CN107850910A - 宽电压范围低压差调节器 - Google Patents

Abstract

在一个实施例中，本公开包括一种低压差调节器电路，其包括响应于传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压的传输晶体管。反馈电路耦合到输出端子以生成反馈电压，并且误差放大器响应于参考电压和反馈电压而提供驱动信号。第一栅极驱动器电路在第一电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压。第二栅极驱动器电路在第二电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压，其中第二电压范围低于第一电压范围。

Description

宽电压范围低压差调节器

相关申请

本申请要求于2015年7月15日提交的美国申请No.14/800,375的优先权，其内容为了所有目的通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及电子电路，并且具体地涉及宽电压范围低压差调节器。

背景技术

除非在本文中另有指示，否则本部分中描述的方法不被认为是通过包括在本部分中而成为现有技术。

NMOS低压差(LDO)调节器具有可编程的期望输出电压Vset。但是，对于某些期望输出电压，如果LDO的输出上没有负载或具有轻负载，则LDO的实际输出电压Vout可能向上浮动并且LDO失去调节。较低的期望输出电压Vset通常用于睡眠模式，在此期间，LDO的静态电流对于保持电池寿命可能是重要的。输出电压Vout的向上浮动可能导致大的漏电流或负载中的过应力。

发明内容

本公开包括涉及宽电压范围低压差调节器的技术。在一个实施例中，本公开包括一种低压差调节器电路，其包括响应于传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压的传输晶体管；耦合到输出端子以生成反馈电压的反馈电路；包括用于响应于参考电压和反馈电压而提供驱动信号的输出的误差放大器；在第一电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压的第一栅极驱动器电路；以及在第二电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压的第二栅极驱动器电路，其中第二电压范围低于第一电压范围。

在一个实施例中，第一栅极驱动器电路包括源极跟随器和电流反馈缓冲器，并且第二栅极驱动器电路是差分对缓冲器。

在一个实施例中，电流反馈缓冲器包括具有耦合到源极跟随器的源极的栅极的场效应晶体管，电流反馈缓冲器包括具有耦合到场效应晶体管的漏极的基极和耦合到由传输晶体管的栅极和场效应晶体管的源极形成的节点的集电极的双极结型晶体管。

在一个实施例中，源极跟随器包括第一场效应晶体管，并且电流反馈缓冲器包括具有耦合到第一场效应晶体管的源极的栅极并且具有耦合到传输晶体管的栅极的源极的第二场效应晶体管。

在一个实施例中，电流反馈缓冲器包括具有耦合到第二场效应晶体管的漏极的基极和耦合到传输晶体管的栅极的集电极的双极结型晶体管，电流反馈缓冲器包括耦合在双极结型晶体管的基极与双极结型晶体管的发射极之间的电流源。

在一个实施例中，差分对缓冲器包括：具有栅极、源极和漏极的第一晶体管，其中第一晶体管的栅极被配置为接收驱动信号；以及具有栅极、源极和漏极的第二晶体管，其中第二晶体管的漏极耦合到传输晶体管的栅极。

在一个实施例中，该电路还包括耦合到第一晶体管的源极和第二晶体管的源极的偏置电流源、具有耦合到第一晶体管的漏极的漏极的第三晶体管、和具有耦合到第二晶体管的漏极的漏极的第四晶体管。

在一个实施例中，第一栅极驱动器电路包括第一电流反馈缓冲器，并且第二栅极驱动器电路包括并联耦合到第一电流反馈缓冲器的第二电流反馈缓冲器。

在一个实施例中，第一电流反馈缓冲器和第二电流反馈缓冲器具有相等的输出阻抗。

在一个实施例中，第一栅极驱动器电路包括具有用于接收驱动电压的栅极的第一场效应晶体管，其中第一电流反馈缓冲器包括第二场效应晶体管、第一电流源、第二电流源极和双极结型晶体管，其中第二场效应晶体管具有耦合到第一场效应晶体管的源极的栅极，其中第一电流源耦合到由第二场效应晶体管的源极和传输晶体管的栅极形成的节点，其中双极性晶体管具有耦合到第二场效应晶体管的漏极的基极和耦合到传输晶体管的栅极的集电极，并且其中第二电流源耦合在第双极结型晶体管的基极与双极结型晶体管的发射极。

