CN213242504U - 一种缓冲腔和晶圆传送系统 - Google Patents

Abstract

一种缓冲腔和晶圆传送系统，缓冲腔包括：缓冲腔室主体；位于所述缓冲腔室主体中的冷却盘，所述冷却盘包括晶圆接触区；位于所述晶圆接触区侧部且贯穿所述冷却盘的位移口；升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体中的支撑组件，所述支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述支撑组件适于在所述位移口的上方、位移口中、以及所述位移口的下方做往复运动。所述缓冲腔具有能够对缓冲腔进行破真空和对晶圆冷却的双重功能，提高了工艺过程中对晶圆的传送效率。

Description

一种缓冲腔和晶圆传送系统

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缓冲腔和晶圆传送系统。

背景技术

在半导体制造中，在某些高温半导体工艺中，如某些CVD或者去胶工艺，完成加工工艺后的晶圆温度较高，无法直接传至晶圆盒中。通常的做法是将晶圆经由下述路径进行冷却操作：工艺腔→传送腔→缓冲腔（真空转大气）→冷却平台→晶圆盒，其中，真空传送机器人完成“工艺腔→传送腔→缓冲腔”，大气传送机器人完成“缓冲腔（真空转大气）→冷却平台→晶圆盒”。

上述对晶圆的传送过程中，相对于常温晶圆传送平台多了一层传送操作，即由“缓冲腔（真空转大气）→晶圆盒”变成“缓冲腔（真空转大气）→冷却平台→晶圆盒”，这种传送操作大大降低了设备前端模块的大气机器人的传送效率。对于短工艺特别是超短工艺，单位时间内的晶圆产出强烈依赖于传送平台的传送效率。整个传送平台的传送效率由下面三个因素进行优化：传送腔真空机器人传送效率；缓冲腔进行抽真空/破真空的速度；设备前端模块大气机器人的传送效率。

显然，设备前端模块大气机器人的传送效率因多了一层冷却传送操作而大大降低，导致整个传送平台的传送效率也会大大降低。

发明内容

本实用新型解决的问题是提供一种缓冲腔和晶圆传送系统，能够对缓冲腔进行破真空和对晶圆冷却的双重功能，提高了工艺过程中对晶圆的传送效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种缓冲腔，包括：缓冲腔室主体；位于所述缓冲腔室主体中的冷却盘，所述冷却盘包括晶圆接触区；位于所述晶圆接触区侧部且贯穿所述冷却盘的位移口；升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体中的支撑组件，所述支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述支撑组件适于在所述位移口的上方、位移口中、以及所述位移口的下方做往复运动。

可选的，所述升降单元还包括:升降杆，部分所述升降杆位于所述缓冲腔室主体内部且与所述支撑组件连接，且所述支撑组件与所述升降杆垂直，所述支撑组件与所述升降杆呈“L”形，所述升降杆穿过所述位移口且适于相对于所述位移口进行升降移动。

可选的，所述升降杆的一端延伸在所述缓冲腔室主体的外部；所述升降单元还包括:位于所述缓冲腔室主体的外部且与所述升降杆连接的升降气缸。

可选的，所述冷却盘为若干层，若干层冷却盘在所述缓冲腔室主体中自上至下分立排布；所述升降单元中的支撑组件具有若干层，若干层支撑组件的排布方向平行于若干层冷却盘的排布方向；一层冷却盘对应一层支撑组件。

可选的，对于一个晶圆接触区，所述晶圆接触区侧部的位移口的数量为多个，多个位移口围绕所述晶圆接触区均匀且分立的分布。

可选的，所述缓冲腔室主体包括上缓冲腔室主体和位于所述上缓冲腔室主体下方的下缓冲腔室主体；所述冷却盘包括上冷却盘和下冷却盘，所述上冷却盘位于所述上缓冲腔室主体中，所述上冷却盘包括上晶圆接触区，所述上冷却盘中具有位于所述上晶圆接触区的侧部且贯穿所述上冷却盘的上位移口，下冷却盘位于所述下缓冲腔室主体中，所述下冷却盘包括下晶圆接触区，所述下冷却盘中具有位于所述下晶圆接触区的侧部且贯穿所述下冷却盘的下位移口； 所述升降单元包括第一升降单元和第二升降单元，所述第一升降单元包括位于所述上缓冲腔室主体中的上支撑组件，所述上支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述上支撑组件适于在所述上位移口的上方、上位移口中、以及所述上位移口的下方做往复运动，所述第二升降单元包括位于所述下缓冲腔室主体中的下支撑组件，所述下支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述下支撑组件适于在所述下位移口的上方、下位移口中、以及所述下位移口的下方做往复运动。

