CN219449858U - 一种镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种镀膜设备，包括蚀刻腔室，蚀刻腔室包括用于对工件的表面进行加工的等离子源及带有门阀的蚀刻入口和带有传输阀的蚀刻出口；涂层腔室，包括用于对工件蚀刻加工后的表面进行溅射的溅射阴极及带有传输阀的涂层入口和带有门阀的涂层出口，蚀刻出口与涂层入口相连；传送机构，设置于所述蚀刻腔室和所述涂层腔室内，用于将蚀刻腔室内加工后的工件运输至涂层腔室；真空装置，与蚀刻腔室和/或涂层腔室连接，用于使蚀刻腔室和涂层腔室内形成真空；其中，蚀刻出口和涂层入口之间密封连接，以使镀膜设备在工作状态下，蚀刻腔室和涂层腔室处于同一真空状态。本申请镀膜设备，镀膜生产效率高。

Description

一种镀膜设备

技术领域

本申请涉及机械加工技术领域，特别涉及一种镀膜设备。

背景技术

现有炊具实现不粘性能都是在炊具表面涂一层聚四氟乙烯，聚四氟乙烯涂层在常态下是无毒的,但当涂层的受热温度达到260℃之后就会开始挥发,在温度达到350℃时,聚四氟乙烯涂层将开始分解。所以带有聚四氟乙烯涂层的不粘锅的使用温度一般不能超过250℃。但是一般炊具如炒锅，加热温度经常会超过260℃，因此存在安全隐患。另外涂层不耐磨，存在脱落的风险，容易跟随食物被误食，影响身体健康。

目前有一种PVD工艺，可以在产品表面形成沉积层，具有耐磨性能，但是现有PVD是针对手机等产品表面加工耐磨镀层的，不适合炊具表面的不粘及耐磨镀层加工，且现有PVD设备及工艺复杂，加工时间长，单个产品的加工周期约3个小时左右，加工成本高，不能满足批量化生产需求。

发明内容

为了解决以上技术问题，本申请提供了一种镀膜设备，可以提升镀膜设备的生产效率，降低加工成本，从而满足批量化生产的需求。

本申请提供了一种镀膜设备，包括：

蚀刻腔室，用以提升工件表面的粘附性能，所述蚀刻腔室包括用于对工件的表面进行加工的等离子体源及带有门阀的蚀刻入口和带有传输阀的蚀刻出口；

涂层腔室，用以在工件表面形成沉积层，所述涂层腔室包括用于对工件蚀刻加工后的表面进行溅射的溅射阴极及带有传输阀的涂层入口和带有门阀的涂层出口，所述蚀刻出口与所述涂层入口相连；

传送机构，至少部分设置于所述蚀刻腔室和/或所述涂层腔室内，用于将所述蚀刻腔室内加工后的工件运输至所述涂层腔室；

真空装置，与所述蚀刻腔室和/或所述涂层腔室连接，用于使所述蚀刻腔室和所述涂层腔室中至少一者内形成真空；

其中，所述蚀刻出口和所述涂层入口之间密封连接，以使所述镀膜设备在工作状态下，所述蚀刻腔室和所述涂层腔室处于同一真空状态。

通过采用上述技术方案，蚀刻腔室和涂层腔室分区加工，且蚀刻腔室和涂层腔室处于同一真空状态，在对工件表面加工时，先在蚀刻腔室对工件表面进行蚀刻，使工件表面的粘附性能提升，蚀刻后的工件进入到涂层腔室。在涂层腔室内，对工件表面进行物理气相沉积加工形成既不粘又耐磨的镀膜层。传送机构可以在蚀刻腔室和涂层腔室之间往返运输工件，可以在真空状态下实现自动化加工运输。通过对镀膜设备的设计改进，蚀刻腔室和涂层腔室既可以实现分区加工，又可以通过传送机构实现工件的连续传输，工件从蚀刻加工至涂层加工，整个过程不会因为频繁的抽真空及破真空影响生产效率，可以实现无缝对接连续自动化加工，全过程不需人员干预，生产效率高。如果对炊具产品进行表面涂层加工的话，单件产品的加工时间可以缩短至5-8分钟，提升了生产效率，大幅降低了单件产品的加工成本，可以满足批量化生产的需求。

