CN107819081A - 封装结构、封装方法和光电设备 - Google Patents
封装结构、封装方法和光电设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107819081A CN107819081A CN201711089375.XA CN201711089375A CN107819081A CN 107819081 A CN107819081 A CN 107819081A CN 201711089375 A CN201711089375 A CN 201711089375A CN 107819081 A CN107819081 A CN 107819081A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- water accepting
- combined liquid
- encapsulating structure
- luminescent device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000012856 packing Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 201
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 58
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 66
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 66
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 27
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 3
- 229910021650 platinized titanium dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 507
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 12
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 6
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 5
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 5
- -1 wherein Chemical class 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- 239000011240 wet gel Substances 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 241001661355 Synapsis Species 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000000887 hydrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIRWGWMTAVZIPF-UHFFFAOYSA-N nickel;sulfuric acid Chemical compound [Ni].OS(O)(=O)=O HIRWGWMTAVZIPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000659 thermocoagulation Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种封装结构、封装方法和光电设备,其中,该封装结构包括:基板;发光器件,设置在基板的一侧表面上;阻液层,覆盖设置在发光器件的外露表面上;网状空隙层,设置在阻液层远离基板的表面上,网状空隙层的材料包括气凝胶;第一吸水层,设置在网状空隙层的远离阻液层的表面上,且与基板密封连接;至少一层密封阻挡层,与基板密封连接,以形成一密封空间,第一吸水层、网状空隙层、阻液层及发光器件设置于密封空间内。该封装结构解决了现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题,实现了有效地保护发光器件免于外界水汽侵蚀和提升了密封效果。
Description
技术领域
本发明涉及封装技术领域,具体而言,涉及一种封装结构、封装方法和光电设备。
背景技术
实现柔性显示,被认为是显示技术发展的一个重要方向。但就目前条件来说,柔性显示走向产业化仍然面临诸多挑战,这些挑战主要包括:在低温下如何制备具有高性能和高可靠性的薄膜晶体管,如何制备柔性电极,以及如何对柔性电致发光器件进行有效的薄膜封装等。其中,随着人们对柔性电致发光器件的质量和寿命的要求越来越高,如何消除封装中影响其质量和寿命的主要因素—水汽,已经成为人们越来越关注的问题。
