CN107937886A - 化学气相沉积设备及成膜方法 - Google Patents

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

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Abstract

本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源。所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内。所述第一电极连接射频电源。所述第二电极接地；所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间。所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体。所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。还提供一种使用该化学气相沉积设备的成膜方法。

Description

化学气相沉积设备及成膜方法
技术领域
本发明涉及一种化学气相沉积设备及使用该化学气相沉积设备的成膜方法。
背景技术
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺因其成膜效率高、成膜质量好等优点，已成为薄膜沉积技术的重要工艺。CVD工艺的工作原理大致是：相互平行相对的两块电极板置于真空环境中，其中一块电极板接射频(Radio Frequency,RF)电源，另一块电极板接地。使两块电极板之间产生射频电场，将需要成膜的基板放置于两块电极板间，待成膜工艺气体进入两块电极板之间，在射频电场的作用下被激发成为等离子体。等离子体吸附在基板表面或者和基板表面发生反应从而在基板表面形成薄膜。
然而，受离子密度和气流的影响，现有CVD工艺成膜时，中间区域和四周区域成膜速率存在差异，会导致成膜均匀性不佳，是该工艺需改善的一大难题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种成膜较均匀的化学气相沉积设备。
为实现上述目的，本发明提供一种化学气相沉积设备，包括：腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源；所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内；所述第一电极连接射频电源；所述第二电极接地；所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体；所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。
可选的，所述第一电极包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面面对所述沉积基板，所述第一表面呈中间区域上凹，四周上翘的形状，从而形成所述非平面结构。
可选的，所述第一表面的中间部分具有第一凹陷部，所述第一凹陷部呈
朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形状，所述第一表面的两端分别具有
一第二凹陷部，所述第二凹陷部呈朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形
状，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部间隔设置。
可选的，所述第二凹陷部凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部凹陷的深度小。
可选的，还包括主轴，所述主轴设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，用于支撑所述第二电极。
可选的，所述第一电极板开设有多个通孔，待成膜工艺气体自所述通孔流至所述第一电极和所述第二电极之间，以形成均匀的等离子体。
本发明还提供一种上述化学气相沉积设备的成膜方法，该成膜方法包括步骤：
通过所述抽气管将所述腔体内空气抽掉以使所述腔体处于真空状态；
打开所述射频电源，使所述第一电极和所述第二电极之间产生射频电场；
使所述待成膜工艺气体进入所述腔体。
本发明还提供一种化学气相沉积设备，包括：腔体、第一电极、第二电极、遮蔽体、沉积基板、承载单元、进气口、抽气管和射频电源；所述腔体将所述第一电极、所述第二电极、所述遮蔽体、所述沉积基板、所述承载单元收容其中；所述第一电极和所述第二电极平行对立地设置于所述遮蔽体内，所述第一电极连接所述射频电源，所述第二电极接地；所述第一电极和所述第二电极之间形成气流通道；所述遮蔽体开设有一开口，所述开口与所述气流通道连通；所述沉积基板与所述开口正对设置；所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体；所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。
可选的，所述第一电极的一侧远离所述开口的一端，朝远离所述第二电极的方向凹陷，从而形成至少一凹陷部。
可选的，所述第二凹陷部凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部凹陷的深度小。
本发明所提供的化学气相沉积设备的第一电极邻近第二电极的一侧为非平面结构，能够改善由于等离子密度和气流密度在第一电极表面各处有差异，而造成的成膜均匀性不佳的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明提供的一较佳实施方式的化学气相沉积设备的结构示意图；
图2为本发明提供的另一较佳实施方式的化学气相沉积设备的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
主要元件符号说明：
化学气相沉积设备 100,200
腔体 110,210
第一电极 120,220
通孔 121
第一表面 122
凹陷部 221
第一凹陷部 1221
第二凹陷部 1222
第二表面 123
第二电极 130,230
气流通道 240
主轴 140
沉积基板 150,250
承载单元 251
进气口 160,260
喷嘴结构 261
抽气管 170,270
射频电源 180,280
遮蔽体 290
开口 291
真空泵 VP
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1，图1为本发明提供的一较佳实施方式的化学气相沉积设备100(Chemical Vapor Deposition，CVD)的结构示意图。可以理解，图1仅为方便理解所述化学气相沉积设备100的结构示意图，该化学气相沉积设备100实际结构要复杂和精细得多。所述化学气相沉积设备100包括腔体110、第一电极120、第二电极130、主轴140、沉积基板150、进气口160、抽气管170和连接射频电源180。
所述第一电极120和所述第二电极130平行相对设置于所述腔体110内，所述第一电极120连接射频电源180。所述第二电极130接地。