进一步的方案，所述蚀刻腔室包括相互连接的带有加热装置的输入区及至少一个带有等离子体源的蚀刻区，所述输入区和所述蚀刻区之间通过传输阀连接，所述真空装置与所述蚀刻区连接以使所述蚀刻区形成真空，所述蚀刻入口设置于所述输入区，所述输入区空间体积小于所述蚀刻区的空间体积。

通过采用上述技术方案，蚀刻腔室内的蚀刻区域为真空状态，工件从外部大气压环境下进入蚀刻腔室进行蚀刻，需要将蚀刻腔室破真空，使蚀刻腔室与外界大气压力相同时工件才可以进入。将蚀刻腔室分为输入区和蚀刻区，且输入区和蚀刻区之间通过传输阀连接，从空间上进行了分割密封。工件可以先进入输入区，输入区可以在传输阀打开后与蚀刻区连通达到真空状态，传送机构将工件从输入区输送至蚀刻区进行加工。输入区用于工件的进入，空间体积小，所以在与蚀刻区连通达到真空状态的时间短，降低了切换时间。加热装置可以对工件进行初步加热处理，有利于等离子体源对工件表面进行蚀刻加工。

进一步的方案，所述输入区也连接所述真空装置，在所述真空装置作用下，所述输入区达到与所述蚀刻区同样的真空状态后，所述蚀刻区和所述输入区之间的传输阀打开，所述传送机构将工件从所述输入区运输至所述蚀刻区。

通过采用上述技术方案，输入区设置有真空装置，在蚀刻区对上一个工件进行加工时，真空装置对输入区进行抽真空，使输入区与蚀刻区达到同一真空状态，同时可以对工件进行加热。在蚀刻区对上一个工件加工完毕后，输入区的工件可以通过传送机构运送至蚀刻区进行加工，从而实现工件的连续不间断加工，降低了切换时间，提升了生产效率。

进一步的方案，所述蚀刻区包括三个顺次连接的加热区、加工区和等待区，所述加热区、所述加工区和所述等待区之间设有传输阀以使彼此之间可以形成相对密闭的空间，所述加热区与所述输入区通过传输阀连接，所述加热区也设置有加热装置，所述等离子体源设置于所述加工区，所述等待区与所述涂层腔室连接。

通过采用上述技术方案，加热区可以对输入区输送的工件进一步加热，以达到蚀刻需要的温度后进入加工区进行蚀刻加工。加热区、加工区和等待区之间设有传输阀以使彼此之间可以形成相对密闭的空间，即可以保持加热区、加工区和等待区处于共同的真空状态，又可以降低不同空间温度因素的影响，保证蚀刻加工的质量。等待区与加工区通过传输阀隔离，可以将蚀刻后的工件在输送给涂层腔室时，降低蚀刻腔室和涂层腔室之间的环境干扰，提升工件蚀刻和涂层的加工质量。

进一步的方案，所述涂层腔室包括顺次连接的缓冲区、溅射区、冷却区和输出区，每个区之间设有传输阀以使所述缓冲区、所述溅射区、所述冷却区和所述输出区可以形成相对密闭的空间，所述涂层出口设置于所述输出区；所述真空装置至少与所述缓冲区、所述溅射区、所述冷却区中的之一连接，用于使所述缓冲区、所述溅射区、所述冷却区形成真空。

通过采用上述技术方案，涂层腔室分为缓冲区、溅射区、冷却区和输出区，每个区之间设有传输阀以使缓冲区、溅射区、冷却区和输出区形成相对密闭的空间，可以降低不同区之间的环境干扰，提升涂层的加工质量。真空装置可以进一步保证缓冲区、所述溅射区、所述冷却区的真空状态，保证涂层加工过程中的环境条件，提升涂层质量的一致性。

进一步的方案，所述缓冲区与所述蚀刻区连接，用以停放所述蚀刻区传输过来的工件，所述溅射阴极设置于所述溅射区，所述冷却区设置有冷却装置用以冷却所述溅射区镀膜后的所述工件。

