CN107925215B - 窄带化准分子激光装置 - Google Patents

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Abstract

在窄带化准分子激光装置中，除去窄带化模块内的杂质气体。窄带化准分子激光装置可以构成为，具有：窄带化模块，其使激光的谱线宽度变窄；氮气供给装置；氮气导入部，其使由氮气供给装置供给的氮气流入窄带化模块的壳体内；第1阀，其控制从氮气导入部氮气向壳体内的流入；排气部，其使壳体内的气体流出到壳体外；排气泵，其使壳体内的气体排出到壳体外；第2阀，其控制气体从排气部的排出；大气放出部，其使壳体内的气体放出到大气中；第3阀，其控制向大气中的气体放出；以及控制部，其关闭第2阀并打开第1阀、第3阀，使氮气在规定时间供给到壳体内，接着关闭第3阀并打开第1阀、第2阀，并驱动排气泵对壳体内进行排气，此后进行激光振荡。

Description

窄带化准分子激光装置
技术领域
本公开涉及窄带化准分子激光装置。
背景技术
伴随半导体集成电路的细微化、高集成化，对于半导体曝光装置要求实现分辨率的提高。以下将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，由曝光用光源输出的光的短波长化得以推进。作为曝光用光源，代替以外的水银灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。
作为现有的曝光技术，如下所述的液浸曝光变得实用：用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片间的间隙，并改变该间隙的折射率，由此使得曝光用光源的可见波长变短。在将ArF准分子激光装置用作曝光用光源进行液浸曝光的情况下，晶片被照射水中波长134nm的紫外光。将这种技术称作ArF液浸曝光。ArF液浸曝光还被称作ArF液浸光刻。
KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡的谱线宽度约为350～400pm而较宽，因而会发生被曝光装置侧的投影透镜缩小投影在晶片上的激光(紫外线光)的色差而使得分辨率降低。于是，需要使由气体激光装置输出的激光的谱线宽度变窄至可忽视色差的程度。谱线宽度也被称作波谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置有具有窄带化元件的窄带化模块(Line Narrowing Module)，通过该窄带化模块来实现波谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件还可以是标准具或光栅等。将这种波谱宽度被窄带化的激光装置称作窄带化激光装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-258337号公报
专利文献2：日本特开2003-283007号公报
专利文献3：日本特表2003-503841号公报
专利文献4：日本特开2001-135883号公报
专利文献5：日本特开2002-84026号公报
发明内容
本公开的一个方式的窄带化准分子激光装置可以构成为，具有：光谐振器；激光腔，其在内部含有准分子激光气体，并被配置在光谐振器的光路上；窄带化模块，其包含壳体和被收纳在壳体内的窄带化用光学元件，并被配置在光谐振器内，使从激光腔输出的激光的谱线宽度变窄；氮气供给装置；氮气导入部，其使由氮气供给装置供给的氮气流入到壳体内；第1阀，其控制氮气从氮气导入部向壳体内的流入；排气部，其使壳体内的气体流出到壳体外；排气泵，其使壳体内的气体通过排气部而排出到壳体外；第2阀，其控制气体从排气部的排出；大气放出部，其使壳体内的气体放出到大气中；第3阀，其控制大气放出部对气体的放出；以及控制部，其关闭第2阀并打开第1阀和第3阀，使氮气在规定时间内供给到壳体内，接着关闭第1阀和第3阀并打开第2阀，并且驱动排气泵而对壳体内进行排气，此后进行激光振荡。
本公开的另一个方式的窄带化准分子激光装置可以构成为，具有：光谐振器；激光腔，其内部含有准分子激光气体，并被配置在光谐振器的光路上；窄带化模块，其包含壳体和被收纳在壳体内的窄带化用光学元件，并被配置在光谐振器内，使从激光腔输出的激光的谱线宽度变窄；氮气供给装置；氮气导入部，其使由氮气供给装置供给的氮气流入到壳体内；第1阀，其控制氮气从氮气导入部向壳体内的流入；排气部，其使壳体内的气体流出到壳体外；排气泵，其使壳体内的气体通过排气部而排出到壳体外；第2阀，其控制气体从排气部的排出；大气放出部，其使壳体内的气体放出到大气中；第3阀，其控制大气放出部对气体的放出；以及控制部，其关闭第2阀并打开第1阀和第3阀，使氮气在规定时间内供给到壳体内，接着关闭第3阀并打开第1阀和第2阀，并且驱动排气泵而对壳体内进行排气，此后进行激光振荡。
附图说明
以下参照附图对本公开的若干实施方式作为示例进行说明。
图1是表示示例的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断侧视图。
图2是表示图1所示的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图3是用于说明本公开中的用语的概略图。
图4是用于说明本公开中的用语的概略图。
图5是表示比较例的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图6是表示实施方式1的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图7是表示实施方式1的控制部的控制处理的流程图。
图8是表示图7所示的控制处理中的排气子程序处理的一例的流程图。
图9是表示图7所示的控制处理中的排气子程序处理的另一例的流程图。
图10是表示图7所示的控制处理中的排气子程序处理的又一例的流程图。
图11是表示图7所示的控制处理中的排气子程序处理的又一例的流程图。
图12是表示图7所示的控制处理中的排气停止子程序处理的一例的流程图。
图13是表示实施方式2的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图14是表示实施方式2的变形例的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图15是表示实施方式3的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图16是表示实施方式3的控制部的控制处理的流程图。
