CN220290774U - 具有缓冲处理的真空烘烤机构 - Google Patents

Abstract

本申请为一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其包括：一基材转运站、一第一缓冲腔体及一真空烘烤腔体。基材转运站包括一转运传输模组，用以取放这些基材；第一缓冲腔体包括一第一缓冲闸门、多个第一传输模组及一第一烘烤进出口，用以接收或输出各基材进出第一缓冲闸门或第一烘烤进出口；真空烘烤腔体包括一与第一烘烤进出口连接的第一烘烤闸门、一烘烤模组，以对这些基材进行真空烘烤。借此，提高真空烘烤腔体的烘烤效率及基材的制程良率。

Description

具有缓冲处理的真空烘烤机构

技术领域

本申请有关于一种真空烘烤机构，特别是指一种具有缓冲处理的真空烘烤机构。

背景技术

于现今的半导体制程设备中，半导体设备会在不同腔体间运送基板，以对基板进行蚀刻、镀膜、清洁、冷却等腔体作不同的处理。然而，在基板等待进入腔体前，基板可能会因大气环境下与空气接触而使空气中的水分吸附于基板表面，进而影响基板后续制程的良率。

为了解决水气或残留物形成于基板上而造成后续制程良率上的影响，一般会使用真空烤箱对基板进行真空烘烤后，才会运送至后续制程机台。真空烘烤的作法为将多个基板置入真空烤箱内部后，关闭闸门并抽去真空烤箱内的空气，接着再进行加热烘烤，以去除基板上的水气或者残留物。待烘烤完成，闸门开启并取出基板运送至后续制程机台进行制程作业。然而，这样的作法会有几个问题：

一、使真空烤箱达到真空状态所需要的抽气时间长，又必须在取出基板时要进行破真空处理，每一批次的基板进出都会重新这个循环，耗费时间很长，这将大幅降低真空烤箱的使用效率。

二、每一批次的基板进出都将需要重复的进行升温及降温的程序，升温及降温程序也会耗费相当时间，影响真空烤箱的使用效率。

三、由于后续制程会需要逐一对基板进行制程加工，完成真空烘烤后的多个基板将有可能于等待后续制程的时间内，使得水气重新附着于基板上，减损了真空烘烤的效果。

由上述说明可知，现有技术中真空烤箱的作法不论在效率上、烘烤效果上都不尽理想。因此，如何解决前述问题成为业者的一大课题。

实用新型内容

本申请的主要目的，在于改善过去的真空烤箱烘烤效率低及无法解决水气重新附着的问题。

前述目的并不妨碍其他目的的存在。若本领域技术人员自说明书、权利要求或附图等的记载可以导出的目的，也包括在本申请目的中。因此，本申请的目的不局限于前述列举的目的。

为达成上述目的，本申请提供一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其与一制程机构连接，以对多个基材进行烘烤，真空烘烤机构包括：一基材转运站、一第一缓冲腔体及一真空烘烤腔体。基材转运站与制程机构相邻，基材转运站包括一转运传输模组，转运传输模组用以取放这些基材；第一缓冲腔体相邻于基材转运站，第一缓冲腔体包括一第一缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第一传输模组以及一第一烘烤进出口，第一缓冲闸门相邻于基材转运站，这些基材通过第一缓冲闸门进出第一缓冲腔体，这些第一传输模组设置于第一缓冲闸门与第一烘烤进出口之间，用以接收或输出各基材进出第一缓冲闸门或第一烘烤进出口，而第一抽真空模组于第一缓冲闸门关上时进行抽真空；真空烘烤腔体连接第一缓冲腔体，真空烘烤腔体包括一与第一烘烤进出口连接的第一烘烤闸门及一烘烤模组，第一烘烤闸门控制真空烘烤腔体与第一缓冲腔体之间的连通，烘烤模组对这些基材进行真空烘烤。

于本申请一较佳实施例中，基材转运站还包括一与转运传输模组连接的垂直升降模组，垂直升降模组控制转运传输模组于基材转运站进行垂直方向的移动。

于本申请一较佳实施例中，第一缓冲闸门有多个，第一缓冲闸门有多个，这些第一缓冲闸门分别对应这些第一传输模组位置设置。

于本申请一较佳实施例中，第一缓冲腔体还包括一第一冷却模组，用以对这些基材进行冷却。

于本申请一较佳实施例中，第一缓冲腔体包括一第一氮气模组，第一氮气模组设置于第一缓冲闸门与第一烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。

