CN107879749A - 一种全抛釉砖的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

一种全抛釉砖的生产工艺，包括：(1)选取矿物原料进行配料，球磨获得浆料；(2)将浆料喷雾干燥获得粉料，测控粉料的水分6.8～7.4％，颗粒级配20目＜1％、40目35～47％、80目50～62％、100目以下＜3％，(3)将粉料压制成型，获得砖坯；(4)将砖坯干燥，测控砖坯的工艺参数；(5)施釉：a.在砖坯的表面喷水，用量为30±6g/托盘；b.在砖坯表面淋全抛底釉，用量为105±4g/托盘，比重为1.89±0.04g/ml；c.在砖坯表面喷墨水；d.在砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，比重为1.55±0.02g/ml；e.在砖坯表面淋全抛面釉，用量为105±4g/托盘，比重为1.89±0.04g/ml，烧成，抛光，获得全抛釉砖，本发明对全抛釉砖的生产工艺的质量控制更加精确，成品率更高，生产质量稳定，降低生产成本。

Description

一种全抛釉砖的生产工艺
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷加工技术领域，尤其涉及一种全抛釉砖的生产工艺。
背景技术
现有在全抛釉砖的生产工艺中，通常是将釉料生产、坯料压制进行单独加工控制，最后获得砖坯往往需要进行质量分级，若出现未能达到最低级别的质量要求的全抛釉砖时，则作为废砖处理，其往往废品率往往较高，尤其是其在坯料和釉线加工的过程中操作的不合理性，没有统一考虑不同步骤中的影响砖坯质量的间接因素，缺少一套完整精确地对全抛釉砖的生产质量的测控，其参数无法进行有效地测控，从而导致全抛釉砖的生产质量较低，成品率低，而且容易造成浪费，增加生产成本，对砖坯的质量控制较难的问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种全抛釉砖的生产工艺，其对产品的生产质量控制更加精确，成品率更高，生产质量更加稳定，降低生产成本。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种全抛釉砖的生产工艺，包括如下步骤：
(1)制浆：选取用于制备全抛釉砖坯的矿物原料进行配料，并加入球磨机中进行球磨获得浆料；
(2)喷雾干燥：将浆料进行喷雾干燥获得粉料，并在喷雾塔下的出料输送带处测控粉料的水分为6.8～7.4％，颗粒级配为20目＜1％、40目35～47％、80目50～62％、100目以下＜3％；
(3)压制成型：将粉料输送至压机处进行布料，压制成型，获得砖坯；
(4)干燥：将砖坯进行干燥，并测控干燥后的砖坯的工艺参数；
(5)施釉：
a.将干燥后的砖坯的表面喷水，测控喷水的用量为30±6g/托盘；
b.在砖坯表面淋全抛底釉，测控釉用量为105±4g/托盘，全抛底釉的比重为1.89±0.04g/ml；
c.在具有全抛底釉的砖坯表面根据预设计的图案进行喷墨水；
d.在喷有墨水的砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，并测控保护釉的比重为1.55±0.02g/ml；
e.在印有保护釉的砖坯表面淋全抛面釉，测控釉用量为105±4g/托盘，全抛面釉的比重为1.89±0.04g/ml；
(6)烧成：将步骤(5)获得的砖坯进行高温烧制，获得半成品砖；
(7)抛光：将半成品砖进行抛光，获得全抛釉砖。
本发明提出的一种全抛釉砖的生产工艺，通过将全抛釉砖的生产工艺作进一步细分，即由于浆料、粉料、压制成型、干燥、施釉、半成品砖和抛光步骤中的参数设定是环环相扣，相辅相成，因此根据不同的步骤工序的特点来设定不同的测控项目，设立质量控制点，根据所设定的相应标准参数值进行有效测控，从而更加细化严格把控到更多的间接因素，保证每个环节中的工艺参数均能够精确地符合质量要求，使最终的产品性能更加稳定，从而使全抛釉砖生产的成品率更高、减少砖坯和釉面的缺陷，废砖率更低，提高全抛釉砖的生产质量，避免全抛釉砖因出现裂砖、缺釉、针孔等缺陷而导致生产成本的上升，从而实现用最低的成本生产优质的全抛釉产品；相比现有对全抛釉砖的生产工艺的测控相比，本发明具有以下优点：