图17是表示实施方式4的窄带化准分子激光装置的概略结构的局部截断俯视图。
图18是表示实施方式4的激光控制部的控制处理的流程图。
图19是表示实施方式4的控制部的控制处理的流程图。
图20是表示控制部的概略结构的框图。
具体实施方式
＜目次＞
1.窄带化准分子激光装置的整体说明
1.1结构
1.2动作
2.用语的说明
3.比较例
3.1比较例的结构
3.2比较例的动作
3.3比较例的课题
4.实施方式1
4.1实施方式1的结构
4.2实施方式1的动作
4.3实施方式1的作用·效果
4.4实施方式1的补充的动作例
5.实施方式2
5.1实施方式2的结构
5.2实施方式2的动作
5.3实施方式2的作用·效果
5.4实施方式2的补充的动作例
6.实施方式2的变形例
6.1实施方式2的变形例的结构
6.2实施方式2的变形例的动作
6.3实施方式2的变形例的作用·效果
7.实施方式3
7.1实施方式3的结构
7.2实施方式3的动作
7.3实施方式3的作用·效果
8.实施方式4
8.1实施方式4的结构
8.2实施方式4的动作
8.3实施方式4的作用·效果
9.控制部
9.1控制部的结构
9.2控制部的功能
9.3控制部的连接设备
以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。
以下说明的实施方式用于示出本公开的若干示例，并非用于限定本公开的内容。此外，在各实施方式中说明的所有结构和动作作为本公开的结构和动作都不是必须的。另外，对同一结构要素赋予同一参照标号，省略重复的说明。
1.窄带化准分子激光装置的整体说明
1.1结构
图1和图2中概略示出示例的窄带化准分子激光装置1的结构。图1是该窄带化准分子激光装置1的局部截断侧视图，图2是该窄带化准分子激光装置1的局部截断俯视图。
在本公开中，激光腔内的激光的行进方向被定义为Z方向。此外，与载置窄带化准分子激光装置1的面平行且与Z方向垂直的方向被定义为H方向。并且，与Z方向和H方向垂直的方向被定义为V方向。另外，在窄带化准分子激光装置1的通常的使用状态下，H方向是水平方向，V方向是铅直方向。
如图1和图2所示，窄带化准分子激光装置1可以包括输出耦合镜10、激光腔20、光路管30和窄带化模块(LNM：Line Narrowing Module)40。输出耦合镜10和窄带化模块40可以构成光谐振器。激光腔20可以配置在光谐振器的光路上。窄带化模块40可以配置在光谐振器内。
激光腔20可以具有窗口21和22、以及一对放电电极23和24。窗口21和22可以被分别保持在设置于激光腔20的窗口保持部25和26。窗口21和22可以被配置为使得在放电电极23和24之间被放电激励后放大的激光L通过。窗口21和22可以以激光L的入射面包含H方向的方式，倾斜为相对于激光L的光路构成微小角度的状态。该倾斜角度例如可以是布儒斯特角或接近布儒斯特角的角度。
激光腔20的内部可以被准分子激光气体充满。该准分子激光气体可以是混合有作为惰性气体的Ar气体或Kr气体、作为卤气的F2气体和作为缓冲气体的Ne气体的气体。
一对放电电极23和24可以在激光腔20内相互在V方向上对置，被配置为各自的长度方向与Z方向一致的状态。一对放电电极23和24还可以配置为各自的长度方向与光谐振器的光路平行。可以从未图示的电源对这些放电电极23和24提供激励功率。
窄带化模块40可以包含壳体41和被收纳在该壳体41内的窄带化用光学元件。窄带化用光学元件可以为多个，例如可以是3个棱镜42、43和44、以及光栅45。在壳体41的底板41a上可以安装有固定棱镜42的棱镜固定支架46、固定棱镜43的棱镜固定支架47、固定棱镜44的棱镜固定支架48、和固定光栅45的光栅固定支架49。此外，棱镜固定支架48还可以通过自动旋转台50而安装在底板41a上。棱镜固定支架48可以通过自动旋转台50的驱动而以在V方向上延伸的旋转轴为中心在图2的箭头A方向上旋转。
3个棱镜42、43和44可以被配置为作为扩大激光L的光束直径的扩束镜发挥功能。棱镜42、43和44的各倾斜端面、即激光L斜向入射的端面42a、43a和44a上可以涂布相对于激光L的P偏振成分为低反射率的低反射膜。另一方面，棱镜42、43和44的各垂直端面、即激光L垂直入射的端面42b、43b和44b上可以涂布相对于激光L为低反射率的低反射膜。
光栅45和输出耦合镜10可以形成光谐振器。光栅45可以具备作为选择在光谐振器内往返的激光L的波长的波长选择部的功能。光栅45可以成为入射角与衍射角一致的利特罗配置。光栅45例如可以是以使得中心波长是193nm的激光L高效衍射的方式确定了槽间隔和闪耀角的阶梯光栅。
窄带化模块40的壳体41可以具有开口41b。该开口41b可以设置在从激光腔20出射且透过了窗口22的激光L所通过的位置处。壳体41的除开口41b以外的部分可以为将该壳体41的内部对于外部保持为气密的结构。
光路管30可以配置在激光腔20与壳体41之间。光路管30可以构成为覆盖从激光腔20出射并透过了窗口22的激光L的光路。
1.2动作
在上述的结构中，若对放电电极23和24施加高电压，则在放电电极23与放电电极24之间可能会放电。通过该放电，激光气体被激励，从包含惰性气体和卤气的激光介质中可能发生自然放出光。该自然放出光可以是波长例如为前述的193nm或248nm的紫外光。该光透过窗口22，入射到窄带化模块40内，通过棱镜42～44而使得光束直径扩大，可入射到光栅45。
入射到光栅45的紫外光在光栅45中被选择为窄带的波长而能够衍射。衍射后的光经过与向光栅45入射的光路相同的光路而能够再次入射到激光腔20内。另外，若利用自动旋转台50而通过棱镜固定支架48使得棱镜44旋转，则上述光对光栅45的入射角可发生变化。由此，能够对由光栅45选择的波长进行调节。
再次入射到激光腔20的光在放电区域内通过而可被放大。放大后的光透过窗口21而入射到输出耦合镜10，其一部分透过该输出耦合镜10，另一部分被输出耦合镜10反射。反射后的光返回到激光腔20，在放电区域内通过而可被放大。反复进行以上的动作，光在由输出耦合镜10和光栅45构成的光谐振器内发生谐振，激光L可以进行振荡。
2.用语的说明
如下对在本公开中使用的用语进行定义。如图3所示，“谱线宽度”是激光的波谱波形的光量阈值的全宽。在本公开中，将各光量阈值相对于光量峰值的相对值设为线幅阈值Thresh。另外，0＜Thresh＜1。例如将峰值的半值设为线幅阈值0.5。此外，将线幅阈值0.5的波谱波形的全宽W1/2特别地称作半值全宽或FWHM(Full Width at Half Maximum：半峰全宽)。