可选的，所述第一升降单元还包括:第一升降杆，部分所述第一升降杆位于所述上缓冲腔室主体内部且与所述上支撑组件连接，且所述上支撑组件与所述第一升降杆垂直，所述上支撑组件与所述第一升降杆呈“L”形，所述第一升降杆穿过所述上位移口且适于相对于所述上位移口进行升降移动；所述第二升降单元还包括:第二升降杆，部分所述第二升降杆位于所述下缓冲腔室主体内部且与所述下支撑组件连接，且所述下支撑组件与所述第二升降杆垂直，所述下支撑组件与所述第二升降杆呈“L”形，所述第二升降杆穿过所述下位移口且适于相对于所述下位移口进行升降移动。

可选的，所述第一升降杆的一端延伸在所述上缓冲腔室主体的上方；所述第二升降杆的一端延伸在所述下缓冲腔室主体的下方；所述第一升降单元还包括:位于所述上缓冲腔室主体的上方且与所述第一升降杆连接的第一升降气缸；所述第二升降单元还包括:位于所述下缓冲腔室主体的下方且与所述第二升降杆连接的第二升降气缸。

可选的，所述上冷却盘为若干层，若干层上冷却盘在所述上缓冲腔室主体中自上至下分立排布；所述下冷却盘为若干层，若干层下冷却盘在所述下缓冲腔室主体中自上至下分立排布；所述第一升降单元中的上支撑组件具有若干层，若干层上支撑组件的排布方向平行于若干层上冷却盘的排布方向；一层上冷却盘对应一层上支撑组件；所述第二升降单元中的下支撑组件具有若干层，若干层下支撑组件的排布方向平行于若干层下冷却盘的排布方向；一层下冷却盘对应一层下支撑组件。

本实用新型还提供一种晶圆传送系统，包括：传送腔；位于所述传送腔侧部的工艺腔；如本实用新型的缓冲腔，所述缓冲腔位于所述传送腔的侧部且与所述工艺腔分立；位于所述传送腔中的第一传送机器人。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下有益效果：

本实用新型技术方案提供的缓冲腔，不仅能对缓冲腔室主体进行破真空，还能够对位于缓冲腔室主体中的晶圆进行冷却，破真空的步骤和对晶圆的冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆的传送效率。

本实用新型技术方案提供的晶圆传送系统，包括缓冲腔，不仅能对缓冲腔室主体进行破真空，还能够对位于缓冲腔室主体中的晶圆进行冷却，破真空的步骤和对晶圆的冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆的传送效率。其次，通过升降单元可使晶圆传入传出过程时第一传送机器人的手指与冷却盘有效隔离，做到冷却盘面积和冷却能力最大化，从而大大提升对晶圆的冷却降温速率，提升高温工艺传送系统的传送效率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例中缓冲腔的剖面结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中的缓冲腔的俯视结构示意图；

图3为本实用新型另一实施例中晶圆传送系统的示意图；

图4是本实用新型又一实施例中缓冲腔的的剖面结构示意图。

具体实施方式

通常，晶圆由真空传送腔传送至真空缓冲腔后，缓冲腔需要进行破真空操作，冲入高纯氮气至大气状态，这个时间一般是10s-15s左右；晶圆在冷却平台上的冷却时间也是10s-15s左右。假设将晶圆的冷却平台与缓冲腔合二为一，破真空操作与晶圆冷却操作同步进行，这将大大提升传送平台的传送效率。

基于此，本实用新型一实施例提供一种缓冲腔，请参考图1和图2，包括：

缓冲腔室主体100；

位于所述缓冲腔室主体100中的冷却盘110，所述冷却盘110包括晶圆接触区A；

位于所述晶圆接触区A侧部且贯穿所述冷却盘110的位移口111；

升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体100中的支撑组件121，所述支撑组件121适于支撑晶圆10的边缘，所述支撑组件121适于在所述位移口111的上方、位移口111中、以及所述位移口111的下方做往复运动。