1、在喷雾造粒过程中，通过测控粉料的水分为6.8～7.4％，确保粉料的水分含量，并控制粉料颗粒级配为20目＜1％、40目35～47％、80目50～62％、100目以下＜3％，通过控制不同颗粒大小的粉料进行更均匀地混合，有利于使在压制烧成后的砖坯结构更加致密，提高砖坯的整体强度，而且有效避免出现因水分不稳定强度不达标而导致出现裂砖，粘膜的现象；
2、通过测控干燥后的砖坯的工艺参数，有利于后续的施釉和烧成效果，避免出现因干燥不均匀等因素而导致釉面缺陷，砖坯强度降低的问题；
3、在施釉的过程中，通过对砖坯表面进行喷水润湿，使釉面与砖坯表面之间的贴合度更高，并严格控制其喷水的用量，不仅可以有效避免釉泡、针孔等釉面缺陷，而且使砖坯的强度更高，不会因水分含量变化过大而容易产生裂砖的现象；同时，在砖面喷墨水进行图案装饰之后，采用100目筛丝网印保护釉来达到进一步保护作用，使墨水不易向上扩散，而且使烧成后的图案纹理更加细腻、立体效果更好。
4、通过严格控制所述全抛底釉、保护釉和全抛面釉的施釉量和比重，使其在砖面的分布根据均匀平整，烧成后的结构更加稳定。
进一步说明，步骤(1)在球磨放浆前，还包括测控在球磨机出浆口出的浆料的工艺参数，并将浆料放入中转池、地池或中转缸中，并分别进行取样检测浆料的工艺参数；所述浆料的工艺参数包括水分、细度、流速和比重；
在球磨机出浆口出的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余1.0±0.1％，流速控制为30～70s；比重控制为1.69～1.74g/ml；在中转池、地池或中转缸中的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余0.9±0.2％，流速控制为30～70s，比重控制为1.69～1.74g/ml。在球磨工序中，首先通过测控在球磨机出浆口出的浆料的工艺参数，其次再根据浆料的不同运用来再次进行测控，即确保转移到不同的地方(中转池、地池或中转缸)时，浆料的工艺参数均能保持稳定，以便于后面工序的精确操作，能够及时准确地进行调整或返回上一步骤进行弥补，细化每个环节并对每个环节均进行严格把控，便于达到减少出现废浆的情况，控制方便。
进一步说明，步骤(3)中，在压制成型之前，还包括测控压机的压力为320-380bar，压制获得的砖坯厚度为12.0～12.6mm。在压制成型步骤中，对压机的压力和砖坯的厚度进行测控，不仅有效减少压机的误差，而且由于压制的厚度偏薄或偏厚直接影响半成品厚度，因此将砖坯的厚度控制在12.0～12.6mm的范围内，是为了避免砖坯过薄则增加抛光难度，容易导致产品降级处理；而砖坯过后则增加抛光的磨削量，导致电耗增加，设备的损耗，资料浪费的情况。
进一步说明，步骤(4)中，所述测控干燥后的的砖坯的工艺参数包括砖坯温度和干燥强度；所述砖坯温度为70～85℃，干燥强度为≥0.8MPa。由于砖坯的干燥效果直接关系到后续的施釉和烧成的强度效果，因此测控砖坯的干燥温度为70～85℃，干燥强度为≥0.8MPa，能够降低在后期烧成后釉面的缺陷和出现裂砖、缺角的现象。
进一步说明，步骤(5)中，所述全抛底釉的细度为325目，筛余0.2～0.4％，球磨时间为8～10h；所述全抛面釉的细度为325目，筛余0.4～0.6％，球磨时间为8～10h；所述保护釉的细度为325目，筛余<0.1％，球磨时间为8～10h。通过设定全抛底釉、全抛面釉和保护釉的细度等工艺参数，使釉料更加稳定，并且各个釉料之间的细度均匀，控制其筛余量，烧成后的釉层结构更加稳定，避免因细度不均匀而导致烧成后出现裂砖、凹釉、缩釉、针孔、釉泡等釉面缺陷。
进一步说明，步骤(5)中，所述全抛底釉、全抛面釉和保护釉在进行施釉前均再过一次160目筛。由于釉料在存储的过程中，可能混入其他杂质或过筛不彻底，则难以使釉料的细度和纯度的符合要求，而且如果不过筛，可能会出现针孔、釉泡缺陷。