如图4所示，波谱纯度、例如95％纯度E95是全波谱能量中的以波长λ0为中心而占据95％的部分的全宽W95％，下式(1)成立。
【数1】
Figure BDA0001586529470000071
此外，在本公开中未做特别说明的情况下，以波谱纯度为E95的情况进行说明。并且，本公开中所述的“谱线宽度”指的是上述“全波谱能量中的以波长λ0为中心占据95％的部分的全宽W”。
3.比较例
3.1比较例的结构
图5是概略示出作为相对于本发明的比较例的窄带化准分子激光装置2的结构的局部截断俯视图。在图5的结构中，对与图2所示的相同的结构要素赋予同一参照标号，省略重复的说明。
以下，在该比较例的结构中，对与图2的结构不同的部分进行说明。此外，在本比较例中，在以下说明的与图2的结构的不同之处以外的结构可以与图2的结构同样。
窄带化模块40的壳体41可以具有能够使外部的大气流入壳体41内的导入口41c、以及用于测定壳体41内的压力的开口41d。另外，设置于壳体41的开口41b在本比较例中不仅使激光L通过，还可以作为排出壳体41内的气体的排气口发挥功能。壳体41的除开口41b、导入口41c和开口41d以外的部分可以形成为将壳体41的内部与外部保持为气密的结构。
在光路管30上可以设置有开口30a。光路管30的除两端和开口30a以外的部分可以形成为将光路管30的内部与外部保持为气密的结构。
壳体41的导入口41c可以连通导入管60。在导入管60可设置有第1阀61。在光路管30的开口30a可连通排气管64的一端。排气管64的另一端例如可与由真空泵构成的排气泵65连接。在排气管64，在排气泵65与光路管30之间可以设置有第2阀62。在壳体41上可以设置有通过开口41d而测定壳体内部的压力的压力传感器51。
还可以设置有对第1阀61和第2阀62各自的开闭以及排气泵65的驱动进行控制的控制部66。可以对控制部66输入由压力传感器51输出的压力检测信号、即表示壳体41的内部的压力的信号。
3.2比较例的动作
在该比较例的窄带化准分子激光装置2中，若在窄带化模块40的壳体41内存在杂质气体，则在激光装置的运转中该杂质气体可能会附着在棱镜42～44的光透过端面或光栅45的栅格面上而使其劣化。在这样发生了棱镜42～44和光栅45的劣化时，可能导致窄带化准分子激光装置2的光输出降低，或激光L的谱线宽度扩大。为了防止该问题，通过所谓的抽真空的处理，能够从窄带化模块40的壳体41内排除杂质气体。该处理可通过如下手段来实现：通过控制部66关闭第1阀61并打开第2阀62，驱动排气泵65直到压力传感器51所示的壳体41内的压力减压为规定值。此外，上述的处理例如可在将窄带化模块40更换为新模块，并搭载于窄带化准分子激光装置2上时进行。
3.3比较例的课题
然而，即便进行了上述的排气处理，由于杂质气体残留于壳体41内，因而在窄带化准分子激光装置2的运转时，还可能存在窄带化用元件即棱镜42～44或光栅45劣化的可能性。
此外，在通过排气处理使得壳体41内减压时，例如存在大气中的杂质气体通过介于导入管60与导入口41c之间、排气管64与开口30a之间、阀61、62与管路之间等的O形环等而进入到壳体41内的可能性。
进而，在发生了排气处理停止的事态的情况下，从壳体41内的有机物等中发生杂质气体，存在窄带化准分子激光装置2的运转时窄带化用元件发生劣化的可能性。
4.实施方式1
4.1实施方式1的结构
图6是概略示出实施方式1的窄带化准分子激光装置3的结构的局部截断俯视图。在图6的结构中，对与图5所示的比较例相同的结构要素赋予同一的参照标号，省略重复的说明。
以下，对在该实施方式1的结构中与比较例的结构不同的部分进行说明。此外，在本实施方式1中，在以下说明的与比较例的不同之处以外的结构可以与比较例同样。
在导入管60上可以从第1阀61侧起按顺序经由流量调节阀70、压力调节阀即调节器71、阀72和针阀73而连接有作为氮气供给装置的氮气罐74。针阀73可以附属于氮气罐74。阀72可以用于遮断氮气罐74与窄带化模块40之间。
另一方面，在光路管30与第2阀62之间，可以从排气管64分支出大气排气管75。在该大气排气管75上可以设置有第3阀63。另外，控制部66可以连接有激光控制部52。
另外，导入管60、流量调节阀70、调节器71和阀72可以构成使由氮气罐74供给的氮气流入壳体41内的氮气导入部。第1阀61可以控制氮气向壳体41内的流入。作为氮气，可使用纯度为99.999％的氮气等。
此外，设置于壳体41上的开口41b、光路管30和与光路管30的开口30a连通的排气管64可以构成使壳体41内的气体流出到壳体41外的排气部。排气泵65可以将壳体41内的气体通过上述排气部排出到壳体41外。第2阀62可以控制来自上述排气部的气体的排出。
设置于壳体41上的开口41b、光路管30、与光路管30的开口30a连通的排气管64和大气排气管75可以构成使壳体41内的气体放出到大气中的大气放出部。第3阀63可以控制上述大气放出部对气体的放出。
作为上述第1阀61、第2阀62和第3阀63，可以使用通过压缩空气开闭，并通过电磁阀控制压缩空气的供给、遮断的类型。这种情况下，电磁阀的动作可由控制部66来控制。此外，还可以代替压缩空气而使用压缩氮气。或者，第1阀61、第2阀62和第3阀63可以是能够实现任意的开度的类型。例如，可以是具有伺服马达的伺服阀，这种情况下，伺服马达的动作可由控制部66控制。
控制部66可以关闭第2阀62并打开第1阀61和第3阀63。其结果是，氮气可以在规定时间内被供给到壳体41内。另外，控制部66还可以在上述氮气的供给后，接着关闭第1阀61和第3阀63并打开第2阀62，并且驱动排气泵65。其结果是，壳体41内可以被排气。另外，在壳体41内被排气后，控制部66可以对激光控制部52发送驱动指令来进行激光振荡。
窄带化准分子激光装置3对窄带化模块40搭载于该窄带化准分子激光装置3上进行检测并输出检测信号，例如可以设置有由接近开关等构成的检测部90。该检测信号可以被输入给控制部66。
4.2实施方式1的动作
图7～图12是表示本实施方式的窄带化准分子激光装置3的氮气供给的处理的流程的流程图。以下，一并参照这些附图，对本实施方式的窄带化准分子激光装置3的动作进行说明。
此外，在图7～图12的流程图中，将第1阀61、第2阀62和第3阀63分别标记为V1、V2和V3，将窄带化模块40标记为LNM，将激光腔20标记为室，将氮气标记为N2。此外，在这些流程图中，将打开阀61～63中的任意一个标记为OPEN，将关闭它们中的任意一个标记为CLOSE。
