JP2005093740A - プラズマcvd装置の異常検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る異常搬送の検出方法は、以下に示す特徴を有する。即ち、チャンバー10内の下部電極13上に半導体ウェハー30を搬送し、ガスをチャンバー10内に供給しながら、チャンバー10内の上部電極12にRF電源21から発せられたRF波電圧を印加してプラズマを発生させ、半導体ウェハー30に薄膜を形成すると共に、上部電極12に接続されたインピーダンスモニターIMにより、上部電極12と、下部電極13及びチャンバー10との間のインピーダンスを計測してモニタリングすることにより、半導体ウェハー30の異常搬送を検出するものである。
【選択図】 図1
Description
13 下部電極 20 インピーダンス整合器 21 RF電源
30 半導体ウェハー IM インピーダンスモニター
Claims (2)
- チャンバー内の下部電極上に半導体ウェハーを搬送し、前記チャンバー内にガスを供給しながら、該チャンバー内の上部電極に、高周波電源から発せられた高周波電圧を印加して、前記チャンバー内にプラズマを発生させ、半導体ウェハーに薄膜を形成すると共に、
前記上部電極に接続されたインピーダンスモニターにより、前記上部電極と、前記下部電極及び前記チャンバーとの間のインピーダンスを計測することにより、前記半導体ウェハーの異常搬送を検出することを特徴とするプラズマCVD装置の異常検出方法。 - 前記インピーダンスモニターが、前記半導体ウェハーの異常搬送を検出した場合、制御手段により、前記ガスの供給、前記高周波電圧の印加、前記ガスの供給及び前記高周波電圧の印加、のいずれかを停止することを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD装置の異常検出方法。
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JP2003325380A JP2005093740A (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | プラズマcvd装置の異常検出方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018849A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
CN107937886A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 化学气相沉积设备及成膜方法 |
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- 2003-09-18 JP JP2003325380A patent/JP2005093740A/ja active Pending
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