为解决上述问题,一般通过制作封装电致发光器件的柔性薄膜来保护发光器件,但现有的柔性器件薄膜封装工艺由于反应温度较高,一般大于130℃,超过发光器件的承受范围,且随着制作薄膜厚度的增加,积聚的温度就会越高;并且,高温还易导致制作的膜层之间产生内应力,以及出现孔洞等现象,这些因素都直接影响了柔性电致发光器件的良率和寿命。现有技术中还使用内部设置有干燥剂的封装结构,但是干燥剂在短期内便失效,使用寿命较低,增加了封装工艺,但是密封干燥的效果并不持久。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种封装结构、封装方法和光电设备,以解决现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种封装结构,该封装结构包括:基板;发光器件,设置在基板的一侧表面上;阻液层,覆盖设置在发光器件的外露表面上;网状空隙层,设置在阻液层远离基板的表面上,该网状空隙层的材料包括气凝胶;第一吸水层,设置在网状空隙层的远离阻液层的表面上,且第一吸水层与基板密封连接;至少一层密封阻挡层,与基板密封连接,以形成一密封空间,第一吸水层、网状空隙层、阻液层及发光器件设置于该密封空间内。
进一步地,网状空隙层与基板密封连接,以密封发光器件。
进一步地,网状空隙层为单组分气凝胶或多组分气凝胶,优选形成单组分气凝胶的原料选自SiO2纳米颗粒、Al2O3纳米颗粒、V2O5纳米颗粒与TiO2纳米颗粒中的一种或多种,形成多组分气凝胶的原料选自Al2O3/SiO2纳米颗粒、TiO2/SiO2纳米颗粒、Fe/SiO2纳米颗粒、Pt/TiO2纳米颗粒、(C60/C70)-SiO2纳米颗粒与CaO/MgO/SiO2纳米颗粒中的一种或多种。
进一步地,网状空隙层的厚度在60nm~5um之间。
进一步地,第一吸水层的吸水材料为第一吸水材料,第一吸水材料还设置在网状空隙层的网状空隙内。
进一步地,形成第一吸水材料的原料包括液态干燥剂,该液态干燥剂具有光固化或热固化的性质;优选该液体干燥剂包括含铝基材的烃类有机溶剂。
进一步地,第一吸水层为固态干燥剂层。
进一步地,该封装结构还包括:第二吸水层,设置在第一吸水层和密封阻挡层之间。
进一步地,第二吸水层的吸水材料为第二吸水材料,第二吸水材料选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。
进一步地,形成阻液层的原料包括纳米颗粒墨水,纳米颗粒墨水中的纳米颗粒选自金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物、非金属氧化物与非金属氮化物中的一种或多种;或者,阻液层为有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构。
进一步地,密封阻挡层的材料为有机聚合物和/或无机物;或者,密封阻挡层包括设置在第一吸水层外露表面上的UV胶层、和设置在UV胶层外露表面上的聚合物层或者玻璃盖。
为了实现上述目的,根据本发明的另一个方面,提供了一种封装方法,该封装方法包括如下步骤:S1,在基板的一侧表面上设置发光器件;S2,在发光器件的远离基板的外露表面上设置阻液层;S3,在阻液层的远离基板的表面上设置气凝胶原料,以形成网状空隙层;S4,在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置第一吸水层,使第一吸水层与基板表面密封连接;S5,在第一吸水层、网状空隙层、阻液层及发光器件的外露表面上设置至少一层密封阻挡层,使密封阻挡层与基板密封连接。
进一步地,步骤S2包括:在发光器件的远离基板的外露表面上设置纳米颗粒墨水,在干燥后形成预阻液层,闪灯烧结预阻液层形成致密的阻液层;或者,在发光器件的远离基板的外露表面上设置有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构,以形成阻液层。
进一步地,步骤S3包括:对形成气凝胶的原料溶液进行老化处理,得到气凝胶老化溶液;在预阻液层或阻液层的远离基板的外露表面上设置气凝胶老化溶液,干燥后形成网状空隙层,优选气凝胶老化溶液的干燥工艺为超临界干燥工艺。
进一步地,步骤S4包括:在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置第一吸水材料,加热后形成第一吸水层,其中,形成第一吸水材料的原料包括含铝基材的烃类有机溶剂,优选加热温度在60~80℃之间;或者,在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置固态干燥剂,形成第一吸水层。
进一步地,在步骤S4之后,该封装方法还包括:在第一吸水层的外露表面上,采用化学气相沉积法、真空蒸镀法或原子层沉积法设置第二吸水材料,形成第二吸水层,其中,第二吸水材料选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。
为了实现上述目的,根据本发明的再一个方面,提供了一种光电设备,该光电设备包括上述的封装结构。