在一个实施例中，第二电流反馈缓冲器包括偏置电流源、包括第三场效应晶体管和电流宿的第一输入支路、以及包括第四场效应晶体管和辅助缓冲晶体管的第二输入支路。

在一个实施例中，第一栅极驱动器电路包括具有用于接收驱动电压的栅极的第一场效应晶体管，其中第一电流反馈缓冲器包括第二场效应晶体管、第一电流源、第二电流源极和双极结型晶体管，其中第二场效应晶体管具有耦合到第一场效应晶体管的源极的栅极，其中第一电流源耦合到由第二场效应晶体管的源极和传输晶体管的栅极形成的节点，其中第一双极结型晶体管具有耦合到第二场效应晶体管的漏极的基极和耦合到传输晶体管的栅极的集电极，其中第二电流源耦合在第一双极结型晶体管的基极与第一双极结型晶体管的发射极之间。第二电流反馈缓冲器包括偏置电流源、第三场效应晶体管、电流宿、第四场效应晶体管和辅助缓冲晶体管。第三场效应晶体管具有耦合到偏置电流源的源极、耦合到电流宿的第一端子的漏极和耦合到误差放大器的输出的栅极，第四场效应晶体管具有耦合到偏置电流源的漏极、耦合到传输晶体管的栅极的源极和耦合到第四场效应晶体管的漏极的栅极，辅助缓冲晶体管具有耦合到第三场效应晶体管的漏极的控制端子、耦合到第四场效应晶体管的源极的第一端子和耦合到电流宿的第二端子的第二端子。

在一个实施例中，该电路还包括用于当输出电压处于第一电压范围时向第一栅极驱动器电路提供偏置电流并且当输出电压处于第二电压范围时向第二栅极驱动器电路提供偏置电流的电流导引电路，。

在一个实施例中，电流导引电路在第一电压范围上向第一栅极驱动器电路而不是向第二栅极驱动器电路提供偏置电流，并且电流导引电路在第二电压范围上向第二栅极驱动器电路而不是向第一栅极驱动器电路提供偏置电流。

在另一实施例中，本公开包括一种低压差调节器，其包括：用于响应于栅极电压而提供输出电压的装置；用于响应于输出电压而生成反馈电压的装置；用于响应于反馈电压和参考电压而生成驱动信号的装置；用于响应于驱动信号而提供栅极电压的第一装置，用于提供栅极电压的第一装置在第一电压范围上可操作；以及用于响应于驱动信号而提供栅极电压的第二装置，用于提供栅极电压的第二装置在第二电压范围上可操作，其中第二电压范围低于第一电压范围。

在一个实施例中，用于提供栅极电压的第一装置包括用于反馈电流以缓冲栅极电压的装置。

在一个实施例中，用于提供栅极电压的第二装置包括用于接收驱动信号和栅极电压并且差分地缓冲驱动信号以产生栅极电压的装置。

在一个实施例中，用于提供栅极电压的第二装置包括用于反馈电流以缓冲栅极电压的装置。

在另一实施例中，本公开包括一种在宽输出电压范围上调节电压的方法。在一个实施例中，该方法包括响应于被施加到传输晶体管的栅极的栅极电压而提供输出电压、响应于输出电压而生成反馈电压、响应于反馈电压处于第一电压范围而从第一栅极驱动器电路提供栅极电压、以及响应于反馈电压处于第二电压范围而从第二栅极驱动器电路提供栅极电压，其中第二电压范围低于第一电压范围。

在一个实施例中，该方法还包括响应于反馈电压而控制去往第一栅极驱动器电路和第二栅极驱动器电路的电流。

以下详细描述和附图提供对本公开的本质和优点的更好理解。

附图说明

关于下面的讨论并且特别是附图，要强调的是，所示出的细节表示用于说明性讨论的目的的示例，并且被提出以提供对本公开的原理和构思方面的描述。在这方面，除了基本理解本公开所需要的内容之外，没有尝试示出实现细节。结合附图进行的以下讨论使得本领域技术人员明白如何可以实践根据本公开的实施例。在附图中：

图1是示出根据一些实施例的低压差调节器(LDO)的第一示例的框图。

图2是示出根据一些实施例的LDO的第二示例的框图。

图3是示出根据一些实施例的LDO的第三示例的框图。

图4是示出根据一些实施例的LDO的第四示例的框图。

图5是示出根据一些实施例的在宽输出电压范围上调节电压的方法的处理流程图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了很多示例和具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，在权利要求书中表达的本公开内容可以包括这些示例中的一些或全部特征，单独地或与下面描述的其他特征组合，并且还可以包括本文中描述的特征和构思的修改和等同物。

