CN107946364A - 具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，晶体管包括衬底、缓冲层、源电极、漏电极、有源层、栅介质层和栅电极；方法包括在衬底上沉积缓冲层、在缓冲层上形成源漏电极和有源层、在图形化后的有源层上沉积栅介质层和在栅介质层上形成栅电极的步骤。本发明用磁控溅射法将具有晶体结构的原材料沉积到缓冲层上，形成具有复合晶型的有源层，所述复合晶型的结构同时存在晶粒和非晶型框架，使得无机金属氧化物薄膜的载流子迁移率得到提升；同时复合晶型的无机金属氧化物薄膜具有较好的空间均匀性，使得小尺寸器件性能在大尺寸应用上较基于多晶型沟道的薄膜晶体管更加均一。本发明可以广泛应用于半导体领域。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其是具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法。
背景技术
下一代有源矩阵平板显示技术正朝着大尺寸、超高清、高帧率及外围电路全集成等方向发展。薄膜晶体管(TFT)作为显示面板的构成要素，要求其必须提供足够的电学驱动能力，即需要薄膜晶体管具备足够大的载流子迁移率。无机金属氧化物薄膜晶体管因其成本低廉、制备温度低、可见光透过率高和电学性能适中等特点，近来愈发受到关注与研究。其中，以非晶型铟镓锌氧化物(a-InGaZnO)为有源层的底栅型薄膜晶体管最具代表性。然而，由于非晶型铟镓锌氧化物材料自身微观结构与元素成分的限制，非晶型铟镓锌氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率一般在10cm2/Vs左右，载流子迁移率较低。
有研究表明，非晶型半导体材料理论上因原子的无序排列而存在载流子迁移率的上限。因此，要获得具有更高载流子迁移率的无机金属氧化物材料，其微观结构不能局限于非晶型，原子排列应更加有序。不过，对于拥有大晶粒的多晶型材料而言，虽然其载流子迁移率得到了提升，但其中随机分布的晶界却会使得小尺寸器件在大尺寸应用上的电学均匀性变差，影响系统的整体表现。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的第一目的在于：提供一种载流子迁移率高和器件均匀性好的复合晶型无机金属氧化物薄膜晶体管。
本发明的第二目的在于：提供一种载流子迁移率高和器件均匀性好的复合晶型无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法。
本发明所采用的第一种技术方案是：
具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底、缓冲层、源电极、漏电极、有源层、栅介质层和栅电极；
所述缓冲层位于衬底之上，所述源电极、漏电极和有源层位于缓冲层之上，所述有源层分别与源电极和漏电极连接，所述栅介质层位于有源层之上，所述栅电极位于栅介质层之上，所述栅电极在有源层上的投影分别与源电极和漏电极在有源层上的投影有交叠，所述有源层为复合晶型的无机金属氧化物薄膜，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架。
进一步，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜的成分为由铟、锌、锡和镓中的至少一种元素所组成的金属氧化物，所述晶粒尺寸为0.5纳米至10纳米，所述晶粒被非晶型框架包围。
进一步，还包括钝化层和若干个测试电极，所述栅电极和栅介质层被钝化层所覆盖，所述测试电极用于引出栅电极、源电极和漏电极。
进一步，所述源电极、漏电极、栅电极和测试电极为导电材料组成的电极，所述导电材料包括金属、导电金属氧化物、有机导电材料和低维导电材料中的至少一种。
进一步，所述钝化层包括二氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和有机绝缘层中的至少一种。
本发明所采用的第二种技术方案是：
具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：
在衬底上沉积缓冲层；
在缓冲层上沉积第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行图形化处理，形成源电极和漏电极；
用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层，然后将有源层图形化；
在图形化后的有源层上沉积栅介质层；
在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极；
所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架；
所述原材料中包括至少一种具有晶体结构的无机金属氧化物。
进一步，还包括以下步骤：
在栅介质层和栅电极上沉积钝化层，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔；
在接触孔中沉积测试电极。
进一步，所述在图形化后的有源层上沉积栅介质层的步骤具体包括：
使用第一次化学气相沉积法在图形化后的有源层上沉积一层二氧化硅作为第一栅介质层，所述第一次化学气相沉积法所使用的反应物为烷氧基硅烷和第一氧化性气源的组合，或者烷氧基硅烷、惰性气体和第一氧化性气源的组合；所述烷氧基硅烷为三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷或者硅酸四甲酯，所述第一氧化性气源为氧气与惰性气体的混合气体、O2、O3或者N2O；
