CN107871805A - 半导体发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供半导体发光装置及其制造方法。发光装置为1张基板，以相邻的方式配置有多个发光元件。将1个以上的发光元件倒装安装于基板的上表面和下表面。这时，从基板的上方观察，基板的上表面的发光元件和基板的下表面的发光元件以相邻的方式排列配置。安装在基板的上表面的发光元件在上表面具有发光面，安装在基板的下表面的发光元件在基板侧具有发光面。基板至少使安装在基板的下表面的发光元件射出的光透过。

Description

半导体发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及在基板上高密度地搭载有半导体发光元件的装置。
背景技术
以往，广泛公知有如下方法：在含有玻璃纤维的环氧树脂等的基板上粘贴铜箔，通过利用掩模对该铜箔进行蚀刻，形成布线图案。在该方法中，需要确保能够进行利用掩模来形成图案的处理的最小布线图案宽度和图案间隙尺寸，缩小布线图案宽度存在限制。此外，在布线图案上高密度地搭载电子部件(发光元件)时，使用了保持电子部件使其移动至布线图案并进行位置对准来进行配置的装置，但必须以该装置的位置精度以上增大相邻的电子部件(发光元件)之间的间隙(gap)，缩小电子部件之间的间隙存在限制。
专利文献1中公开了如下光源：为了获得高亮度的LED照明光源，在重叠配置的2张安装基板上，以从上表面观察时成为矩阵状的方式将多个LED元件每隔1个交替安装。使2张安装基板中的上侧的安装基板透明，由此使搭载于下侧的安装基板上的LED元件发出的光在上侧的安装基板中透过，与搭载于上侧的安装基板上的LED元件射出的光一起朝向上方射出。
另一方面，如专利文献2中公开的那样，在印刷型电子产品领域中开发出如下的方法：在利用凹版、柔版印刷等，用以金属纳米粒子为主体的油墨对布线图案进行描绘(印刷)以后，对基板整体照射光来对金属纳米粒子进行烧制，由此形成布线图案宽度和图案间隙尺寸小的布线图案。在专利文献2所记载的方法中，在用导电性油墨对布线图案进行印刷以后，将油墨中包含的液状介质去除成规定的范围(0.01～3质量％)，由此防止在光烧制之前布线图案损坏，防止在光烧制时在布线图案的内部产生空孔。
专利文献1：日本特开2006-49026号公报
专利文献2：日本特开2014-17364号公报
发明内容
专利文献1的技术是将多个LED元件分开搭载到相对配置的2张基板的结构，所以需要2张基板，无法使装置紧凑。此外，需要隔开2张基板的间隔相对配置，所以难以使用挠性的基板。
此外，专利文献2的技术在利用导电性油墨将布线图案印刷到基板上以后，对布线图案整体照射光来进行光烧制，所以基板整体的温度上升。因此，在使用树脂等耐热温度低的基板的情况下，基板膨胀，有可能在布线图案中产生变形。特别是在使用挠性的树脂制的基板的情况下，有可能通过光照射在基板自身中产生变形。此外，在专利文献2的技术中，以不在布线图案的内部产生空孔的方式对金属纳米粒子进行了光烧制，所以烧制后的布线图案的挠性小，在使用了挠性的基板的情况下，无法追随基板的挠曲，有可能在布线图案中产生裂纹或者从基板剥离。
本发明的目的在于提供一种为1张基板，将多个发光元件相邻地配置的发光装置。
为了达成上述目的，本发明的半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于基板的上表面的1个以上的发光元件；倒装安装于基板的下表面的1个以上的发光元件。从基板的上方观察，基板的上表面的发光元件和基板的下表面的发光元件以相邻的方式排列配置。安装在基板的上表面的发光元件在上表面具有发光面，安装在基板的下表面的发光元件在所述基板侧具有发光面，基板至少使安装在该基板的下表面的发光元件射出的光透过。
根据本发明，可提供一种能够在1张基板上以相邻的方式排列多个发光元件且发光元件的配置密度较大的半导体装置。
附图说明
图1是第1实施方式的半导体发光装置，(a)是俯视图，(b)是剖视图。
图2的(a)是将第1实施方式的半导体发光装置放大后的俯视图，(b)是放大后的剖视图。
图3的(a)～(h)是示出第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的说明图。
