CN112626485A - 一种pvd连续镀膜设备及镀膜方法 - Google Patents

一种pvd连续镀膜设备及镀膜方法 Download PDF

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CN112626485A
CN112626485A CN202011617501.6A CN202011617501A CN112626485A CN 112626485 A CN112626485 A CN 112626485A CN 202011617501 A CN202011617501 A CN 202011617501A CN 112626485 A CN112626485 A CN 112626485A
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邵海平
刘莉云
曹英朝
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Guangdong Tisnawell New Material Technology Co ltd
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Guangdong Tisnawell New Material Technology Co ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

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Abstract

本发明提供了一种PVD连续镀膜设备及镀膜方法,包括依次设置的装载腔、第一过渡腔、镀膜腔组、第二过渡腔、卸载腔和输送组件,装载腔的入口、装载腔与第一过渡腔之间、第一过渡腔与镀膜腔组之间、镀膜腔组与第二过渡腔之间,第二过渡腔与卸载腔之间以及卸载腔的出口均设有真空隔离阀,各腔室均设有对应的真空泵组,装载腔和卸载腔均设有泄气阀。本发明的有益效果在于:提供了一种具备多级真空腔结构的镀膜设备,可以大大缩短抽气/放气的时间,产品由设备的一端持续进入,从设备的另一端持续输出,实现了不间断生产,产能高,产品工艺一致性好,且产品的装卸均采用机械手,节约了人力成本,有效提高了工厂的经济效益。

Description

一种PVD连续镀膜设备及镀膜方法
技术领域
本发明涉及真空镀膜设备技术领域,尤其是指一种PVD连续镀膜设备及镀膜方法。
背景技术
目前大部分的不锈钢板镀膜设备为单体型设备,因不锈钢板尺寸较大,每炉只能镀制2-3片,时间为10分钟左右,且每炉都重复要放气\抽气过程,此过程时间占用每炉总时间的2/3,产能低,也是因为每炉都放气在工艺上不能保障批量产品颜色一致性.使用人力多,导致人力成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种自动化程度高,可持续进行生产的镀膜设备及镀膜方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种PVD连续镀膜设备,包括依次设置的装载腔、第一过渡腔、镀膜腔组、第二过渡腔、卸载腔和输送组件,所述装载腔的入口、所述装载腔与所述第一过渡腔之间、所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间、所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间,所述第二过渡腔与所述卸载腔之间以及卸载腔的出口均设有真空隔离阀,各腔室均设有对应的真空泵组,装载腔和卸载腔均设有泄气阀,其中:
所述装载腔用于装载基片,并将基片所处的环境从大气环境转变为第一真空环境,以及将装载腔的环境从第一真空环境还原至大气环境;
所述第一过渡腔用于将基片所处的环境从第一真空环境转变为符合工艺要求的第二真空环境;
所述镀膜腔组用于对处于真空环境下的基片进行连续镀膜;
所述第二过渡腔用于将基片所处的环境从第二真空环境恢复为第一真空环境;
所述卸载腔用于并将基片所处的第一真空环境还原至大气环境,并卸载基片,以及将装载腔的环境从大气环境转变为第一真空环境;
所述输送组件用于带动基片按照工艺路径移动。