应用本发明的技术方案,提供了一种封装结构、封装方法和光电设备,由于采用从下至上分别为基板、发光器件、阻液层、网状空隙层、第一吸水层以及密封阻挡层的封装结构,将发光器件密封在各层与基板之间的空间内,利用密封阻挡层隔离外部大部分水汽,且其正面阻挡水汽效果很好,而水汽从密封阻挡层与基板的接触处进入密封空间内的几率较大,由于侧面的第一吸水层(即与基板密封连接的部分)会先吸水饱和,饱和部分的水汽浓度变高,高浓度水汽会向中间的低浓度水汽区域(即网状空隙层和第一吸水层的中心区域)扩散,而网状空隙层具有多空隙结构,相比第一吸水层中更容易扩散,大部分水汽通过多空隙的通道扩散在网状空隙层中,又由于中心区域的第一吸水层较为干燥且具有较强的水汽吸附力,在其吸引作用下水汽更容易通过空隙通道进入中心区域的第一吸水层,使空隙中的水汽被吸入中心区域的第一吸水层中,从而实现引导水汽从第一吸水层的边缘位置进入到中心区域,使水汽更好的被第一吸水层吸收,相比于现有封装结构中实际仅侧面位置起吸水作用的吸水层,提高了第一吸水层的利用率。通过采用上述技术方案,解决了现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题,实现了提高第一吸水层的利用率,有效地保护发光器件免于外界水汽侵蚀。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图,对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了本发明所提供的一种经典的封装结构的示意图;
图2示出了本发明所提供的一种优选的封装结构的示意图;
图3示出了本发明所提供的另一种优选的封装结构的示意图;以及
图4示出了本发明所提供的一种经典的封装方法的流程图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
1、基板;2、发光器件;3、阻液层;4、网状空隙层;5、第一吸水层;6、密封阻挡层;7、设置在网状空隙内的第一吸水材料;8、第二吸水层。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
正如背景技术中所介绍的,现有技术中利用反应温度较高的工艺制作封装柔性器件的柔性薄膜时,会产生高温损坏器件,也即存在进行封装器件时温度过热的问题。本申请的发明人针对上述问题进行研究,提出了一种封装结构、封装方法和光电设备。
本申请一种典型的实施方式中,如图1所示,提供了一种封装结构,该封装结构包括:基板1、发光器件2、阻液层3、网状空隙层4、第一吸水层5及至少一层密封阻挡层6,其中:
发光器件2,设置在基板1的一侧表面上;
阻液层3,覆盖设置在发光器件2的外露表面上;
网状空隙层4,设置在阻液层3远离基板1的表面上,该网状空隙层的材料包括气凝胶,该阻液层3可以不与基板1密封连接,也可以与基板1密封连接,图1示出了阻液层3不与基板1连接的情况;
第一吸水层5,设置在网状空隙层4的远离阻液层3的表面上,该第一吸水层5与基板1密封连接,即第一吸水层5和基板1形成一个用于密封发光器件2和阻液层3、网状空隙层4的密封空间;
至少一层密封阻挡层6,与基板1密封连接,也形成一个密封空间,第一吸水层5、网状空隙层4、阻液层3及发光器件2设置在上述密封阻挡层6形成的密封空间内。
上述实施例中的“外露表面”是指没有物体附着的表面,例如,在设置阻液层3之前,在基板1表面上的发光器件2的外露表面,是指发光器件2除了与基板1接触的面之外的其他表面。上述的第一吸水层5用于吸收水汽,包括物理方式和/或化学方式的吸收,上述的至少一层密封阻挡层6是用于阻挡水汽和/或氧气,以减小其对发光器件带来的不良影响。
采用本申请,通过从下至上分别为基板、发光器件、阻液层、网状空隙层、第一吸水层以及密封阻挡层的封装结构,将发光器件密封在各层与基板之间的空间内,利用密封阻挡层隔离外部大部分水汽,且其正面阻挡水汽效果很好,而水汽从密封阻挡层与基板的接触处进入密封空间内的几率较大,由于侧面的第一吸水层(即与基板密封连接的部分)会先吸水饱和,饱和部分的水汽浓度变高,高浓度水汽会向低浓度水汽区域(即网状空隙层和第一吸水层的中心区域)扩散,而网状空隙层具有多空隙结构,相比第一吸水层中更容易扩散,大部分水汽通过多空隙的通道扩散在网状空隙层中,又由于中心区域的第一吸水层较为干燥且具有较强的水汽吸附力,在其吸引作用下水汽通过空隙通道进入中心区域的第一吸水层,使空隙中的水汽被吸入中心区域的第一吸水层中,从而实现引导水汽从第一吸水层的边缘位置进入到中心区域的第一吸水层,使水汽更好的被第一吸水层吸收,相比于现有封装结构中实际仅侧面位置起吸水作用的吸水层,提高了第一吸水层的利用率。通过采用上述技术方案,解决了现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题,实现了提高第一吸水层的利用率,有效地保护发光器件免于外界水汽侵蚀。