所述第二电极130远离所述第一电极120的一侧连接所述主轴140的一端，所述主轴140的另一端伸出所述腔体110之外。所述主轴140用于支撑所述第二电极130板，所述主轴140还可带动第二电极130板上下移动。所述主轴140可为升降气缸。所述主轴140外围可套有密封件以，以保持整个腔体110的密封性。在其中一实施方式中，所述第二电极130板可通过所述主轴140接地。
所述沉积基板150设于所述第一电极120和所述第二电极130之间，所述第二电极130承载所述沉积基板150。
所述进气口160和所述抽气管170分别连接所述腔体110，待成膜工艺气体自所述进气口160进入所述腔体110，所述腔体110内的空气可通过所述抽气管170抽出，而实现所述腔体110内的真空状态。所述进气口160位于所述第一电极120上方，从而所述待成膜工艺气体自所述第一电极120上方进入。所述抽气管170位于所述第二电极130下方。
进一步地，所述第一电极120板开设有多个通孔121，待成膜工艺气体自所述第一电极120的上方进入，通过所述通孔121流至所述第一电极120和所述第二电极130之间，以形成均匀的等离子体。
所述第一电极120邻近所述第二电极130的一侧为非平面结构。具体地，所述第一电极120包括相对的第一表面122和第二表面123，所述第一表面122面对所述沉积基板150，所述第一表面122为非平面结构，整体上看，所述第一表面122呈中间区域上凹，四周上翘的形状。所述第二表面123为平面。
更具体地，所述第一表面122的中间部分具有第一凹陷部1221，所述第一凹陷部1221呈朝远离所述沉积基板150的方向凹陷的形状。所述第一表面122的两端分别具有一第二凹陷部1222，所述第二凹陷部1222呈朝远离所述沉积基板150的方向凹陷的形状。所述第二凹陷部1222与所述第一凹陷部1221间隔设置，所述第二凹陷部1222凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部1221凹陷的的深度和区域小。
所述第一表面122中间区域上凹，从而能够克服由于所述第一表面122的中间区域的等离子体密度较其他区域高，而造成的成膜速率较高，导致的成膜均匀性不佳的问题。
所述第一表面122的四周区域上凹，从而能够克服由于所述第一表面122的四周区域的气流密度大造成的成膜速率较高，而导致的成膜均匀性不佳的问题。
所述化学气相沉积设备100在实际工作时，首先通过所述抽气管170将所述腔体110内空气抽掉以使所述腔体110处于真空状态。然后打开所述射频电源，使所述第一电极120和所述第二电极130之间产生射频电场，同时使所述待成膜工艺气体进入所述腔体110，所述待成膜工艺气体在所述射频电场的作用下被激发成为等离子体。等离子体吸附在所述沉积基板150表面或者和所述沉积基板150表面发生反应从而在所述沉积基板150表面形成薄膜。由于所述第一电极120的第一表面122为非平面结构，从而能够有效地改善由于平面结构的第一电极的中间区域和四周区域成膜速率存在差异，而导致的成膜均匀性不佳的问题。
本实施方式中，所述化学气相沉积设备100为等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备。所述PECVD设备能够用于沉积氮化硅薄膜、一氧化硅薄膜、二氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、碳化硅薄膜、太阳能材料薄膜、类金刚石薄膜、光学薄膜、导电金属薄膜、炭纳米管(CNT)薄膜等多种薄膜材料。该PECVD设备较佳应用在显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的栅极、通道层、源极、漏极的制备中。
请参照图2，图2为本发明提供的另一较佳实施方式的化学气相沉积设备200的结构示意图。可以理解，图2仅为方便理解所述化学气相沉积设备200的结构示意图，该化学气相沉积设备200实际结构要复杂和精细得多。该化学气相沉积设备200包括腔体210、第一电极220、第二电极230、遮蔽体290、沉积基板250、承载单元251、进气口260、喷嘴结构261、抽气管270和射频电源280。
所述腔体210将所述第一电极220、所述第二电极230、所述遮蔽体290、所述沉积基板250、所述承载单元251和所述喷嘴结构261均收容其中。
所述第一电极220和所述第二电极230平行对立地设置于所述遮蔽体290内。所述第一电极220和所述第二电极230之间形成供待成膜工艺气体流通的气流通道240。所述第一电极220连接所述射频电极，所述第二电极230接地。
所述遮蔽体290开设有一开口291。所述开口291位于所述第一电极220和所述第二电极230之间的正上方，从而与所述气流通道240连通。所述待成膜工艺气体进入所述第一电极220和所述第二电极230之间后，仅可以从所述开口291流出所述遮蔽体290。所述开口291正对的上方设置所述沉积基板250，所述待成膜工艺气体经过所述气流通道240后自所述开口291流出，最后在所述沉积基板250上成膜。所述承载单元251承载所述沉积基板250，所述承载单元251可以是可平行移动的。
所述进气口260设置于所述遮蔽体290底部，所述喷嘴结构261连接所述进气口260，所述待成膜工艺气体进所述进气口260进入，并自所述喷嘴结构261喷出至所述气流通道240。
所述抽气管270的一端连接所述腔体210，另一端连接一真空泵VP。通过所述抽气管270，所述真空泵VP将所述腔体210内空气抽走，以实现所述腔体210内的真空状态。
本实施方式中，所述第一电极220邻近所述第二电极230的一侧为非平面结构。具体地，所述第一电极220侧面的下端，也就是所述第一电极220远离所述开口291的一端，朝远离所述第二电极230的方向凹陷从而形成至少一凹陷部221。其中，当所述至少一凹陷部221的数量不止为一个时，多个所述凹陷部221在所述第一电极220的侧面上，越靠近所述开口291的所述凹陷部221的凹陷程度越小。
在一变更实施方式中，所述第一电极220邻近所述第二电极230的一侧及所述第二电极230邻近所述第一电极220的一侧，均为非平面结构。所述第一电极220的下端，也就是第一电极220远离所述开口291的一端，朝远离所述第二电极230的方向凹陷从而形成有凹陷部221。同时所述第二电极230的下端，也就是远离所述开口291的一端，朝远离所述第一电极220的方向凹陷从而形成有凹陷部221。所述凹陷部221的存在，能够克服由于所述进气口260附近的等离子体密度和气流密度较其他区域高，导致的成膜均匀性不佳的问题。
使用所述化学气相沉积设备200进行成膜工艺时，首先通过所述抽气管270将所述腔体210内的空气抽掉以使所述腔体210处于真空状态；然后打开所述射频电源280，使所述第一电极220和所述第二电极230之间产生射频电场；以此同时，使所述待成膜工艺气体进入所述腔体210。其中，打开所述射频电源280和使所述待成膜工艺气体进入所述腔体210中，这两个步骤可以先后进行，或者同时进行。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