进一步的,所述真空泵组包括装载腔真空泵、第一过渡腔前级分子泵、第一过渡腔分子泵、镀膜腔前级分子泵、第二过渡腔前级分子泵、第二过渡腔分子泵、卸载腔真空泵和多个镀膜腔分子泵,所述装载腔真空泵通过装载腔角阀与所述装载腔连接,所述第一过渡腔前级分子泵和第一过渡腔分子泵分别与所述第一过渡腔连接,所述第二过渡腔前级分子泵和第二过渡腔分子泵分别与所述第二过渡腔连接,所述卸载腔真空泵通过卸载腔角阀与所述卸载腔连接,每个镀膜腔中均设有镀膜腔分子泵。
进一步的,所述镀膜腔组包括至少两个镀膜腔,每个镀膜腔中均设有两套镀膜系统,两套镀膜系统分别设置于所述输送组件的两侧。
进一步的,每个镀膜腔入料端沿所述输送组件的两侧均设有加热器。
进一步的,每个镀膜腔中均设有工艺气体系统。
进一步的,所述输送组件包括第一速度输送装置和第二速度输送装置,所述第一速度输送装置设置于所述装载腔、所述第一过渡腔、第二过渡腔和卸载腔,所述第二速度输送装置设置于所述镀膜腔组中,所述第一速度输送装置用于将基片以第一速度由装载腔经第一过渡腔输送至镀膜腔组,以及将基片以第一速度由镀膜腔组经第二过渡腔输送至卸载腔;所述第二速度输送装置用于将基片以第二速度输送经过镀膜腔组进行镀膜。
进一步的,所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间设有第一变速过渡腔,所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间设有第二变速过渡腔,所述第一过渡腔与所述第一变速过渡腔之间设有真空隔离阀,所述第二变速过渡腔与所述第二过渡腔之间设有真空隔离阀。
进一步的,所述第一过渡腔沿所述输送组件的两侧设有过渡腔加热器;所述第一变速过渡腔沿所述输送组件的两侧设有加热器。
进一步的,所述输送组件还包括第一平移装置和第二平移装置,所述装载腔的入口通过过渡架与第一平移装置的基片装载工位连接,所述卸载腔的出口通过过渡架与第二平移装置的基片卸载工位连接,所述第一平移装置用于将回流接收工位的基片架输送至基片装载工位,所述第二平移装置用于将基片卸载工位的基片架输送至回流发送工位,所述回流接收工位通过回流输送装置与所述回流发送工位连接。
本发明还涉及一种镀膜方法,采用如上述所述的设备,包括:
S1、将基片装载至载片架;
S2、将载片架以第一速度输送至装载腔,对装载腔进行抽真空处理,使装载腔的大气环境转变为第一真空环境;
S3、将载片架以第一速度输送至第一过渡腔,对第一过渡腔进行抽真空处理,使第一过渡腔的第一真空环境转变为符合工艺要求的第二真空环境;
S4、将载片架以第二速度输送至镀膜腔组进行镀膜处理;
S5、将载片架以第二速度输送至第二过渡腔,并将第二过渡腔的第二真空环境还原至第一真空环境;
S6、将载片架以第一速度输送至卸载腔,并将卸载腔的第一真空环境还原为大气环境;
S7、将载片架以第一速度输送至基片卸载工位;
S8、通过机械手将载片架的基片卸载;
S9、将载片架输送至回流接收工位;
S10、将载片架移动至基片装载工位,回到步骤S1。
本发明的有益效果在于:提供了一种具备多级真空腔结构的镀膜设备,可以大大缩短抽气/放气的时间,产品由设备的一端持续进入,从设备的另一端持续输出,实现了不间断生产,产能高,产品工艺一致性好,且产品的装卸均采用机械手,节约了人力成本,有效提高了工厂的经济效益。
附图说明
下面结合附图详述本发明的具体结构:
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明的装载腔的结构示意图;
图3为本发明的第一过渡腔的结构示意图;
图4为本发明的镀膜腔的结构示意图;
图5为本发明的第二过渡腔的结构示意图;
图6为本发明的卸载腔的结构示意图;
图7为本发明的第一平移装置的结构示意图;
图8为本发明的第二平移装置的结构示意图;
图9为本发明的镀膜方法流程图;
1-基片;
10-装载腔;11-装载腔真空泵;12-装载腔角阀;
20-第一过渡腔;21-第一过渡腔前级分子泵;22-第一过渡腔分子泵;25-第一变速过渡腔;251-第一变速过渡腔分子泵;
30-镀膜腔组;31-镀膜腔前级分子泵;32-镀膜腔分子泵;33-镀膜系统;34-工艺气体系统;
40-第二过渡腔;41-第二过渡腔前级分子泵;42-第二过渡腔分子泵;45-第二变速过渡腔;451-第二变速过渡腔分子泵;
50-卸载腔;51-卸载腔真空泵;52-卸载腔角阀;