使用第二次化学气相沉积法在第一栅介质层上沉积第二栅介质层；所述第二栅介质层为二氧化硅层、氮化硅层或者二氧化硅与氮化硅的混合层。
进一步，在所述在缓冲层上沉积第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行图形化处理，形成源电极和漏电极的步骤，和用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层，然后将有源层图形化的步骤之间，还设有第一次退火的步骤；
在所述在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极的步骤，和在栅介质层和栅电极上沉积钝化层，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔的步骤之间，还设有第二次退火的步骤；
在所述在接触孔中沉积测试电极的步骤之后，还设有第三次退火的步骤；
所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火时间为0.5至5小时，所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火温度为100℃至400℃，所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火气氛为氧气与惰性气体的混合气体、氧气或者空气。
进一步，所述磁控溅射法的反应温度为23℃至400℃，所述磁控溅射法的反应气氛为氧气和氩气的混合气体。
本发明晶体管的有益效果是：包括衬底、缓冲层、源电极、漏电极、有源层、栅介质层、栅电极、钝化层和测试电极，其中，有源层为复合晶型的无机金属氧化物薄膜，在复合晶型的无机金属氧化物薄膜的结构中存在晶粒和非晶型框架，由于晶粒的存在使得复合晶型的无机金属氧化物薄膜的原子排序更加有序，从而使本发明复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管有源层的载流子迁移率得到提升；由于晶粒和非晶型框架的同时存在，使得复合晶型的无机金属氧化物薄膜的结构相对于低温多晶硅薄膜及多晶结构的无机金属氧化物薄膜具有更好的空间均匀性，从而使得本发明的复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管相对于低温多晶硅薄膜晶体管及多晶结构的无机金属氧化物薄膜晶体管具有更均一的电学性能。
本发明方法的有益效果是：包括用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层的步骤，将至少有一种成分具有晶体结构的原材料沉积到缓冲层上，形成一种复合晶型的无机金属氧化物薄膜作为有源层，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜的结构中存在晶粒和非晶型框架，由于晶粒的存在使得复合晶型的无机金属氧化物薄膜的原子排序更加有序，从而使得复合晶型的无机金属氧化物薄膜的载流子迁移率得到提升，进而使本发明方法制造的复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管载流子迁移率得到提升；由于晶粒和非晶型框架的同时存在，使得复合晶型的无机金属氧化物薄膜的结构相对于低温多晶硅薄膜及多晶结构的无机金属氧化物薄膜具有更好的空间均匀性，从而使得本发明方法制造的复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管相对于低温多晶硅薄膜晶体管及多晶结构的无机金属氧化物薄膜晶体管具有更均一的电学性能。
附图说明
图1为本发明实施例1的一种基于复合晶型铟锡锌氧化物有源层的顶栅结构薄膜晶体管的横截面示意图；
图2为本发明实施例2在衬底上形成缓冲层后晶体管的横截面示意图；
图3为本发明实施例2沉积源漏电极并图形化后晶体管的横截面示意图；
图4为本发明实施例2沉积有源层并图形化后晶体管的横截面示意图；
图5为本发明实施例2沉积栅介质层前半部分后晶体管的横截面示意图；
图6为本发明实施例2沉积栅介质层后半部分后晶体管的横截面示意图；
图7为本发明实施例2沉积栅电极并图形化后晶体管的横截面示意图；
图8为本发明实施例2沉积钝化层后晶体管的横截面示意图；
图9为本发明实施例2的一种复合晶型铟锡锌氧化物薄膜的X射线衍射图谱；
图10为本发明实施例2的一种复合晶型铟锡锌氧化物薄膜的高分辨透射电子显微镜图像；
图11为本发明实施例2所制造的长沟道薄膜晶体管的转移特性曲线图；
图12为本发明实施例2所制造的短沟道薄膜晶体管的转移特性曲线图；
图13为本发明实施例2所制造的长沟道薄膜晶体管在施加正栅极偏压应力后的转移特性曲线；
图14为本发明实施例2所制造的长沟道薄膜晶体管在施加负栅极偏压应力后的转移特性曲线。
具体实施方式
参照图1，具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，包括衬底201、缓冲层202、源电极203、漏电极204、有源层205、栅介质层(包括第一栅介质层206和第二栅介质层207)和栅电极208；
所述缓冲层202位于衬底201之上，所述源电极203、漏电极204和有源层205位于缓冲层202之上，所述有源层205分别与源电极203和漏电极204连接，所述栅介质层位于有源层205之上，所述栅电极208位于栅介质层之上，所述栅电极208在有源层205上的投影分别与源电极203和漏电极204在有源层205上的投影有交叠，所述有源层205为复合晶型的无机金属氧化物薄膜，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架。
