CN107895644B - 一种用于重稀土晶界扩渗的生产线及生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,包括控制单元和与控制单元连接的物料传输系统、单片成型压机、烧结机构、清洗机构、镀膜机构、真空扩渗炉和控制单元;物料传输系统包括第一传输组件、第二传输组件、第三传输组件和第四传输组件;单片成型压机出料口通过第一传输组件与烧结机构进料口连接,烧结机构出料口通过第二传输组件与清洗机构进料口连接,清洗机构出料口通过第三传输组件与镀膜机构进料口连接,镀膜机构进料口通过第四传输组件与真空扩渗炉进料口连接;单片成型压机向烧结机构逐一提供基片,烧结机构烧结基片;清洗机构清洗基片;镀膜机构对基片表面溅射重稀土,形成重稀土层;真空扩渗炉对基片热处理,实现重稀土扩渗。

Description

一种用于重稀土晶界扩渗的生产线及生产方法
技术领域
本发明涉及重稀土扩渗技术领域,具体涉及一种用于重稀土晶界扩渗的生产线及生产方法。
背景技术
为了获得更高矫顽力的产品,目前磁性材料行业工业生产中普遍采用在熔炼过程中掺杂重稀土材料,即在熔炼过程中加入的,即把重稀土元素一同熔炼,这样的工艺使磁体晶内主相和晶界都含有重稀土元素,矫顽力大大增加,但是研究表明,只有晶界的重稀土元素对提高矫顽力作用最显著。为更有效的获得磁体较高性能,之后又采用重稀土晶界扩渗的工艺,可以有效降低重稀土使用量,使重稀土元素只存在于晶界中,这样更容易来获得高性能的磁体。常用的晶界扩渗工艺方法为蒸镀法和涂覆法。
但上述工艺中仍存在以下缺陷:1)熔炼过程采用了添加重稀土的方式,使用重稀土的用量达到甚至高于8%左右,具有成本高、制造困难、性能提升有限、一致性差的先天工艺缺陷。2)现有重稀土晶界扩渗工艺中的涂覆法使用氟化物或氧化物,涂覆不均匀,产品品质很难保证。此外氟化物具有很强腐蚀性,且有毒,对人体和设备都会造成不良影响。由于无法有效回收重稀土,因此材料利用率较低。3)现有重稀土晶界扩渗工艺中的蒸镀法工艺方式时间长、能耗高、污染严重,产品品质不容易保证。4)缺乏大规模工业化实现的条件。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种材料利用率高、对环境无污染、生产效率高、可规模化生产高性能磁性材料的用于重稀土晶界扩渗的生产线及生产方法。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,包括物料传输系统、单片成型压机、烧结机构、镀膜机构、真空扩渗炉和控制单元;
所述物料传输系统、单片成型压机、烧结机构、清洗机构、镀膜机构和真空扩渗炉分别与所述控制单元连接;
所述物料传输系统包括第一传输组件、第二传输组件、第三传输组件和第四传输组件;所述单片成型压机的出料口通过所述第一传输组件与所述烧结机构的进料口连接,所述烧结机构的出料口通过所述第二传输组件与所述清洗机构的进料口连接,所述清洗机构的出料口通过所述第三传输组件与镀膜机构的进料口连接,所述镀膜机构的进料口通过所述第四传输组件与所述真空扩渗炉的进料口连接;
所述单片成型压机通过所述第一传输组件向所述烧结机构逐一提供基片,所述烧结机构对所述基片进行烧结;所述第二传输组件将烧结后的基片输送至所述清洗机构,所述清洗机构对所述基片进行清洗;所述第三传输组件将清洗后的基片输送至镀膜机构,所述镀膜机构向所述基片的表面溅射重稀土,形成重稀土层;所述第四传输组件将镀膜后的基片输送至真空扩渗炉,所述真空扩渗炉对所述基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
其中,所述烧结机构包括多室连续烧结炉,所述多室连续烧结炉包括除杂室、烧结室、冷却室、第一插板阀、第二插板阀、第三插板阀和移载组件,所述第一插板阀设于所述除杂室的进料口,所述第二插板阀的两端分别与所述除杂室的出料口与所述烧结室的进料口连接,所述第三插板阀的两端分别与所述烧结室的出料口与所述冷却室的进料口连接,所述移载组件用于承载所述基片,并带动所述基片移动,使其依次通过所述除杂室、烧结室与冷却室。
其中,所述镀膜机构包括镀膜机,所述镀膜机包括进样室、缓冲室、清洗室、镀膜室、降温室、出样室和传送机构;所述缓冲室的出料口与清洗室的进料口之间、所述清洗室的出料口与镀膜室的进料口之间、所述镀膜室的出料口与降温室的进料口之间、所述降温室的出料口与出样室的进料口之间均通过闸板阀和真空密封组件连接,所述传送机构用于承载所述基片,并带动所述基片移动,使其依次通过所述进样室、缓冲室、清洗室、镀膜室、降温室与出样室,以实现所述基片单面镀膜。
其中,所述镀膜机构还包括翻转传输机,所述镀膜机的出料口和入料口之间的传输路径上设置有传输机构,所述翻转传输机的进料口和出料口通过所述传输机构分别与所述镀膜机的出料口和进料口连接,所述传输机构用于传送承载所述基片的载料盘,所述翻转传输机用于翻转所述载料盘中的基片,以使基片在所述镀膜机内进行正面单面镀膜后,经由所述翻转传输机翻转并重新经过所述镀膜机进行反面单面镀膜。