图7表示从窄带化模块40向壳体41内的氮气供给到对壳体41内排气的整体的处理流程。该处理可由控制部66执行。在图7的处理中，首先在步骤S300中，可由控制部66来判别窄带化模块40或激光腔20是否被搭载于窄带化准分子激光装置3。具体地，例如关于窄带化模块40，可以通过将图6所示的检测部90输出的检测信号输入给控制部66来进行该判别。如图所示，可反复进行步骤S300的处理，直至判别为窄带化模块40或激光腔20被搭载于激光装置。在判别为窄带化模块40或激光腔20被搭载于激光装置的情况下，控制部66可以在步骤S301中关闭第2阀62并打开第1阀61和第3阀63。由此，窄带化模块40的壳体41内可被氮气填充。即，由氮气罐74供给的氮气从导入管60经过导入口41c而能够被供给到窄带化模块40的壳体41内。于是，原本存在于壳体41内的气体经过开口41b、光路管30、排气管64和大气排气管75而能够被放出到大气中。
在进行了上述阀61～63的操作后，接着控制部66在步骤S302中，可以重置所内置的未图示的计时器，通过该计时器开始阀操作后的时间T1的计时。接着，在步骤S303中，控制部66可以判别时间T1是否为规定的设定时间K1以上。此外，设定时间K1例如为3分钟～10分钟的范围内的时间，优选为约5分钟。如图所示，可反复进行步骤S303的处理，直到判别为时间T1在规定的时间K1以上。在判别为时间T1在规定的时间K1以上的情况下，接着在步骤S304中，控制部66可以关闭第1阀61和第3阀63并打开第2阀62。
接着，在步骤S305中，可以进行通过排气泵65对窄带化模块40的壳体41内的气体进行排气的子程序处理。接着，在步骤S306中，可以进行停止来自壳体41的气体排气的子程序处理。此外，关于这些子程序处理，以下进行详细说明。
参照图8，说明在步骤S305中进行的对窄带化模块40的壳体41内的气体进行排气的子程序处理。此外，图8示出的是排气子程序处理的第1例。在该处理中，首先在步骤S310中，控制部66可以使排气泵65为ON、即开始运转。排气泵65进行运转，由此可使得窄带化模块40的壳体41内的气体被排出到壳体41外。
接着，在步骤S311中，控制部66可以读入压力传感器51的输出信号所示的壳体41内的压力P。接着，在步骤S312中，控制部66可以判别压力P是否减压至规定的压力P1以下。在压力P高于规定的压力P1的情况下，如图所示，可以反复进行步骤S311以后的处理。此外，规定的压力P1例如可以是4kPa左右。
在判别为压力P减压至规定的压力P1以下的情况下，接着在步骤S313中，控制部66可以输出表示振荡准备OK的信号。该信号可以被发送给综合管理作为外部装置的曝光装置或窄带化准分子激光装置3的控制部、例如图6的激光控制部52等。窄带化准分子激光装置3基于上述信号被发送给激光控制部52等而可以开始振荡。
接着，在步骤S314中，控制部66例如可以判别是否在数小时至数日以上的期间内停止了激光振荡。该判别例如可通过控制部66是否从图6的激光控制部52接收到表示激光振荡停止的信号来进行。在未判别为停止激光振荡的情况下，控制部66可以使处理返回到步骤S310。在判别为停止激光振荡的情况下，控制部66可以使处理转移到图7的步骤S306。
接着，参照图12说明上述步骤S306的处理、即停止来自壳体41内的气体排气的子程序处理。首先在步骤S410中，控制部66可以停止排气泵65的运转。由此，可以停止来自壳体41内的气体排气。接着，在步骤S411中，控制部66可以打开一直所关闭的第1阀61，并关闭一直打开的第2阀62。由此，由氮气罐74供给的氮气可流入窄带化模块40的壳体41内。
接着，在步骤S412中，控制部66可以读入压力传感器51的输出信号所示的壳体41内的压力P。接着，在步骤S413中，控制部66可以判别压力P是否在规定的压力P3以上。在判别为压力P低于规定的压力P3的情况下，控制部66可以反复进行步骤S412以后的处理。此外，规定的压力P3例如可以是大气压即101.3kPa，或者可以是比设置有窄带化准分子激光装置3的洁净室内的压力略高程度的压力。压力P在规定的压力P3以上的情况下，在步骤S414中，控制部66可以打开第3阀63。第3阀63打开，使得窄带化模块40的壳体41内可被氮气填充。即，一并包含壳体41内的氮气的气体从第3阀63流出，壳体41内可被氮气充满。
接着，在步骤S415中，控制部66停止长期间窄带化准分子激光装置3，可以判别是否停止使用氮气的填充。在判别为不停止使用氮气的填充的情况下，控制部66可以反复进行步骤S414以后的处理。在判别为停止使用氮气的填充的情况下，在步骤S416中，控制部66可以一并关闭至此一直打开着的第1阀61和第3阀63。接着，控制部66将处理转移至图7的流程，可以结束图7所示的一系列的处理。
4.3实施方式1的作用·效果
如以上说明的那样，在窄带化准分子激光装置3进行激光振荡之前，窄带化模块40的壳体41内例如在3分钟～10分钟左右的时间内被氮气填充，因此壳体41内的杂质气体可能被排出到壳体41的外部。另外，此后壳体41内的压力P例如被减压至4kPa左右，因此可抑制大气中的杂质气体以及从壳体41内发生的杂质气体附着在壳体41内的窄带化用光学元件上而导致窄带化模块40的光学性能劣化。
进而，在本实施方式中，在激光振荡停止后排气泵65的运转停止后，能够对壳体41内填充氮气直至壳体41内成为大气压。并且，特别在窄带化准分子激光装置3长期间停止的情况下，壳体41内成为大气压后第3阀63打开，因此可抑制大气中的杂质气体进入壳体41内。
此外，在窄带化模块40从窄带化准分子激光装置3上被卸下的情况下，也会维持壳体41内被大气压的氮气填充的状态，因此可抑制大气中的杂质气体进入壳体41内。因此，在来自壳体41的排气停止的状态下，可抑制大气中的杂质气体附着在壳体41内的窄带化用光学元件上而导致窄带化模块40的光学性能劣化。
4.4实施方式1的补充的动作例
接着，参照图9～图11，举出3个示例说明图7所示的步骤S305的处理、即窄带化模块40的排气子程序处理的其他例。图8的排气子程序处理将壳体41内的压力P设为规定的压力P1以下而能够进行激光振荡，而在这3例的排气子程序处理中，将壳体41内的压力P设定为规定的压力P1和P2之间而能够进行激光振荡。
图9所示的处理是排气子程序处理的第2例。该图9所示的排气子程序处理中，代替图8所示的步骤S312而进行步骤S320～S324的处理，其他步骤的处理可以与图8的处理同样。