上述网状空隙层4的设置方式可以包括两种,一种为如图1所示的设置在阻液层3的表面上而不与基板1密封连接;第二种为如图2所示的设置在阻液层3的表面上且与基板1表面密封连接。相比于如图1所示的设置方式,如图2中的设置方式具有更好的吸水和密封的效果,因在图2所示的密封结构中,网状空隙层4和第一吸水层5分别与基板1密封连接,并分别形成密封空间,以更好地密封发光器件2,由于网状空隙4的覆盖面积较大,可以更好地发挥引导水汽的作用,比如,水汽渗透进入后,先被侧面的第一吸水层5吸收,在吸收未达到饱和时,水汽就会在被同样位于侧面的网状空隙层4的吸引下,被引导至第一吸水层的中心位置,进一步地提高了第一吸水层的吸水效率,也提升了封装结构的密封效果。
在上述封装结构中,阻液层3是主要用于阻挡网状空隙层4制作时的溶剂的膜层,由于形成该网状空隙层4的原料溶液是采用溶胶-凝胶制作的,在溶胶-凝胶过程中得到的原料溶液存在大量溶剂,这些溶剂里面有少量水,水汽会对发光器件有一定的损害,因此在网状空隙层4和发光器件2之间设置阻液层3,来保护发光器件2免受上述溶剂侵蚀。形成阻液层3的原料可以包括纳米颗粒墨水,其中,该墨水中的溶剂可以选自烷烃、醇类和酯类中的一种或多种;纳米颗粒墨水中的纳米颗粒可以选自金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物、非金属氧化物与非金属氮化物中的一种或多种,其中,金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物、非金属氧化物、非金属氮化物可以是氧化铜、氧化镁、氧化钪、无氧化二钽、一氧化钛、二氧化钛、氧化钇、氧化锆、三氧化二钛、氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化铝、氮氧化硅和纳米陶瓷或聚合物材料中的一种或多种混合使用。优选该阻液层3的厚度可以在20~30nm之间。
采用含气凝胶的网状空隙层,一方面由于其制备过程中可以使溶剂在网状空隙中做到快速挥发且无残留,从而不会导致溶剂慢慢向器件内渗透进而影响器件性能;另一方面,利用气凝胶可以有效控制网状空隙的大小和均匀性,在柔性基板弯曲时,由于空隙均匀性好,承受的内应力因空隙大小相同而相同,则不容易导致覆盖在其表面的其他膜层出现开裂,从而影响器件寿命。
上述封装结构中的网状空隙层4可以为单组分气凝胶,也可以为多组分气凝胶,优选形成单组分气凝胶的原料选自SiO2纳米颗粒、Al2O3纳米颗粒、V2O5纳米颗粒与TiO2纳米颗粒中的一种或多种,形成多组分气凝胶的原料选自Al2O3/SiO2纳米颗粒、TiO2/SiO2纳米颗粒、Fe/SiO2纳米颗粒、Pt/TiO2纳米颗粒、(C60/C70)-SiO2纳米颗粒与CaO/MgO/SiO2纳米颗粒中的一种或多种。该网状空隙层4是具有纳米级网状空隙的,其设置在网状空隙层4的厚度可以在60nm~5um之间,优选网状空隙层4的厚度在80nm~100nm之间,这样气凝胶制作过程的溶剂挥发效果更佳,形成网状空隙的结构更均匀稳定,同时保证了水汽被吸引到中心区域的第一吸水层。
上述实施例中的“/”为和的意思,例如,Al2O3/SiO2纳米颗粒即为Al2O3和SiO2纳米颗粒,特别地,(C60/C70)-SiO2纳米颗粒中的“/”为或者的意思,(C60/C70)-SiO2纳米颗粒即为C60和SiO2纳米颗粒、或者C70和SiO2纳米颗粒,CaO/MgO/SiO2纳米颗粒为CaO、MgO和SiO2纳米颗粒。也即气凝胶是由单独一种纳米颗粒制作而成,或者是由多种纳米颗粒作为原料制作而成。
通过设置网状空隙层4,一方面可以将从外界渗透进入(从各层与基板的接触区进入的几率较大)的水汽进行吸引,并引导水汽从边缘区域(即上述接触区)至中心区域,以更好地被第一吸水层充分吸收,换言之,第一吸水层被充分地利用,提高了第一吸水层的利用率;另一方面可以降低后续工艺过程中的高热量对发光器件的影响,比如可以避免制作至少一层密封阻挡层时产生的高热量对发光器件的影响,并且,由于网状空隙层4还具有的纳米级网状空隙结构,具有一定的缓冲作用,因此该网状空隙层4还可以减少温度变化产生的形变。
在一个可选的实施例中,如图1和图2所示,该封装结构还包括设置在网状空隙层4的网状空隙内的第一吸水材料7,其中,第一吸水层5的吸水材料为第一吸水材料,而该第一吸水材料还设置在网状空隙层4的网状空隙内,也即设置在网状空隙内的第一吸水材料7的材料和第一吸水层5的材料是相同的材料。上述“网状”是指化合物之间通过化学键交联形成的具有三维网状的结构,上述的网状空隙属于纳米级的网状空隙,优选该第一吸水层5的厚度在1~15nm之间。
通过上述实施例,起吸水作用的除了第一吸水层5之外,还包括设置于网状空隙层4的网状空隙内的第一吸水材料(即设置在网状空隙内的第一吸水材料7),第一吸水材料可以通过自然渗透或者加压渗透的方式进入网状空隙,由于第一吸水材料在受热后易反应并凝固,通过渗透方式进入网状空隙层4的第一吸水材料7在网状空隙层4中的分布情况为:越远离阻液层3则第一吸水材料7含量越多。如上所述,从侧面渗透进入的水汽先被位于侧面的第一吸水层5和侧面的网状空隙层4的第一吸水材料7吸收,在侧面的第一吸水层5和侧面的网状空隙层4的第一吸水材料7接近饱和后,水汽向较为干燥区域扩散,即通过网状空隙层4的靠近阻液层3一侧的空隙结构引导,水汽随后被网状空隙层4的中心区域的第一吸水材料7及中心区域的第一吸水层5吸附吸引。由于未设置有第一吸水材料7的空隙结构具有通道作用,水汽进入空隙中更易扩散,且网状空隙层4的中心区域的第一吸水材料7和中心区域的第一吸水层5都具有较强的吸水能力水汽,从而引导水汽从侧面进入后再往远离阻液层3方向的网状空隙层4和第一吸水层5的中间区域扩散;其中,吸收包括物理方式的吸收和/或化学方式吸收。通过网状空隙层的水汽引导作用提高了第一吸水层中的吸水材料的利用率,而不仅仅是依靠侧面吸水;另外,设置在网状空隙内的第一吸水材料7还可以将制作过程中已经进入气凝胶中的水汽去除,避免其对发光器件造成损害;最后,位于网状空隙层4的网状空隙内的第一吸水材料7可以额外吸水,可提高器件的总吸水容量,可以减少第一吸水层的厚度,从而减小封装结构的整体厚度。