图4是示出在第1实施方式中形成的布线图案为多孔质的说明图。
图5的(a)～(d)是示出第1实施方式的半导体发光装置的另一制造方法的说明图。
图6是第2实施方式的半导体发光装置的俯视图。
图7的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。
图8的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。
图9的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。
图10的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。
标号说明
10、11、12：基板；30a、30b、30c、30d：发光元件；31：电极；40：电极搭载区域；43a、43b：布线图案；41：膜；42：凸块。
具体实施方式
对本发明的一个实施方式的半导体发光装置进行说明。
<第1实施方式>
使用图1的(a)、(b)等，对第1实施方式的半导体发光装置进行说明。图1的(a)示出半导体发光装置的俯视图，图1的(b)示出剖视图，图2的(a)、(b)示出它们的放大图。本实施方式的半导体发光装置具有：基板10，其在上表面和下表面分别具有布线图案43a、43b；1个以上的发光元件30a，其倒装安装于基板10的上表面；以及1个以上的发光元件30b，其倒装安装于基板10的下表面。如图1的(a)、图2的(a)那样，在从基板10的上方观察时，基板10的上表面的发光元件30a和基板10的下表面的发光元件30b以相邻的方式排列配置。例如，在图1的(a)、图2的(a)的结构中，发光元件30a、30b排列成列状，在从上表面观察时，配置成在相邻的发光元件30a、30b之间几乎没有间隙的位置关系。
安装在基板10的上表面的发光元件30a配置成发光面33a朝向上表面。另一方面，安装在基板10的下表面的发光元件30b将发光面33b朝向基板10侧配置。基板10具有至少使安装在基板10的下表面的发光元件30b射出的光透过的特性。由此，如图1的(b)那样，从基板10的下表面的发光元件30b射出并在基板10中透过的光与从基板10的上表面的发光元件30a射出的光一起朝向基板10的上方射出。在朝向上方照射光时，如果根据需要在半导体元件或其接近部设置反射层、反射材料等，则能够高效地向上方射出光。
根据这样的结构，能够获得一种为1张基板10，几乎没有间隙地排列了所搭载的多个发光元件30a、30b的光源。
另外，在从基板10的上方观察时相邻的、上表面的发光元件30a和下表面的发光元件30b也可以部分重叠。通过配置在两个面上，也能够配置成相邻的发光元件30a、30b部分重叠。
此外，在从基板的上方观察时相邻的、上表面的发光元件30a和下表面的发光元件30b也可以构成为发光颜色不同。例如，通过将波长不同的2种发光元件或者3种发光元件相邻配置并发出混合颜色的发光装置形成为本实施方式的结构，能够获得减少了颜色不均的均匀的混合颜色的发光。
优选布线图案43a、43b的线宽在与发光元件30a、30b连接的区域中为发光元件30a、30b的尺寸以下。这是为了不遮挡从发光元件30a、30b发出的光。特别是，优选布线图案43a、43b的线宽在与发光元件30a、30b连接的区域中为发光元件30a、30b的电极31a、31b尺寸以下。
这样的布线图案43a、43b例如能够通过对导电性粒子进行烧结而形成。布线图案43a、43b优选为多孔质。形成为多孔质的布线图案43a、43b具有挠性，所以在使用了挠性的基板10的情况下，也能够追随该基板10的挠曲而变形，能够提供挠性的发光装置。
布线图案43a、43b还能够根据发光元件30a、30b的发光颜色，由不同的导电体材料构成。例如，红色光或红外光被Au制和Ag制的布线图案反射90％以上，蓝色光被Ag制的布线图案反射90％以上，与此相对，Au制的布线图案的反射率在40％以下。因此，例如，在基板10的上表面的发光元件30a的发光颜色为红色光、向周围散射等的光也想朝向上方反射的情况下，优选用Au或Ag形成周围的上表面的布线图案43a或下表面的布线图案43b，但在发光颜色为蓝色光的情况下，优选使用Ag制的布线图案43a、44b。相反，在想抑制向周围散射的散射光朝向上方的反射的情况下，在上表面的发光元件30a为蓝色光的情况下，优选使用反射率低的Au制的布线图案43a或43b。这样，通过选择布线图案43a、43b的材质，能够控制反射光。