61-第一真空隔离阀;62-第二真空隔离阀;63-第三真空隔离阀;64-第四真空隔离阀;65-第五真空隔离阀;66-第六真空隔离阀;67-泄气阀;68-加热器;
70-第一平移装置;701-基片装载工位;702-回流接收工位;71-第二平移装置;711-基片卸载工位;712-回流发送工位;
80-装载端过渡架;81-卸载端过渡架;
90-回流输送装置。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不应理解为必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
请参阅图1以及图8,一种PVD连续镀膜设备,包括依次设置的装载腔10、第一过渡腔20、镀膜腔组30、第二过渡腔40、卸载腔50和输送组件,所述装载腔10的入口设有第一真空隔离阀61、所述装载腔10与所述第一过渡腔20之间设有第二真空隔离阀62、所述第一过渡腔20与所述镀膜腔组30之间设有第三真空隔离阀63、所述镀膜腔组30与所述第二过渡腔40之间设有第四真空隔离阀64,所述第二过渡腔40与所述卸载腔50之间设有第五真空隔离阀65,所述卸载腔50的出口设有第六真空隔离阀66,可将连续镀膜设备分隔为多个相互隔离的腔室,配合各腔室配备的对应的真空泵组,可分段对各腔室进行抽气或放气,增加各腔室形成真空的效率,具体的,所述真空泵组包括装载腔真空泵11、第一过渡腔前级分子泵21、第一过渡腔分子泵22、镀膜腔前级分子泵31、第二过渡腔前级分子泵41、第二过渡腔分子泵42、卸载腔真空泵51和多个镀膜腔分子泵32,所述装载腔真空泵11通过装载腔角阀12与所述装载腔10连接,所述第一过渡腔前级分子泵21和第一过渡腔分子泵22分别与所述第一过渡腔20连接,所述第二过渡腔前级分子泵41和第二过渡腔分子泵42分别与所述第二过渡腔40连接,所述卸载腔真空泵51通过卸载腔角阀52与所述卸载腔50连接,每个镀膜腔中均设有镀膜腔分子泵32,装载腔10和卸载腔50均设有泄气阀67,其中:
所述装载腔10用于装载基片1,并通过装载腔真空泵11将基片1所处的环境从大气环境转变为第一真空环境,以及通过泄气阀67将装载腔10的环境从第一真空环境还原至大气环境,本实施例中,基片1优选为不锈钢板;
所述第一过渡腔20用于通过第一过渡腔前级分子泵21和第一过渡腔分子泵22将基片1所处的环境从第一真空环境转变为符合工艺要求的第二真空环境;
所述镀膜腔组30用于对处于真空环境下的基片1进行连续镀膜;
所述第二过渡腔40用于在将基片1从第二过渡腔40输送至卸载腔50时,将基片1所处的环境从第二真空环境转换为第一真空环境,以及在将基片1从第二过渡腔40输送至卸载腔50之后,通过第二过渡腔前级分子泵41和第二过渡腔分子泵42将第二过渡腔40从第一真空环境转变为第二真空环境;
所述卸载腔50用于通过泄气阀67将基片1所处的第一真空环境还原为大气环境,并卸载基片1,以及通过卸载腔真空泵51将装载腔50的环境从大气环境转换至第一真空环境;
所述输送组件用于带动基片按照工艺路径移动,所述输送组件包括输送带和输送电机,所述输送电机采用齿轮驱动输送带转动进行传输,同理,输送电机也可以采用皮带驱动输送带转动进行传输。
为了保证镀膜效果,所述镀膜腔组包括依次相连的至少两个镀膜腔,每个镀膜腔中均设有两套镀膜系统33,两套镀膜系统分别设置于所述输送组件的两侧,使得可以对基片1进行双面镀膜,提高生产效率,优选的,镀膜系统为多弧靶系统。
每个镀膜腔入料端沿所述输送组件的两侧均设有加热器68,加热器68可以对基片1进行加热,使基片1保持在最佳镀膜温度范围内。
每个镀膜腔中均设有工艺气体系统34,可以为镀膜工艺提供所需的工艺气体。
所述输送组件包括第一速度输送装置和第二速度输送装置,所述第一速度输送装置设置于所述装载腔、所述第一过渡腔、第二过渡腔和卸载腔,所述第二速度输送装置设置于所述镀膜腔组中,所述第一速度输送装置用于将基片以第一速度由装载腔经第一过渡腔输送至镀膜腔组,以及将基片以第一速度由镀膜腔组经第二过渡腔输送至卸载腔;所述第二速度输送装置用于将基片以第二速度输送经过镀膜腔组进行镀膜,其中第一速度大于第二速度,可以将装载腔中的基片尽快通过第一过渡腔送进镀膜腔组以及将镀膜腔组中镀膜完毕的基片尽快通过第二过渡腔送进卸载腔,可以有效提高输送效率的同时,统筹利用各腔室抽气/放气时间,提高气压平衡效率。