本实施例的缓冲腔，不仅能对缓冲腔室主体100进行破真空，还能够对位于缓冲腔室主体100中的晶圆10进行冷却，对缓冲腔室主体100破真空的步骤和对晶圆10的冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆10的传送效率。

所述升降单元还包括:升降杆122，部分所述升降杆122位于所述缓冲腔室主体100内部且与所述支撑组件121连接，且所述支撑组件121与所述升降杆122垂直，所述支撑组件121与所述升降杆122呈“L”形，所述升降杆122穿过所述位移口111且适于相对于所述位移口111进行升降移动。所述升降杆122的一端延伸在所述缓冲腔室主体100的外部。

所述升降单元还包括:位于所述缓冲腔室主体100的外部且与所述升降杆连接122的升降气缸123。

所述冷却盘110为若干层，若干层冷却盘110在所述缓冲腔室主体100中自上至下分立排布。

本实施例中，一个所述缓冲腔室主体100中具有三层冷却盘110，一层冷却盘110包括两个晶圆接触区A，仅仅作为示例。在其他实施例中，一个所述缓冲腔室主体100中具有一层、两层、或者四层以上的冷却盘110，一层冷却盘110包括一个、或者两个以上的晶圆接触区A。

所述升降单元中的支撑组件121具有若干层，若干层支撑组件121的排布方向平行于若干层冷却盘110的排布方向。本实施例中，一个升降单元中的支撑组件121具有三层，仅仅作为示例。在其他实时例中，一个升降单元中具有一层、两层、或者四层以上的支撑组件121。

一层冷却盘110对应一层支撑组件121，指的是，一层支撑组件121适于将晶圆放置在对应的一层冷却盘110的晶圆接触区A上。

对于一个晶圆接触区A，所述晶圆接触区A侧部的位移口111的数量为多个，多个位移口111围绕所述晶圆接触区A均匀且分立的分布。

对于一个晶圆接触区A，一个晶圆接触区A被若干个支撑组件121包围，一个支撑组件121对应一个位移口111，也就是说，一个支撑组件121适于在一个位移口111的上方、位移口111中、以及所述位移口111的下方做往复运动。支撑组件121的数量等于位移口111的数量。

在本实施例中，对于一个晶圆接触区A，所述晶圆接触区A侧部的位移口111的数量为四个，四个位移口111围绕所述晶圆接触区A均匀且分立的分布。

在其他实施例中，对于一个晶圆接触区A，所述晶圆接触区A区侧部的位移口111的数量为其他的数量。

本实施例中，各层的冷却盘内部具有冷却管道C。所述缓冲腔还包括：与所述冷却管道的一端连通的进水管道，与所述冷却管道的另一端连通的出水管道（未图示）。

本实施例中，缓冲腔还包括：腔体真空门G和腔体大气门g。

相应的，本实用新型另一实施例还提供一种晶圆传送系统，参考图3，包括：传送腔200；位于所述传送腔200侧部的工艺腔210；上述的缓冲腔220，所述缓冲腔220位于所述传送腔200的侧部且与所述工艺腔210分立；位于所述传送腔200中的第一传送机器人230；晶圆盒240；位于所述晶圆盒240和所述缓冲腔220之间的设备前端模块250，所述设备前端模块250包括第二传送机器人。

本实施例的晶圆传送系统，包括缓冲腔220，不仅能对缓冲腔室主体100进行破真空，还能够对位于缓冲腔室主体100中的晶圆10进行冷却，对缓冲腔室主体100的破真空的步骤和对晶圆10的冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆10的传送效率。

本实施例中，通过升降单元可使晶圆传入传出过程时第一传送机器人230的手指与冷却盘有效隔离，做到冷却盘面积和冷却能力最大化，从而大大提升对晶圆的冷却降温速率，提升高温工艺传送系统的传送效率。