使用图3的(a)～(h)对第1实施方式的半导体发光装置的制造方法进行说明。
首先，如图3的(a)那样，在基板10上将分散有导电性粒子和绝缘材料的溶液或者分散有被绝缘材料层覆盖的导电性粒子的溶液以期望的形状涂覆在基板10的表面。由此，在基板10的表面形成被绝缘材料覆盖的导电性粒子的膜41。根据需要对膜41进行加热，使溶剂蒸发从而使膜41干燥。在膜41内分散有导电性纳米粒子，处于导电性纳米粒子的周围被绝缘材料覆盖的状态。因此，在该工序中，膜41为非导电性。
接着，如图3的(b)那样，对膜41的一部分照射规定形状的光束12。在膜41的被照射了光束12的区域中，导电性粒子吸收光的能量而温度上升。由此，导电性粒子以比构成该粒子的材料块(bulk)的熔点低的温度熔化，并且伴随导电性粒子的温度上升，周围的绝缘材料层在多数蒸发、一部分残存的情况下软化。因此，熔化后的导电性纳米粒子与相邻的粒子直接融合，或者突破软化后的绝缘材料层而与相邻的粒子融合。由此，对导电性粒子彼此进行烧结，在基板10的上表面形成导电性的布线图案43a。这时，熔化后的导电性粒子固定到基板10。
另外，如上所述，膜41的接收到光束12的照射的区域的导电性粒子通过照射光而使温度上升。该热用于导电性粒子的烧结，并且传导至周围的膜41、基板10，被散热。因此，仅膜41中的接收到光束12的照射的区域或者仅接收到该光束12的照射的区域及其附近区域达到使导电性粒子烧结的温度，其外侧区域的膜41或基板10的温度未达到使构成它们的材料熔化或者变性的温度。
即，在本实施方式中，通过仅对膜41的一部分区域(电极31的正下方区域)照射光束12，能够对基板10或周围的膜41进行热传导而进行散热，所以能够抑制基板10的温度上升。因此，即使基板10如较薄的挠性的树脂等那样由于热而容易产生变形，也能够防止由于光烧结引起的变形、翘曲、白浊等变性。此外，在基板10为挠性的情况下，也能够维持该挠性。
在图3的(b)的工序中，形成的布线图案43a优选如图4那样形成为多孔质(多孔)。即，优选的是，以使得相邻的导电性粒子之间不是整体上完全熔融并混合，而是在相接的界面被烧结，在烧结后的导电性粒子之间的至少一部分中形成空孔40a的温度进行光烧结。例如，使用激光作为光束12，以不使通过的基板10熔融的程度的照射强度对膜41进行照射，由此能够在短时间内向被照射光束12的膜41的区域投入比较大的能量，能够对导电性粒子进行加热使其熔融并烧结，并且通过停止激光的光束12的照射，能够利用向周围的膜41或基板10的热传导迅速地进行冷却，所以能够形成多孔质的布线图案。
换言之，在利用激光的光束12对膜41进行烧结时，调节光束12的照射强度使膜41成为适当的温度，由此能够形成多孔质的电极连接区域41。作为具体例，使用延伸后的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(熔点250℃左右、耐热温度150℃左右)作为基板10，为了维持基板10的形状，调整激光的光束12的强度而从基板10的背面对膜41进行照射，在对膜41的导电性粒子进行了烧结的情况下，能够形成多孔质的布线图案43a。
在布线图案43a为多孔质的情况下，如上所述，布线图案43a自身具有追随性(挠性)，所以在使挠性的基板10发生变形的情况下，布线图案43a也追随该变形而变形，布线图案43a不容易从基板10剥离，也不容易产生裂纹等。能够提供不容易产生断线的挠性的安装基板。
另外，在图3的(b)的工序中，对膜41进行照射时的光束12的形状也可以通过在掩模中通过而被整形为布线图案43a的形状后进行照射，也可以使照射光点为圆形或矩形的光束12进行扫描而以布线图案43a的形状进行照射。
接着，进入图3的(c)的工序，与图3的(a)的工序同样，在基板10的下表面形成膜41。在图3的(d)的工序中，与图3的(b)的工序同样，对膜41照射光束12，形成布线图案43b。
如图3的(e)那样，根据需要在布线图案43a上搭载凸块42或焊球等。