其中,所述翻转传输机包括能沿轴线翻转的翻转架,所述翻转架内设有翻转区,所述翻转区的两侧分别设有上下相对的一对夹紧机构,其中,位于上部的所述夹紧机构用于夹紧预置在所述翻转区上部的一个载料盘,位于下部的所述夹紧机构用于夹紧进入所述翻转区内的另一个载料盘、并驱动该载料盘朝向预置的载料盘移动;以使两个所述载料盘的两端对齐并夹紧;所述翻转架通过翻转能同步带动两个所述载料盘的位置互换。
其中,所述真空扩渗炉包括气源、真空泵组、炉体和加热箱,所述气源通过进气管路与所述炉体连接,且所述进气管路上设有进气阀;所述真空泵组通过抽气管路与所述炉体连接,且所述抽气管路上设有高真空阀;所述加热箱设于所述炉体内,且所述加热箱内设有物料支撑架,用于承载所述基片;所述气源和真空泵组分别向所述炉体内充放气,所述加热箱对所述基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
其中,所述加热箱包括隔热反射屏、支撑框架和加热器;所述隔热反射屏铺设在所述支撑框架上构成箱体,所述加热器设于所述箱体内。
其中,所述真空泵组包括低抽速泵组与高抽速泵组,所述低抽速泵组、高抽速泵组和高真空阀依次连接,且所述高真空阀的进气口与所述低抽速泵组的进气口之间设有前级管路,所述前级管路上设有预抽阀,所述低抽速泵组与高抽速泵组之间的连接管路上设有前级阀。
其中,所述真空扩渗炉还包括进出料装置,所述进出料装置包括传动机构和进出料机构,所述传动机构与所述第四传输组件连接,所述第四传输组件通过传动机构向所述进出料机构逐一提供基片;所述进出料机构包括导轨和可沿所述导轨滑动的车体,所述车体上设有螺旋升降机,所述螺旋升降机的上侧设有插料杆,且所述插料杆位于所述传动机构下方,所述螺旋升降机用于带动所述插料杆上升,使所述插料杆承托所述传动机构上的基片,所述车体带动所述插料杆,使其进出所述炉体,实现进出料。
本发明还提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产方法,具体包括以下步骤:
对所述基片进行烧结,并对烧结后的基片进行清洗;
对清洗后的基片表面溅射重稀土,形成重稀土层,以实现所述基片单面或双面镀膜;
对镀膜后的基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
(三)有益效果
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
本发明提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线及生产方法,该生产线及生产方法是一条可实现高性能磁性材料生产的新途径,颠覆了重稀土晶界扩渗工艺的传统设备使用方法,适用于规模化生产高性能磁性材料,具有材料利用率高、生产效率高、成本低、设备能耗低和无毒无污染的技术特点,且生产的产品具有高性能和高一致性的优势,为整个行业工业化的生产发展开辟了新路径。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中一种用于重稀土晶界扩渗的生产线的结构示意图;
图2为本发明实施例2中多室连续烧结炉的结构示意图;
图3为本发明实施例2中多室连续烧结炉的主视图;
图4为本发明实施例2中多室连续烧结炉的俯视图;
图5为本发明实施例2中多室连续烧结炉的移载组件的结构示意图;
图6为本发明实施例3中清洗机构的结构示意图;
图7为本发明实施例4中镀膜机构的镀膜机的结构示意图;
图8为本发明实施例4中镀膜机构的结构示意图;
图9为本发明实施例4中翻转传输机的结构示意图;
图10为本发明实施例5中真空扩渗炉的结构示意图;
图11为本发明实施例5中真空扩渗炉的炉体结构示意图;
图12为本发明实施例5中真空扩渗炉的进出料装置的结构示意图;
图13为本发明实施例5中进出料装置的进出料机构的结构示意图;
图14为本发明实施例5中进出料装置的规正机构的结构示意图;附图标记说明
1-单片成型压机;2-烧结机构;3-清洗机构;4-镀膜机构;5-真空扩渗炉;6-物料传输系统;
101-除杂室;102-烧结室;103-冷却室;104-入口辊台车;105-出口辊台车;106-真空泵组件;107-第一插板阀;108-第二插板阀;109-第三插板阀;110-电机;111-传动辊;112-链轮;113-进料台;114-去油槽;115-第一快排清洗槽;116-腐蚀槽;117-第二快排清洗槽;118-干燥槽;119-出料台;120-机械手;121-导轨;
201-镀膜机;202-出料传输机;203-第一换向传输机;204-第一直线传输机;205-翻转传输机;206-第二直线传输机;207-第二换向传输机;208-进料传输机;209-机架;210-翻转架;211-载料盘;212-夹紧机构;213-进料台;214-进样室;215-第一缓冲室;216-清洗室;217-镀膜室;218-第二缓冲室;219-降温室;220-出样室;221-出料台;