在该图9的排气子程序处理中，与图8的处理同样地，在步骤S311中，控制部66可以读入压力传感器51的输出信号表示的壳体41内的压力P。接着，在步骤S320中，控制部66可以判别壳体41内的压力P是否在规定的压力P1和P2之间。这种情况下的规定的压力P1例如可以是4kPa左右，规定的压力P2例如可以是2.3kPa左右。另外，该规定的压力P1和P2的示例可应用于以下说明的图10的排气子程序处理和图11的排气子程序处理。
在壳体41内的压力P位于压力P1与P2之间的情况下，接着在步骤S321中，排气泵65的转速可以保持原样。另外，该排气泵65的转速可对应于排气泵65的排气速度。此后，可进行与图8的处理中的同样的步骤S313和步骤S314的处理。
在步骤S320中，判别为壳体41内的压力P脱离压力P1与P2之间的情况下，接着在步骤S322中可以由控制部66判别压力P是否超过了压力P1。在判别为压力P超过压力P1的情况下，接着在步骤S323中可以由控制部66提高排气泵65的转速。另一方面，在判别为压力P未超过压力P1的情况下，接着在步骤S324中可以由控制部66降低排气泵65的转速。在步骤S323或步骤S324之后，控制部66可以使处理返回步骤S311。通过进行以上的步骤S320～S324的处理，壳体41内的压力P可以被设定在规定的压力P1与P2之间。
接着，图10所示的处理是排气子程序处理的第3例。该图10所示的排气子程序处理中，代替图9所示的步骤S323和步骤S324，分别进行步骤S330和S331的处理，其他的步骤的处理可以与图9的处理同样。
在图10的处理中，在步骤S322中由控制部66判别为压力P高于压力P1的情况下，接着在步骤S330中，可以按照规定量关闭第1阀61。另一方面，在判别为压力P未高于压力P1的情况下，接着在步骤S331中可以由控制部66按照规定量打开第1阀61。在步骤S330或步骤S331之后，控制部66可以使处理返回步骤S311。通过进行以上的处理，壳体41内的压力P可以被设定在规定的压力P1与P2之间。
接着，图11所示的处理是排气子程序处理的第4例。该图11所示的排气子程序处理中，代替图10所示的步骤S330和步骤S331而分别进行步骤S340和S341的处理，其他的步骤的处理可以与图10的处理同样。
在图11的处理中，在步骤S322中由控制部66判别为压力P高于压力P1的情况下，接着在步骤S340中，可以按照规定量关闭第2阀62。另一方面，在判别为压力P未高于压力P1的情况下，接着在步骤S341中可以由控制部66按照规定量打开第2阀62。在步骤S340或步骤S341之后，控制部66可以使处理返回步骤S311。通过进行以上的处理，壳体41内的压力P可以被设定在规定的压力P1与P2之间。
5.实施方式2
5.1实施方式2的结构
图13是概略示出实施方式2的窄带化准分子激光装置4的结构的局部截断俯视图。在图13的结构中，对与图6所示的实施方式1的要素相同的结构要素赋予同一参照标号，并省略重复的说明。
以下，对在该实施方式2的结构中，与实施方式1的结构不同的部分进行说明。此外，在本实施方式2中，以下说明的与实施方式1的不同之处以外的结构可以与实施方式1同样。
在本实施方式中，作为第1阀161可特别使用常开(normally open)型的阀、即仅在通电时成为关闭状态的阀。另一方面，作为第2阀162和第3阀163可特别使用常闭(normalclose)型的阀、即仅在通电时成为打开状态的阀。
5.2实施方式2的动作
在上述的结构中，窄带化准分子激光装置4紧急停止而排气泵65停止的情况下，第1阀161能够自动成为打开状态，而第2阀162和第3阀163能够自动成为关闭状态。
5.3实施方式2的作用·效果
因而，能够在壳体41内自动地填充氮气。由此，可抑制在壳体41内发生的杂质气体附着在壳体41内的窄带化用光学元件、即棱镜42～44和光栅45上导致窄带化模块40的光学性能劣化。
5.4实施方式2的补充的动作例
如图13所示，对于导入管60，与第1阀161串联设置的阀72是常开型的阀的情况下，作为第3阀163可特别使用常开型的阀。若采用这种结构，则在排气泵65停止的情况下，第1阀161、第3阀163和阀72能够自动成为打开状态，第2阀162能够自动成为关闭状态。
由此，窄带化模块40的壳体41内被氮气持续填充，可抑制在壳体41内发生杂质气体增加。
6.实施方式2的变形例
6.1实施方式2的变形例的结构
图14是概略示出实施方式2的变形例的窄带化准分子激光装置5的结构的局部截断俯视图。在图14的结构中，对与图13所示的实施方式2的要素相同的结构要素赋予同一参照标号，并省略重复的说明。
以下，对该实施方式2的变形例的结构中与实施方式2的结构不同的部分进行说明。此外，在本实施方式2的变形例中，以下说明的与实施方式2的不同之处以外的结构可以与实施方式2同样。
在本实施方式2的变形例中，在调节器171与阀172之间，可以在导入管60上连接有氮气副箱173。另外，作为阀172，可特别使用常闭(normal close)型的阀。
6.2实施方式2的变形例的动作
在上述的结构中，在窄带化准分子激光装置4紧急停止而排气泵65停止的情况下，第1阀161能够自动成为打开状态，阀172、第2阀162和第3阀163能够自动成为关闭状态。
6.3实施方式2的变形例的作用·效果
通过上述的动作，可以由氮气副箱173向壳体41内自动地填充氮气。由此，可抑制在壳体41内发生的杂质气体附着在壳体41内的窄带化用光学元件、即棱镜42～44和光栅45上而导致窄带化模块40的光学性能劣化。
7.实施方式3
7.1实施方式3的结构
图15是概略示出实施方式3的窄带化准分子激光装置6的结构的局部截断俯视图。在图15的结构中，对与图13所示的实施方式2的要素相同的结构要素赋予同一参照标号，并省略重复的说明。
以下，对该实施方式3的结构中与实施方式2的结构不同的部分进行说明。此外，在本实施方式3中，以下说明的与实施方式2的不同之处以外的结构可以与实施方式2同样。
在实施方式3中，可特别使用与在图6所示的实施方式1中使用的同样的、并非常开型的第1阀61。另外，壳体41的导入口41c可以变更为可在光栅45的背面的中央部附近导入氮气的位置。此外，在壳体41内被氮气填充且排出壳体41内的气体的情况下，优选成为排气口的开口41b的位置与导入口41c的位置更大幅度离开，因此开口41b的位置可以变更为朝窗口22的端部附近开口。
7.2实施方式3的动作