如图3的(f)那样，将发光元件30a以使其电极31a与布线图案43a一致的方式进行位置对准而进行搭载。在配置了凸块42等的情况下，以使凸块42的位置与发光元件30a的电极31a的位置一致的方式进行位置对准。然后，进行加热或者施加超声波，将发光元件30a的电极31a与布线图案43a连接，从而固定发光元件30a(图3的(g))。另外，也可以根据需要，在发光元件30a的底面与基板10的上表面之间填充粘接层。此外，与膜41同样，还能够通过对分散有导电性粒子和绝缘材料的溶液或者分散有被绝缘材料层覆盖的导电性粒子的溶液进行烧结，将电极31a与布线图案43a之间进行连接。
同样，在基板的背面还搭载发光元件30b，将电极31b与布线图案43b连接(图3的(f))。这时，基板10的下表面中的多个发光元件30b的间隔与上表面的发光元件30a的大小相同,充分地分开，因此不用担心多个发光元件30b之间相接，能够容易地配置于基板10的下表面。
通过以上的工序，能够利用如涂覆和光照射这样的简单工序，在基板的上下表面形成细微的布线图案43a、43b，能够制造将发光元件30a、30b交替配置于基板10的两个面上的图1、图2的发光装置。
在图3的(b)、(d)的工序中，照射的光束12的波长使用可被膜41中包含的导电性粒子吸收的波长。照射的光可以为紫外光、可见光、红外光中的任意的光。例如在使用了Ag、Cu、Au、Pd等作为导电性粒子的情况下，能够使用400～600nm的可见光。
在存在膜41的未照射光的区域的情况下，不产生烧结，所以以非导电性的状态保留。也可以在之后的工序中去除非导电性的膜41。例如，能够使用有机溶剂等来去除膜41。此外，通过追加照射光，或者进行加热，还能够对非导电性的膜41进行烧结。
作为基板10的材质，只要是至少表面为绝缘性、具有能够进行光束12的照射的透光性、能够经受光束12照射到膜41时的基板10达到的温度的材质即可，可以为任意材质。例如，能够使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮、玻璃环氧树脂基板、纸苯酚等有机物、或陶瓷、玻璃等无机物。此外，如果使照射的光的至少一部分透过，则也可以为挠性印刷基板或被绝缘层覆盖了表面的金属基板等。此外，基板10还能够使用膜状的材质。
作为膜41所含有的导电性粒子的材料，能够使用Au、Ag、Cu、Pd、Ni、ITO、Pt、Fe等导电性金属和导电性金属氧化物中的1个以上。导电性粒子的粒径可以仅为小于1μm的纳米粒子，也可以是混合了小于1μm的纳米粒子和1μm以上的微米粒子而成的。
作为膜41中至少含有的绝缘材料、或者覆盖膜41的导电性粒子的绝缘材料，能够使用苯乙烯树脂、环氧树脂、硅树脂、和丙烯酸树脂等有机材料、以及SiO2、Al2O3、TiO2等无机材料、以及有机和无机的混合材料中的1个以上。此外，膜41中的覆盖导电性纳米粒子的绝缘材料层的厚度优选为1nm～10μm左右。在绝缘材料层过薄时，非导电性的膜41的耐电压性下降。此外，在绝缘材料层过厚时，通过光照射烧结后的布线图案43a、43b的导电率下降，电阻值变大。
导电性粒子和绝缘材料、或者被绝缘材料的层覆盖的导电性粒子分散在溶剂中，由此形成在图3的(a)的工序中进行涂覆的溶液。作为溶剂，能够使用有机溶剂或水。
布线图案43a、43b的大小能够形成为例如1μm以上、厚度1nm～10μm左右。此外，布线图案43a、43b的电阻率优选为10－4Ω·cm以下，特别优选为10－6Ω·cm级别以下的低电阻。
作为发光元件30a、30b，作为一例，能够使用LED、受光元件、LD、显示元件(液晶显示器、等离子显示器、EL显示器等)。在LED的情况下，能够使用例如发出蓝色光的InGaN系的LED(波长460nm)、例如发出绿色光的InGaN系的LED(波长520nm)、例如发出红色光的AlGaInP系的LED(波长620nm)。此外，不限于这些波长，也可以为紫外光～可见光～红外光等任意波长的发光元件。此外，还能够安装受光元件来替代发光元件30a、30b，构成受光装置。此外，还能够将它们混合起来搭载。
此外，在图3的(a)、(c)的工序中，形成膜41的方法只要是能够形成期望厚度的膜41的方法即可，可以使用任意方法。在通过印刷形成膜41的情况下，能够使用凹版印刷、柔版印刷、喷墨印刷、丝网印刷等。