进一步说明，步骤(5)中，所述全抛底釉和全抛面釉在使用前再一次除铁，并过两次120目筛。由于在制釉的过程中需要进行严格除铁，其目的是为了防止釉料中的铁锈在烧成工序中引起黑点、针孔、溶洞等釉面缺陷的产生，而在用釉前对全抛底釉和全抛面釉在使用前进行二次除铁和过筛，防止釉料污染，并使其釉料的细度均匀稳定。另外，在进行丝网印保护釉时，测控丝网是否出现粘网或脱胶现象，若出现粘网则进行擦网即可，若出现脱胶现象则必须进行更换。
进一步说明，步骤(6)中，还包括测控辊道窑操作台处的烧成的工艺参数，同时在窑尾测控半成品砖的工艺参数。
进一步说明，所述烧成的工艺参数包括烧成温度、烧成变频率、烧成时间、油压和风压；所述烧成温度为1200-1230℃，烧成变频率为19-45周频，烧成时间为55-65分钟，油压为0.5-2.0MPa，风压为0.1-1MPa。定期对窑内的烧成工艺参数进行测控，提高砖坯烧成的稳定性。
进一步说明，所述半成品砖的工艺参数包括吸水率、抗折强度和厚度；所述吸水率控制为≤0.08％，抗折强度控制为≥35MPa，厚度为11.0～11.8mm。由于吸水率不达标后期可能会砖坯的返变，抗折强度过低则容易造成裂砖，因此通过控制其砖坯烧成后的吸收率、抗折强度和厚度，从而有利于进行后期的抛光加工处理，减少在后期加工的次品率。
本发明的有益效果：通过将全抛釉砖的生产工艺作进一步细分，根据不同的步骤工序的特点来设定不同的测控项目，设立质量控制点，根据所设定的相应标准参数值进行有效测控，更加细化严格把控到更多的间接因素，保证每个环节中的工艺参数均能够精确地符合质量要求，使最终的产品性能更加稳定，从而使全抛釉砖生产的成品率更高、减少砖坯和釉面的缺陷，废砖率更低，提高全抛釉砖的生产质量，降低生产成本。
其中，(1)在喷雾造粒过程中，通过测控粉料的水分含量，并控制粉料颗粒级配，通过控制不同颗粒大小的粉料进行更均匀地混合，有利于使在压制烧成后的砖坯结构更加致密，提高砖坯的整体强度，而且有效避免出现因水分不稳定强度不达标而导致出现裂砖，粘膜的现象。
(2)通过测控干燥后的砖坯的工艺参数，有利于后续的施釉和烧成效果，避免出现因干燥不均匀等因素而导致釉面缺陷，砖坯强度降低的问题。
(3)在施釉的过程中，对砖坯表面喷水润湿，使釉面与砖坯表面之间的贴合度更高，并严格控制其喷水的用量，不仅避免釉泡、针孔等釉面缺陷，而且使砖坯的强度更高，不会因水分含量变化过大而容易产生裂砖的现象；在砖面喷墨水进行图案装饰之后，采用100目筛丝网印保护釉来达到进一步保护作用，使墨水不易向上扩散，使烧成后的图案纹理更加细腻、立体效果更好。
(4)通过严格控制所述全抛底釉、保护釉和全抛面釉的施釉量和比重，使其在砖面的分布根据均匀平整，烧成后的结构更加稳定。
附图说明
图1是本发明一个实施例的全抛釉砖的生产工艺的流程图；
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1-一种全抛釉砖的生产工艺，包括如下步骤：
(1)制浆：选取用于制备全抛釉砖坯的矿物原料进行配料，并加入球磨机中进行球磨获得浆料；
(2)喷雾干燥：将浆料进行喷雾干燥获得粉料，并在喷雾塔下的出料输送带处测控粉料的水分为6.8～7.4％，颗粒级配为20目0.5％、40目35％、80目62％、100目以下2.5％；
(3)压制成型：将粉料输送至压机处进行布料，压制成型，获得砖坯；
(4)干燥：将砖坯进行干燥，并测控干燥后的砖坯的干燥温度为70℃，干燥强度为0.8MPa；
(5)施釉：
a.将干燥后的砖坯的表面喷水，测控喷水的用量为36g/托盘；
b.在砖坯表面淋全抛底釉，测控釉用量为109g/托盘，全抛底釉的比重为1.93g/ml；
c.在具有全抛底釉的砖坯表面根据预设计的图案进行喷墨水；
d.在喷有墨水的砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，并测控保护釉的比重为1.57g/ml；
e.在印有保护釉砖坯表面淋全抛面釉，测控釉用量为109g/托盘，全抛面釉的比重为1.93g/ml；
(6)烧成：将步骤(5)获得的砖坯进行高温烧制，获得半成品砖；