通过采用上述技术方案，缓冲区可以降低涂层腔室和蚀刻腔室之间的环境干扰，对蚀刻腔室加工完的工件通过缓冲区进行环境过渡，有利于提升后面的涂层加工质量并缩短等待时间。冷却区将涂层加工后的工件进行冷却，便于工件的运输包装，有利于连续化加工。

进一步的方案，所述输出区也连接所述真空装置，在所述真空装置作用下，所述输出区达到所述冷却区同样的真空状态后，所述冷却区和所述输出区之间的传输阀打开，所述传送机构将所述工件从所述冷却区运输至所述输出区。

通过采用上述技术方案，输出区设有真空装置，可以起到输入区一样的功能效果，实现真空的加工环境向大气压环境之间的工件不间断运输。在真空装置作用下，输出区达到冷却区同样的真空状态后，传送机构将工件从冷却区运输至输出区，冷却区与输出区之间的传输阀关闭，输出区破真空，工件转送至后续检测包装工序。工件从输出区取出后，输出区抽真空，从而可以对加工后的工件实现连续的不间断运输，提升了周转效率。输出区可以加强加工区与外界环境的隔离，降低了对环境的污染。

进一步的方案，所述蚀刻入口连接有第一旋转运输机构，所述涂层出口连接有第二旋转运输机构，所述第一旋转运输机构远离所述蚀刻入口的一端与所述第二旋转运输机构远离所述涂层出口的一端通过输送机构连接，以使所述镀膜设备形成循环生产模式。

通过采用上述技术方案，通过第一旋转运输机构和第二旋转运输机构，镀膜设备可以形成循环生产模式，提升了生产效率，降低了加工成本，有利于批量化生产。

进一步的方案，所述输送机构沿所述第二旋转运输机构向所述第一旋转运输机构方向依次设置有离合检测装置、装卸机构和加热通道。

通过采用上述技术方案，离合检测装置可以对从第二旋转机构传输来的加工后的工件进行自动离合检测。装卸机构对检测有工件的第二旋转机构进行取卸放置，检测第二旋转机构没有工件的时候，装卸机构将待加工工件放置于第二旋转机构上。加热通道对放置于第二旋转机构上的待加工工件进行第一步加热，加热后的工件通过第一旋转机构运送至蚀刻腔室。通过设置离合检测装置、装卸机构和加热通道，可以实现工件的自动装卸及预热，大气环境和真空环境实现闭环循环自动生产，提升了生产效率。

进一步的方案，所述装卸机构包括上料机构和下料机构，当所述离合检测装置检测到工装上没有工件时，所述上料机构对工装进行上料；当所述离合检测装置检测到工装上有工件时，所述下料机构将工件拆卸，所述上料机构进行上料。

通过采用上述技术方案，通过离合检测装置和上料结构和下料机构的协作，可以对工件进行自动装卸，降低了人工的劳动强度，提升了自动化生产效率。

综上所述，本申请具有以下至少一种有益技术效果：

1、本申请镀膜设备，单件产品的加工时间可以从3小时缩短至5-8分钟，提升了生产效率，大幅降低了单件产品的加工成本，可以满足批量化生产的需求。

2、本申请镀膜设备，加工质量更稳定，降低了对环境的污染。

3、本申请镀膜设备，降低了人工的劳动强度，提升了自动化生产效率，有效降低了加工成本。

附图说明

图1是本申请镀膜设备的结构示意图；

图2是工件被第二旋转运输机构输送至离合检测装置的示意图；

图3是工件位于镀膜设备的装卸机构示意图；

图4是工件位于镀膜设备的加热通道示意图；

图5是工件位于镀膜设备的第一旋转运输机构上的示意图；

图6是工件被第一旋转运输机构运送至蚀刻入口的示意图；

图7是工件进入蚀刻腔室的输入区的示意图；

图8是工件进入蚀刻腔室的蚀刻区的加热区的示意图；

图9是工件进入蚀刻区的加工区的示意图；

图10是工件进入涂层腔室的抽真空区的示意图；

图11是工件从进入涂层腔室输出区的示意图；

图12是工件从涂层腔室进入第二旋转运输机构的示意图。

附图标记：

1、蚀刻腔室；11、蚀刻入口；12、输入区；13、第一传输阀；14、蚀刻区；141、加热区；142、加工区；143、等待区；2、第二传输阀；3、涂层腔室；31、抽真空区；32、缓冲区；33、溅射区；34、冷却区；35、第三传输阀；36、输出区；37、涂层出口；4、第一旋转运输机构；5、离合检测区；6、装卸机构；61、下料机构；62、上料机构；7、输送机构；8、加热通道；9、第二旋转运输机构；100、工件。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明做进一步详细说明。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以各种不同的配置来布置和设计。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连， 可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互组合。