图1是示出根据一些实施例的LDO 100的框图。LDO 100包括生成输出电压VOUT的传输晶体管Mp、基于输出电压VOUT来提供反馈电压VFB的反馈电路(例如，包括电阻器R1和电阻器R2的电阻器阶梯)、电容器C1、以及将反馈电压VFB与参考电压Vref相比较以生成驱动电压Vdrive的误差放大器EA1。

LDO 100还包括第一栅极驱动器电路102，第一栅极驱动器电路102包括源极跟随器(例如，包括晶体管M6)和向传输晶体管Mp提供栅极电压Vgate的电流反馈缓冲器106。在该示例中，电流反馈缓冲器106包括第一偏置电流源IB1、可选的第二偏置电流源IB2、场效应晶体管M7和双极结型晶体管Q1。电流反馈缓冲器106是用于反馈电流以缓冲栅极电压的一个示例机构。在一些实施例中，可以使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来代替双极结型晶体管Q1。第一栅极驱动器102还包括电流宿电路，电流宿电路包括电流源I2(例如，5uA)、晶体管M10A和晶体管10B，晶体管M10A和晶体管M10B被布置作为电流镜以镜像电流源I2的电流并且设置源极跟随器M6的电流。

在一个实施例中，第二栅极驱动器电路104是与第一栅极驱动器102并联耦合并且向传输晶体管Mp提供栅极电压Vgate的辅助缓冲器104。如下面详细描述的，第二栅极驱动器电路104在栅极驱动器电路102的工作电压范围之下的电压范围上操作，以允许LDO产生低输出电压Vout。例如，第一栅极驱动器电路102和第二栅极驱动器电路104可以在不同的电压范围上并行工作，以向传输晶体管Mp提供栅极电压Vgate。例如，栅极驱动器电路102的可操作电压范围的较低部分可以与栅极驱动器电路104的可操作电压范围的较高部分交叠，以在宽输出电压范围上产生期望的输出电压Vout。当设定电压Vset(例如，被施加为调节可变电阻器R1的电阻以用于设置输出电压Vout的可编程电压)处于第一电压范围时，第一栅极驱动器102可操作。当设定电压Vset处于其中第一栅极驱动器102变得不可操作的低于第一电压范围的第二电压范围时，第二栅极驱动器电路104可操作。在一个示例实施例中，例如，第二栅极驱动器电路104是辅助缓冲器，其可以是具有单位增益的差分输入缓冲器。辅助缓冲器104也可以不具有电压电平偏移。第一栅极驱动器电路102中的电流反馈缓冲器106可以在第一电压范围内压倒辅助缓冲器104，使得电流反馈缓冲器106提供传输晶体管Mp的大部分驱动。例如，电流反馈缓冲器106可以具有比辅助缓冲器104的输出阻抗低10倍或更多的输出阻抗。

在该示例中，源极跟随器晶体管M6驱动晶体管M7的栅极，晶体管M7结合晶体管Q1作为缓冲器来操作以控制传输晶体管Mp的栅极电压Vgate和输出电压Vout。在较低的设定电压Vset下，误差放大器EA1的输出减小，从而减小晶体管M6的栅极上的电压，并且从而降低晶体管M7的栅极上的电压。由于晶体管M7的栅极不能低于接地，LDO环路断开并且电流反馈缓冲器106关闭。因此，当仅由晶体管M7和晶体管Q1形成的电流反馈缓冲器106进行控制时，传输晶体管Mp的栅极电压Vgate和输出电压Vout被限制在较低的输出电压。

在较低的输出电压VOUT下，辅助缓冲器可以操作以设置传输晶体管Mp的栅极电压Vgate，因为电流反馈缓冲器106已经关闭。例如，在较低电压范围上可操作的第二栅极驱动器电路104允许LDO100以比第一栅极驱动器102本身可以允许的输出电压电平更低的输出电压电平来操作。

在一个实施例中，辅助缓冲器包括由用于第一支路的晶体管M11A和M12A和用于第二支路的晶体管M11B和M12B形成的差分输入对以及偏置电流源I3(例如，10uA)。在该示例中，辅助缓冲器是在与第一栅极驱动器电路102相比更低的设定电压下操作的低电压缓冲器。电路104是用于接收驱动信号和栅极电压并且差分地缓冲驱动信号以产生栅极电压的一个示例机构。

