CN107945728A - 一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置,涉及显示产品的技术领域。其中,显示基板包括:显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域;所述显示基板在所述非显示区域包括:位于衬底基板上的栅极驱动电路以及信号走线;所述栅极驱动电路与所述信号走线绝缘设置,且所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。在本发明的显示基板中,位于显示基板非显示区域内的栅极驱动电路和信号走线交叠设置,从而减小两者占用非显示区域的面积,进而腾出更多空间用作显示区域。因此显示基板应用到显示装置时,可提高显示装置的屏占比,使用户能够获得更好的观看效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示产品的技术领域,特别是指一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置。
背景技术
引入窄边框技术,提高显示产品的屏占比,是目前显示产品的重要发展趋势。
传统显示装置的非显示区域(即边框区域)主要用于布置栅极驱动电路和一些电极的信号总线;此外,有些显示装置的封装结构也会占用边框,因此目前的显示装置的非显示区域所设计的最小极限宽度大约为0.6mm~0.7mm,尚不能满足显示产品的窄边框要求。
有鉴于此,当前亟需一种减小显示产品边框面积的技术方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置,能够提高显示装置的屏占比。
为实现上述目的,一方面,本发明的实施例提供一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域,所述显示基板在所述非显示区域包括:位于衬底基板上的栅极驱动电路以及信号走线,其特征在于,所述栅极驱动电路与所述信号走线绝缘设置,且所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
其中,所述信号走线在所述衬底基板上的正投影完全落入所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影内。
其中,所述信号走线为阳极信号总线。
其中,所述栅极驱动电路与所述信号走线之间间隔有绝缘层,所述绝缘层由无机材料和/或有机材料形成。
其中,所述绝缘层至少包括:由无机材料形成的第一图层和由有机材料形成的第二图层,所述第一图层和所述第二图层层叠设置。
其中,所述无机材料包括:二氧化硅。
其中,所述绝缘层的厚度大于或等于3000埃。
其中,所述衬底基板的显示区域与所述衬底基板的边缘之间的间距小于或等于0.5mm。
另一方面,本发明的实施例还提供一种显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的非显示区域依次形成栅极驱动电路以及信号走线;所述栅极驱动电路与所述信号走线绝缘设置,且所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
此外,本发明的实施例还提供一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示基板。
本发明的上述方案具有如下有益效果:
在本发明的显示基板中,位于显示基板非显示区域内的栅极驱动电路和信号走线叠设置,从而减小两者占用非显示区域的面积,进而腾出更多空间用作显示区域。因此显示基板应用到显示装置时,可提高显示装置的屏占比,使用户能够获得更好的观看效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示基板在实际应用中的具体结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。在下面的描述中,提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面理解本发明的实施例。因此,本领域技术人员应该清楚,可以对这里描述的实施例进行各种改变和修改而不脱离本发明的范围和精神。另外,为了清楚和简洁,省略了对已知功能和构造的描述。
应理解,说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外,这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
在本发明的各种实施例中,应理解,下述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
目前手机等显示装置内部结构排布由外向内依次是可视区域(VA,ViewingArea),有效显示区域(AA,Active Area),VA和AA之间是黑边,即BM(Black Matrix)区域。全面屏的实现,需要最大程度减少BM区域的宽度,从而实现窄边框,以提升屏占比。
BM区域边框区域主要设置栅极驱动电路(GOA)、VSS信号总线(即阳极信号总线)、TFE封装结构以及屏幕金属边框等。其中栅极驱动电路,VSS信号总线均为Array工艺的BP电路设计。因为栅极驱动电路,VSS信号总线均为金属层制作,以并列方式摆放,因此大大占用了边框的空间。
本发明针对现有显示装置的边框尺寸过大,而导致屏占比较低的问题,提供一种解决方案。
一方面,本发明的实施例提供一种显示基板,如图1所示,包括:显示区域A和位于显示区域A周边的非显示区域B(即边框区域);
本实施例的显示基板在非显示区域B包括:
位于衬底基板11上的栅极驱动电路12以及信号走线13;
其中,栅极驱动电路12与信号走线13之间相互绝缘设置,且栅极驱动电路12在衬底基板上11的正投影C与信号走线13在衬底基板11上的正投影D至少部分重合。
在本实施例的显示基板中,位于显示基板非显示区域内的栅极驱动电路和信号走线叠设置,从而减小两者占用非显示区域的面积,进而腾出更多空间用作显示区域,在应用到显示装置时,可提高显示装置的屏占比,使用户能够获得更好的观看效果。
当然,在本实施例中,栅极驱动电路12也可以位于信号走线13的图层的上方,此外,栅极驱动电路12与信号走线13之间可以部分重叠,由于这些变化的原理相同,因此本文不在举例赘述。
作为优选方案,信号走线13在衬底基板11上的正投影D完全落入栅极驱动电路12在衬底基板11上的正投影内C。即,本实施例的信号走线13不再额外占用非显示区,减小对非显示区域的面积要求。
在上述基础之上,本实施例的显示基板还可以进一步包括:
设置在栅极驱动电路12与信号走线13之间的绝缘层14,该绝缘层14将栅极驱动电路12和信号走线13绝缘相隔,用于防止栅极驱动电路12与信号走线13之间产生信号干扰。
在实际应用中,本实施例的绝缘层14可以由无机材料形成,也可以由有机材料形成,或者由无机材料形和有机材料形复合而成。
以绝缘层14由无机材料形成为例,无机材料形可以包括:二氧化硅。