所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间设有第一变速过渡腔25,所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间设有第二变速过渡腔45,第三真空隔离阀63设置于所述第一过渡腔20与所述第一变速过渡腔25之间,第四真空隔离阀64设置于所述第二变速过渡腔45与所述第二过渡腔40之间,所述第一变速过渡腔25和第二变速过渡腔45中均设有第二速度输送装置,为了保持第一变速过渡腔25和第二变速过渡腔45中的真空度,第一变速过渡腔25中设有第一变速过渡腔分子泵251,第二变速过渡腔45中设有第二变速过渡腔分子泵451。
在第一过渡腔20与镀膜腔组30之间设置第一变速过渡腔25,可以为基片1提供变速缓冲,在基片1移动进入镀膜腔组30的过程中,让基片1的前端以符合工艺要求的第二速度进入镀膜腔组30进行镀膜;在镀膜腔组30与第二过渡腔40之间设置第二变速过渡腔45,可以为基片1提供变速缓冲,在基片1移动出镀膜腔组30的过程中,让基片1的后端以符合工艺要求的第二速度在镀膜腔组30进行镀膜,由此可以保证镀膜效率的同时,加快输送效率。
所述第一过渡腔20沿所述输送组件的两侧设有加热器列,所述第一变速过渡腔沿所述输送组件的两侧设有加热器列,所述加热器列由若干加热器68排列而成,可以对基片1进行预加热,使基片1的温度升高,达到所需的镀膜温度并保持温度。
为了实现基片架的自动重复利用,所述输送组件还包括第一平移装置70和第二平移装置71,所述装载腔10的入口通过装载端过渡架80与第一平移装置的基片装载工位701连接,所述卸载腔50的出口通过卸载端过渡架81与第二平移装置的基片卸载工位711连接,所述第一平移装置70用于将回流接收工位702的基片架输送至基片装载工位701,所述第二平移装置71用于将基片卸载工位711的基片架输送至回流发送工位712,所述回流接收工位702通过回流输送装置90与所述回流发送工位712连接。
机械手在第一平移装置的基片装载工位701将基片1装载至基片架,随后基片架被输送组件输送按照工艺路径进行镀膜处理,并移动至第二平移装置的基片卸载工位711,基片卸载工位711的机械手将完成镀膜的基片1从基片架上卸载,第二平移装置71将基片架由基片卸载工位711移动至回流发送工位712,基片架通过回流输送装置90输送回第一平移装置的回流接收工位702,第一平移装置70将空的基片架由回流接收工位702移动至基片装载工位701等待下一次的基片装载,从而实现设备可以24小时持续生产,3000mm基片的产能可达1440片/24小时,是单体型设备的5-10倍。
为了能够协调各部件的工作,设备还包括控制模块,所述控制模块用于按照工艺流程分别控制所述输送组件和各真空泵组的启、停及各真空隔离阀的开、关和各泄气阀的开、关。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:提供了一种具备多级真空腔结构的镀膜设备,可以大大缩短抽气/放气的时间,产品由设备的一端持续进入,从设备的另一端持续输出,实现了不间断生产,产能高,产品工艺一致性好,且产品的装卸均采用机械手,节约了人力成本,有效提高了工厂的经济效益。
请参阅图9,本发明还涉及一种镀膜方法,采用上述的镀膜设备,包括以下步骤:
S1、在第一平移架的基片装载工位通过机械手将基片装载至载片架,此时第一真空隔离阀为开启状态,装载腔的环境为大气环境,第二真空隔离阀为关闭状态,第一过渡腔的环境为第一真空环境,镀膜腔组的环境为符合工艺要求的第二真空环境;
S2、输送组件的第一速度输送装置以第一速度将载有基片的载片架输送至装载腔,对装载腔进行抽真空处理,具体的,载片架进入装载腔后,关闭第一真空隔离阀,开启装载腔的装载腔角阀,装载腔真空泵开始工作,对装载腔进行抽真空,将装载腔的环境气压降到10Pa以下的第一真空环境,随后装载腔角阀关闭,其中,第一速度为高速输送速度;此时,下一个载片架已经在第一平移架的基片装载工位装载好基片,等待输送至装载腔;