301-炉体;302-真空泵组;303-加热箱;304-物料支撑架;305-传动机构;306-规正机构;307-进出料机构;308-安装架;309-插料杆;310-升降驱动电机;311-螺旋升降机;312-车体;313-导轨;314-滑轮;315-连接板;316-气缸;317-齿轮;318-齿条;319-挡板;320-规正板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1:
如图1所示,为本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,包括物料传输系统6、单片成型压机1、烧结机构2、清洗机构3、镀膜机构4、真空扩渗炉5和控制单元。
物料传输系统6、单片成型压机1、烧结机构2、清洗机构3、镀膜机构4和真空扩渗炉5分别与控制单元连接。
物料传输系统6包括第一传输组件、第二传输组件、第三传输组件和第四传输组件;单片成型压机1的出料口通过第一传输组件与烧结机构2的进料口连接,烧结机构2的出料口通过第二传输组件与清洗机构3的进料口连接,清洗机构3的出料口通过第三传输组件与镀膜机构4的进料口连接,镀膜机构4的进料口通过第四传输组件与真空扩渗炉5的进料口连接;
单片成型压机1通过第一传输组件向烧结机构逐一提供基片,烧结机构2对基片进行烧结;第二传输组件将烧结后的基片输送至清洗机构3,清洗机构3对基片进行清洗;第三传输组件将烧结后的基片输送至镀膜机构4,镀膜机构4向基片的表面溅射重稀土,形成重稀土层;第四传输组件将镀膜后的基片输送至真空扩渗炉5,真空扩渗炉5对基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
本实施例中,在基片的表面形成Tb重稀土层或Dy重稀土层。
本实施例中,第一传输组件、第二传输组件、第三传输组件和第四传输组件均包括机械手、传输带和/或传送小车,实现自动化生产,不需要人工进行参与,节约用人成本,整条生产线效率更高,消耗更少,实现生产成本的降低。
下面通过具体的工作过程,进一步详细的描述。
单片成型压机1将钕铁硼(无重稀土添加)压制成基片;第一传输组件将单片成型压机1制备的基片逐一提供给烧结机构,烧结机构2对基片进行烧结;第二传输组件将烧结后的基片输送至清洗机构3,清洗机构3对烧结后的基片进行清洗;第三传输组件将烧结后的基片输送至镀膜机构4,镀膜机构4通过磁控溅射技术,对清洗后的基片的表面溅射重稀土,在基片的表面形成重稀土层,以实现基片单面或双面镀膜;第四传输组件将镀膜后的基片输送至真空扩渗炉5,真空扩渗炉5对基片进行高温热扩散和回火处理,实现重稀土扩渗。
本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,该生产线及生产方法是一条可实现高性能磁性材料生产的新途径,适用于规模化生产高性能磁性材料,具有材料利用率高、生产效率高、成本低、设备能耗低和无毒无污染的技术特点,且生产的产品具有高性能和高一致性的优势,为整个行业工业化的生产发展开辟了新途径。
实施例2:
本实施例与实施例1基本相同,为了描述的简要,在本实施例的描述过程中,不再描述与实施例1相同的技术特征,仅说明本实施例与实施例1不同之处:
如图2-4所示,本实施例中,烧结机构2包括多室连续烧结炉,多室连续烧结炉包括除杂室101、烧结室102、冷却室103、第一插板阀107、第二插板阀108、第三插板阀109和移载组件,第一插板阀107设于除杂室101的进料口,第二插板阀108的两端分别与除杂室101的出料口与烧结室102的进料口连接,第三插板阀109的两端分别与烧结室102的出料口与冷却室103的进料口连接,移载组件用于承载基片,并带动基片移动,使其依次通过除杂室101、烧结室102与冷却室103。
除杂室101与烧结室102均连通有真空泵组件106,冷却室103内设有蒸发器。基片在除杂室101内进行脱蜡和脱气,在烧结室102内烧结,在冷却室103内快速冷却。
如图5所示,移载组件包括设于除杂室101、烧结室102与冷却室103内的多个传动辊111和电机110,且除杂室101、烧结室102与冷却室103内的传动辊111的一端设有链轮112,电机110通过链条与链轮112连接,带动传动辊111转动,使基片依次通过除杂室101、烧结室102与冷却室103。
进一步的,移载组件还包括入口辊台车104与出口辊台车105。入口辊台车104设于除杂室101的进料口处,并与第一传输组件连接;出口辊台车105设于冷却室103的出料口处,并与第二传输组件连接。
下面通过具体的过程,进一步详细的说明。
第一输送组件将基片传输至入口辊台车104上,第一插板阀107开启,入口辊台车104将基片送入除杂室101;关闭第一插板阀107,基片在除杂室101内进行脱蜡和脱气处理;
