CN107935558A - 一种陶瓷高产装烧方法 - Google Patents

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张熙茹
钱芳芳
杨丽珠
陆沁
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Suzhou Industrial Park Institute of Vocational Technology
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    • F27M2003/04—Sintering

Abstract

本发明公开了一种陶瓷高产装烧方法，包括以下步骤：（1）瓷窑为碉堡状，瓷窑内部设置有多层分隔层，每层分隔层上均设置有瓷柜；（2）将支撑的胚体自然阴干以后，按照大小顺序依次摆放，并且在摆放过程中，装胚体之间使用钢片进行分隔，再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中；（3）瓷窑中的烧制温度包括：中间温度350‑1000℃，高温1000‑烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段；（4）瓷柜每隔三个小时上下翻动一次；（5）瓷柜的尺寸不同，最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。此烧制方法可以一次烧制多个瓷器，并且瓷器在烧制过程中不易与灰尘接触，提高了瓷器的产量，降低了成本。

Description

一种陶瓷高产装烧方法
技术领域
本发明涉及陶瓷烧制领域，特别是涉及一种陶瓷高产装烧方法。
背景技术
中国人早在约公元前8000－2000年（新石器时代）就发明了陶器，用陶土烧制的器皿叫陶器，用瓷土烧制的器皿叫瓷器，陶瓷则是陶器，炻器和瓷器的总称，古人称陶瓷为瓯，凡是用陶土和瓷土这两种不同性质的粘土为原料，经过配料、成型、干燥、焙烧等工艺流程制成的器物都可以叫陶瓷。
由于现在陶瓷的烧制时间较长，产量较低，所以现急需一种陶瓷高产装烧方法。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种陶瓷高产装烧方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种陶瓷高产装烧方法，包括以下步骤：
（1）瓷窑为碉堡状，瓷窑内部设置有多层分隔层，每层分隔层上均设置有瓷柜，每个瓷柜之间的距离20-30cm，每个分隔层之间的距离为20cm，瓷柜的形状为方形或者正方形；
（2）将支撑的胚体自然阴干以后，按照大小顺序依次摆放，并且在摆放过程中，装胚体之间使用钢片进行分隔，再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中；
（3）瓷窑中的烧制温度包括：中间温度350-1000℃，高温1000-烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段；
（4）瓷柜每隔三个小时上下翻动一次；
（5）瓷柜的尺寸不同，最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）中的烧制温度中的低温阶段为室温到350℃。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）中的冷却阶段为烧制温度降至室温。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）步骤瓷窑中的烧制材料为木料。
本发明的有益效果是：本发明陶瓷高产装烧方法，此烧制方法可以一次烧制多个瓷器，并且瓷器在烧制过程中不易与灰尘接触，提高了瓷器的产量，降低了成本。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明一种陶瓷高产装烧方法，包括以下步骤：
（1）瓷窑为碉堡状，瓷窑内部设置有多层分隔层，每层分隔层上均设置有瓷柜，每个瓷柜之间的距离20-30cm，每个分隔层之间的距离为20cm，瓷柜的形状为方形或者正方形；
（2）将支撑的胚体自然阴干以后，按照大小顺序依次摆放，并且在摆放过程中，装胚体之间使用钢片进行分隔，再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中；
（3）瓷窑中的烧制温度包括：中间温度350-1000℃，高温1000-烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段；
（4）瓷柜每隔三个小时上下翻动一次；
（5）瓷柜的尺寸不同，最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）中的烧制温度中的低温阶段为室温到350℃。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）中的冷却阶段为烧制温度降至室温。
在本发明一个较佳实施例中，步骤（3）步骤瓷窑中的烧制材料为木料。
本发明陶瓷高产装烧方法，解决了技术方案里的缺陷，此烧制方法可以一次烧制多个瓷器，并且瓷器在烧制过程中不易与灰尘接触，提高了瓷器的产量，降低了成本。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种陶瓷高产装烧方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）瓷窑为碉堡状，瓷窑内部设置有多层分隔层，每层分隔层上均设置有瓷柜，每个瓷柜之间的距离20-30cm，每个分隔层之间的距离为20cm，瓷柜的形状为方形或者正方形；
（2）将支撑的胚体自然阴干以后，按照大小顺序依次摆放，并且在摆放过程中，装胚体之间使用钢片进行分隔，再讲多个重叠的胚体全部装入到瓷柜中；
（3）瓷窑中的烧制温度包括：中间温度350-1000℃，高温1000-烧成的温度以及低温阶段和冷却阶段；
（4）瓷柜每隔三个小时上下翻动一次；
（5）瓷柜的尺寸不同，最底层的瓷柜的尺寸大于最顶层的瓷柜的尺寸。
2.根据权利要求1所述的陶瓷高产装烧方法，其特征在于，步骤（3）中的烧制温度中的低温阶段为室温到350℃。
3.根据权利要求1所述的陶瓷高产装烧方法，其特征在于，步骤（3）中的冷却阶段为烧制温度降至室温。
4.根据权利要求1所述的陶瓷高产装烧方法，其特征在于，步骤（3）步骤瓷窑中的烧制材料为木料。
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