上述实施例中的形成第一吸水材料的原料可以包括液态干燥剂,该液体干燥剂还具有可热固化或光固化的性质,在一个优选的实施中,该以吸水材料的原料可以为含铝基材的烃类有机溶剂,该含铝基材的烃类有机溶剂可在受热发生反应并且凝固,变成具有弹性的材料。
在另一些可选的实施例中,上述封装结构中的阻液层3还可以为有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构。其中,无机物可包括金属氧化物、非金属氧化物、金属氮化物、非金属氮化物等。
上述第一吸水层5也可以为固态干燥剂层。至少一层密封阻挡层6可以包括设置在第一吸水层5外表面上的远离该第一吸水层5的方向上,依次层叠设置氮化硅层、氧化硅层、聚合物层、氮化硅层、氧化硅层、UV胶层,为了防止膜层的损坏,UV胶层外表面还设置一层高分子聚合材料保护膜。
固态干燥剂可以选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。
通过上述实施例,阻液层3可以有效阻挡气凝胶层4制作时对发光器件2的破坏作用,且通过固态干燥剂形成的第一吸水层5可以有效吸收外界进入的水汽,层叠设置氮化硅层、氧化硅层、聚合物层、氮化硅层、氧化硅层、UV胶层组成的密封阻挡层6的密封效果良好。
为了增加该封装结构对水汽的阻挡性能,如图3所示,上述的封装结构还可以包括第二吸水层8,该第二吸水层8可以设置在第一吸水层5和密封阻挡层6之间。在一个可选的实施例中,该第二吸水层8的吸水材料可以为第二吸水材料,该第二吸水材料可以选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种,优选该第二吸水层8的厚度在10~50nm之间。通过增设第二吸水层,使得封装结构有两层吸水层,从而更加彻底的将从外界侵入的水汽除掉,更加有效的防护发光器件免受外界水汽的侵蚀。
上述的第二吸水层8可以采用物理方式或者化学反应的方式去除渗透进去的水汽,当该第二吸水层8采用化学反应的方式去除渗透进去的水汽时,由于该第二吸水层与第一吸水层都可以起到吸水的作用,从而使得该封装结构可以更加彻底地去除渗透进来的水汽,使其中的发光器件可以受到更好的保护。并且,由于网状空隙层设置在第二吸水层和发光器件之间,即使第二吸水层在发生反应时产生一定的内应力,也会被具有纳米孔的网状空隙层缓冲掉,从而使得发光器件免于受到内应力的影响。
上述实施例中的封装结构中的至少一层密封阻挡层6可以是单层,也可以是交替设置的多层,至少一层密封阻挡层6的材料可以为有机聚合物和无机物中的一种或多种,其中,无机物中包括金属氧化物、非金属氧化物、金属氮化物、非金属氮化物等,在一个优选的实施例中,该至少一层密封阻挡层6可以是多层交替设置的,可以利用等离子热喷涂设备将粉末状热塑性聚合物、金属氧化物、非金属氧化物、金属氮化物、非金属氮化物等材料加热到塑态或者熔融态然后交替喷涂形成叠加膜层,也即形成至少一层密封阻挡层6。
优选形成密封阻挡层的材料可以选自熔点范围在150℃~230℃的热塑性材料,具体可选自聚酰胺、聚氨酯与聚乙烯中的一种或多种,该密封阻挡层的材料还可以选自熔点300℃~360℃的热塑性材料,具体可以选自聚苯硫醚与聚醚醚酮材料中的一种或多种,这种材料可以提高封装结构的机械和化学稳定性及防水汽渗透的能力,更优选密封阻挡层6的总厚度在0.2~0.3mm之间。在上述热喷涂过程中,热塑性材料熔点较高,而气凝胶的网状空隙层还具有隔热作用,可以降低高热量对发光器件的影响,及减少温度变化产生的形变,减少了热量以及热应力对发光器件的影响。
本申请中的封装结构不仅适用于柔性发光器件的封装,也适用于普通的非柔性发光器件的封装。
通过采用上述实施例中的封装结构,可以提高第一吸水层和第一吸水材料的利用率,提高发光器件的封装结构对水汽的密封效果;可以降低制备各个膜层时温度对发光器件的影响;并且降低第一吸水层和第二吸水层与水汽反应时产生的内应力对其他膜层的破坏,以及降低了密封阻挡层制作时产生的热应力的不良影响;还可以通过将第一吸水材料与网状空隙层结合设置的方式,提高吸水层的利用率,并同时提高了发光器件的寿命。
本申请的另一种典型的实施方式提供了一种封装方法,如图4所示,该封装方法包括如下步骤:
步骤S1,在基板的一侧表面上设置发光器件;
步骤S2,在发光器件的远离基板的外露表面上设置阻液层;
步骤S3,在阻液层的远离基板的表面上设置气凝胶原料,以形成网状空隙层;
步骤S4,在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置第一吸水层,使第一吸水层与基板表面密封连接;