相应的，还提供一种晶圆传送系统的工作方法，包括：

晶圆在工艺腔210中进行工艺处理；

晶圆在工艺腔210中进行工艺处理之后，第一传送机器人230将晶圆10从工艺腔210中取出并传送至所述传送腔200；

第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中的晶圆接触区A上；

晶圆10传入缓冲腔中的晶圆接触区A上之后，缓冲腔220进行破真空，在缓冲腔220进行破真空的过程中，冷却盘110对晶圆10进行冷却。

在一个具体的实施例中，缓冲腔220进行破真空是通过向缓冲腔220内充入干燥的高纯氮气实现的。

本实施例中，还包括：冷却盘110对晶圆10进行冷却之后，第二传送机器人将晶圆10经由设备前端模块250传送至晶圆盒240中。

本实施例中，晶圆在工艺腔210中进行工艺处理之前，还包括：将未反应的晶圆传入缓冲腔220，之后缓冲腔220进行抽真空，缓冲腔220进行抽真空之后，未反应的晶圆依次传入工艺腔210。

在一个实施例中，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中的晶圆接触区A上的过程包括：升降单元升起使得支撑组件121高于同层的冷却盘110；第一子步骤，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中并下移，使晶圆10放置在所述支撑组件121上；第二子步骤，将晶圆10放置在所述支撑组件121上之后，第一传送机器人230下移脱离晶圆10并移出所述缓冲腔220；第三子步骤，第一传送机器人230移出所述缓冲腔220；重复第一子步骤、第二子步骤和第三子步骤，直至若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同的支撑组件上；若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同的支撑组件上之后，升降单元下降使得所述支撑组件121向下移动穿过所述位移口111，以将若干片晶圆分别放置在若干不同的晶圆接触区上。

在另一个实施例中，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中的晶圆接触区A上的过程包括：第一子步骤，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中，升降单元升起使得支撑组件121托住晶圆10，且使得第一传送机器人230脱离晶圆10；第二子步骤，支撑组件121托住晶圆10之后，第一传送机器人230移出所述缓冲腔220；第三子步骤，升降单元下降使得所述支撑组件121向下移动穿过所述位移口111，以将所述晶圆10放置在所述晶圆接触区A上。重复第一子步骤、第二子步骤和第三子步骤，直至若干晶圆分别放置在若干不同的晶圆接触区上。需要说明的是，执行该过程中的一个循环，能够将一片晶圆放置在一个晶圆接触区A上，重复该过程中，直至将若干片晶圆放置分别在若干不同的晶圆接触区A上。

在又一个实施例中，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中的晶圆接触区A上的过程包括：第一子步骤，第一传送机器人230将晶圆10从传送腔200传入缓冲腔220中；第二子步骤，升降单元升起使得支撑组件121托住晶圆10，且使得第一传送机器人230脱离晶圆10；第三子步骤，支撑组件121托住晶圆10之后，第一传送机器人230移出所述缓冲腔220；第四子步骤，升降单元下降使得支撑组件121向下移动并处于高于同层的冷却盘110的位置；重复第一子步骤、第二子步骤、第三子步骤和第四子步骤，直至若干片晶圆从传送腔200传入缓冲腔220中的不同的支撑组件121上；若干片晶圆从传送腔200传入缓冲腔220中的不同的支撑组件121上之后，升降单元下降使得所述支撑组件121向下移动穿过所述位移口111，以将若干片晶圆分别放置在若干不同的晶圆接触区A上。

本实用新型又一实施例还提供一种缓冲腔，请参考图4，包括：

缓冲腔室主体, 所述缓冲腔室主体包括上缓冲腔室主体301和位于所述上缓冲腔室主体301下方的下缓冲腔室主体302；

上冷却盘303, 上冷却盘303位于所述上缓冲腔室主体301中，所述上冷却盘303包括上晶圆接触区A1，所述上冷却盘303中具有位于所述上晶圆接触区A1的侧部且贯穿所述上冷却盘303的上位移口304;

下冷却盘305,下冷却盘305位于所述下缓冲腔室主体302中，所述下冷却盘305包括下晶圆接触区A2，所述下冷却盘305中具有位于所述下晶圆接触区A2的侧部且贯穿所述下冷却盘305的下位移口306；