在较高的设定电压Vset下，驱动器102和驱动器104都有效。在较低的设定电压Vset下，驱动器102关断并且驱动器104有效，以控制栅极电压Vgate以用于调节输出电压Vout。在该示例中，在驱动器102关断的情况下，来自电流源IB1的电流(例如，20uA或可变电流)流入辅助缓冲器。

图2是示出根据一些实施例的LDO 200的框图。LDO 200包括第一栅极驱动电路202，第一栅极驱动电路202包括类似于电流反馈缓冲器106的电流反馈缓冲器206，但是从电流导引电路212接收偏置电流IB1。LDO 200还包括辅助缓冲器204，辅助缓冲器204类似于图1中的辅助缓冲器，但是从电流导引电路212接收偏置电流源I3。在该示例中，电流导引电路212向晶体管M7和晶体管Q1提供偏置电流IB1，并且向晶体管M11A和M11B提供偏置电流I3(例如，10uA)。辅助缓冲器204针对输出电压范围的较低部分被启用。当辅助缓冲器204被启用时，偏置电流的到晶体管M7和晶体管Q1的部分被重定向到辅助缓冲器204。在一个示例实施例中，辅助缓冲器204可以通过关断来自电流导引电路212的偏置电流I3来针对输出电压范围的较高部分被禁用。控制偏置电流I3针对较高的设定电压Vset降低了辅助缓冲器204的静态电流，在该较高的设定电压Vset下，电流反馈缓冲器206自身可操作以提供栅极电压Vgate。

图3是示出类似于图1的LDO 100的LDO 300的框图。然而，在该实施例中，辅助缓冲器304包括用于第一支路的晶体管M11A'和电流源IB4、用于第二支路的二极管连接晶体管M11B'和辅助缓冲晶体管(例如，双极结型晶体管Q2)、以及偏置电流源I3。在替代实施例中，辅助缓冲晶体管可以是金属氧化物场效应晶体管(“MOSFET”或仅“MOS”)。LDO 300还包括第一驱动电路302，其包括类似于图1中的电流反馈缓冲器106的电流反馈缓冲器306。

在该示例中，栅极驱动器电路304是具有与电流反馈缓冲器306类似的布置的电流反馈缓冲器。在一些实施例中，晶体管M11A'匹配晶体管M6，并且晶体管M11B'匹配晶体管M7。这规定来自电流反馈缓冲器306的栅极电压大致等于来自栅极驱动器电路304的栅极电压。栅极驱动器电路304是用于反馈电流以缓冲栅极电压的一个示例机制。在一些示例实施例中，栅极驱动器电路304呈现与栅极驱动器电路306相等的输出阻抗。在一些实施例中，电流源Ib4提供的电流是电流源Ib1的电流的一半。

图4是示出LDO 400的框图，LDO 400类似于图2的LDO 200，但是包括示例电流导引电路406和类似于图3的辅助缓冲器304的辅助缓冲器404，其中电流从电流导引电路406而不是固定电流源I3被接收。电流导引电路406包括电流源408和缓冲器偏置电路410。电流源408包括多个共源共栅晶体管M16A和M16B、由多个晶体管M17A和M17B形成的电流镜、电流源I5和偏置晶体管M12。

缓冲器偏置电路410向晶体管M12提供缓冲器偏置电压(Vbuf_bias)。缓冲器偏置电路410包括电流源I4(例如，0.2uA)和MOS晶体管M13、M14、M15以及双极晶体管Q3。

电流导引电路490如下操作。对于高输出电压Vout，辅助缓冲器404不接收偏置电流，因为晶体管M12被挤压关闭。所有偏置电流流入电流反馈缓冲器406。对于低输出电压Vout，栅极电压Vgate如此低使得电流反馈缓冲器406的环路断开(晶体管M7关断)，并且电流反馈缓冲器406变为非操作的并且不汲取电流。因此，所有偏置电流去往辅助缓冲器404。在两个操作范围之间，本文中描述的LDO可以在作为每个操作范围的一小部分的范围内在电流反馈缓冲器与辅助缓冲器之间切换，使得在从一个缓冲器分到另一缓冲器中的电流之间存在逐渐但相当快的转换。