进一步作为优选的实施方式，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜的成分为由铟、锌、锡和镓中的至少一种元素所组成的金属氧化物，所述晶粒尺寸为0.5纳米至10纳米，所述晶粒被非晶型框架包围。
进一步作为优选的实施方式，还包括钝化层209和若干个测试电极210，所述栅电极208和栅介质层被钝化层209所覆盖，所述测试电极210用于引出栅电极208、源电极203和漏电极204。
进一步作为优选的实施方式，所述源电极203、漏电极204、栅电极208和测试电极210为导电材料组成的电极，所述导电材料包括金属、导电金属氧化物、有机导电材料(PEDOT:PSS等)和低维导电材料中的至少一种。
进一步作为优选的实施方式，所述钝化层209包括二氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和有机绝缘层中的至少一种。
参照图1至图8，具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：
在衬底201上沉积缓冲层202；
在缓冲层202上沉积第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行图形化处理，形成源电极203和漏电极204；
用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层202上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层205，然后将有源层205图形化；
在图形化后的有源层205上沉积栅介质层；
在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极208；
所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架；
所述原材料中包括至少一种具有晶体结构的无机金属氧化物。
进一步作为优选的实施方式，还包括以下步骤：
在栅介质层和栅电极208上沉积钝化层209，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔；
在接触孔中沉积测试电极210。
参照图5和图6，进一步作为优选的实施方式，所述在图形化后的有源层上沉积栅介质层的步骤具体包括：
使用第一次化学气相沉积法在图形化后的有源层上沉积一层二氧化硅作为第一栅介质层206，所述第一次化学气相沉积法所使用的反应物为烷氧基硅烷和第一氧化性气源的组合，或者烷氧基硅烷、惰性气体和第一氧化性气源的组合；所述烷氧基硅烷为三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷或者硅酸四甲酯，所述第一氧化性气源为氧气与惰性气体的混合气体、O2、O3或者N2O；
使用第二次化学气相沉积法在第一栅介质层206上沉积第二栅介质层207；所述第二栅介质层207为二氧化硅层、氮化硅层或者二氧化硅与氮化硅的混合层。
进一步作为优选的实施方式，在所述在缓冲层上沉积第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行图形化处理，形成源电极和漏电极的步骤，和用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层，然后将有源层图形化的步骤之间，还设有第一次退火的步骤；
在所述在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极的步骤，和在栅介质层和栅电极上沉积钝化层，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔的步骤之间，还设有第二次退火的步骤；
在所述在接触孔中沉积测试电极的步骤之后，还设有第三次退火的步骤；
所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火时间为0.5至5小时，所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火温度为100℃至400℃，所述第一次退火、第二次退火和第三次退火的退火气氛为氧气与惰性气体的混合气体、氧气或者空气。
进一步作为优选的实施方式，所述磁控溅射法的反应温度为23℃至400℃，所述磁控溅射法的反应气氛为氧气和氩气的混合气体。
下面结合附图和具体的实施例对本发明进行进一步的说明。
实施例1
参照图1，一种复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜晶体管，包括衬底201、缓冲层202、源电极203、漏电极204、有源层205、栅介质层、栅电极208、钝化层209和测试电极210；
所述缓冲层202位于衬底201之上，所述源电极203、漏电极204和有源层205位于缓冲层202之上，所述有源层205设在源电极203和漏电极204之间并且分别与源电极203和漏电极204连接(其中有源层205的覆盖了源电极203和漏电极204的一部分)，所述栅介质层位于有源层205之上，所述栅电极208位于栅介质层之上，所述栅电极208在有源层205上的投影分别与源电极203和漏电极204在有源层205上的投影有交叠，所述钝化层209覆盖在栅电极208和栅介质层之上，所述测试电极210的数量为三个，三个所述的测试电极210通过不同的接触孔分别与源电极203、漏电极204和栅电极208连接，所述有源层205为复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜，所述复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜的结构中存在晶粒和非晶型框架。所述晶粒的粒径为0.5纳米至10纳米，所述晶粒被非晶型框架包围。