升降单元， 所述升降单元包括第一升降单元和第二升降单元，所述第一升降单元包括位于所述上缓冲腔室主体301中的上支撑组件307，所述上支撑组件307适于支撑晶圆的边缘，所述上支撑组件307适于在所述上位移口304的上方、上位移口304中、以及所述上位移口304的下方做往复运动，所述第二升降单元包括位于所述下缓冲腔室主体302中的下支撑组件308，所述下支撑组件308适于支撑晶圆的边缘，所述下支撑组件308适于在所述下位移口306的上方、下位移口306中、以及所述下位移口306的下方做往复运动。

本实施例的缓冲腔，不仅能对上缓冲腔室主体301进行破真空的步骤，还能够对位于上缓冲腔室主体301中的晶圆10a进行冷却，对上缓冲腔室主体301破真空的步骤和对上缓冲腔室主体301中晶圆10a的冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆10a的传送效率。本实施例的缓冲腔，不仅能对下缓冲腔室主体302进行破真空的步骤，还能够对位于下缓冲腔室主体302中的晶圆10b进行冷却，对下缓冲腔室主体302破真空的步骤和对下缓冲腔室主体302中晶圆10b冷却能够同步进行，提高了工艺过程中对晶圆10b的传送效率。

所述第一升降单元还包括:第一升降杆309，部分所述第一升降杆309位于所述上缓冲腔室主体301内部且与所述上支撑组件307连接，且所述上支撑组件307与所述第一升降杆309垂直，所述上支撑组件307与所述第一升降杆309呈“L”形，所述第一升降杆309穿过所述上位移口304且适于相对于所述上位移口304进行升降移动；所述第二升降单元还包括:第二升降杆310，部分所述第二升降杆310位于所述下缓冲腔室主体302内部且与所述下支撑组件308连接，且所述下支撑组件308与所述第二升降杆310垂直，所述下支撑组件308与所述第二升降杆310呈“L”形，所述第二升降杆310穿过所述下位移口306且适于相对于所述下位移口306进行升降移动。

所述第一升降杆309的一端延伸在所述上缓冲腔室主体301的上方，所述第二升降杆310的一端延伸在所述下缓冲腔室主体302的下方。

所述第一升降单元还包括:位于所述上缓冲腔室主体301的上方且与所述第一升降杆309连接的第一升降气缸311；所述第二升降单元还包括:位于所述下缓冲腔室主体302的下方且与所述第二升降杆310连接的第二升降气缸312。

所述上冷却盘303为若干层，若干层上冷却盘303在所述上缓冲腔室主体301中自上至下分立排布；所述下冷却盘305为若干层，若干层下冷却盘305在所述下缓冲腔室主体302中自上至下分立排布。

所述第一升降单元中的上支撑组件307具有若干层，若干层上支撑组件307的排布方向平行于若干层上冷却盘303的排布方向；一层上冷却盘303对应一层上支撑组件307。

所述第二升降单元中的下支撑组件308具有若干层，若干层下支撑组件308的排布方向平行于若干层下冷却盘305的排布方向；一层下冷却盘305对应一层下支撑组件308。

本实施例中，一个所述上缓冲腔室主体301中具有三层上冷却盘303，一层冷却盘110包括两个上晶圆接触区A1，仅仅作为示例。在其他实施例中，一个上缓冲腔室主体301中具有一层、两层、或者四层以上的上冷却盘303，一层上冷却盘303包括一个、或者两个以上的上晶圆接触区A1。

本实施例中，一个所述下缓冲腔室主体302中具有三层下冷却盘305，一层下冷却盘305包括两个下晶圆接触区A2，仅仅作为示例。在其他实施例中，一个下缓冲腔室主体302中具有一层、两层、或者四层以上的下冷却盘305，一层下冷却盘305包括一个、或者两个以上的下晶圆接触区A2。

对于一个上晶圆接触区A1，所述上晶圆接触区A1侧部的上位移口304的数量为多个，多个上位移口304围绕所述上晶圆接触区A1均匀且分立的分布。

对于一个下晶圆接触区A2，所述下晶圆接触区A2侧部的下位移口306的数量为多个，多个下位移口306围绕所述下晶圆接触区A2均匀且分立的分布。

对于一个上晶圆接触区A1，一个上晶圆接触区A1被若干个上支撑组件307包围，一个上支撑组件307对应一个上位移口304，也就是说，一个上支撑组件307适于在一个上位移口304的上方、上位移口304中、以及所述上位移口304的下方做往复运动。上支撑组件307的数量等于上位移口304的数量。