S3、输送组件的第一速度输送装置以第一速度将载有基片的载片架由装载腔输送至第一过渡腔,对第一过渡腔进行抽真空处理,具体的,开启第二真空隔离阀,输送组件以第一速度将载片架输送至第一过渡腔,随后关闭第二真空隔离阀,第一过渡腔前级分子泵和第一过渡腔分子泵将10Pa左右气压的第一真空环境进一步抽气,使第一过渡腔的环境达到符合工艺要求的第二真空环境;此时装载腔的泄气阀开启,待装载腔的第一真空环境还原为大气环境后,第一真空隔离阀开启,下一载片架被输送至装载腔,而后对装载腔进行抽真空,将装载腔的环境降到10Pa气压以下的第一真空环境,等待被输送至第一过渡腔;
S4、输送组件的第二速度输送装置以第二速度将载有基片的载片架输送至镀膜腔组进行镀膜处理,具体的,第三真空隔离阀开启,输送组件以第二速度将载片架由第一过渡腔输送至镀膜腔组进行镀膜,载片架进入镀膜腔组后,第三真空隔离阀闭合,其中,第二速度小于第一速度,第二速度为符合镀膜工艺要求的基片移动速度,为了能够为基片提供变速缓冲,在基片移动进入镀膜腔的过程中,让基片的前端以符合工艺要求的第二速度进入镀膜腔组进行镀膜,所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间设有第一变速过渡腔,第一变速过渡腔与镀膜腔组的入口联通,具体的,第一变速过渡腔中设置有输送组件的第二速度输送装置,同时,镀膜腔组中的输送组件均为第二速度输送装置,将基片架输送至镀膜腔组后,第三真空隔离阀关闭,开启第二真空隔离阀,将下一基片架输送至第一过渡腔中,等待经第一变速过渡腔输送至镀膜腔组中进行镀膜;
S5、输送组件的第二速度输送装置以第二速度将载有基片的载片架由镀膜腔组输送至第二过渡腔,具体的,第四真空隔离阀开启,输送组件以第二速度将载片架由镀膜腔组的出口输送至第二过渡腔,而后关闭第四真空隔离阀,为了能够为基片提供变速缓冲,在基片移动出镀膜腔的过程中,让基片的后端以符合工艺要求的第二速度在镀膜腔组进行镀膜,所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间设有第二变速过渡腔,,第二变速过渡腔与镀膜腔组的出口联通,具体的,第二变速过渡腔中设置有输送组件的第二速度输送装置,将基片架经第二变速过渡腔输送至第二过渡腔后,关闭第四真空隔离阀;
S5、输送组件的第一速度输送装置以第一速度将载有基片的载片架由第二过渡腔输送至卸载腔,具体的,关闭第四真空隔离阀后,开启第五真空隔离阀,此时第二过渡腔与卸载腔的气压平衡,然后将载片架由第二过渡腔输送至卸载腔,关闭第五真空阀,通过第二过渡腔前级分子泵和第二过渡腔分子泵对第二过渡腔进行抽真空处理,使第二过渡腔的环境转变为第二真空环境,而后开启第四真空隔离阀,下一载片架被输送至第二过渡腔;
S6、对卸载腔进行泄气处理,通过泄气阀将卸载腔的环境从真空环境还原至大气环境,而后开启第六真空隔离阀;
S7、输送组件的第一速度输送装置以第一速度将载有基片的载片架由卸载腔输送至第二平移装置的基片卸载工位,关闭第六真空隔离阀,通过卸载腔真空泵将装载腔的环境从大气环境转换至第一真空环境,开启第五真空隔离阀,将下一载片架由第二过渡腔输送至卸载腔;
S8、通过机械手将载片架的基片卸载;
S9、将载片架移动至回流发送工位,通过回流输送装置将载片架输送至第一平移装置的回流接收工位;
S10、将载片架移动至第一平移装置的基片装载工位,回到步骤S1。
PVD连续镀膜设备配合上述镀膜方法,可以实现24小时持续生产,通过机械手对基片产品进行装载或卸载,节约了人力成本,全自动化持续生产可实现3000mm基片产品1440片/24小时的产能,产品工艺一致性高,经济效益好,大大提高了企业的竞争力。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种PVD连续镀膜设备,其特征在于:包括依次设置的装载腔、第一过渡腔、镀膜腔组、第二过渡腔、卸载腔和输送组件,所述装载腔的入口、所述装载腔与所述第一过渡腔之间、所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间、所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间,所述第二过渡腔与所述卸载腔之间以及卸载腔的出口均设有真空隔离阀,各腔室均设有对应的真空泵组,所述装载腔和卸载腔均设有泄气阀,其中:
所述装载腔用于装载基片,并将基片所处的环境从大气环境转变为第一真空环境,以及将装载腔的环境从第一真空环境还原至大气环境;
所述第一过渡腔用于将基片所处的环境从第一真空环境转变为符合工艺要求的第二真空环境;