所述源电极203、漏电极204、栅电极208和测试电极210为导电材料组成的电极，所述导电材料为金属(铝、钛和钼等)、导电金属氧化物(ITO和FTO等)、有机导电材料(PEDOT:PSS等)和低维导电材料(石墨烯等)中的至少一种，例如可以采用纯金属铝作为电极，亦可以采用金属铝和导电金属氧化物(如ITO和FTO等导电金属氧化物)的混合层作为电极。
所述钝化层209可以是二氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层、PET层、PI层或者光刻胶层之中任一种。
所述衬底201可以是硅衬底、玻璃衬底或者柔性材料衬底(例如塑料衬底)，所述缓冲层202可以是二氧化硅层、氮化硅层或者氧化硅和氮化硅的组合层。
所述有源层205为具有复合晶型的铟锌氧化物、锡锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物或者氟掺杂锡锌氧化物。
所述栅介质层包括第一栅介质层206和第二栅介质层207。
本实施例的复合晶型无机金属氧化物薄膜晶体管，采用了复合晶型的无机金属氧化物薄膜作为有源层，具备较高的载流子迁移率，能够满足新一代TFT薄膜晶体管的驱动要求；由于复合型无机金属氧化物薄膜中晶粒和非晶型框架的同时存在，并且晶粒的粒径与TFT有源层尺寸相差较大，使得小尺寸晶体管在大尺寸应用上仍能保持较好的空间均匀性，从而使得晶体管应用在大尺寸面板上时获得均匀的电学特性；同时本实施例采用复合晶型的无机金属氧化物薄膜作为有源层，使得晶体管具有较低的亚阈值摆幅，较高的开关电流比；本实施例采用顶栅结构，因此还具备寄生电容小和等比例缩小能力强的优点。
实施例2
参照图1至图8，一种复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：
B1、使用等离子体增强化学气相沉积法在衬底201上沉积一层二氧化硅作为缓冲层202，如图2所示；
B2、使用直流磁控溅射法在缓冲层202上沉积一层氧化铟锡薄膜(第一导电薄膜)，并对氧化铟锡薄膜进行图形化处理(如使用光刻和刻蚀、或者lift-off等工艺)，使氧化铟锡薄膜图形化，形成源电极203和漏电极204，如图3所示；
B3、使用管式炉在300℃的氧气气氛下退火一小时，可以提升氧化铟锡电极的质量和导电性能；
B4、在缓冲层202、源电极203和漏电极204之上，使用磁控溅射法沉积一层厚度为50纳米的复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜，并对铟锡锌氧化物薄膜进行光刻和刻蚀，形成一个岛状的有源层205，如图4所示。所述磁控溅射法采用双靶材，采用直流电源磁控溅射多晶氧化铟锡靶材(In2O3:SnO2＝90:10wt％)的同时，采用射频电源溅射多晶氧化锌靶材。其中，直流电源加载在多晶氧化铟锡把才上的功率密度为5.4W/cm2，射频电源加载在多晶氧化锌靶材上的功率密度为7.4W/cm2，磁控溅射持续7分钟。
B5、使用等离子体增强化学气相沉积法在有源层205的上方，沉积厚度为100纳米的二氧化硅层，作为薄膜晶体管的第一栅介质层206，如图5所示；反应时使用的气源为氩气承载的正硅酸乙酯、一氧化二氮和氧气的混合气体，反应温度为300℃，射频功率为30W，反应气压为220mTorr。反应气源也可以采用其他烷氧基硅烷和氧化性气体，例如硅酸四甲酯、一氧化二氮和氧气的混合气体。
B6、使用等离子体增强化学气相沉积法在第一栅介质层206上方，沉积厚度为50纳米的二氧化硅层，作为薄膜晶体管的第二栅介质层207，如图6所示；反应时使用的气源为硅烷、一氧化二氮和氮气，反应温度为300℃，射频功率为60W，反应气压为900mTorr。
B7、使用直流磁控溅射法在第二栅介质层207上方，沉积一层氧化铟锡薄膜(第二导电薄膜)，并通过图形化处理，使第二栅介质层207上方的氧化铟锡薄膜形成栅电极208，如图7所示；
B8、在烘箱中进行退火，退火时间2小时，退火气氛为空气，退火温度为300℃；
B9、使用等离子体增强化学气相沉积法在第二栅介质层207和栅电极208之上，沉积二氧化硅作为钝化层209，如图8所示，所述钝化层的厚度为300纳米。
B10、通过对晶体管进行光刻和刻蚀，形成源极、漏极和栅极的接触孔，再使用磁控溅射法在钝化层表面沉积一层氧化铟锡薄膜(氧化铟锡会同时沉积到步骤B9中形成的三个接触孔中)，对在钝化层表面的氧化铟锡薄膜进行图形化处理，形成测试电极210，如图1所示。
B11、将形成测试电极210后的薄膜晶体管放置在300℃的烘箱中退火1小时，退火气氛为空气(亦可以采用氧气与惰性气体的混合气体进行，所述惰性气体包括但不限于氦气、氩气和氖气)。
对于本实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
在完成步骤B4后，对生成的无机金属氧化物薄膜进行X射线衍射，以及采用高分辨透射电子显微镜观察，X射线衍射结果如图9所示，X射线衍射谱线在衍射角33.8°附近出现衍射峰，排除衬底的影响，说明沉积在衬底表面的铟锡锌氧化物薄膜中存在晶体结构。高分辨透射电子显微镜放大的结果如图10所示，图10进一步表明该铟锡锌氧化物薄膜中不仅拥有纳米尺度的晶粒，还有非晶型成分。其中，晶粒被非晶型材料构成的主体框架所包围。据此，本发明将具有上述特征的微观结构称之为“复合晶型”，在复合晶型中原子有序程度应介于非晶型和多晶型材料之间。