对于一个下晶圆接触区A2，一个下晶圆接触区A2被若干个下支撑组件308包围，一个下支撑组件308对应一个下位移口306，也就是说，一个下支撑组件308适于在一个下位移口306的上方、下位移口306中、以及所述下位移口306的下方做往复运动。下支撑组件308的数量等于下位移口306的数量。

本实施例中，各层的上冷却盘内部具有上冷却管道（未图示），各层的下冷却盘内部具有下冷却管道（未图示）。

本实施例中，所述缓冲腔还包括：与所述上冷却管道的一端和下冷却管道的一端连通的进水管道（未图示），与所述上冷却管道的另一端以及下冷却管道的另一端连通的出水管道（未图示）。

相应的，本实用新型另一实施例还提供一种晶圆传送系统，包括：传送腔；位于所述传送腔侧部的工艺腔；上述的缓冲腔，所述缓冲腔位于所述传送腔的侧部且与所述工艺腔分立；位于所述传送腔中的第一传送机器人；晶圆盒；位于所述晶圆盒和所述缓冲腔之间的设备前端模块，所述设备前端模块包括第二传送机器人。

相应的，还提供一种晶圆传送系统的工作方法，包括：晶圆在工艺腔中进行工艺处理；晶圆在工艺腔中进行工艺处理之后，第一传送机器人将晶圆从工艺腔中取出并传送至所述传送腔；第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中的晶圆接触区上；晶圆传入缓冲腔中的晶圆接触区上之后，缓冲腔进行破真空，在缓冲腔进行破真空的过程中，冷却盘110对晶圆进行冷却。

具体的，未反应的晶圆传入上缓冲腔室主体301，之后上缓冲腔室主体301进行抽真空，之后上缓冲腔室主体301对未反应的晶圆依次传入工艺腔进行反应，晶圆在工艺腔中进行工艺处理，反应后的晶圆依次传回上缓冲腔室主体301；晶圆在工艺腔中进行工艺处理之后，第一传送机器人将晶圆从工艺腔中取出并传送至所述传送腔；第一传送机器人将晶圆从传送腔传入上缓冲腔室主体301的上晶圆接触区上；晶圆传入上缓冲腔室主体301中的上晶圆接触区上之后，上缓冲腔室主体301进行破真空，在上缓冲腔室主体301进行破真空的过程中，上冷却盘对晶圆进行冷却。与此同时，第一传送机器人将反应后的晶圆从传送腔传入下缓冲腔室主体302的下晶圆接触区上，晶圆传入下缓冲腔室主体302之后，下缓冲腔室主体302之进行破真空，在下缓冲腔室主体302进行破真空的过程中，下冷却盘对晶圆进行冷却。冷却后的晶圆传入晶圆盒。

对于双层结构的缓冲腔，上下缓冲腔“抽真空-破真空”交替进行，整个系统传送效率会更高。

在一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入上缓冲腔室主体301的上晶圆接触区上的过程包括：第一升降单元升起使得上支撑组件高于同层的上冷却盘；第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中并下移，使晶圆放置在所述上支撑组件上；将晶圆放置在所述上支撑组件上之后，第一传送机器人下移脱离晶圆并移出所述缓冲腔；第一传送机器人移出所述缓冲腔之后，第一升降单元下降使得所述上支撑组件向下移动穿过所述上位移口，以将晶圆放置在所述上晶圆接触区上。需要说明的是，执行该过程中的一个循环，能够将一片晶圆放置在一个上晶圆接触区上，重复该过程中，直至将若干片晶圆放置分别在若干不同的上晶圆接触区上。