在上述实施方式中，从基板10的膜41的上方照射光束12，但也可以使用使光束12透过的材料作为基板10，如图5那样，使光束12在基板10中透过而对膜41进行照射。在该方法中，能够利用光束12的照射同时或者连续地进行例如布线图案43a的形成和发光元件30与布线图案43a的连接，无需使用凸块等。具体而言，在如图5的(a)那样形成膜41后，如图5的(b)那样，以使电极31a与膜41相接的方式将发光元件30a搭载于膜41。并且，从基板10的下表面侧向电极31与基板10之间的区域照射光束12，对膜41的导电性粒子进行光烧结，从而形成电极连接区域40。然后，通过基板10向与电极连接区域40连接的布线图案43a的区域照射光束12，形成布线图案43a。
也可以与图5同样，从基板10的上表面侧对基板10的下表面侧照射光束12，形成发光元件30b的电极连接区域40和布线图案43b，也可以如图3那样使用凸块42进行连接。
另外，在第1实施方式中，照射光束而进行了膜41的烧结，但只要是仅对膜41的一部分供给能量来进行加热的方法即可，使用除光束照射以外的方法也能够获得相同的作用和效果。例如，能够使用将微波会聚进行照射的方法、或使针状的探头与膜相接或接近而局部地供给电流或电力的方法。
<第2实施方式>
在第1实施方式中，对从上表面观察发光元件30a、30b呈列状排列的发光装置进行了说明，但还能够如图6那样，形成为矩阵状地搭载发光元件30a、30b的构造。图6的发光装置能够通过反复排列3个第1实施方式的图1、图2的发光元件的列来实现。这时，正中间的列形成为如下构造：通过将配置于基板10的上表面的发光元件30a和配置于下表面的发光元件30b的位置调换，相邻的其他列的发光元件30a、30b在纵向和横向上都不位于基板10的相同面，而是交替地位于上表面和下表面。
因此，能够获得在从上方观察基板时，在2维方向上，以基板10的上表面的发光元件和下表面的发光元件相邻的方式排列配置的矩阵状的光源(发光装置)。能够提供高密度地配置有发光元件的发光装置。
在第2实施方式中，除上述以外的工序或结构与第1实施方式相同，因此省略说明。
<第3实施方式>
作为第3实施方式，使用图7～图10对第1和第2实施方式的变形进行说明。
图7的(a)、(b)的发光装置为与实施方式1的图1的发光装置相同的结构，但配置于基板10的上表面的发光元件30a和配置于下表面的发光元件30b以部分重叠的方式配置。
图8的(a)、(b)的发光装置为在上表面和下表面分别搭载有发光元件30a、30b的基板10的下侧，相对配置基板11，将发光元件30c搭载于基板11的结构。发光元件30c的发光面为上表面，从发光元件30c射出的光在基板10中透过朝向基板10的上方射出。这样，还能够形成为如下构造：与基板10相对配置另一基板11，将一部分的发光元件30c搭载于基板11。
图9的(a)、(b)为与上表面和下表面分别搭载有发光元件30a、30b的基板10相对配置基板12，将发光元件30d搭载于基板12的上表面的结构。发光元件30d的发光面为上表面。基板12使发光元件30a、30b发出的光透过。由此，从发光元件30a、30b射出的光在基板12中透过，与从发光元件30d射出的光一起朝向上方射出。
图10(a)、(b)的发光装置与图9的(a)、(b)同样为在基板10上相对配置基板12，以从上方观察时成为矩阵状的方式搭载有发光元件30a、30b和发光元件30d的构造。
在第3实施方式中，除上述以外的工序或结构与第1实施方式相同，因此省略说明。
本实施方式的半导体发光装置只要是将发光元件搭载于基板的器件即可，任何器件都能够应用。例如，还能够应用于汽车的仪表板(仪表显示盘)或游戏机的显示部等。此外，由于能够使基板弯曲，因此还能够应用于可佩带(能够佩戴在身体上)的半导体发光装置(眼镜、钟表、显示器、医疗设备等)或弯曲的显示器。

Claims (16)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，
该半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于所述基板的上表面的1个以上的发光元件；以及倒装安装于所述基板的下表面的1个以上的发光元件，
从所述基板的上方观察，所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件以相邻的方式排列配置，
安装在所述基板的上表面的发光元件在上表面具有发光面，安装在所述基板的下表面的发光元件在所述基板侧具有发光面，