从图11和图12中可以看出，本实施例制造出的复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜晶体管(包括长沟道和短沟道的薄膜晶体管)，具有优秀的电学性能，而且短沟道的薄膜晶体管没有明显的短沟道效应。通过图11和图12可以得出，器件的场效应载流子迁移率大于20cm2/Vs，亚阈值摆幅低于0.15V/decade，从而说明了复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜的载流子迁移率较高，缺陷态较少。而且同基于正硅酸乙酯等有机源利用等离子体增强化学气相沉积的二氧化硅层之间具有极高质量的界面。此外，本实施例所制造的复合晶型的铟锡锌氧化物薄膜晶体管的正栅极偏压应力测试和负栅极偏压应力测试的结果分别如图13和图14所示，经过一万秒测试后，器件并无发生明显的退化现象，说明器件稳定性也很好。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底、缓冲层、源电极、漏电极、有源层、栅介质层和栅电极；
所述缓冲层位于衬底之上，所述源电极、漏电极和有源层位于缓冲层之上，所述有源层分别与源电极和漏电极连接，所述栅介质层位于有源层之上，所述栅电极位于栅介质层之上，所述栅电极在有源层上的投影分别与源电极和漏电极在有源层上的投影有交叠，所述有源层为复合晶型的无机金属氧化物薄膜，所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架。
2.根据权利要求1所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜的成分为由铟、锌、锡和镓中的至少一种元素所组成的金属氧化物，所述晶粒尺寸为0.5纳米至10纳米，所述晶粒被非晶型框架包围。
3.根据权利要求1所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：还包括钝化层和若干个测试电极，所述栅电极和栅介质层被钝化层所覆盖，所述测试电极用于引出栅电极、源电极和漏电极。
4.根据权利要求3所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述源电极、漏电极、栅电极和测试电极为导电材料组成的电极，所述导电材料包括金属、导电金属氧化物、有机导电材料和低维导电材料中的至少一种。
5.根据权利要求3或4所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述钝化层包括二氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和有机绝缘层中的至少一种。
6.具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上沉积缓冲层；
在缓冲层上沉积第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行图形化处理，形成源电极和漏电极；
用磁控溅射法或者蒸发法将原材料沉积在缓冲层上，形成一层无机金属氧化物薄膜作为有源层，然后将有源层图形化；
在图形化后的有源层上沉积栅介质层；
在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极；
所述复合晶型的无机金属氧化物薄膜包括晶粒和非晶型框架；
所述原材料中包括至少一种具有晶体结构的无机金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在栅介质层和栅电极上沉积钝化层，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔；
在接触孔中沉积测试电极。
8.根据权利要求6所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述在图形化后的有源层上沉积栅介质层的步骤具体包括：
使用第一次化学气相沉积法在图形化后的有源层上沉积一层二氧化硅作为第一栅介质层，所述第一次化学气相沉积法所使用的反应物为烷氧基硅烷和第一氧化性气源的组合，或者烷氧基硅烷、惰性气体和第一氧化性气源的组合；所述烷氧基硅烷为三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷或者硅酸四甲酯，所述第一氧化性气源为氧气与惰性气体的混合气体、O2、O3或者N2O。
9.根据权利要求7所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：在所述在栅介质层上沉积第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行图形化处理，形成栅电极的步骤，和在栅介质层和栅电极上沉积钝化层，并进行光刻和刻蚀，形成源电极、漏电极和栅电极的接触孔的步骤之间，还设有退火的步骤；所述退火的时间为0.5至5小时，所述退火温度为100℃至400℃，所述退火的气氛为氧气与惰性气体的混合气体、氧气或者空气。
10.根据权利要求6-9任一项所述的具有复合晶型的无机金属氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的反应温度为23℃至400℃，所述磁控溅射法的反应气氛为氧气和氩气的混合气体。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109119427A (zh) * | 2018-07-02 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板的制作方法及背沟道蚀刻型tft基板 |
| CN110867491A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-03-06 | 华南理工大学 | 垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法 |