步骤S5,在第一吸水层、网状空隙层、阻液层及发光器件的外露表面上设置至少一层密封阻挡层,使密封阻挡层与基板密封连接。
优选地,步骤S4为,在网状空隙层的远离阻液层的外露表面上设置第一吸水层,这样可以使网状空隙层和第一吸水层分别与基板密封连接,从而更好地封装发光器件,使之免受制作过程中的不良因素以及外界环境对器件造成的不良影响。
采用本申请,通过从下至上分别为基板、发光器件、阻液层、网状空隙层、第一吸水层以及密封阻挡层的封装结构,将发光器件密封在各层与基板之间的空间内,利用密封阻挡层隔离外部大部分水汽,且其正面阻挡水汽效果很好,而水汽从密封阻挡层与基板的接触处进入密封空间内的几率较大,由于侧面的第一吸水层(即与基板密封连接的部分)会先吸水饱和,饱和部分的水汽浓度变高,高浓度水汽会向低浓度水汽区域(即网状空隙层和第一吸水层的中心区域)扩散,而网状空隙层具有多空隙结构,相比第一吸水层中更容易扩散,大部分水汽通过多空隙的通道扩散在网状空隙层中,又由于中心区域的第一吸水层较为干燥且具有较强的水汽吸附力,在其吸引作用下水汽通过空隙通道进入中心区域的第一吸水层,使空隙中的水汽被吸入中心区域的第一吸水层中,从而实现引导水汽从第一吸水层的边缘位置进入到中心区域的第一吸水层,使水汽更好的被第一吸水层吸收,相比于现有封装结构中实际仅侧面位置起吸水作用的吸水层,提高了第一吸水层的利用率;制作气凝胶的过程,一方面可以使溶剂在网状空隙中做到快速挥发且无残留,从而不会导致溶剂慢慢向器件内渗透进而影响器件性能;另一方面,利用气凝胶可以有效控制网状空隙的大小和均匀性,在柔性基板弯曲时,由于空隙均匀性好,承受的内应力因空隙大小相同而相同,则不容易导致覆盖在其表面的其他膜层出现开裂,从而影响器件寿命。通过采用上述技术方案,解决了现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题,实现了提高第一吸水层的利用率,有效地保护发光器件免于外界水汽侵蚀。
在一个可选的实施例中,上述步骤S2在发光器件的远离基板的外露表面上设置阻液层可以包括:在发光器件的远离基板的外露表面上设置纳米颗粒墨水,在干燥后形成预阻液层,闪灯烧结预阻液层形成致密的阻液层。纳米颗粒墨水可以设置在发光器件的远离基板的电极表面上,比如设置在发光器件的阴极表面上,其中,设置的方式可以选用涂布的方式,在设置好纳米颗粒墨水后,可以将该纳米颗粒墨水在真空环境下加热烘干,使其干燥形成预阻液层,再通过闪灯烧结的方式将该预阻液层烧结成致密的阻液层。其中,该闪灯烧结的温度在25~60℃范围内,采用闪灯烧结的方式进行烧结,可以使形成的阻液层具有较好的致密性,并且该方式的成本较低,利用大规模生产。
在另一些可选的实施例中,上述步骤S2在发光器件的远离基板的外露表面上设置阻液层可以包括:在发光器件的远离基板的外露表面上设置有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构,以形成阻液层。
上述封装结构中的阻液层可以为有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构。上述第一吸水层可以为固态干燥剂层。至少一层密封阻挡层可以包括设置在第一吸水层外表面上的UV胶层、和设置在上述UV胶层外表面的聚合物层或者玻璃盖。
通过上述实施例,采用基板、发光器件、有机聚合物和无机物形成多层结构的阻液层、气凝胶层、固态干燥剂形成的第一吸水层以及UV胶层、及最外面的聚合物或玻璃盖组成的封装结构,阻液层可以有效阻挡气凝胶层制作时对发光器件的破坏作用,且通过固态干燥剂形成的第一吸水层可以有效吸收外界进入的水汽,UV胶配合聚合物层或玻璃盖组成的密封阻挡层的密封效果良好。
在制备好预阻液层之后,除了采用上述的方式对其单独进行闪灯烧结的第一种烧结方式外,还可以采用第二种烧结方式,也即可以在该预阻液层远离基板的外露表面上设置形成气凝胶的原料溶液,使其干燥后形成网状空隙层,然后再通过透光性良好的网状空隙层来对前面的预阻液层进行闪灯烧结,使该预阻液层形成致密的阻液层,与第一种烧结方式相比,第二种烧结方式可以提高膜层间的粘附性。其中,闪灯烧结包括氙灯烧结,例如,可以采用闪灯烧结中的氙灯烧结技术来通过透光的网状空隙层对上述的预阻液层进行烧结。
形成气凝胶的原料溶液可以通过溶胶-凝胶过程来制备,例如,溶胶-凝胶过程可以先在一定条件下通过水解-缩聚反应形成湿凝胶,比如醇凝胶或酮凝胶,而在制得该气凝胶的原料溶液后,可以进行上述步骤S3的操作。在阻液层的远离基板的表面上设置气凝胶原料,比如,可以利用涂布打印设备将气凝胶的原料溶液制作成厚度在2~3um的膜层,以形成网状空隙层。在一个可选的实施例中,上述步骤S3在阻液层的远离基板的外露表面上设置网状空隙层,可以包括如下步骤:先对形成气凝胶的原料溶液进行老化处理,得到气凝胶老化溶液,由于溶胶-凝胶过程得到的醇凝胶固态骨架周围存在着大量溶剂(包括醇类、少量水和催化剂,或者包括酮类,也可以包括其他溶剂),因此还要对气凝胶老化溶液进行干燥,去掉其中的溶剂。也即可以在预阻液层或阻液层的远离基板的外露表面上设置气凝胶老化溶液后,对该老化溶液进行干燥处理,以去除其中的溶剂,然后便形成了预空隙层;该预空隙层再经闪灯烧结后,形成具有纳米尺度的网状空隙结构的网状空隙层。