在一些实施例中，电流导引电路490不包括缓冲器偏置电路410，并且电流源408不包括晶体管M12。

图5是示出根据一些实施例的LDO的处理流程500的处理流程图。针对LDO 100描述了处理流程500，但是其也可以针对本文中描述的其他LDO以类似的方式来实现。

在502处，响应于栅极电压(例如，栅极电压Vgate)而(例如，由传输晶体管Mp)提供输出电压(例如，输出电压Vout)。在504处，响应于输出电压而(例如，通过由电阻器R1和R2形成的反馈梯)生成反馈电压。在506处，响应于反馈电压处于第一电压范围，从第一驱动器(例如，由驱动器102)提供栅极电压。在508处，响应于反馈电压处于第二电压范围，从第二驱动器(例如，辅助缓冲器104)提供栅极电压。第二电压范围低于第一电压范围。

在一个实施例中，该方法还包括响应于反馈电压而生成驱动误差电压(例如，误差放大器EA1的Vdrive)。提供驱动误差电压包括响应于反馈电压与参考电压之间的差而生成驱动误差电压。

以上描述示出了本公开的各种实施例以及如何实现特定实施例的各方面的示例。上面的示例不应当被认为是唯一的实施例，并且被呈现以说明由所附权利要求限定的特定实施例的灵活性和优点。基于以上公开内容和所附权利要求书，在不偏离如权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以采用其他布置、实施例、实现和等同物。

Claims (20)

1.一种低压差调节器，包括：

传输晶体管，响应于所述传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压；

反馈电路，耦合到所述输出端子以生成反馈电压；

误差放大器，包括用于响应于参考电压和所述反馈电压而提供驱动信号的输出；

第一栅极驱动器电路，在第一电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压；以及

第二栅极驱动器电路，在第二电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压，其中所述第二电压范围低于所述第一电压范围。

2.根据权利要求1所述的低压差调节器，其中所述第一栅极驱动器电路包括源极跟随器和电流反馈缓冲器，并且所述第二栅极驱动器电路是差分对缓冲器。

3.根据权利要求2所述的低压差调节器，其中所述电流反馈缓冲器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管具有与所述源极跟随器的源极耦合的栅极，所述电流反馈缓冲器包括双极结型晶体管，所述双极结型晶体管具有与所述场效应晶体管的漏极耦合的基极和与由所述传输晶体管的栅极和所述场效应晶体管的源极形成的节点耦合的集电极。

4.根据权利要求2所述的低压差调节器，其中所述源极跟随器包括第一场效应晶体管，并且所述电流反馈缓冲器包括具有与所述第一场效应晶体管的源极耦合的栅极并且具有与所述传输晶体管的栅极耦合的源极的第二场效应晶体管。

5.根据权利要求4所述的低压差调节器，其中所述电流反馈缓冲器包括双极结型晶体管，所述双极结型晶体管具有与所述第二场效应晶体管的漏极耦合的基极和与所述传输晶体管的栅极耦合的集电极，所述电流反馈缓冲器包括电流源，所述电流源耦合在所述双极结型晶体管的基极与所述双极结型晶体管的发射极之间。

6.根据权利要求2所述的低压差调节器，其中所述差分对缓冲器包括：

具有栅极、源极和漏极的第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述驱动信号；以及

具有栅极、源极和漏极的第二晶体管，其中所述第二晶体管的漏极耦合到所述传输晶体管的栅极。

7.根据权利要求6所述的低压差调节器，还包括：

偏置电流源，耦合到所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极；

第三晶体管，具有与所述第一晶体管的漏极耦合的漏极；以及

第四晶体管，具有与所述第二晶体管的漏极耦合的漏极。

8.根据权利要求1所述的低压差调节器，其中所述第一栅极驱动器电路包括第一电流反馈缓冲器，并且所述第二栅极驱动器电路包括并联耦合到所述第一电流反馈缓冲器的第二电流反馈缓冲器。

9.根据权利要求8所述的低压差调节器，其中所述第一电流反馈缓冲器和所述第二电流反馈缓冲器具有相等的输出阻抗。

10.根据权利要求8所述的低压差调节器，其中所述第一栅极驱动器电路包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有用于接收所述驱动信号的栅极，其中所述第一电流反馈缓冲器包括第二场效应晶体管、第一电流源、第二电流源和双极结型晶体管，