在本发明的描述中，术语“上方”、“下方”、“中间”、“两端”、“四周”、“底部”、“下端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源；所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内；所述第一电极连接射频电源；所述第二电极接地；所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间；所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体；所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一电极包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面面对所述沉积基板，所述第一表面呈中间区域上凹，四周上翘的形状，从而形成所述非平面结构。
3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一表面的中间部分具有第一凹陷部，所述第一凹陷部呈朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形状，所述第一表面的两端分别具有一第二凹陷部，所述第二凹陷部呈朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形状，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部间隔设置。
4.如权利要求3所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第二凹陷部凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部凹陷的深度小。
5.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：还包括主轴，所述主轴设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，用于支撑所述第二电极。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一电极板开设有多个通孔，待成膜工艺气体自所述通孔流至所述第一电极和所述第二电极之间，以形成均匀的等离子体。
7.一种成膜方法，使用如权利要求1至6任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于，该成膜方法包括步骤：
通过所述抽气管将所述腔体内空气抽掉以使所述腔体处于真空状态；
打开所述射频电源，使所述第一电极和所述第二电极之间产生射频电场；
使所述待成膜工艺气体进入所述腔体。
8.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体、第一电极、第二电极、遮蔽体、沉积基板、承载单元、进气口、抽气管和射频电源；所述腔体将所述第一电极、所述第二电极、所述遮蔽体、所述沉积基板、所述承载单元收容其中；所述第一电极和所述第二电极平行对立地设置于所述遮蔽体内，所述第一电极连接所述射频电源，所述第二电极接地；所述第一电极和所述第二电极之间形成气流通道；所述遮蔽体开设有一开口，所述开口与所述气流通道连通；所述沉积基板与所述开口正对设置；所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体；所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。
9.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一电极的一侧远离所述开口的一端，朝远离所述第二电极的方向凹陷，从而形成至少一凹陷部。
10.如权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第二凹陷部凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部凹陷的深度小。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093740A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Sanyo Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置の異常検出方法
CN1681079A (zh) * 2004-02-26 2005-10-12 应用材料有限公司 用于前段工艺制造的原地干洗腔
CN1879189A (zh) * 2003-09-10 2006-12-13 尤纳克西斯巴尔策斯公司 用于处理大面积矩形基板的高频等离子体反应器的电压非均匀性补偿方法
CN102017813A (zh) * 2008-04-28 2011-04-13 应用材料股份有限公司 等离子体处理腔室的非平面面板
TW201133558A (en) * 2009-08-25 2011-10-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5009920A (en) * 1990-03-30 1991-04-23 Honeywell Inc. Method for applying optical interference coating
CN101560652B (zh) * 2008-04-18 2011-04-27 群康科技(深圳)有限公司 等离子辅助化学气相沉积装置
CN102098863B (zh) * 2009-12-14 2013-09-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法
CN205529029U (zh) * 2016-01-21 2016-08-31 合肥鑫晟光电科技有限公司 气体扩散装置、工艺腔室及半导体加工设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879189A (zh) * 2003-09-10 2006-12-13 尤纳克西斯巴尔策斯公司 用于处理大面积矩形基板的高频等离子体反应器的电压非均匀性补偿方法
JP2005093740A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Sanyo Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置の異常検出方法
CN1681079A (zh) * 2004-02-26 2005-10-12 应用材料有限公司 用于前段工艺制造的原地干洗腔
CN102017813A (zh) * 2008-04-28 2011-04-13 应用材料股份有限公司 等离子体处理腔室的非平面面板
TW201133558A (en) * 2009-08-25 2011-10-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

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