请参阅图1，镀膜设备的一种实施例的结构示意。镀膜设备包括蚀刻腔室1、涂层腔室3、传送机构（图中未示出）和真空装置。蚀刻腔室1用于对工件100的表面进行蚀刻加工以提升工件100表面的粘附性能，蚀刻腔室1包括用于对工件100的表面进行加工的等离子体源及蚀刻入口11和蚀刻出口。涂层腔室3用于在工件100表面形成沉积层，涂层腔室3包括用于对工件100蚀刻加工后的表面进行溅射的溅射阴极及带有传输阀的涂层入口和带有门阀的涂层出口37，蚀刻出口与涂层入口设有第二传输阀2。传送机构至少部分设置于蚀刻腔室1或涂层腔室3内，用于将蚀刻腔室1内加工后的工件100运输至涂层腔室3。本实施例中，真空装置分别与蚀刻腔室1和涂层腔室3连接，用于使蚀刻腔室1和涂层腔室3内形成真空状态。蚀刻出口和涂层入口之间密封连接，以使镀膜设备在工作状态下，蚀刻腔室1和涂层腔室3处于同一真空状态。因为蚀刻腔室1和涂层腔室3间真空密封，所以真空装置也可以单独与蚀刻腔室1连接或者单独与涂层腔室3连接，以使蚀刻腔室1和涂层腔室3共同达到同一真空状态。

蚀刻腔室1包括相互连接的带有加热装置的输入区12及至少一个带有等离子体源的蚀刻区14，输入区12和蚀刻区14之间设有第一传输阀13，蚀刻入口11设置于输入区12，输入区12空间体积小于蚀刻区14的空间体积。在真空装置作用下，输入区12达到与蚀刻区14同样的真空状态后，蚀刻区14和输入区12之间的第一传输阀13打开，传送机构将工件100从输入区12运输至蚀刻区14。

蚀刻区14包括三个顺次连接的加热区141、加工区142和等待区143，加热区141、加工区142和等待区143之间均设有传输阀以使彼此之间可以形成相对密闭的空间，加热区141与输入区12连接且两者之间设有第一传输阀13，输入区12和加热区141均设置有加热装置，加热装置可以将工件100升温至工作温度，等离子体源设置于加工区142，等待区143与涂层腔室3之间设有第二传输阀2。

涂层腔室3包括顺次连接的缓冲区32、溅射区33、冷却区34和输出区36，每个区之间设有传输阀以使缓冲区32、溅射区33、冷却区34和输出区36可以形成相对密闭的空间，涂层出口37设置于输出区36。真空装置至少与缓冲区32、溅射区33、冷却区34中的之一连接，用于使缓冲区32、溅射区33、冷却区34形成真空。缓冲区32与蚀刻区14连接，用以停放蚀刻区14传输过来的工件100，溅射阴极设置于溅射区33，冷却区34设置有冷却装置用以冷却溅射区33镀膜后的工件100。

输出区36也连接真空装置，在真空装置作用下，输出区36达到冷却区34同样的真空状态后，冷却区34和输出区36之间的传输阀打开，传送机构将工件100从冷却区34运输至输出区36，冷却区34和输送区之间设置有第三传输阀35。涂层腔室3还可以设置与缓冲区32、溅射区33、冷却区34和输出区36连通的的抽真空区31，真空装置与抽真空区31连接对抽真空区31抽真空，通过打开缓冲区32、溅射区33、冷却区34和输出区36之间的传输阀，使缓冲区32、溅射区33、冷却区34和输出区36达到同一真空状态。本实施例中的抽真空装置为真空泵。