图16示出从向窄带化模块40的壳体41内的氮气供给到排出壳体41内的气体的整体的处理流程。在该图16中，对于与图7的处理中相同的处理赋予与对图7标记的步骤编号相同的步骤编号。这里，首先在步骤S500中，可由控制部66判别窄带化模块40是否搭载于未图示的激光装置。此后的步骤S301～S303的处理可以与图7的处理相同。在步骤S504中，第1阀61和第2阀162可以打开，而第3阀163可以关闭。此外，此后的步骤S305和S306的处理也可以与图7的处理相同。
如上所述，可以打开第1阀61和第2阀162，关闭第3阀163，在壳体41内对氮气进行填充，同时通过排气泵65排出壳体41内的气体。在进行该排气时，开口41b和导入口41c的各位置如上述的那样，因此壳体41内的氮气的流通路径能够成为使得氮气流向光栅45的表面的流动减弱的路径。
7.3实施方式3的作用·效果
如上所述，在对氮气填充的同时排气，由此可抑制对壳体41内减压时从壳体41内发生的杂质气体附着在壳体41内的窄带化用光学元件上而导致窄带化模块40的光学性能劣化。此外，可使得氮气流向光栅45的表面的流动减弱，因此可抑制基于氮气的密度分布或光栅45的表面的温度分布的折射率变动。于是，可抑制该折射率变动妨碍激光L的窄带化的情况。此外，从外部进入壳体41内的杂质气体也会与氮气一起排出，因此壳体41内的杂质气体的浓度也能够降低。
8.实施方式4
8.1实施方式4的结构
图17是概略示出实施方式4的窄带化准分子激光装置7的结构的局部截断俯视图。在图17的结构中，对与图6所示的实施方式1的要素相同的结构要素赋予同一参照标号，并省略重复的说明。
以下，在该实施方式4的结构中，对与实施方式1的结构不同的部分进行说明。此外，在本实施方式4中，以下说明的与实施方式1的不同之处以外的结构可以与实施方式1同样。
在本实施方式中，在第1阀61与排气泵265之间的位置处，排气管64可以连通有另一个排气管200的一端。该排气管200的另一端可以与激光腔20内连通。并且，在排气管200的途中可以介入设置有第4阀201。另外，在本实施方式中，作为排气泵265可使用干式泵。在以上的结构中，对窄带化模块40的壳体41内进行排气的排气泵265可兼用于对激光腔20内进行排气。
8.2实施方式4的动作
图18是表示由图17所示的激光控制部52进行的控制处理的流程的流程图。以下参照该图18，对上述控制处理进行说明。首先在步骤S600中，激光控制部52可以将表示将氮气填充到窄带化模块40的壳体41的信号发送给控制部66。控制部66可以在壳体41内被填充氮气时，将表示填充完毕的填充完毕信号发送给激光控制部52。激光控制部52在步骤S601中可以判别是否接收到了填充完毕信号。在未判别为接收到填充完毕信号的情况下，可以反复进行步骤S601的处理。
在判别为接收到完毕信号的情况下，激光控制部52在步骤S602中，可以通过控制部66开始排气泵265的运转。接着，激光控制部52在步骤S603中可以打开第4阀201。由此，激光腔20内的激光气体通过未图示的卤素滤器而能够被放出到激光腔20外。
接着，激光控制部52在步骤S604中，可以判别来自激光腔20的激光气体排气是否完毕。在未判别为激光气体排气完毕的情况下，可以反复进行步骤S604的处理。在判别为来自激光腔20的激光气体排气完毕的情况下，激光控制部52在步骤S605中，可以将表示激光气体排气的完毕的信号发送给控制部66。此时，激光控制部52可以关闭第4阀201。控制部66接收到该信号的情况下，可以通过排气泵265排出在窄带化模块40的壳体41内填充的氮气。
另外，图19是表示在激光控制部52的处理进行时，由控制部66执行的处理的流程的流程图。以下参照该图19，对控制部66的处理进行说明。首先在步骤S700中，控制部66可以判别是否从激光控制部52接收到了表示窄带化模块40的壳体41内已被氮气充满的填充完毕信号。在未判别为接收到填充完毕信号的情况下，可以反复进行步骤S700的处理。
在判别为接收到填充完毕信号的情况下，控制部66在步骤S701中，可以进行停止来自窄带化模块40的壳体41的气体排气的子程序处理。该排气停止子程序处理可以是与图12所示的处理同样的处理。接着，控制部66在步骤S702中，可以输出表示壳体41内已被氮气填充的填充完毕信号，并发送给激光控制部52。可以在图18所示的处理的步骤S601中判别是否接收到该填充完毕信号。
接着，控制部66在步骤S703中，可以判别是否接收到了表示来自激光腔20的激光气体排气完毕的排气完毕信号。该排气完毕信号可以在图18所示的处理的步骤S605中被发送给控制部66。
8.3实施方式4的作用·效果
如上所述，在本实施方式中，可通过1台排气泵265来进行来自激光腔20的激光气体的排气以及来自窄带化模块40的壳体41的气体的排气。并且，在壳体41被氮气填充的状态下，进行来自激光腔20的激光气体的排气，因此可抑制窄带化模块40的壳体41内被激光气体中的杂质污染的情况。
9.控制部
9.1控制部的结构
图20是表示上述各实施方式的控制部66的概略结构的框图。以下参照该图20，说明控制部66的结构。控制部66可以由计算机或可编程控制器等通用的控制设备构成。例如，如图20所示那样，可如以下所述构成。
控制部66可以由处理部1000、与处理部1000连接的内部存储器1005、用户接口1010、并行I/O控制器1020、串行I/O控制器1030和A/D、D/A转换器1040构成。此外，处理部1000可以由与CPU1001和CPU1001连接的存储器1002、计时器1003和GPU1004构成。
9.2控制部的功能
表1概略示出图20所示的各设备的功能。以下，参照该表1，对控制部66的各部的功能进行说明。
【表1】
标号 设备 功能概要
100 硬件环境
1001 CPU 进行各种运算
1002 存储器 进行用于运算的暂时存储
1003 计时器 进行计时
1004 GPU 进行图像处理
1005 内存单元 以可读出的方式保存程序、数据
1010 用户接口 由人确认动作状况，在需要的情况下进行数据输入
1000 处理单元 程序的执行
1020 并行I/O控制器 进行与并行I/O设备的信号输入输出
1030 串行I/O控制器 进行与串行I/O设备的信号输入输出
1040 A/D、D/A转换器 进行与模拟输入输出设备的信号输入输出
无 并行I/O设备 激光控制部、其他控制部等
无 串行I/O设备 自动旋转台等
无 模拟设备 压力传感器、各种传感器等
处理部1000可以读出在内部存储器1005中存储的程序。此外，处理部1000可以执行所读出的程序，或按照程序的执行从内部存储器1005读出数据，或在内部存储器1005中存储数据。