以绝缘层14由无机材料形和有机材料形复合而成为例,绝缘层14至少包括:由无机材料形成的第一图层和由有机材料形成的第二图层,其中,第一图层和第二图层层叠设置。
在实际应用中,第一图层和/或第二图层的数量并不限于一个,作为优选方案,第一图层和第二图层之间交替层叠设置。
进一步地,为了使绝缘层14能够有效屏蔽栅极驱动电路12与信号走线13之间的信号干扰,本实施例绝缘层14的厚度应大于或等于3000埃。
这里需要基于说明的是,在实施例中,栅极驱动电路12与信号走线13之间并不限于只间隔绝缘层14,下面结合实际应用对本实施例的显示基板进行详细介绍。
示例性地,本实施例的上述信号走线13具体为显示基板的阳极信号总线。如图2所示,在非显示区域,本实施例的显示基板具体包括:
衬底基板21;
形成在衬底基板21上的层间介质22,该层间介质22作为基材,形成材料包括:BPSG(硼磷硅玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、Polymers(高分子材料)、Si3N4(氮化硅)及Aerogels(气凝胶)等。
形成在层间介质22上的栅极驱动电路23;
覆盖栅极驱动电路23的绝缘层24,该绝缘层24可以为平坦化的图层结构;
形成在绝缘层24上的阳极信号总线25,该阳极信号总线25为钛/铝/钛的复合结构,并通过缘层24与栅极驱动电路23绝缘相隔;
与阳极信号总线25连接的阳极图形26,该阳极图形26用于加载阳极信号总线25上的驱动信号;
形成在阳极图形26的图层上方的阴极图形27;
用于支撑结构的隔垫物28,该隔垫物可以由感光树脂材料形成;
用于封装显示基板的封装结构29,起到阻隔水氧的作用。在实际应用中,封装结构29为复合图层结构,包括依次层叠设置的无机材料层、有机材料层和无机材料层,其中,无机材料层用于隔绝水氧并具有一定的耐热性,有机材料层用于提高封装结构29的整体柔韧性。
以上是对本实施例的显示基板的示例性行介绍,需要说明的是,本实施例显示基板的信号走线并不限于是阳极信号总线,但凡是设置在非显示区域的信号走线都可以与栅极驱动电路层叠设置,从而减小占用非显示区的面积。
基于本实施例的方案,参考图2,在实际应用中,衬底基21的显示区域与衬底基板21的边缘之间的间距h可以达到小于或等于0.5mm的级别,这是现有显示基板所不能实现的间距。
由此可见,本实施例的显示基板的非显示区域得到明显的缩小,在应用到显示装置时,可使显示装置实现更高的屏占比,对于用户体验来讲,具有较高的实用价值。
此外,本发明的另一实施例还提供一种显示装置,包括本发明上一实施例所提供的显示基板。基于该显示基板,本实施例显示装置的边框区域得到了有效地缩减,从而具有更高的屏占比,可提高用户的观看体验。
在实际应用中,本实施例的显示装置可以是手机、PDA、电视、显示器等显示产品。
此外,本发明的实施例还提供一种上述显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在衬底基板的非显示区域依次形成栅极驱动电路以及信号走线;
其中,栅极驱动电路与信号走线绝缘设置,且栅极驱动电路在衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
显然本实施例的制作方法用于制作本发明上一实施例的显示基板,因此该显示基板所能实现的技术效果,本实施例的制作方法同样也能够实现。
下面结合实际应用,对本实施例的制作方法进行详细介绍。
具体地,本实施应用中的制作方法包括如下步骤:
步骤S1,提供一衬底基板;
其中,衬底基板可为玻璃基板或石英基板。
步骤S2,在衬底基板上制作栅极驱动电路;
具体地,可以本步骤可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的金属层,金属层可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金。金属层可以是单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。之后,在金属层上涂覆一层光刻胶,采用掩膜板对光刻胶进行曝光,使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶保留区域对应于栅极驱动电路的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的金属层,剥离剩余的光刻胶,形成栅极驱动电路。
步骤S3,沉积覆盖栅极驱动电路的绝缘层;
具体地,本步骤可以采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度大于3000埃的绝缘层,绝缘层可以选用无机材料和/或有机材料;其中,无机材料可以是SiNx,SiOx或Si(ON)x,优选为SiO2。若绝缘层选用无机材料和有机材料复合而成,则可以包括由无机材料形成的第一图层和由有机材料形成的第二图层,其中第一图层和第二图层层叠设置。
步骤S4,在绝缘层上形成信号走线,该信号走线在衬底基板上的正投影与信号走线在衬底基板上的正投影至少部分重合。
具体地,本步骤可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的金属层,金属层可以是Mo。金属层可以是单层结构或者多层结构,多层结构比如Ti\Al\Ti等。以信号走线为阳极信号总线为例,则其结构优选为Ti\Al\Ti。之后,在金属层上涂覆一层光刻胶,采用掩膜板对光刻胶进行曝光,使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶保留区域对应于信号走线的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的金属层,剥离剩余的光刻胶,形成信号走线。
以上是对本实施例的制作方法的示例介绍,并不限制本发明的保护范围。例如,作为本实施例可以在步骤S2之前,进一步在衬底基板上形成层间介质;此外,本实施例也可以先制作信号走线,再依次形成绝缘层和栅极驱动电路,即栅极驱动电路位于信号走线的上方。
此外,本实施例的制作方法可以具体用于制作AMOLED显示基板,信号走线可以但不限于包括AMOLED显示基板的阳极信号总线,在步骤S4之后,还可以后续形成阳极图形和阴极图形。因为本实施例是将信号走线形成在栅极驱动电路正上方,所以非显示区域得到有效减小,从而减少了边框区域的占比。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的非显示区域,其特征在于,所述显示基板在所述非显示区域包括:位于衬底基板上的栅极驱动电路以及信号走线,其特征在于,所述栅极驱动电路与所述信号走线绝缘设置,且所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述信号走线在所述衬底基板上的正投影完全落入所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述信号走线为阳极信号总线。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述栅极驱动电路与所述信号走线之间间隔有绝缘层,所述绝缘层由无机材料和/或有机材料形成。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,