(7)抛光：将半成品砖进行抛光，获得全抛釉砖。
实施例2-一种全抛釉砖的生产工艺，包括如下步骤：
(1)制浆：选取用于制备全抛釉砖坯的矿物原料进行配料，并加入球磨机中进行球磨获得浆料；
(2)喷雾干燥：将浆料进行喷雾干燥获得粉料，并在喷雾塔下的出料输送带处测控粉料的水分为6.8～7.4％，颗粒级配为20目0.2％、40目47％、80目50％、100目以下2.8％；
(3)压制成型：将粉料输送至压机处进行布料，压制成型，获得砖坯；
(4)干燥：将砖坯进行干燥，并测控干燥后的砖坯的干燥温度为85℃，干燥强度为1.2MPa；
(5)施釉：
a.将干燥后的砖坯的表面喷水，测控喷水的用量为24g/托盘；
b.在砖坯表面淋全抛底釉，测控釉用量为101g/托盘，全抛底釉的比重为1.85g/ml；
c.在具有全抛底釉的砖坯表面根据预设计的图案进行喷墨水；
d.在喷有墨水的砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，并测控保护釉的比重为1.53g/ml；
e.在印有保护釉砖坯表面淋全抛面釉，测控釉用量为101g/托盘，全抛面釉的比重为1.85g/ml；
(6)烧成：将步骤(5)获得的砖坯进行高温烧制，获得半成品砖；
(7)抛光：将半成品砖进行抛光，获得全抛釉砖。
实施例3-一种全抛釉砖的生产工艺，包括如下步骤：
(1)制浆：选取用于制备全抛釉砖坯的矿物原料进行配料，并加入球磨机中进行球磨获得浆料；
在球磨放浆前，测控在球磨机出浆口出的浆料的工艺参数，并将浆料放入中转池、地池或中转缸中，并分别进行取样检测浆料的工艺参数；所述浆料的工艺参数包括水分、细度、流速和比重；
在球磨机出浆口出的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余1.1％，流速控制为70s；比重控制为1.69g/ml；
在中转池、地池或中转缸中的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余0.9％，流速控制为70s，比重控制为1.69/ml；
(2)喷雾干燥：将浆料进行喷雾干燥获得粉料，并在喷雾塔下的出料输送带处测控粉料的水分为6.8～7.4％，颗粒级配为20目0.7％、40目42％、80目55％、100目以下2.3％；
(3)压制成型：将粉料输送至压机处进行布料，压制成型，获得砖坯；其中测控压机的压力为320bar，压制获得的砖坯厚度为12.0mm；
(4)干燥：将砖坯进行干燥，并测控干燥后的砖坯的干燥温度为75℃，干燥强度为1.5MPa；
(5)施釉：
a.将干燥后的砖坯的表面喷水，测控喷水的用量为30g/托盘；并将全抛底釉、全抛面釉和保护釉再过一次160目筛后，进行除铁，再将全抛底釉和全抛面釉过两次120目筛后方可使用；
b.在砖坯表面淋全抛底釉，测控釉用量为105g/托盘，全抛底釉的比重为1.89g/ml，细度为325目，筛余0.2～0.4％；
c.在具有全抛底釉的砖坯表面根据预设计的图案进行喷墨水；
d.在喷有墨水的砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，并测控保护釉的比重为1.55g/ml，细度为325目，筛余<0.1％；
e.在印有保护釉砖坯表面淋全抛面釉，测控釉用量为105g/托盘，全抛面釉的比重为1.89g/ml，细度为325目，筛余0.4～0.6％；
(6)烧成：将步骤(5)获得的砖坯进行高温烧制，获得半成品砖；其中，烧成温度为1230℃，烧成变频率为45周频，烧成时间为65分钟，油压为0.5MPa，风压为1MPa；
(7)抛光：将半成品砖进行抛光，获得全抛釉砖。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：
(1)制浆：选取用于制备全抛釉砖坯的矿物原料进行配料，并加入球磨机中进行球磨获得浆料；
(2)喷雾干燥：将浆料进行喷雾干燥获得粉料，并在喷雾塔下的出料输送带处测控粉料的水分为6.8～7.4％，颗粒级配为20目＜1％、40目35～47％、80目50～62％、100目以下＜3％；