并行I/O控制器1020可以通过并行I/O端口连接于可通信的设备。并行I/O控制器1020可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的通过并行I/O端口的基于数字信号的通信进行控制。
串行I/O控制器1030可以通过串行I/O端口连接于可通信的设备。串行I/O控制器1030可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的通过串行I/O端口的基于数字信号的通信进行控制。
A/D、D/A转换器1040可以通过模拟端口与可通信的设备连接。A/D、D/A转换器1040可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的通过模拟端口的基于模拟信号的通信进行控制。
用户接口1010可以构成为，由操作人员显示处理部1000的程序的执行过程，或使处理部1000执行操作人员对程序执行的中止或中断处理。
处理部1000的CPU1001可以进行程序的运算处理。存储器1002在CPU1001执行程序的过程中，可以进行程序的暂时存储以及运算过程中的数据的暂时存储。计时器1003测量时刻和经过时间，可以按照程序的执行对CPU1001输出时刻和经过时间。GPU1004在处理部1000被输入图像数据时，可以按照程序的执行来处理图像数据，并将该结果输出给CPU1001。
9.3控制部的连接设备
与并行I/O控制器1020连接的通过并行I/O端口而能够通信的设备、即并行I/O设备可以是激光控制部52及其他的控制部等。
与串行I/O控制器1030连接的通过串行I/O端口而能够通信的设备、即串行I/O设备可以是自动旋转台50等。
与A/D、D/A转换器1040连接的通过模拟端口而能够通信的设备、即模拟设备可以是压力传感器51等的各种传感器。
此外，以上的说明并非用于限制，而仅为了举例示出。因此，本领域普通技术人员应当明确在不脱离所附的权利要求书的范围内可以对本公开的实施方式施加变更。
在本说明书和所附的权利要求书整体中使用的用语应被解释为“非限定性的”用语。例如，“包含”或“被包含”这样的用语应被解释为“不限定于描述为被包含的情况”。“具有”这样的用语应被解释为“不限定于描述为具有的情况”。此外，在本说明书和所附的权利要求书中所述的不定冠词“1个”应被解释为表示“至少1个”或“1个或1个以上”。
标号说明
1，2，3，4，5，6，7 窄带化准分子激光装置
10 输出耦合镜
20 激光腔
21，22 窗口
23，24 放电电极
30 光路管
30a 光路管的开口
40 窄带化模块
41 窄带化模块的壳体
41b，41d 壳体的开口
41c 壳体的导入口
42，43，44 棱镜
45 光栅
51 压力传感器
52 激光控制部
60 导入管
61，161 第1阀
62，162 第2阀
63，163 第3阀
64 排气管
65，265 排气泵
66 控制部
70 流量调节阀
71，171 调节器
72，172 阀
74 氮气罐
75 大气排气管
90 检测部
173 氮气副箱
200 排气管
201 第4阀

Claims (13)

1.一种窄带化准分子激光装置，其具有：
光谐振器；
激光腔，其在内部含有准分子激光气体，并被配置在所述光谐振器的光路上；
窄带化模块，其包含壳体和被收纳在所述壳体内的窄带化用光学元件，并被配置在所述光谐振器内，使从所述激光腔输出的激光的谱线宽度变窄；
氮气供给装置；
氮气导入部，其使由所述氮气供给装置供给的氮气流入到所述壳体内；
第1阀，其控制氮气从所述氮气导入部向所述壳体内的流入；
排气部，其使所述壳体内的气体流出到壳体外；
排气泵，其使所述壳体内的气体通过所述排气部排出到壳体外；
第2阀，其控制气体从所述排气部的排出；
大气放出部，其使所述壳体内的气体放出到大气中；
第3阀，其控制所述大气放出部进行的气体的放出；
控制部，其关闭所述第2阀并打开所述第1阀和第3阀，使所述氮气在规定时间内供给到所述壳体内，接着关闭所述第1阀和第3阀并打开所述第2阀，并且驱动所述排气泵而对所述壳体内进行排气，然后进行激光振荡；以及
检测部，其检测出所述窄带化模块或所述激光腔搭载于窄带化准分子激光装置而输出检测信号，
所述控制部在被输入所述检测信号后，开始对于所述第1阀、所述第2阀、所述第3阀和所述排气泵的控制。
2.根据权利要求1所述的窄带化准分子激光装置，其中，
该窄带化准分子激光装置还具有压力传感器，该压力传感器检测所述壳体内的压力。
3.根据权利要求2所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述控制部在所述压力传感器示出的压力在规定的压力以下的情况下进行激光振荡。
4.根据权利要求2所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述控制部以使得所述压力传感器示出的压力进入规定的压力范围的方式控制所述排气泵的排气速度。
5.根据权利要求2所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述控制部以使得所述压力传感器示出的压力进入规定的压力范围的方式控制所述第1阀或第2阀的开闭。
6.根据权利要求1所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述壳体的除与所述氮气导入部连通的部分和与所述排气部连通的部分以外的部分具有将壳体的内部对于外部保持为气密的结构。
7.根据权利要求1所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述第1阀是常开型的阀，所述第2阀和所述第3阀是常闭型的阀。
8.一种窄带化准分子激光装置，其具有：
光谐振器；
激光腔，其内部含有准分子激光气体，并被配置在所述光谐振器的光路上；
窄带化模块，其包含壳体和被收纳在所述壳体内的窄带化用光学元件，并被配置在所述光谐振器内，使从所述激光腔输出的激光的谱线宽度变窄；
氮气供给装置；
氮气导入部，其使由所述氮气供给装置供给的氮气流入到所述壳体内；
第1阀，其控制氮气从所述氮气导入部向所述壳体内的流入；
排气部，其使所述壳体内的气体流出到壳体外；
排气泵，其使所述壳体内的气体通过所述排气部排出到壳体外；
第2阀，其控制气体从所述排气部的排出；
大气放出部，其使所述壳体内的气体放出到大气中；
第3阀，其控制所述大气放出部对气体的放出；
控制部，其关闭所述第2阀并打开所述第1阀和第3阀，使所述氮气在规定时间内供给到所述壳体内，接着关闭所述第3阀并打开所述第1阀和第2阀，并且驱动所述排气泵对所述壳体内进行排气，然后进行激光振荡；以及