第二插板阀108开启,电机110开启,传动辊111将基片送入烧结室102;电机110与第二插板阀108关闭,真空泵组件106将烧结室102抽真空至10-2Pa,开启烧结室102内的加热器,按一定升温速率升温至1020-1050℃,并保温15~20h,之后,充惰性气体使烧结室102内的压力至-0.06MPa。
第三插板阀109开启,电机110开启,传动辊111将基片送入冷却室103室;电机110与第三插板阀109关闭,启动蒸发器,快速冷却降温至室温或60℃;冷却后,电机110开启,传动辊111将将基片传送至出口辊台车105,出口辊台车105将基片传送至第二传输组件。第二传输组件将烧结后的基片输送至清洗机构3,进行清洗。
本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,通过多室连续烧结炉对基片进行烧结,且能够根据工艺,调整除杂室、烧结室和冷却室的运行;另外,可连续式的对基片进行烧结,生产效率高,设备能耗和生产成本低;同时,使生产线上下游的衔接过程更合理完善。
实施例3:
本实施例与实施例1基本相同,为了描述的简要,在本实施例的描述过程中,不再描述与实施例1相同的技术特征,仅说明本实施例与实施例1不同之处:
如图6所示,本实施例中,清洗机构3包括去油槽114、第一快排清洗槽115、腐蚀槽116、第二快排清洗槽117、干燥槽118和传送组件,传送组件带动基片依次穿过去油槽114、第一快排清洗槽115、腐蚀槽116、第二快排清洗槽117和干燥槽118,完成清洗。
本实施例中,传送组件包括进料台113、出料台119、导轨121和可沿导轨121滑动的机械手120。进料台113与第二传输组件连接,出料台119与第三传输组件连接。本实施例中,干燥槽118包括工作槽和缓存槽。
其具体工作过程如下:
第二传输组件将烧结后的基片输送至进料台113,机械手120将基片放置于去油槽114内;去油槽114内的化学药剂A加热、循环同时开启超声,清洗掉基片表面的油污及其余颗粒物质。
去油后,机械手120将基片放置于第一快排清洗槽115内;第一快排清洗槽115进行注水、喷淋、氮气鼓泡及快排,冲洗掉基片表面残留的化学药剂A。
冲洗后,机械手120将基片放置于腐蚀槽116内;通过腐蚀槽116内的化学药剂B腐蚀掉料块表面的氧化层等杂质。进一步的,腐蚀槽116内设有电机,电机用于驱动载具上下摇动,使氧化层腐蚀效果更好。
腐蚀后,机械手120将基片放置于第二快排清洗槽117内;第二快排清洗槽117进行注水、喷淋、氮气鼓泡及快排,冲洗掉基片表面残留的化学药剂B
冲洗后,机械手120将基片放置于干燥槽118的工作槽内;干燥槽118的工作槽内充满IPA(异丙醇),通过泵抽走干燥槽118内部的IPA至缓存槽,使用IPA携带走料块表面残留的水,然后通入热氮气对料块表面的液体进行干燥。
干燥后,机械手120将基片放置于出料台119上,并通过第三传输组件输送至镀膜机构4。
本实施例中,清洗结构对烧结后的基片进行去油、去氧化层和干燥处理,在整条生产线上连接烧结机构和镀膜机构,适用于规模化生产高性能磁性材料,生产效率高,并且提高了生产的产品品质。
实施例4:
本实施例与实施例1基本相同,为了描述的简要,在本实施例的描述过程中,不再描述与实施例1相同的技术特征,仅说明本实施例与实施例1不同之处:
如图7所示,本实施例中,镀膜机构4包括镀膜机201,镀膜机201包括进样室214、缓冲室、清洗室216、镀膜室217、降温室219、出样室220和传送机构;缓冲室的出料口与清洗室216的进料口之间、清洗室216的出料口与镀膜室217的进料口之间、镀膜室217的出料口与降温室219的进料口之间、降温室219的出料口与出样室220的进料口之间均通过闸板阀和真空密封组件连接,传送机构用于承载基片,并带动基片移动,使其依次通过进样室214、缓冲室、清洗室216、镀膜室217、降温室219与出样室220,以实现基片单面镀膜。
本实施例中,缓冲室包括第一缓冲室214和第二缓冲室218,第一缓冲室214设于进样室214与清洗室216之间;第二缓冲室218设于镀膜室217与降温室219之间。
本实施例中,传送机构包括进料台213、出料台221、多段传动托辊和驱动电机进料台213与进样室214的进料口连接,出料台221与出样室220的出料口连接,驱动电机由变频调速器控制带动多段传送托辊水平同步运转,实现逐段水平输送。
进样室:均由腔室和机架构成。机架为铝型材制作,腔室为不锈钢材质的单层结构。其进料口与进料台213通过门阀连接。传送机构完成物料进入后,门阀通过气缸控制执行密闭动作。
第一缓冲室和第二缓冲室:均由腔室和机架构成。机架为铝型材制作,腔室为不锈钢材质的单层结构。其腔室开有真空接口,并配真空系统,进行预抽真空。
清洗室:由腔室和机架构成。机架为铝型材制作,腔室为不锈钢材质的单层结构。采用惰性气体等离子清洗的方式对工件进行清洗,且分配有高真空系统,保证等离子体与基片表面发生物理反应(离子轰击)。物理反应机制是活性粒子轰击待清洗表面,使污染物脱离表面最终被真空泵吸走。