于本申请一较佳实施例中，还包括一相邻于基材转运站并与真空烘烤腔体连接的第二缓冲腔体，第二缓冲腔体包括一第二缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第二传输模组、一第二烘烤进出口以及一第三抽真空模组，第二缓冲闸门相邻于基材转运站，这些基材通过第二缓冲闸门进出第二缓冲腔体，这些第二传输模组对应这些基材进出位置设置，用以接收或输出各基材进出第二缓冲闸门或第二烘烤进出口，而第三抽真空模组于第二缓冲闸门关上时进行抽真空。

于本申请一较佳实施例中，基材转运站、第一缓冲腔体、第二缓冲腔体及真空烘烤腔体为方形，第一缓冲腔体与第二缓冲腔体分别设于基材转运站相邻接的两侧面，并且第一缓冲腔体与第二缓冲腔体也分别连接于真空烘烤腔体相邻接的两侧面，以使基材转运站、第一缓冲腔体、第二缓冲腔体及真空烘烤腔体呈田字形组合。

于本申请一较佳实施例中，真空烘烤腔体还包括一与第二烘烤进出口连接的第二烘烤闸门，第二烘烤闸门控制真空烘烤腔体与第二缓冲腔体之间的连通。

于本申请一较佳实施例中，第二缓冲腔体还包括一第二冷却模组，用以对这些基材进行冷却。

于本申请一较佳实施例中，第二缓冲闸门有多个，这些第二缓冲闸门对应这些第二传输模组位置设置。

于本申请一较佳实施例中，第二缓冲腔体包括一第二氮气模组，第二氮气模组设置于第二缓冲闸门与第二烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。

依据上述技术特征，本申请包括以下特点：

一、通过第一缓冲腔体作为真空烘烤腔体的缓冲处理，避免真空烘烤腔体需直接与大气环境接触，而使得真空烘烤腔体进行下一批次基材烘烤之前又需要重新抽真空的问题，大幅度的降低真空烘烤腔体进行真空烘烤所需的准备时间，提高烘烤的效率。

二、第一缓冲腔体可作为这些基材烘烤后的降温等待区，避免真空烘烤腔体进行大幅度降温，而又需要在下一批次基材烘烤时，重新进行升温作业，借以减少真空烘烤腔体升降温作业所需的准备时间。

三、通过第一缓冲腔体的设置，避免这些基材从真空烘烤腔体取出后，这些基材需直接暴露于大气环境中等待后续制程的情形。如此一来，可降低这些基材暴露于大气环境中的等待时间，进而减少这些基材重新被水气吸附的情形，借以提高制程的良率与品质。

附图说明

图1为本申请第一实施例的俯视示意图；

图2为本申请第一实施例的右侧剖面示意图；

图3为本申请第二实施例的俯视示意图；

图4为本申请第二实施例的基材转运站及第二缓冲腔体右侧剖面示意图；

图5为本申请第二实施例的第二缓冲腔体及真空烘烤腔体后侧剖面示意图；

图6为本申请一实施例的真空烘烤方法步骤示意图；

图7为本申请另一实施例的真空烘烤方法步骤示意图。

附图标记说明

100A,100B:真空烘烤机构 1:制程机构

2:基材 3:载入站

4:制程腔体 5:输送机构

6:载出站 10:基材转运站

11:转运传输模组 12:垂直升降模组

20:第一缓冲腔体 21:第一缓冲闸门

22:第一传输模组 23:第一烘烤进出口

24:第一抽真空模组 25:第一冷却模组

26:第一氮气模组 30:真空烘烤腔体

31:第一烘烤闸门 32:烘烤模组

33:第二抽真空模组 34:第二烘烤闸门

40:第二缓冲腔体 41:第二缓冲闸门

42:第二传输模组 43:第二烘烤进出口

44:第三抽真空模组 45:第二冷却模组

46:第二氮气模组 200:真空烘烤方法

S1:步骤 S2:步骤

S3:步骤 S4:步骤

P1:步骤 P2:步骤

P3:步骤 P4:步骤。

具体实施方式

为便于说明本申请于上述新型内容一栏中所表示的中心思想，现以具体实施例表达。实施例中各种不同物件按适于说明的比例、尺寸、变形量或位移量而描述，而非按实际元件的比例予以绘制。

