-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106873839B (zh) * | 2017-02-15 | 2019-09-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及触控显示装置 |
CN107180852B (zh) * | 2017-05-18 | 2019-11-15 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种触控显示面板及显示装置 |
CN107104202B (zh) | 2017-06-02 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-04-28 US US16/332,499 patent/US11251403B2/en active Active
- 2018-04-28 JP JP2019544905A patent/JP7387436B2/ja active Active
- 2018-04-28 WO PCT/CN2018/085061 patent/WO2019205127A1/en unknown
- 2018-04-28 CN CN201880000373.5A patent/CN110663120B/zh active Active
- 2018-04-28 EP EP18852791.5A patent/EP3791435A4/en active Pending
- 2018-04-28 KR KR1020207016684A patent/KR102343708B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015147096A1 (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | リンテック株式会社 | シート状封止材、封止シートおよび電子デバイス封止体 |
CN104880864A (zh) | 2015-06-17 | 2015-09-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 封框胶固化装置及封装方法 |
CN107689424A (zh) | 2017-08-21 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、oled显示基板的封装方法、结构及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021528803A (ja) | 2021-10-21 |
US11251403B2 (en) | 2022-02-15 |
US20210384471A1 (en) | 2021-12-09 |
WO2019205127A1 (en) | 2019-10-31 |
CN110663120B (zh) | 2022-12-09 |
KR102343708B1 (ko) | 2021-12-28 |
KR20200078645A (ko) | 2020-07-01 |
EP3791435A1 (en) | 2021-03-17 |
EP3791435A4 (en) | 2022-03-02 |
CN110663120A (zh) | 2020-01-07 |
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