下面以酮化气凝胶溶液为例,介绍网状空隙层的制备过程:首先,以胶体粒径在8nm左右或更低的硅溶胶为硅源,与体积比为硅溶胶5~50倍的丁酮中形成预聚体硅溶胶与丁酮混合物,二者混合比例是1:3,得到气凝胶的原料溶液;然后,在100℃条件下脱水凝胶并老化3~15天形成湿凝胶,由于该湿凝胶干燥成膜后易出现开裂缺陷,需在上述湿凝胶中添加甲酰胺,两者添加比例为1:0.3,形成气凝胶老化溶液;其次,利用涂布打印设备将气凝胶老化溶液制作成厚度在2~3um的膜层;最后,利用低零界干燥工艺,干燥温度在80~100℃,优选85℃,干燥时间为5min,腔体临界压力为3~5Mpa,优选3Mpa,以对气凝胶老化溶液进行干燥处理,形成了预空隙层,最终形成网状空隙层。
上述对气凝胶老化溶液进行干燥的工艺可以采用低温工艺,一般控制在100℃以下,可以为25~40℃之间,优选31℃,也可以控制在80~100℃,优选85℃;并且一般控制环境的压力为5.2~8.5MPa之间,优选为7.39MPa,由于上述的干燥工艺温度较低,不会在网状空隙层制备时产生有害于发光器件的高温,从而实现了在不损害发光器件的情况下制备网状空隙层的效果。优选地,为了避免在干燥过程中因气液界面表面张力的存在会使凝胶的体积逐步收缩、开裂的现象的出现,气凝胶老化溶液的干燥工艺选用超临界干燥工艺,即在高压环境下,用干燥介质交替除尽其中的溶剂,然后使环境中气压和温度超过干燥介质的临界点,气液界面消失,使表面张力不复存在,再释放干燥介质,降温得到具有纳米尺度网状空隙结构的气凝胶,在一个优选实施例中,可以采用临界温度为31.0℃、临界压力为7.39MPa的二氧化碳环境下干燥来制备网状空隙层。
上述实施例中的步骤S4在网状空隙层的远离阻液层的一侧设置第一吸水层可以包括:在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置第一吸水材料,加热后形成第一吸水层,其中,形成第一吸水材料的原料可以包括液态干燥剂,该液态干燥剂具有热固化或光固化的性质,该液态干燥剂包括含铝基材的烃类有机溶剂,该含铝基材的烃类有机溶剂可以在受热后凝固,形成具有弹性的膜层,优选上述步骤S4中的加热温度可以选在60~80℃之间。
在一个优选的实施例中,上述步骤S4中可以利用喷涂设备,喷涂一层少量的第一吸水材料于网状空隙层上,并使得有微量的该第一吸水材料渗透到网状空隙层的网状空隙中,然后对其进行加热处理,从而在网状空隙层上的一部分第一吸水材料固化后形成第一吸水层,在网状空隙层的靠近第一吸水层的上部网状空隙中另一部分第一吸水材料固化形成凝胶隔热层内部的吸水结构,网状空隙层的远离第一吸水层的下部网状空隙中越往下第一吸水材料越少。
通过上述实施例,起吸水作用的除了第一吸水层之外,还包括设置于网状空隙层的纳米级网状空隙内的第一吸水材料,从而利用气凝胶层形成多个网状狭小的空隙,从侧面渗透进入的水汽先被位于侧面的第一吸水层和侧面的网状空隙层的第一吸水材料吸收,在侧面的第一吸水层和侧面的网状空隙层的第一吸水材料接近饱和后,水汽向较为干燥区域扩散,即通过网状空隙层的靠近阻液层一侧的空隙结构引导,水汽随后被网状空隙层的中心区域的第一吸水材料及中心区域的第一吸水层吸引。由于未设置有第一吸水材料的空隙结构具有通道作用,水汽进入空隙中更易扩散,且网状空隙层的中心区域的第一吸水材料和中心区域的第一吸水层都具有较强的吸水能力,从而引导水汽从侧面进入后再往远离阻液层方向的网状空隙层和第一吸水层的中间区域扩散,其中,吸收包括物理和/或化学方式的吸收作用。通过网状空隙层的水汽引导作用提高了吸水层中的吸水材料的利用率,而不仅仅是依靠侧面吸水;另外,设置在网状空隙内的第一吸水材料7还可以将制作过程中已经进入气凝胶中的水汽去除,避免其对发光器件造成损害;最后,位于网状空隙层4的网状空隙内的第一吸水材料可以额外吸水,可提高器件的总吸水容量,可以减少第一吸水层的厚度,从而减小封装结构的整体厚度。
通过设置网状空隙层4,一方面可以将从外界渗透进入(从各层与基板的接触处区进入的几率较大)的水汽进行吸引,并引导水汽从边缘区域(即上述接触区)至中心区域,以更好地被第一吸水层充分吸收,换言之,第一吸水层被充分地利用,提高了第一吸水层的利用率;另一方面可以降低后续工艺过程中的高热量对发光器件的影响,比如可以避免制作至少一层密封阻挡层时产生的高热量对发光器件的影响,并且,由于网状空隙层4还具有的纳米级网状空隙结构,具有一定的缓冲作用,因此该网状空隙层4还可以减少温度变化产生的形变。在另一些实施例中,上述实施例中的步骤S4在网状空隙层的远离阻液层的一侧设置第一吸水层可以包括:在网状空隙层的远离阻液层的表面上设置固态干燥剂,形成第一吸水层,这样也可以具有良好的吸水效果。
在上述实施例中的步骤S4之后,也即在网状空隙层的远离阻液层的一侧设置第一吸水层之后,该封装方法还可以包括如下步骤:在第一吸水层的外露表面上采用化学气相沉积法、真空蒸镀法或原子层沉积法设置第二吸水材料,形成第二吸水层,其中,第二吸水材料选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。特别地,金属氧化物可以是氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡或者氧化铝,硫酸盐可以是硫酸镁、硫酸钠或者硫酸镍,以及有机金属氧化物可以是辛酸氧化铝,本领域技术人员可以根据实际需求对第二吸水材料进行合理选择。