以下参照各附图详细描述本申请的示例性实施例，且不意图将本申请的技术原理限制于特定公开的实施例，而本申请的范围仅由申权利要求限制，涵盖了替代、修改和等同物。

请参阅图1至图2所示，于本实施例中，本申请提供一种具有缓冲处理的真空烘烤机构100A，其与一制程机构1连接，以对多个基材2进行烘烤，真空烘烤机构100A包括：一基材转运站10、一第一缓冲腔体20及一真空烘烤腔体30。前述制程机构1用以镀膜、蚀刻、清洁，而具有多个相连通的机构、腔体或站点连接而成。而制程机构1于本实施例中为连续式制程设备，可以包括一载入站3、多个以串接组合的制程腔体4以及载出站6，这些基材2得以前述站点或腔体完成镀膜、蚀刻、清洁的制程，但本申请并不必须以连接连续式制程设备为限。于本申请实施例中，基材2可为晶圆、晶片、电路载板（例如：PCB）等物件。

于真空烘烤机构100A的实施例中，基材转运站10与制程机构1相邻，此处所谓的相邻，也即相较本申请其他模组来说，是基材转运站10较为邻近而实际上与制程机构1进行取放作业，并非指物理位置上较为邻近的关系。基材转运站10包括一转运传输模组11以及一垂直升降模组12。转运传输模组11与垂直升降模组12连接，转运传输模组11位于制程机构1与第一缓冲腔体20之间以取出或放入这些基材2，垂直升降模组12控制转运传输模组11于基材转运站10进行垂直方向的移动，将这些基材2分配至第一缓冲腔体20中。

于本申请一实施例中，转运传输模组11包括多个在这些基材2两侧传输的传输滚轮，以传输这些基材2。于本申请一实施例中，垂直升降模组12的动力源可以是伺服马达、步进马达、气压缸、液压缸等，本申请不以此为限。于本申请另一实施例中，转运传输模组11也可以用一机械手臂（例如六轴机械手臂），在制程机构1与第一缓冲腔体20之间取出或放入这些基材2。

第一缓冲腔体20相邻于基材转运站10，也即基材转运站10位于制程机构1与第一缓冲腔体20之间，第一缓冲腔体20可接收来自基材转运站10的这些基材2。第一缓冲腔体20包括一第一缓冲闸门21、多个垂直方向间隔叠置的第一传输模组22、一第一烘烤进出口23以及一第一抽真空模组24。

进一步，第一缓冲闸门21相邻于基材转运站10，通过第一缓冲闸门21控制基材转运站10与第一缓冲腔体20之间的连通，这些基材2可通过第一缓冲闸门21进出第一缓冲腔体20。于本申请的实施例中，第一缓冲闸门21是以枢摆启闭，使这些基材2进出第一缓冲腔体20。除此之外，第一缓冲闸门21也可以是向两侧滑移、上下位移的方式进行开启，使这些基材2能通过第一缓冲闸门21，故本实用新型并不仅以枢摆启闭第一缓冲闸门21为限。

第一烘烤进出口23相邻于真空烘烤腔体30，这些第一传输模组22设置于第一缓冲闸门21与第一烘烤进出口23之间，用以接收或输出各基材2进出第一缓冲闸门21或第一烘烤进出口23。也即这些基材2可于基材转运站10、第一缓冲腔体20及真空烘烤腔体30间作移动。于本申请一实施例中，这些第一传输模组22包括多个传输滚轮，以传输这些基材2，本申请不以此为限。这些基材2在第一缓冲腔体20内时，第一缓冲闸门21关上并以第一抽真空模组24进行抽真空，使第一缓冲腔体20呈真空状态，以防止这些基材2接触空气。于本申请一较佳实施例中，第一缓冲腔体20内的压力值可为1x10^-1托(Torr)至1x10^-3托之间。

于本申请一实施例中，第一缓冲闸门21可以为多个，这些第一缓冲闸门21分别对应这些第一传输模组22位置设置，以分别输入、输出这些基材2。这样的好处在于，第一缓冲腔体20可以独立启闭这些第一缓冲闸门21而取放这些基材2的其中的一个，当其中一个第一缓冲闸门21开启时，也不会使过多的空气进入第一缓冲腔体20，使第一缓冲腔体20较容易维持隔绝的状态，借以减少这些基材2与外部空气的接触。