检测部，其检测出所述窄带化模块或所述激光腔搭载于窄带化准分子激光装置而输出检测信号，
所述控制部在被输入所述检测信号后，开始对于所述第1阀、所述第2阀、所述第3阀和所述排气泵的控制。
9.根据权利要求8所述的窄带化准分子激光装置，其中，
该窄带化准分子激光装置还具有压力传感器，该压力传感器检测所述壳体内的压力。
10.根据权利要求9所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述控制部以使得所述压力传感器示出的压力进入规定的压力范围的方式控制所述排气泵的排气速度。
11.根据权利要求9所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述控制部以使得所述压力传感器所示的压力进入规定的压力范围的方式控制所述第2阀的开闭。
12.根据权利要求8所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述壳体的除与所述氮气导入部连通的部分和与所述排气部连通的部分以外的部分具有将壳体的内部对于外部保持为气密的结构。
13.根据权利要求8所述的窄带化准分子激光装置，其中，
所述第1阀是常开型的阀，所述第2阀和所述第3阀是常闭型的阀。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102379215B1 (ko) * 2017-10-31 2022-03-28 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치
JP7123323B2 (ja) 2018-02-21 2022-08-23 ギガフォトン株式会社 レーザシステム
JP7203944B2 (ja) * 2019-02-20 2023-01-13 ギガフォトン株式会社 ガスレーザ装置、ガスレーザ装置のレーザ光の出射方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2022525735A (ja) * 2019-03-27 2022-05-19 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 圧力制御スペクトル特徴調整器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1590007A (zh) * 2003-09-01 2005-03-09 株式会社东芝 激光加工装置和方法、加工掩模、半导体装置及制造方法
CN201426002Y (zh) * 2009-02-20 2010-03-17 南京通快激光设备有限公司 二氧化碳激光器气体控制装置
CN201663342U (zh) * 2010-03-12 2010-12-01 武汉高斯激光技术有限公司 一种用于横流co2激光设备的充排装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6442182B1 (en) 1999-02-12 2002-08-27 Lambda Physik Ag Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser
US6567450B2 (en) * 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
JP2000124534A (ja) * 1998-10-12 2000-04-28 Komatsu Ltd ＡｒＦエキシマレーザ装置及びその狭帯域化モジュール
JP2000236125A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Komatsu Ltd 真空紫外レーザ
US6735236B2 (en) 1999-09-03 2004-05-11 Cymer, Inc. High power gas discharge laser with line narrowing unit
JP2002094160A (ja) 2000-06-16 2002-03-29 Lambda Physik Ag Ｆ２レーザ
JP2003133622A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Gigaphoton Inc 紫外線レーザ装置
JP4081280B2 (ja) * 2002-02-25 2008-04-23 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
JP2003258337A (ja) 2002-03-06 2003-09-12 Komatsu Ltd レーザ装置用筐体の洗浄方法
JP2003283007A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Komatsu Ltd レーザ装置の筐体パージ機構
JP6022837B2 (ja) * 2011-10-25 2016-11-09 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
JP6307436B2 (ja) * 2012-11-05 2018-04-04 ギガフォトン株式会社 レーザチャンバ及び放電励起式ガスレーザ装置
JP6275737B2 (ja) 2013-11-05 2018-02-07 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び非一過性のコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1590007A (zh) * 2003-09-01 2005-03-09 株式会社东芝 激光加工装置和方法、加工掩模、半导体装置及制造方法
CN201426002Y (zh) * 2009-02-20 2010-03-17 南京通快激光设备有限公司 二氧化碳激光器气体控制装置
CN201663342U (zh) * 2010-03-12 2010-12-01 武汉高斯激光技术有限公司 一种用于横流co2激光设备的充排装置

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