镀膜室:由腔室和机架构成,机架为铝型材制作,腔室为不锈钢材质的双层结构,可通冷却水。其腔体配有靶装置、加热器、观察窗、挡板机构、隔热屏及放气阀,且镀膜室217内设有3个平面阴极。本实施例中,镀膜室217采用磁控溅射技术,向基片表面磁控溅射重稀土Tb,在基片的表面形成Tb重稀土层。
降温室:由腔室和机架构成,机架为铝型材制作,腔室为不锈钢材质的双层结构,可通冷却水,作为基片冷却工艺执行单元。
在上述对基片进行单面镀膜或双面镀膜前,需确定基片的规格和性能要求,并计算基片的镀膜(重稀土层)厚度(范围2-50μm内)。
如图8所示,镀膜机构4还包括翻转传输机205,镀膜机201的出料口和入料口之间的传输路径上设置有传输机构,翻转传输机205的进料口和出料口通过传输机构与镀膜机201的出料口和进料口连接,传输机构用于传送承载基片的载料盘211,翻转传输机205用于翻转载料盘211上的基片,以使基片在镀膜机201内进行正面单面镀膜后,经由翻转传输机205翻转并重新经过镀膜机201进行反面单面镀膜。
上述的传输机构包括进料传输机208、出料传输机202、第一直线传输机204、第二直线传输机206、第一换向传输机203和第二换向传输机207,进料传输机208和出料传输机202分别与镀膜机201的进料口和出料口连接,且进料传输机208与第三传输组件连接,出料传输机202与第四传输组件连接;第一直线传输机204和第二直线传输机206分别与翻转传输机205的进口和出口连接;出料传输机202通过第一换向传输机203与第一直线传输机204连接,进料传输机208通过第二换向传输机207与第二直线传输机206连接。第一换向传输机203和第二换向传输机207用于改变载料盘212的传送方向和传送高度,从而在镀膜机201的外部形成能循环的传输载料盘212的物料传输循环。
如图9所示,翻转传输机205包括能沿轴线翻转的翻转架210,翻转架210内设有翻转区,翻转区的两侧分别设有上下相对的一对夹紧机构211,位于上部的夹紧机构211用于夹紧预置在翻转区上部的一个载料盘212,位于下部的夹紧机构211用于夹紧进入翻转区内的另一个载料盘212、并驱动该载料盘212朝向预置的载料盘212移动;以使两个载料盘212的两端对齐并夹紧;翻转架210通过翻转能同步带动两个载料盘212的位置互换。
在翻转架210翻转后,原本预置在翻转区上部的载料盘212被翻转至翻转区下部,并可以直接承载着工件进入下一工序,而原本来料的载料盘212则被翻转至翻转区上部,以作为下一翻转工序中的预置载料盘212,则各个载料盘212由入料口进入翻转区后,可以通过翻转架210的同向连续翻转,利用来料载料盘212逐个替换预置载料盘212,从而简化了生产过程中的输送流程。
本实施例中,翻转架210设于机架209上,以使翻转架进出料口的高度与第一直线传输机204和第二直线传输机206的高度一致。
下面通过具体的过程,进一步详细的描述。
清洗机构3对基片进行清洗后,第三传输组件将清洗后的基片输送至进料传输机208,进料传输机208将基片输送至传送托辊上,各段传送托辊带动基片依次穿过进样室、缓冲室、清洗室、镀膜室、降温室与出样室,进行单面镀膜处理。
单面镀膜后的基片输送至出料传输机202,并经第一换向传输机203改变传送方向和传送高度,将基片输送到第一直线传输机204,第一直线传输机204将基片送入翻转传输机205中,进行翻转。
翻转后的基片,进入第二直线传输机206,并经第二换向传输机207改变基片的传送方向和传送高度,使其进入进料传输机208,并再次进入镀膜机201中,对反面进行镀膜。
双面镀膜完成后,经出料传输机202输送至第四传输组件。
本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,翻转传输机设置在镀膜机的出料口和入料口之间的传输路径上,镀膜机用于对基片进行单面镀膜,翻转传输机用于翻转基片,以使基片在镀膜机内进行正面单面镀膜后,经由翻转传输机翻转并重新经过镀膜机进行反面单面镀膜,从而实现基片的不间断连续输送和双面镀膜,并能进行大规模的输送作业,提高生产效率,降低生产成本,从而实现一种自动化和连续化程度高、能源消耗少、效率高的连续式双面镀膜生产线。另外,通过镀膜机对基片进行磁控溅射镀膜,镀膜品质稳定,用更低的生产成本来获得更高性能的磁性材料,同时提高重稀土材料的使用率,减少生产投入成本,减少环境污染,降低能耗,同时镀膜机将重稀土晶界扩渗工艺在工业化大生产的应用变为现实,开拓了磁控溅射镀膜设备在重稀土晶界扩渗工艺领域新的应用形式。
实施例5:
本实施例与实施例1基本相同,为了描述的简要,在本实施例的描述过程中,不再描述与实施例1相同的技术特征,仅说明本实施例与实施例1不同之处:
如图10-11所示,本实施例中,真空扩渗炉5包括气源、真空泵组302、炉体301和加热箱303,气源通过进气管路与炉体301连接,真空泵组302通过抽气管路与炉体301连接;加热箱设于炉体301内,且加热箱内设有物料支撑架304,用于承载基片;气源和真空泵组302分别向炉体301内充放气,加热箱303对基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
其中,加热箱303包括隔热反射屏、支撑框架和加热器;隔热反射屏铺设在支撑框架上构成箱体,加热器设于箱体内。由隔热反射屏、支撑框架和加热器构成加热箱,提高了温度均匀性,能更好的保证了重稀土晶界扩渗工艺的产品的一致性。
下面通过具体的过程,进一步详细的描述。
镀膜机构4对基片进行镀膜后,第四传输组件将镀膜后的基片传输进加热箱303内的物料支撑架304上,真空泵组302将炉体301抽真空至3×10-3Pa,加热器开始工作,将炉体301内的温度加热至900℃左右,并保温10~20h。然后,充惰性气体使炉体301内的压力至-0.06MPa,加热器停止工作,将温度冷却至室温;冷却后,真空泵组302将炉体301抽真空至3×10-3Pa;加热器开始工作,将炉体301内的温度加热至500℃,并保温4-8h,完成重稀土扩渗;之后,将温度冷却至室温,取出基片。
本实施例一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,通过真空泵组对真空扩渗炉抽真空,并在对热处理过程中,气源和真空泵组向炉体内充放气,使炉体中的气体发生流动,温度分布更加均匀。且真空泵组持续抽取工件产生的废气,将其排出真空扩渗炉,提高了炉体内的洁净度。通过设置加热箱,工件在加热箱内进行热处理,温度保持在最佳范围内,满足产品的生产方法,降低了工件的放气量,提高了产品成品的品质。
进一步的,真空泵组包括低抽速泵组与高抽速泵组,低抽速泵组、高抽速泵组和高真空阀依次连接,且高真空阀的进气口与低抽速泵组的进气口之间设有前级管路,前级管路上设有预抽阀,低抽速泵组与高抽速泵组之间的连接管路上设有前级阀。根据目标控制压力的大小,控制低抽速泵组与高抽速泵组的启闭,调节炉体内的压力。
本实施例通过设置低抽速泵组与高抽速泵组配合对炉体抽气空,实现炉体的压力控制,且由于抽速可大范围的进行调节,进而使炉体内的压力调节范围变大。低抽速泵组与高抽速泵组同时运行,抽气量变大,炉体内压力变低;低抽速泵组运行,高抽速泵组关闭,抽气量变小,炉体内压力变大。同时,进气量不变,成本低。
如图12-14所示,真空扩渗炉5还包括进出料装置,进出料装置包括传动机构305和进出料机构307,传动机构305与第四传输组件连接,第四传输组件通过传动机构305向进出料机构307逐一提供基片。进出料机构307包括导轨313和可沿导轨滑动的车体312,车体312上设有螺旋升降机311和升降驱动电机310,螺旋升降机311的上侧设有插料杆309,且插料杆309位于传动机构305下方,升降驱动电机310用于驱动螺旋升降机311升降,带动插料309杆上升,以使插料杆309承托传动机构305上的基片,车体312带动插料杆309,使其进出炉体301,实现进出料。
传动机构305包括传动辊子与传动电机,传动辊子的一端设有链轮,链轮通过链条与传动电机的驱动端连接,以实现传动电机驱动传动辊子同步转动。
进出料装置还包括规正机构306,规正机构306位于传动辊子上侧,包括气缸316和规正板320,气缸316的驱动端连接设有连接板315,规正板320固定在连接板315的端部,连接板315的另一端连接设有齿轮317,齿轮317下侧设有与齿轮317啮合的齿条318,齿条318的端部连接设有与规正板320相对的挡板。
进出料装置还包括安装架308。传动机构305和进出料机构307均设于安装架308上。
其具体的流程如下:
第四传输组件将镀膜后的基片传送至传动辊子上,开启传动电机,使传动辊子同步正转;当基片位于规正机构306下方时,气缸316收缩,带动连接板315和规正板320向内侧滑动,连接板315带动齿轮317转动,齿轮317与齿条318啮合,带动挡板319向中间靠近,使规正板320与挡板319规正基片在动辊子上的位置;开启升降驱动电机310,驱动螺旋升降机311上升,插料杆309托起基片并上升至真空扩渗炉5的炉口高度后关闭升降驱动电机310,开启驱动电机,驱动车体312在导轨313上前进,将基片输送至物料支撑架304上,对基片进行高温热扩散和回火处理。
当扩渗完成后,插料杆309将基片从物料支撑架304上托起,开启驱动电机,驱动车体312在导轨313上后退,插料杆309带动加工完成的基片完全撤出真空扩渗炉5,开启升降驱动电机310,驱动螺旋升降机311下降,使基片落至传动辊子上,规正机构306再次规正,规正后,开启传动电机,带动传动辊子反转,将加工后的基片输送至成品箱,完成进出料。