真空烘烤腔体30连接第一缓冲腔体20以接收来自第一缓冲腔体20的这些基材2或输出这些基材2至第一缓冲腔体20。真空烘烤腔体30包括一与第一烘烤进出口23连接的第一烘烤闸门31、一烘烤模组32及一第二抽真空模组33。第一烘烤闸门31控制真空烘烤腔体30与第一缓冲腔体20之间的连通，供这些第一传输模组22传输这些基材2至真空烘烤腔体30，使烘烤模组32可对这些基材2进行烘烤，于本申请的一个实施例中，烘烤模组32具有多个，且分别对应这些第一传输模组22间隔叠置位置设置，而可独立的对单一基材2进行烘烤。进一步的，可使用热辐射的方式对这些基材2进行烘烤。

于本申请一实施例中，真空烘烤腔体30还包括一第二抽真空模组33，第二抽真空模组33用以对真空烘烤腔体30内进行抽真空，使真空烘烤腔体30处于真空状态并对这些基材2进行真空烘烤。于本申请一较佳实施例中，真空烘烤腔体30内的压力值可介于1x10^-2托(Torr)至1x10^-8托之间，其中真空烘烤腔体30的真空度必须大于第一缓冲腔体20。

例示一个实际工作情形，基材转运站10依序将这些基材2分别输入于第一缓冲腔体20中后，关闭第一缓冲闸门21，由第一抽真空模组24进行第一缓冲腔体20的低度抽真空作业。接着，开启第一烘烤闸门31，并且由第一传输模组22将基材2一次性的全部输入至真空烘烤腔体30中，再关上第一烘烤闸门31，以第二抽真空模组33进行抽真空及烘烤模组32进行烘烤，进而达到真空烘烤这些基材2的目的。需说明的是，由于真空烘烤腔体30本身已处于真空状态，虽然，第一烘烤闸门31的开启会使得真空烘烤腔体30与第一缓冲腔体20连通，而降低真空烘烤腔体30的真空度。然而，在这些基材2全部输入至真空烘烤腔体30并关闭第一烘烤闸门31后，仅需要通过第二抽真空模组33加强性的进行抽真空作业，即可将真空烘烤腔体30的真空度提升至较高真空度的状态。而待这些基材2全部真空烘烤完毕后，便可开启第一烘烤闸门31，并由第一传输模组22一次全部接收真空烘烤腔体30中的基材2，也即第一缓冲腔体20完成基材2的接收。最后，将这些基材2从第一缓冲腔体20逐一放置于基材转运站10，供基材转运站10进行后续输出基材2的作业。

于本申请一实施例中，第一缓冲腔体20还可包括一第一冷却模组25，第一冷却模组25设于第一传输模组22相邻基材2的一侧，以对完成烘烤的这些基材2进行冷却，借以缩短这些基材2的冷却缓冲时间。于本申请实施例中，第一冷却模组25可采用接触式冷却或非接触式冷却，例如：气冷、风冷、水冷及冷却板等冷却方式。

于本申请一实施例中，第一缓冲腔体20可包括一第一氮气模组26，第一氮气模组26 可设置于第一缓冲闸门21与第一烘烤进出口23之间，用以对这些基材2进行喷气。举例来说，当这些基材2欲由第一缓冲闸门21输出时，可通过第一氮气模组26以低温氮气对这些基材2喷气，以于基材2的表面上形成保护膜，延缓或降低基材2离开第一缓冲腔体20后，基材2被大气中的水气再次附着的时间或机率。除此之外，第一氮气模组26还能对已完成烘烤的这些基材2进行冷却，以缩短这些基材2的冷却时间。