蚀刻入口11连接有第一旋转运输机构4，蚀刻入口11和第一旋转运输机构4之间设置有门阀，涂层出口37连接有第二旋转运输机构9，涂层出口37与第二旋转运输机构9之间设置有门阀，第一旋转运输机构4远离蚀刻入口11的一端与第二旋转运输机构9远离涂层出口37的一端通过输送机构7连接。本实施例中的输送机构7为传送带，第一旋转运输机构4和第二旋转运输机构9可以实现180°旋转运输，以使镀膜设备形成循环生产模式。

输送机构7沿第二旋转运输机构9向第一旋转运输机构4方向依次设置有离合检测装置、装卸机构6和加热通道8，装卸机构6包括上料机构62和下料机构61。离合检测装置用于在工件100从第二旋转运输机构9向输送机构7输送时，对工装上的工件100进行离合检测，当检测工装上没有工件100时，上料机构62对工装进行上料；当检测到工装上有工件100时，下料机构61将工件100拆卸后，上料机构62进行上料。装有工件100的工装通过输送机构7输送至加热通道8内，加热通道8对工件100进行加热，加热后的工件100通过第一旋转运输机构4运送至输入区12。

本实施例中的镀膜设备包括大气压状态下的加工步骤和真空状态下的加工步骤：

大气压状态下的加工步骤包括：

转出：请参阅图2，第二旋转运输机构9将镀膜后的工件100输送至离合检测装置处进行离合检测，检测完的工件100转入装卸步骤。

装卸：请参阅图3，当离合检测装置检测到工装上没有工件100时，上料机构62对工装进行上料；当检测到工装上有工件100时，下料机构61将工件100拆卸后，上料机构62进行上料。

加热：请参阅图4，输送机构7将待加工工件100输送至加热通道8内，工件100被加热至150℃至250℃。

转入：请参阅图5和图6，第一旋转运输机构4将加热后的待加工工件100从加热通道8运输至蚀刻入口11，蚀刻入口11的门阀打开后进入蚀刻腔室1的输入区12。

真空状态下的加工步骤包括：

真空模式：真空装置将蚀刻腔室1和涂层腔室3内抽成真空状态。

输入：请参阅图7，蚀刻入口11的门阀关闭，蚀刻腔室1的输入区12和蚀刻区14之间的第一传输阀13关闭，输入区12破真空，输入区12内抽成真空状态。

加热：请参阅图8，工件100通过第一传输阀13进入到加热区141，第一传输阀13关闭，工件100被加热。

蚀刻：请参阅图9，加热完后，工件100进入加工区142，等离子体源对工件100表面进行蚀刻加工；蚀刻后，加工区142和等待区143之间的传输阀打开，工件100进入蚀刻腔室1的等待区143，加工区142和等待区143之间的传输阀关闭。

镀膜：请参阅图10，蚀刻腔室1和涂层腔室3之间的第二传输阀2打开，蚀刻后的工件100进入涂层腔室3的抽真空区31或缓冲区32，蚀刻腔室1和涂层腔室3之间的第二传输阀2关闭；请参阅图11，缓冲区32和溅射区33之间的传输阀打开，工件100进入溅射区33，缓冲区32和溅射区33之间的传输阀关闭，工件100的表面在溅射区33被加工形成沉积层。溅射区33和冷却区34之间的传输阀打开，涂层后的工件100进入冷却区34，溅射区33和冷却区34之间的传输阀关闭。工件100冷却后，冷却区34和输出区36之间的第三传输阀35打开，工件100进入输出区36，冷却区34和输出区36之间的第三传输阀35关闭。

输出：请参阅图12，输出区36破真空，涂层出口37的门阀打开，工件100进入转出步骤，涂层出口37的门阀关闭，输出区36抽真空。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有多种变化、修改、替换和变型，这些变化、修改、替换和变型都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (10)

1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：

蚀刻腔室(1)，用以提升工件(100)表面的粘附性能，所述蚀刻腔室(1)包括用于对工件(100)的表面进行加工的等离子体源及带有门阀的蚀刻入口(11)和带有传输阀的蚀刻出口；

涂层腔室(3)，用以在工件(100)表面形成沉积层，所述涂层腔室(3)包括用于对工件(100)蚀刻加工后的表面进行溅射的溅射阴极及带有传输阀的涂层入口和带有门阀的涂层出口(37)，所述蚀刻出口与所述涂层入口相连；