本实施例通过传动机构的传动辊子将基片传送至炉口,经规正机构规正后,经进出料机构的插料杆和车体配合将基片送进炉体,完成加工后,车体带动插料杆撤出炉体,实现了生产自动化,人工辅助工作少,节省时间,连续化程度高,降低生产安全隐患,提高生产效率。
实施例6:
本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产方法,具体包括以下步骤:
S1、对基片进行烧结,并对烧结后的基片进行清洗;
具体的,将烧结室抽真空至10-2Pa,并按一定升温速率升温至1020-1050℃,保温15~20h,之后,充惰性气体使烧结室内的压力至-0.06MPa。冷却后,对烧结后的基片进行清洗。
进一步的,在对基片进行烧结之前,对基片进行脱蜡和脱气处理。
S2、对清洗后的基片表面溅射重稀土,形成重稀土层,以实现所述基片单面或双面镀膜;
清洗后,确定基片的规格和性能要求,并计算基片的镀膜厚度(范围2-50μm内)。之后,对基片的表面进行溅射重稀土,形成重稀土层,完成单面或双面镀膜。本实施例中,通过磁控溅射技术,对基片正反面溅射重稀土Dy,形成Tb重稀土层。
S3、对镀膜后的基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
将真空扩渗炉抽真空至3×10-3Pa,并将炉体内的温度加热至900℃左右,保温10~20h。然后,充惰性气体使炉体内的压力至-0.06MPa,停止加热,将温度冷却至室温;冷却后,将炉体抽真空至3×10-3Pa,并将炉体内的温度加热至500℃,并保温4-8h,完成重稀土扩渗。
本实施例提供一种用于重稀土晶界扩渗的生产方法,该生产方法是一条可实现高性能磁性材料生产的新工艺,颠覆了重稀土晶界扩渗的传统工艺,适用于规模化生产高性能磁性材料,具有材料利用率高、生产效率高、成本低和无毒无污染的技术特点,且生产的产品具有高性能和高一致性的优势,为整个行业工业化的生产发展开辟新途径。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种用于重稀土晶界扩渗的生产线,其特征在于,包括物料传输系统、单片成型压机、烧结机构、清洗机构、镀膜机构、真空扩渗炉和控制单元;
所述物料传输系统、单片成型压机、烧结机构、清洗机构、镀膜机构和真空扩渗炉分别与所述控制单元连接;
所述物料传输系统包括第一传输组件、第二传输组件、第三传输组件和第四传输组件;所述单片成型压机的出料口通过所述第一传输组件与所述烧结机构的进料口连接,所述烧结机构的出料口通过所述第二传输组件与所述清洗机构的进料口连接,所述清洗机构的出料口通过所述第三传输组件与镀膜机构的进料口连接,所述镀膜机构的进料口通过所述第四传输组件与所述真空扩渗炉的进料口连接;
所述单片成型压机通过所述第一传输组件向所述烧结机构逐一提供基片,所述烧结机构对所述基片进行烧结;所述第二传输组件将烧结后的基片输送至所述清洗机构,所述清洗机构对所述基片进行清洗;所述第三传输组件将清洗后的基片输送至镀膜机构,所述镀膜机构向所述基片的表面溅射重稀土,形成重稀土层;所述第四传输组件将镀膜后的基片输送至真空扩渗炉,所述真空扩渗炉对所述基片进行热处理,以实现重稀土扩渗;
所述烧结机构包括多室连续烧结炉,所述多室连续烧结炉包括除杂室、烧结室、冷却室、第一插板阀、第二插板阀、第三插板阀和移载组件,所述第一插板阀设于所述除杂室的进料口,所述第二插板阀的两端分别与所述除杂室的出料口与所述烧结室的进料口连接,所述第三插板阀的两端分别与所述烧结室的出料口与所述冷却室的进料口连接,所述移载组件用于承载所述基片,并带动所述基片移动,使其依次通过所述除杂室、烧结室与冷却室。
2.根据权利要求1所述的生产线,其特征在于,所述镀膜机构包括镀膜机,所述镀膜机包括进样室、缓冲室、清洗室、镀膜室、降温室、出样室和传送机构;所述缓冲室的出料口与清洗室的进料口之间、所述清洗室的出料口与镀膜室的进料口之间、所述镀膜室的出料口与降温室的进料口之间、所述降温室的出料口与出样室的进料口之间均通过闸板阀和真空密封组件连接,所述传送机构用于承载所述基片,并带动所述基片移动,使其依次通过所述进样室、缓冲室、清洗室、镀膜室、降温室与出样室,以实现所述基片单面镀膜。
3.根据权利要求2所述的生产线,其特征在于,所述镀膜机构还包括翻转传输机,所述镀膜机的出料口和入料口之间的传输路径上设置有传输机构,所述翻转传输机的进料口和出料口通过所述传输机构分别与所述镀膜机的出料口和进料口连接,所述传输机构用于传送承载所述基片的载料盘,所述翻转传输机用于翻转所述载料盘中的基片,以使基片在所述镀膜机内进行正面单面镀膜后,经由所述翻转传输机翻转并重新经过所述镀膜机进行反面单面镀膜。
4.根据权利要求3所述的生产线,其特征在于,所述翻转传输机包括能沿轴线翻转的翻转架,所述翻转架内设有翻转区,所述翻转区的两侧分别设有上下相对的一对夹紧机构,其中,位于上部的所述夹紧机构用于夹紧预置在所述翻转区上部的一个载料盘,位于下部的所述夹紧机构用于夹紧进入所述翻转区内的另一个载料盘、并驱动该载料盘朝向预置的载料盘移动;以使两个所述载料盘的两端对齐并夹紧;所述翻转架通过翻转能同步带动两个所述载料盘的位置互换。