所述镀膜腔组用于对处于真空环境下的基片进行连续镀膜;
所述第二过渡腔用于将基片所处的环境从第二真空环境恢复为第一真空环境;
所述卸载腔用于并将基片所处的第一真空环境还原至大气环境,并卸载基片,以及将装载腔的环境从大气环境转变为第一真空环境;
所述输送组件用于带动基片按照工艺路径移动。
2.如权利要求1所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述真空泵组包括装载腔真空泵、第一过渡腔前级分子泵、第一过渡腔分子泵、镀膜腔前级分子泵、第二过渡腔前级分子泵、第二过渡腔分子泵、卸载腔真空泵和多个镀膜腔分子泵,所述装载腔真空泵通过装载腔角阀与所述装载腔连接,所述第一过渡腔前级分子泵和第一过渡腔分子泵分别与所述第一过渡腔连接,所述第二过渡腔前级分子泵和第二过渡腔分子泵分别与所述第二过渡腔连接,所述卸载腔真空泵通过卸载腔角阀与所述卸载腔连接,每个镀膜腔中均设有镀膜腔分子泵。
3.如权利要求2所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述镀膜腔组包括至少两个镀膜腔,每个镀膜腔中均设有两套镀膜系统,两套镀膜系统分别设置于所述输送组件的两侧。
4.如权利要求3所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:每个镀膜腔入料端沿所述输送组件的两侧均设有加热器。
5.如权利要求4所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:每个镀膜腔中均设有工艺气体系统。
6.如权利要求5所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述输送组件包括第一速度输送装置和第二速度输送装置,所述第一速度输送装置设置于所述装载腔、所述第一过渡腔、第二过渡腔和卸载腔,所述第二速度输送装置设置于所述镀膜腔组中,所述第一速度输送装置用于将基片以第一速度由装载腔经第一过渡腔输送至镀膜腔组,以及将基片以第一速度由镀膜腔组经第二过渡腔输送至卸载腔;所述第二速度输送装置用于将基片以第二速度输送至镀膜腔组进行镀膜。
7.如权利要求6所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述第一过渡腔与所述镀膜腔组之间设有第一变速过渡腔,所述镀膜腔组与所述第二过渡腔之间设有第二变速过渡腔,所述第一过渡腔与所述第一变速过渡腔之间设有真空隔离阀,所述第二变速过渡腔与所述第二过渡腔之间设有真空隔离阀。
8.如权利要求7所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述第一过渡腔沿所述输送组件的两侧设有加热器;所述第一变速过渡腔沿所述输送组件的两侧设有加热器。
9.如权利要求8所述的PVD连续镀膜设备,其特征在于:所述输送组件还包括第一平移装置和第二平移装置,所述装载腔的入口通过过渡架与第一平移装置的基片装载工位连接,所述卸载腔的出口通过过渡架与第二平移装置的基片卸载工位连接,所述第一平移装置用于将回流接收工位的基片架输送至基片装载工位,所述第二平移装置用于将基片卸载工位的基片架输送至回流发送工位,所述回流接收工位通过回流输送装置与所述回流发送工位连接。
10.一种镀膜方法,其特征在于采用如权利要求1-9任意一项所述的设备,包括:
S1、将基片装载至载片架;
S2、将载片架以第一速度输送至装载腔,对装载腔进行抽真空处理,使装载腔的大气环境转变为第一真空环境;
S3、将载片架以第一速度输送至第一过渡腔,对第一过渡腔进行抽真空处理,使第一过渡腔的第一真空环境转变为符合工艺要求的第二真空环境;
S4、将载片架以第二速度输送至镀膜腔组进行镀膜处理;
S5、将载片架以第二速度输送至第二过渡腔,并将第二过渡腔的第二真空环境还原至第一真空环境;
S6、将载片架以第一速度输送至卸载腔,并将卸载腔的第一真空环境还原为大气环境;
S7、将载片架以第一速度输送至基片卸载工位;
S8、通过机械手将载片架的基片卸载;
S9、将载片架输送至回流接收工位;
S10、将载片架移动至基片装载工位,回到步骤S1。
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