传送机构，至少部分设置于所述蚀刻腔室(1)和/或所述涂层腔室(3)内，用于将所述蚀刻腔室(1)内加工后的工件(100)运输至所述涂层腔室(3)；

真空装置，与所述蚀刻腔室(1)和/或所述涂层腔室(3)连接，用于使所述蚀刻腔室(1)和所述涂层腔室(3)中至少一者内形成真空；

其中，所述蚀刻出口和所述涂层入口之间密封连接，以使所述镀膜设备在工作状态下，所述蚀刻腔室(1)和所述涂层腔室(3)处于同一真空状态。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述蚀刻腔室(1)包括相互连接的带有加热装置的输入区(12)及至少一个带有等离子体源的蚀刻区(14)，所述输入区(12)和所述蚀刻区(14)之间通过传输阀连接，所述真空装置与所述蚀刻区(14)连接以使所述蚀刻区(14)形成真空，所述蚀刻入口(11)设置于所述输入区(12)，所述输入区(12)空间体积小于所述蚀刻区(14)的空间体积。

3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述输入区(12)也连接所述真空装置，在所述真空装置作用下，所述输入区(12)达到与所述蚀刻区(14)同样的真空状态后，所述蚀刻区(14)和所述输入区(12)之间的传输阀打开，所述传送机构将工件(100)从所述输入区(12)运输至所述蚀刻区(14)。

4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述蚀刻区(14)包括三个顺次连接的加热区(141)、加工区(142)和等待区(143)，所述加热区(141)、所述加工区(142)和所述等待区(143)之间设有传输阀以使彼此之间可以形成相对密闭的空间，所述加热区(141)与所述输入区(12)通过传输阀连接，所述加热区(141)也设置有加热装置，所述等离子体源设置于所述加工区(142)，所述等待区(143)与所述涂层腔室(3)连接。

5.根据权利要求1至4任一项所述的镀膜设备，其特征在于，所述涂层腔室(3)包括顺次连接的缓冲区(32)、溅射区(33)、冷却区(34)和输出区(36)，每个区之间设有传输阀以使所述缓冲区(32)、所述溅射区(33)、所述冷却区(34)和所述输出区(36)可以形成相对密闭的空间，所述涂层出口(37)设置于所述输出区(36)；所述真空装置至少与所述缓冲区(32)、所述溅射区(33)、所述冷却区(34)中的之一连接，用于使所述缓冲区(32)、所述溅射区(33)、所述冷却区(34)形成真空。

6.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，所述缓冲区(32)与所述蚀刻出口连接，用以停放所述蚀刻腔室(1)传输过来的工件(100)，所述溅射阴极设置于所述溅射区(33)，所述冷却区(34)设置有冷却装置用以冷却所述溅射区(33)镀膜后的所述工件(100)。

7.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于，所述输出区(36)也连接所述真空装置，在所述真空装置作用下，所述输出区(36)达到所述冷却区(34)同样的真空状态后，所述冷却区(34)和所述输出区(36)之间的传输阀打开，所述传送机构将所述工件(100)从所述冷却区(34)运输至所述输出区(36)。

8.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述蚀刻入口(11)连接有第一旋转运输机构(4)，所述涂层出口(37)连接有第二旋转运输机构(9)，所述第一旋转运输机构(4)远离所述蚀刻入口(11)的一端与所述第二旋转运输机构(9)远离所述涂层出口(37)的一端通过输送机构(7)连接，以使所述镀膜设备形成循环生产模式。

9.根据权利要求8所述的镀膜设备，其特征在于，所述输送机构(7)沿所述第二旋转运输机构(9)向所述第一旋转运输机构(4)方向依次设置有离合检测装置、装卸机构(6)和加热通道(8)。

10.根据权利要求9所述的镀膜设备，其特征在于，所述装卸机构(6)包括上料机构(62)和下料机构(61)，当所述离合检测装置检测到工装上没有工件(100)时，所述上料机构(62)对工装进行上料；当所述离合检测装置检测到工装上有工件(100)时，所述下料机构(61)将工件(100)拆卸，所述上料机构(62)进行上料。