| WO2021102711A1 (zh) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法与薄膜晶体管阵列 |
| CN113223968A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-06 | 华南理工大学 | 原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管 |
| CN113594183A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-02 | 上海大学 | 一种立体式双有源层氧化物薄膜晶体管及其应用 |
| WO2021259016A1 (zh) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其测试方法、制备方法、显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020066931A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-06 | Takuo Tamura | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| CN1685474A (zh) * | 2002-08-19 | 2005-10-19 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构 |
| CN102484139A (zh) * | 2009-10-08 | 2012-05-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体层及半导体装置 |
-
2017
- 2017-10-24 CN CN201711000066.0A patent/CN107946364A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020066931A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-06 | Takuo Tamura | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| CN1685474A (zh) * | 2002-08-19 | 2005-10-19 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区域的结构 |
| CN102484139A (zh) * | 2009-10-08 | 2012-05-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体层及半导体装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109119427A (zh) * | 2018-07-02 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板的制作方法及背沟道蚀刻型tft基板 |
| WO2020006945A1 (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板的制作方法及背沟道蚀刻型tft基板 |
| CN109119427B (zh) * | 2018-07-02 | 2020-07-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板的制作方法及背沟道蚀刻型tft基板 |
| CN110867491A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-03-06 | 华南理工大学 | 垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法 |
| WO2021073193A1 (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 华南理工大学 | 垂直结构的复合晶型金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法 |
| WO2021102711A1 (zh) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法与薄膜晶体管阵列 |
| WO2021259016A1 (zh) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其测试方法、制备方法、显示面板 |
| CN113223968A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-06 | 华南理工大学 | 原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管 |
| CN113594183A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-02 | 上海大学 | 一种立体式双有源层氧化物薄膜晶体管及其应用 |
| CN113594183B (zh) * | 2021-07-27 | 2023-09-22 | 上海大学 | 一种立体式双有源层氧化物薄膜晶体管及其应用 |
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