(3)压制成型：将粉料输送至压机处进行布料，压制成型，获得砖坯；
(4)干燥：将砖坯进行干燥，并测控干燥后的砖坯的工艺参数；
(5)施釉：
a.将干燥后的砖坯的表面喷水，测控喷水的用量为30±6g/托盘；
b.在砖坯表面淋全抛底釉，测控釉用量为105±4g/托盘，比重为1.89±0.04g/ml；
c.在具有全抛底釉的砖坯表面根据预设计的图案进行喷墨水；
d.在喷有墨水的砖坯表面采用100目筛丝网印保护釉，并测控保护釉的比重为1.55±0.02g/ml；
e.在印有保护釉的砖坯表面淋全抛面釉，测控釉用量为105±4g/托盘，比重为1.89±0.04g/ml；
(6)烧成：将步骤(5)获得的砖坯进行高温烧制，获得半成品砖；
(7)抛光：将半成品砖进行抛光，获得全抛釉砖。
2.根据权利要求1所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(1)在球磨放浆前，还包括测控在球磨机出浆口出的浆料的工艺参数，并将浆料放入中转池、地池或中转缸中，并分别进行取样检测浆料的工艺参数；所述浆料的工艺参数包括水分、细度、流速和比重；
在球磨机出浆口出的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余1.0±0.1％，流速控制为30～70s；比重控制为1.69～1.74g/ml；在中转池、地池或中转缸中的浆料的水分控制为32～35％，细度控制为250目，筛余0.9±0.2％，流速控制为30～70s，比重控制为1.69～1.74g/ml。
3.根据权利要求1所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(3)中，在压制成型之前，还包括测控压机的压力为320-380bar，压制获得的砖坯厚度为12.0～12.6mm。
4.根据权利要求1所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(4)中，所述测控干燥后的的砖坯的工艺参数包括砖坯温度和干燥强度；所述砖坯温度为70～85℃，干燥强度为≥0.8MPa。
5.根据权利要求1所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(5)中，所述全抛底釉的细度为325目，筛余0.2～0.4％，球磨时间为8～10h；所述全抛面釉的细度为325目，筛余0.4～0.6％，球磨时间为8～10h；所述保护釉的细度为325目，筛余<0.1％，球磨时间为8～10h。
6.根据权利要求5所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(5)中，所述全抛底釉、全抛面釉和保护釉在进行施釉前均再过一次160目筛。
7.根据权利要求5所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(5)中，所述全抛底釉和全抛面釉在使用前再一次除铁，并过两次120目筛。
8.根据权利要求1所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：步骤(6)中，还包括测控辊道窑操作台处的烧成的工艺参数，同时在窑尾测控半成品砖的工艺参数。
9.根据权利要求8所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：所述烧成的工艺参数包括烧成温度、烧成变频率、烧成时间、油压和风压；所述烧成温度为1200-1230℃，烧成变频率为19-45周频，烧成时间为55-65分钟，油压为0.5-2.0MPa，风压为0.1-1MPa。
10.根据权利要求8所述的一种全抛釉砖的生产工艺，其特征在于：所述半成品砖的工艺参数包括吸水率、抗折强度和厚度；所述吸水率控制为≤0.08％，抗折强度控制为≥35MPa，厚度为11.0～11.8mm。
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