所述绝缘层至少包括:由无机材料形成的第一图层和由有机材料形成的第二图层,所述第一图层和所述第二图层层叠设置。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,
所述无机材料包括:二氧化硅。
7.根据权利要求4-6所述的显示基板,其特征在于,
所述绝缘层的厚度大于或等于3000埃。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述衬底基板的显示区域与所述衬底基板的边缘之间的间距小于或等于0.5mm。
9.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的非显示区域依次形成栅极驱动电路以及信号走线;所述栅极驱动电路与所述信号走线绝缘设置,且所述栅极驱动电路在所述衬底基板上的正投影与所述信号走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的显示基板。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110473896A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN112837628A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-05-25 | 维沃移动通信有限公司 | 显示装置和电子设备 |
WO2021232238A1 (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN115662330A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-31 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101097868A (zh) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 |
CN101106142A (zh) * | 2006-06-09 | 2008-01-16 | 三星电子株式会社 | 具有可着色有机层的显示基板及其制造方法和显示装置 |
CN102931211A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN105807523A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置 |
CN107204374A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 |
CN107219660A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN207833884U (zh) * | 2017-12-15 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014014039A1 (en) * | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
-
2017
- 2017-12-15 CN CN201711350656.6A patent/CN107945728A/zh active Pending
-
2018
- 2018-06-29 US US16/023,522 patent/US10622433B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101106142A (zh) * | 2006-06-09 | 2008-01-16 | 三星电子株式会社 | 具有可着色有机层的显示基板及其制造方法和显示装置 |
CN101097868A (zh) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 |
CN102931211A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN105807523A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置 |
CN107204374A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法 |
CN107219660A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN207833884U (zh) * | 2017-12-15 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及显示装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110473896A (zh) * | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
WO2021232238A1 (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN114207829A (zh) * | 2020-05-19 | 2022-03-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN114207829B (zh) * | 2020-05-19 | 2023-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
US12016219B2 (en) | 2020-05-19 | 2024-06-18 | Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device |
CN112837628A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-05-25 | 维沃移动通信有限公司 | 显示装置和电子设备 |
CN115662330A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-31 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Also Published As
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