在另一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入上缓冲腔室主体301的上晶圆接触区上的过程包括：第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中，第一升降单元升起使得上支撑组件托住晶圆，且使得第一传送机器人脱离晶圆；上支撑组件121托住晶圆之后，第一传送机器人移出所述缓冲腔；第一升降单元下降使得所述上支撑组件向下移动穿过所述上位移口，以将晶圆放置在上晶圆接触区上。需要说明的是，执行该过程中的一个循环，能够将一片晶圆放置在一个上晶圆接触区A，重复该过程中，直至将若干片晶圆放置分别在若干不同的上晶圆接触区上。

在又一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入上缓冲腔室主体301的上晶圆接触区上的过程包括：第一子步骤，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中；第二子步骤，第一升降单元升起使得上支撑组件托住晶圆，且使得第一传送机器人脱离晶圆；第三子步骤，上支撑组件托住晶圆之后，第一传送机器人移出所述缓冲腔；第四子步骤，第一升降单元下降使得上支撑组件向下移动并处于高于同层的上冷却盘的位置；重复第一子步骤、第二子步骤、第三子步骤和第四子步骤，直至若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同上支撑组件上；若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同的上支撑组件上之后，第一升降单元下降使得上支撑组件向下移动穿过上位移口，以将若干片晶圆分别放置在若干不同的上晶圆接触区上。

在一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入下缓冲腔室主体302的下晶圆接触区A2上的过程包括：第二升降单元升起使得下支撑组件高于同层的下冷却盘；第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中并下移，使晶圆放置在所述下支撑组件上；将晶圆放置在所述下支撑组件上之后，第一传送机器人下移脱离晶圆并移出所述缓冲腔；第一传送机器人移出所述缓冲腔之后，第二升降单元下降使得所述下支撑组件向下移动穿过所述下位移口，以将晶圆放置在所述下晶圆接触区上。需要说明的是，执行该过程中的一个循环，能够将一片晶圆放置在一个下晶圆接触区上，重复该过程中，直至将若干片晶圆放置分别在若干不同的下晶圆接触区上。

在另一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入下缓冲腔室主体302的下晶圆接触区上的过程包括：第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中，第二升降单元升起使得下支撑组件托住晶圆，且使得第一传送机器人脱离晶圆；下支撑组件托住晶圆之后，第一传送机器人移出所述缓冲腔；第二升降单元下降使得所述下支撑组件向下移动穿过所述下位移口，以将晶圆放置在下晶圆接触区上。需要说明的是，执行该过程中的一个循环，能够将一片晶圆放置在一个下晶圆接触区A2上，重复该过程中，直至将若干片晶圆放置分别在若干不同的下晶圆接触区A2上。

在又一个实施例中，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入下缓冲腔室主体302的下晶圆接触区上的过程包括：第一子步骤，第一传送机器人将晶圆从传送腔传入缓冲腔中；第二子步骤，第二升降单元升起使得下支撑组件托住晶圆，且使得第一传送机器人脱离晶圆；第三子步骤，下支撑组件托住晶圆之后，第一传送机器人移出所述缓冲腔；第四子步骤，第二升降单元下降使得下支撑组件向下移动并处于高于同层的下冷却盘的位置；重复第一子步骤、第二子步骤、第三子步骤和第四子步骤，直至若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同的下支撑组件上；若干片晶圆从传送腔传入缓冲腔中的不同的下支撑组件上之后，第二升降单元下降使得下支撑组件向下移动穿过下位移口，以将若干片晶圆分别放置在若干不同的下晶圆接触区上。

需要说明的是，第一传送机器人的手指9在传送晶圆的过程中与晶圆的背面部分接触，且第一传送机器人的手指9不会与冷却盘接触。

虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种缓冲腔，其特征在于，包括：

缓冲腔室主体；

位于所述缓冲腔室主体中的冷却盘，所述冷却盘包括晶圆接触区；

位于所述晶圆接触区侧部且贯穿所述冷却盘的位移口；

升降单元，所述升降单元包括位于所述缓冲腔室主体中的支撑组件，所述支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述支撑组件适于在所述位移口的上方、位移口中、以及所述位移口的下方做往复运动。

2.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述升降单元还包括:升降杆，部分所述升降杆位于所述缓冲腔室主体内部且与所述支撑组件连接，且所述支撑组件与所述升降杆垂直，所述支撑组件与所述升降杆呈“L”形，所述升降杆穿过所述位移口且适于相对于所述位移口进行升降移动。