请参阅图3至图5所示，于真空烘烤机构100B的实施例中，与真空烘烤机构100A实施例的不同之处在于真空烘烤机构100B还包括一第二缓冲腔体40。而真空烘烤机构100B能与一输送机构5连接，所述输送机构5于本实施例中相邻于两个制程机构1的载入站3，并位于两个载入站3之间，输送机构5于两个载入站3与真空烘烤机构100B间传输基材2。于本实施例中，基材转运站10、第一缓冲腔体20、第二缓冲腔体40及真空烘烤腔体30为方形，第一缓冲腔体20与第二缓冲腔体40分别设于基材转运站10相邻接的两侧面，并且第一缓冲腔体20与第二缓冲腔体40也分别连接于真空烘烤腔体30相邻接的两侧面，以使基材转运站10、第一缓冲腔体20、第二缓冲腔体40及真空烘烤腔体30呈田字形组合。借此，第一缓冲腔体20或第二缓冲腔体40在取放这些基材2时，另一缓冲腔体可以进行基材2的冷却缓冲或烘烤。抑或是一缓冲腔体在等待取出烘烤中的这些基材2，另一缓冲腔体可以从基材转运站10输入基材2。以两个缓冲腔体于不同时间点输入、输出这些基材2，以减少真空烘烤腔体30的闲置时间，提升整体的运作效率。

于本申请一实施例中，请配合参阅图4及图5所示，图4及图5分别为第二缓冲腔体右、后侧剖面示意图，第二缓冲腔体40相邻于基材转运站10（如图4所示），并且第二缓冲腔体40与真空烘烤腔体30连接（如图5所示），第二缓冲腔体40可接收来自基材转运站10的这些基材2。第二缓冲腔体40包括一第二缓冲闸门41、多个垂直方向间隔叠置的第二传输模组42、一第二烘烤进出口43以及一第三抽真空模组44。

第二缓冲闸门41相邻于基材转运站10，通过第二缓冲闸门41控制基材转运站10与第二缓冲腔体40之间的连通，这些基材2通过第二缓冲闸门41进出第二缓冲腔体40。这些第二传输模组42对应这些基材2进出位置设置，用以接收或输出各基材2进出第二缓冲闸门41或第二烘烤进出口43。于本申请一实施例中，这些第二传输模组42包括多个传输滚轮，以传输这些基材2，本申请不以此为限。而第二缓冲闸门41、第二传输模组42、第二烘烤进出口43、第三抽真空模组44与第一缓冲闸门21、第一传输模组22、第一烘烤进出口23、第一抽真空模组24的功能分别相同。

于本申请一实施例中，真空烘烤腔体30还包括一与第二烘烤进出口43连接的第二烘烤闸门34，第二烘烤闸门34控制真空烘烤腔体30与第二缓冲腔体40之间的连通，供这些第二传输模组42传输这些基材2至真空烘烤腔体30，使烘烤模组32可对这些基材2进行真空烘烤。

于本申请一实施例中，第二缓冲腔体40还包括一第二冷却模组45，第二冷却模组45设于第二传输模组42相邻基材2的一侧，以对完成烘烤的这些基材2进行冷却。于本申请实施例中，第二冷却模组45可采用接触式冷却或非接触式冷却，例如：气冷、风冷、水冷及冷却板等冷却方式。

于本申请一实施例中，第二缓冲闸门41有多个，这些第二缓冲闸门41对应这些第二传输模组42位置设置，以分别或全部输入、输出这些基材2。其中，第二缓冲闸门41的实施情形及效果，与第一缓冲闸门21相同，于此不再赘述。

于本申请一实施例中，第二缓冲腔体40包括一第二氮气模组46，第二氮气模组46设置于第二缓冲闸门41与第二烘烤进出口43之间，用以对这些基材2进行喷气。其中，第二氮气模组46的实施情形及效果，与第一氮气模组26相同，于此不再赘述。

请参阅图6所示，于本申请又一实施例中，本申请提供一种具有缓冲处理的真空烘烤方法200，用以对多个基材2进行烘烤，真空烘烤方法200包括以下步骤：

于步骤S1中：第一缓冲闸门21开启，利用转运传输模组11将输入的这些基材2放入第一缓冲腔体20内，用以将这些基材2分别放入于这些第一传输模组22上，当第一缓冲闸门21关上时，第一抽真空模组24对第一缓冲腔体20进行抽真空。于步骤S2中：第一烘烤闸门31开启，利用这些第一传输模组22将这些基材2放入于烘烤模组32，而第一烘烤闸门31关上，以对这些基材2进行真空烘烤。于步骤S3中：第一烘烤闸门31再次开启，通过这些第一传输模组22从真空烘烤腔体30中取出这些基材2放置于第一缓冲腔体20。