所述基板至少使安装在该基板的下表面的所述发光元件射出的光透过。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述布线图案是将导电性粒子烧结而成的。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述布线图案为多孔质。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述布线图案的线宽为所述发光元件的尺寸以下。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述发光元件具有电极，所述布线图案的线宽为所述电极的尺寸以下。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
从所述基板的上方观察，所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件无间隙地相邻。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
从所述基板的上方观察，相邻的所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件部分重叠。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
从所述基板的上方观察，相邻的所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件的发光颜色不同。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述布线图案根据所述发光元件的发光颜色，由不同的导电体材料构成。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述基板为挠性。
11.一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于所述基板的上表面的1个以上的发光元件；以及倒装安装于所述基板的下表面的1个以上的发光元件，其特征在于，该半导体发光装置的制造方法包含：
膜形成工序，将分散有导电性粒子和绝缘材料的溶液或者分散有被绝缘材料层覆盖的所述导电性粒子的溶液涂覆在使光透过的基板的表面，形成被所述绝缘材料覆盖的所述导电性粒子的膜；以及
布线图案形成工序，对所述膜照射光束，对所述膜的仅一部分区域的所述导电性粒子进行烧结，从而形成固定到所述基板的所述布线图案。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，该半导体发光装置的制造方法还包含：
发光元件搭载工序，在所述膜形成工序之后，将具有电极的所述发光元件以所述电极与所述膜相接的方式进行搭载；以及
连接区域形成工序，使光束从所述基板的与搭载有所述膜的一侧相反侧的面透过所述基板而照射所述膜的与所述电极相接的区域，对与所述电极相接的区域的所述导电性粒子进行烧结，形成分别固定于所述电极以及所述基板的与所述电极相对的面上的导电性的电极连接区域。
13.根据权利要求11或12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述布线图案形成工序和所述连接区域形成工序中照射的所述光束为激光。
14.根据权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述光束向所述膜的照射直径比所述电极小。
15.根据权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述布线图案形成工序与所述连接区域形成工序连续，通过使所述光束从所述基板的与搭载有所述膜的一侧相反侧的面透过所述基板而照射到所述膜的一部分区域来进行。
16.根据权利要求15所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
在所述布线图案形成工序和所述连接区域形成工序的至少一方中，对所述光束进行扫描。
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