3.根据权利要求2所述的缓冲腔，其特征在于，所述升降杆的一端延伸在所述缓冲腔室主体的外部；

所述升降单元还包括:位于所述缓冲腔室主体的外部且与所述升降杆连接的升降气缸。

4.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，所述冷却盘为若干层，若干层冷却盘在所述缓冲腔室主体中自上至下分立排布；

所述升降单元中的支撑组件具有若干层，若干层支撑组件的排布方向平行于若干层冷却盘的排布方向；

一层冷却盘对应一层支撑组件。

5.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，对于一个晶圆接触区，所述晶圆接触区侧部的位移口的数量为多个，多个位移口围绕所述晶圆接触区均匀且分立的分布。

6.根据权利要求1所述的缓冲腔，其特征在于，包括：

所述缓冲腔室主体包括上缓冲腔室主体和位于所述上缓冲腔室主体下方的下缓冲腔室主体；

所述冷却盘包括上冷却盘和下冷却盘，所述上冷却盘位于所述上缓冲腔室主体中，所述上冷却盘包括上晶圆接触区，所述上冷却盘中具有位于所述上晶圆接触区的侧部且贯穿所述上冷却盘的上位移口，下冷却盘位于所述下缓冲腔室主体中，所述下冷却盘包括下晶圆接触区，所述下冷却盘中具有位于所述下晶圆接触区的侧部且贯穿所述下冷却盘的下位移口；

所述升降单元包括第一升降单元和第二升降单元，所述第一升降单元包括位于所述上缓冲腔室主体中的上支撑组件，所述上支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述上支撑组件适于在所述上位移口的上方、上位移口中、以及所述上位移口的下方做往复运动，所述第二升降单元包括位于所述下缓冲腔室主体中的下支撑组件，所述下支撑组件适于支撑晶圆的边缘，所述下支撑组件适于在所述下位移口的上方、下位移口中、以及所述下位移口的下方做往复运动。

7.根据权利要求6所述的缓冲腔，其特征在于，所述第一升降单元还包括:第一升降杆，部分所述第一升降杆位于所述上缓冲腔室主体内部且与所述上支撑组件连接，且所述上支撑组件与所述第一升降杆垂直，所述上支撑组件与所述第一升降杆呈“L”形，所述第一升降杆穿过所述上位移口且适于相对于所述上位移口进行升降移动；所述第二升降单元还包括:第二升降杆，部分所述第二升降杆位于所述下缓冲腔室主体内部且与所述下支撑组件连接，且所述下支撑组件与所述第二升降杆垂直，所述下支撑组件与所述第二升降杆呈“L”形，所述第二升降杆穿过所述下位移口且适于相对于所述下位移口进行升降移动。

8.根据权利要求7所述的缓冲腔，其特征在于，所述第一升降杆的一端延伸在所述上缓冲腔室主体的上方；所述第二升降杆的一端延伸在所述下缓冲腔室主体的下方；

所述第一升降单元还包括:位于所述上缓冲腔室主体的上方且与所述第一升降杆连接的第一升降气缸；

所述第二升降单元还包括:位于所述下缓冲腔室主体的下方且与所述第二升降杆连接的第二升降气缸。

9.根据权利要求6所述的缓冲腔，其特征在于，所述上冷却盘为若干层，若干层上冷却盘在所述上缓冲腔室主体中自上至下分立排布；所述下冷却盘为若干层，若干层下冷却盘在所述下缓冲腔室主体中自上至下分立排布；

所述第一升降单元中的上支撑组件具有若干层，若干层上支撑组件的排布方向平行于若干层上冷却盘的排布方向；一层上冷却盘对应一层上支撑组件；

所述第二升降单元中的下支撑组件具有若干层，若干层下支撑组件的排布方向平行于若干层下冷却盘的排布方向；一层下冷却盘对应一层下支撑组件。

10.一种晶圆传送系统，其特征在于，包括：

传送腔；

位于所述传送腔侧部的工艺腔；

如权利要求1至9中任意一项所述的缓冲腔，所述缓冲腔位于所述传送腔的侧部且与所述工艺腔分立；

位于所述传送腔中的第一传送机器人。

Images