于本申请一实施例中，于步骤S3之后还包括一步骤S4。于步骤S4中，开启第一缓冲闸门21以将这些基材2的其中的一个或全部进行输出，且通过一设置于第一缓冲腔体20内的第一氮气模组26对完成烘烤的这些基材2进行喷气。于步骤S4之后，第一缓冲腔体20继续循环进行步骤S1、步骤S2、步骤S3、步骤S4的作业。此实施例的好处在于，第一氮气模组26能在这些基材2表面上形成保护膜，以延缓或降低基材2被大气中的水气再次附着的时间或机率。

请配合参阅图7所示，图7为真空烘烤方法200与时间关系示意图。于本申请另一实施例中，于步骤S1之后还包括一步骤P1。于步骤P1中，第二缓冲闸门41开启，利用转运传输模组11继续输入另一批次的这些基材2至第二缓冲腔体40，用以将这些基材2分别放入这些第二传输模组42上，当第二缓冲闸门41关上时第三抽真空模组44对第二缓冲腔体40进行抽真空。而本申请并不限制步骤P1、步骤S2、步骤S3如图7所示的前、后或于两者间顺序关系，也即步骤P1可在步骤S2、步骤S3的前、后；步骤P1也可介于步骤S2、步骤S3之间等情形。举一个实际工作情形，当基材2放入第一缓冲腔体20后，于第一缓冲腔体20进行抽真空作业时，就可以将另一批次的基材2从基材转运站10放入第二缓冲腔体40，借以提升整体的运作效率。

于本申请一实施例中，于步骤S3之后还包括一步骤P2。于步骤P2中，第二烘烤闸门34开启，通过这些第二传输模组42将这些基材2放入于烘烤模组32，而第二烘烤闸门34关上，以对这些基材2进行真空烘烤。

于本申请一实施例中，于步骤P2后还包括一步骤P3。于步骤P3中，第一缓冲闸门31开启，利用转运传输模组11继续输入又一批次的这些基材2至这些第一传输模组22上，而第二烘烤闸门34再次开启，通过这些第二传输模组42从真空烘烤腔体30中取出已完成烘烤的这些基材2放置于第二缓冲腔体40。而本申请并不限制在步骤P2、步骤P3、步骤S4如图7所示的前、后或于两者间顺序关系，也即步骤S4可在步骤P2、步骤P3的前、后；步骤S4也可介于步骤P2、步骤P3之间等情形。举一个实际工作情形，若将完成烘烤后的基材2放置于第一缓冲腔体20后，由第一缓冲腔体20逐一将这些基材2放置于基材转运站10时，就可以将第二缓冲腔体40内的这些基材2放入于闲置状态的烘烤模组32。通过第一缓冲腔体20与第二缓冲腔体40于不同时间点，分别进行不同批次基材2的作业，以提高整体的运作效率。

于本申请一实施例中，于步骤P3后还包括一步骤P4。于步骤P4中，开启第二缓冲闸门41以将这些基材2的其中的一个或全部进行输出，且通过一第二氮气模组46对完成烘烤的这些基材2进行喷气。而本申请也不限制步骤S1在步骤P2、步骤P3、步骤P4如图7所示的前、后顺序关系，能够依实际工作情形作调整。另需说明的是，如图7所示，步骤S1至步骤S4与步骤P1至步骤P4之间仅以时间轴表示其对应步骤的时间关系，并无必须执行步骤P1之后才能执行步骤S2，或者执行步骤P2之后才能执行步骤S4的情形。

综上所述，本申请包括以下技术特点：

1.通过第一缓冲腔体20作为真空烘烤腔体30的缓冲处理，避免真空烘烤腔体30与大气环境作直接接触。于真空烘烤腔体30进行下一批次基材2烘烤前，可以减少真空烘烤腔体30重新抽真空的时间，以提高烘烤的效率。

2. 第一缓冲腔体20可以作为这些基材2烘烤后的降温等待区，避免真空烘烤腔体30进行大幅度降温，在下一批次基材2需要烘烤时，真空烘烤腔体30又重新进行升温的作业，以减少真空烘烤腔体升降温作业所需要的准备时间。