其中所述第二场效应晶体管具有与所述第一场效应晶体管的源极耦合的栅极，

其中所述第一电流源耦合到由所述第二场效应晶体管的源极和所述传输晶体管的栅极形成的节点，

其中所述双极结型晶体管具有与所述第二场效应晶体管的漏极耦合的基极和与所述传输晶体管的栅极耦合的集电极，以及

其中所述第二电流源耦合在所述双极结型晶体管的基极与所述双极结型晶体管的发射极之间。

11.根据权利要求8所述的低压差调节器，其中所述第二电流反馈缓冲器包括偏置电流源、包括第三场效应晶体管和电流宿的第一输入支路、以及包括第四场效应晶体管和辅助缓冲晶体管的第二输入支路。

12.根据权利要求8所述的低压差调节器，其中所述第一栅极驱动器电路包括具有用于接收所述驱动信号的栅极的第一场效应晶体管，

其中所述第一电流反馈缓冲器包括第二场效应晶体管、第一电流源、第二电流源和第一双极结型晶体管，

其中所述第二场效应晶体管具有与所述第一场效应晶体管的源极耦合的栅极，

其中所述第一电流源耦合到由所述第二场效应晶体管的源极和所述传输晶体管的栅极形成的节点，

其中所述第一双极结型晶体管具有与所述第二场效应晶体管的漏极耦合的基极和与所述传输晶体管的栅极耦合的集电极，

其中所述第二电流源耦合在所述第一双极结型晶体管的基极与所述第一双极结型晶体管的发射极之间，

其中所述第二电流反馈缓冲器包括偏置电流源、第三场效应晶体管、电流宿、第四场效应晶体管和辅助缓冲晶体管，

其中所述第三场效应晶体管具有与所述偏置电流源耦合的源极、与所述电流宿的第一端子耦合的漏极和与所述误差放大器的输出耦合的栅极，

其中所述第四场效应晶体管具有与所述偏置电流源耦合的漏极、与所述传输晶体管的栅极耦合的源极和与所述第四场效应晶体管的漏极耦合的栅极，以及

其中所述辅助缓冲晶体管具有与所述第三场效应晶体管的漏极耦合的控制端子、与所述第四场效应晶体管的源极耦合的第一端子和与所述电流宿的第二端子耦合的第二端子。

13.根据权利要求1所述的低压差调节器，还包括电流导引电路，所述电流导引电路用于当所述输出电压处于所述第一电压范围时向所述第一栅极驱动器电路提供偏置电流，并且当所述输出电压处于所述第二电压范围时向所述第二栅极驱动器电路提供偏置电流。

14.根据权利要求13所述的低压差调节器，其中所述电流导引电路在所述第一电压范围上向所述第一栅极驱动器电路而不是向所述第二栅极驱动器电路提供偏置电流，并且所述电流导引电路在所述第二电压范围上向所述第二栅极驱动器电路而不是向所述第一栅极驱动器电路提供偏置电流。

15.一种低压差调节器，包括：

用于响应于栅极电压而提供输出电压的装置；

用于响应于所述输出电压而生成反馈电压的装置；

用于响应于所述反馈电压和参考电压而生成驱动信号的装置；

用于响应于所述驱动信号而提供所述栅极电压的第一装置，用于提供所述栅极电压的所述第一装置在第一电压范围上可操作；以及

用于响应于所述驱动信号而提供所述栅极电压的第二装置，用于提供所述栅极电压的所述第二装置在第二电压范围上可操作，其中所述第二电压范围低于所述第一电压范围。

16.根据权利要求15所述的低压差调节器，其中用于提供所述栅极电压的所述第一装置包括用于反馈电流以缓冲所述栅极电压的装置。

17.根据权利要求15所述的低压差调节器，其中用于提供所述栅极电压的所述第二装置包括用于接收所述驱动信号和所述栅极电压并且差分地缓冲所述驱动信号以产生所述栅极电压的装置。

18.根据权利要求15所述的低压差调节器，其中用于提供所述栅极电压的所述第二装置包括用于反馈电流以缓冲所述栅极电压的装置。

19.一种方法，包括：

响应于被施加到传输晶体管的栅极的栅极电压而提供输出电压；

响应于所述输出电压而生成反馈电压；

响应于所述反馈电压处于第一电压范围而从第一栅极驱动器电路提供所述栅极电压；以及

响应于所述反馈电压处于第二电压范围而从第二栅极驱动器电路提供所述栅极电压，其中所述第二电压范围低于所述第一电压范围。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括响应于所述反馈电压而控制去往所述第一栅极驱动器电路和所述第二栅极驱动器电路的电流。