5.根据权利要求1所述的生产线,其特征在于,所述真空扩渗炉包括气源、真空泵组、炉体和加热箱,所述气源通过进气管路与所述炉体连接,且所述进气管路上设有进气阀;所述真空泵组通过抽气管路与所述炉体连接,且所述抽气管路上设有高真空阀;所述加热箱设于所述炉体内,且所述加热箱内设有物料支撑架,用于承载所述基片;所述气源和真空泵组分别向所述炉体内充放气,所述加热箱对所述基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
6.根据权利要求5所述的生产线,其特征在于,所述加热箱包括隔热反射屏、支撑框架和加热器;所述隔热反射屏铺设在所述支撑框架上构成箱体,所述加热器设于所述箱体内。
7.根据权利要求5所述的生产线,其特征在于,所述真空泵组包括低抽速泵组与高抽速泵组,所述低抽速泵组、高抽速泵组和高真空阀依次连接,且所述高真空阀的进气口与所述低抽速泵组的进气口之间设有前级管路,所述前级管路上设有预抽阀,所述低抽速泵组与高抽速泵组之间的连接管路上设有前级阀。
8.根据权利要求5-7任一项所述的生产线,其特征在于,所述真空扩渗炉还包括进出料装置,所述进出料装置包括传动机构和进出料机构,所述传动机构与所述第四传输组件连接,所述第四传输组件通过传动机构向所述进出料机构逐一提供基片;所述进出料机构包括导轨和可沿所述导轨滑动的车体,所述车体上设有螺旋升降机,所述螺旋升降机的上侧设有插料杆,且所述插料杆位于所述传动机构下方,所述螺旋升降机用于带动所述插料杆上升,使所述插料杆承托所述传动机构上的基片,所述车体带动所述插料杆,使其进出所述炉体,实现进出料。
9.一种根据权利要求1-8任一项所述的用于重稀土晶界扩渗的生产线的生产方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
对所述基片进行烧结,并对烧结后的基片进行清洗;
对清洗后的基片表面溅射重稀土,形成重稀土层,以实现所述基片单面或双面镀膜;
对镀膜后的基片进行热处理,以实现重稀土扩渗。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952069A (zh) * 2020-08-10 2020-11-17 北京北方华创磁电科技有限公司 一种应用于钕铁硼重稀土晶界扩散工艺的真空炉
CN112071611A (zh) * 2020-08-10 2020-12-11 北京北方华创磁电科技有限公司 一种重稀土晶界扩渗生产线工艺自动生成方法及系统
CN112071610A (zh) * 2020-08-10 2020-12-11 北京北方华创磁电科技有限公司 一种基于agv的重稀土晶界扩渗生产线调度方法及系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3239964A1 (de) * 1982-10-28 1984-05-03 Varta Batterie Ag, 3000 Hannover Galvanische hochtemperaturzelle mit einem hermetisch abgedichteten metallgehaeuse und festgelegtem schmelzelektrolyt

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102242342B (zh) * 2005-03-18 2014-10-01 株式会社爱发科 成膜方法和成膜装置以及永磁铁和永磁铁的制造方法
JP5472444B2 (ja) * 2010-03-04 2014-04-16 Tdk株式会社 希土類焼結磁石及びモータ
CN104032263B (zh) * 2013-12-27 2016-04-06 厦门钨业股份有限公司 一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁
CN106282948B (zh) * 2016-07-28 2017-12-01 北京中科三环高技术股份有限公司 一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3239964A1 (de) * 1982-10-28 1984-05-03 Varta Batterie Ag, 3000 Hannover Galvanische hochtemperaturzelle mit einem hermetisch abgedichteten metallgehaeuse und festgelegtem schmelzelektrolyt

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