3.通过设置多个第一缓冲闸门21，第一缓冲腔体20可以分别开启及关闭第一缓冲闸门21，就不会在第一缓冲闸门21开启时，使过多的空气进入第一缓冲腔体20，使第一缓冲腔体20较容易维持隔绝的状态。借以降低这些基材2有接触空气的机会，进一步地提高这些基材2的制程良率。

4.通过第二缓冲腔体40的设置，于第一缓冲腔体20与第二缓冲腔体40配合之下，第一缓冲腔体20与第二缓冲腔体40可以在不同时间点输入这些基材2进行真空烘烤，借以提升整体的运作效率。

前述功效并不妨碍其他功效的存在。若本领域技术人员自说明书、权利要求或附图等的记载可以导出的功效，也包括在本申请功效中。因此，本申请的功效不局限于前述列举的功效。

以上所举实施例仅用以说明本申请而已，非用以限制本申请的范围。凡是根据本申请精神所从事的种种修改或变化，都属本申请意欲保护的范畴。

Claims (11)

1.一种具有缓冲处理的真空烘烤机构，其与一制程机构连接，以对多个基材进行烘烤，其特征在于，该真空烘烤机构包括：

一与该制程机构相邻的基材转运站，其包括一转运传输模组，该转运传输模组用以取放这些基材；

一相邻于该基材转运站的第一缓冲腔体，其包括一第一缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第一传输模组、一第一烘烤进出口以及一第一抽真空模组，该第一缓冲闸门相邻于该基材转运站，这些基材通过该第一缓冲闸门进出该第一缓冲腔体，这些第一传输模组设置于该第一缓冲闸门与该第一烘烤进出口之间，用以接收或输出各基材进出该第一缓冲闸门或该第一烘烤进出口，而该第一抽真空模组于该第一缓冲闸门关上时进行抽真空；以及

一连接该第一缓冲腔体的真空烘烤腔体，其包括一与该第一烘烤进出口连接的第一烘烤闸门及一烘烤模组，该第一烘烤闸门控制该真空烘烤腔体与该第一缓冲腔体之间的连通，该烘烤模组对这些基材进行真空烘烤。

2.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该基材转运站还包括一与该转运传输模组连接的垂直升降模组，该垂直升降模组控制该转运传输模组于该基材转运站进行垂直方向的移动。

3.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲闸门有多个，这些第一缓冲闸门分别对应这些第一传输模组位置设置。

4.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体还包括一第一冷却模组，用以对这些基材进行冷却。

5.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第一缓冲腔体包括一第一氮气模组，该第一氮气模组设置于该第一缓冲闸门与该第一烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。

6.根据权利要求1所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，还包括一相邻于该基材转运站并与该真空烘烤腔体连接的第二缓冲腔体，该第二缓冲腔体包括一第二缓冲闸门、多个垂直方向间隔叠置的第二传输模组、一第二烘烤进出口以及一第三抽真空模组，该第二缓冲闸门相邻于该基材转运站，这些基材通过该第二缓冲闸门进出该第二缓冲腔体，这些第二传输模组对应这些基材进出位置设置，用以接收或输出各基材进出该第二缓冲闸门或该第二烘烤进出口，而该第三抽真空模组于该第二缓冲闸门关上时进行抽真空。

7.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该基材转运站、该第一缓冲腔体、该第二缓冲腔体及该真空烘烤腔体为方形，该第一缓冲腔体与该第二缓冲腔体分别设于该基材转运站相邻接的两侧面，并且该第一缓冲腔体与该第二缓冲腔体也分别连接于该真空烘烤腔体相邻接的两侧面，以使该基材转运站、该第一缓冲腔体、该第二缓冲腔体及该真空烘烤腔体呈田字形组合。

8.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该真空烘烤腔体还包括一与该第二烘烤进出口连接的第二烘烤闸门，该第二烘烤闸门控制该真空烘烤腔体与该第二缓冲腔体之间的连通。

9.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲腔体还包括一第二冷却模组，用以对这些基材进行冷却。

10.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲闸门有多个，这些第二缓冲闸门对应这些第二传输模组位置设置。

11.根据权利要求6所述的具有缓冲处理的真空烘烤机构，其特征在于，该第二缓冲腔体包括一第二氮气模组，该第二氮气模组设置于该第二缓冲闸门与该第二烘烤进出口之间，用以对这些基材进行喷气。