上述的第二吸水层的制备温度根据不同的制备方法而变化,如采用化学气相沉积方法制作时温度一般在130℃以上,采用真空蒸镀方法的制作温度一般在25~40℃之间,而原子层沉积的制作温度一般在60~100℃之间,其中,真空蒸镀方法和原子层沉积方法的制备温度在发光器件的耐受温度范围内,不会对发光器件产生高温影响,化学气相沉积方法制备的第二吸水层即使温度超过发光器件的耐受温度范围,其热量也会被网状空隙层所阻挡,也不会对发光器件造成影响,第二吸水层的吸收水汽的作用可以包括物理吸收和化学吸收。
上述实施例中的步骤S5,在第一吸水层、网状空隙层、阻液层及发光器件的外露表面上设置至少一层密封阻挡层,使密封阻挡层与基板密封连接,可以利用热喷涂设备将粉末状热塑性有机聚合物、金属氧化物、金属氮化物物、非金属氧化物、非金属氮化物等材料加热到塑态或者熔融态交替喷涂形成叠加膜层,也即形成多层密封阻挡层,在一个可选的实施例中,可以采用热喷涂备将低熔点聚合物材料粉体喷涂于网状空隙层表面,热喷涂用低熔点热塑性材料主要有聚酰胺、聚氨脂、聚乙烯、乙烯等,材料熔点范围在150℃~230℃。在低熔点聚合物膜层表面喷涂高熔点、高性能聚合物,如:PPS(聚苯硫醚)和PEEK(聚醚醚酮)材料,这类材料熔点相当高(可高达340℃),且能显著提高机械和化学稳定性及防水汽渗透能力,其中,该至少一层密封阻挡层最终叠加厚度可以在0.2~0.3mm范围内。上述的热喷涂设备可以选自火焰喷涂、等离子喷涂和电弧喷涂中的一种。同样,设置密封阻挡层工艺中的热量会被网状空隙层所阻挡,从而不会对发光器件造成不利影响。
通过采用上述实施例中的封装方法,在制作网状空隙层之后制作至少一层密封阻挡层,可以利用网状空隙层的隔热作用阻挡密封阻挡层的制作时的高热量,从而不损害器件的情况下,有效隔离了外界的水汽和氧气。
本申请的再一种典型的实施方式提供了一种光电设备,该光电设备包括上述实施例中的封装结构。
该光电设备可以是照明设备,也可以是显示设备,当时并不限于这两种设备,本领域技术人员可以根据实际情况将上述封装结构应用在合适的设备中。
该光电设备中具有上述的封装结构,使得光电设备不容易受水汽的影响,保证了光电器件具有较长的寿命。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案,以下将结合QLED(量子点电致发光二极管)的封装方法与封装结构具体的实施例进行说明。
实施例1
具体的封装过程均在百级洁净房中。具体的封装方法包括:
首先,准备ITO(氧化铟锡)柔性基板,在该ITO柔性基板上制备发光器件,发光器件包括制备在ITO表面上的空穴注入层(材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸,PEDOT:PSS),在空穴注入层上表面制备空穴传输层(材料为聚乙烯咔唑PVK),在空穴传输层表面上的量子点发光层(材料为CdSe/ZnS核壳量子点),以及在量子点发光层表面上的电子传输层(ZnO纳米粒子),和在电子传输层上的阴极(材料为Ag)。
然后,在发光器件的阴极表面上以及发光器件其他未与基板接触的表面上涂布一层氧化铜纳米颗粒墨水,该墨水中的溶剂为八烷,在真空环境下加热烘干后,形成预阻液层。
在该预阻液层上涂布一层二氧化硅纳米颗粒的醇溶胶,其溶剂为乙二醇和少量水,然后对其进行老化处理,在临界温度为31.0℃、临界压力为7.39MPa的二氧化碳环境下干燥来制备预空隙层,对上面的预空隙层和预阻液层一起用氙灯烧结,形成网状空隙层和阻液层,这两个膜层的厚度分别为80nm和25nm。
用喷涂设备将含铝基材的烃类有机溶剂喷涂在具有纳米级网状空隙的网状空隙层上,使部分含铝基材的烃类有机溶剂渗透到该网状空隙层的纳米级网状空隙中,在70℃的条件下烘烤后,在网状空隙层的表面上的含铝基材的烃类有机溶剂受热凝固,形成第一吸水层,其厚度为5nm,并且在纳米级网状空隙中的部分含铝基材的烃类有机溶剂也受热反应后凝固。
在第一吸水层的远离发光器件的一侧表面上用真空蒸镀一层氧化镁薄膜,形成第二吸水层,其厚度为30nm。
最后,在上述的各膜层外露表面上利用等离子喷涂设备喷涂一层聚酰胺,再喷涂一层聚苯硫醚,然后交替喷涂上述两个材料的膜层,直至总厚度达到0.45mm,形成至少一层密封阻挡层,得到封装结构。
实施例2
具体的封装过程均在百级洁净房中。具体的封装方法包括:
首先,准备ITO柔性基板,在该ITO柔性基板上制备发光器件,该步骤与上述实施例1相同。
然后,形成预阻液层,该步骤与上述实施例1相同;
在该预阻液层上涂布一层酮化气凝胶溶液,其溶剂主要包括丁酮,利用涂布打印设备将酮化气凝胶制作成,然后利用低临界干燥工艺,对其进行处理,在干燥温度为85℃,临界压力为3Mpa的环境下干燥5min来制备预空隙层,对上面的预空隙层和预阻液层一起用氙灯烧结,形成网状空隙层和阻液层,两个膜层的厚度分别为2μm和30nm。
其中,上述酮化气凝胶溶液的具体制备过程为:
以胶体粒径在8nm左右或更低的硅溶胶为硅源,与体积比为硅溶胶5~50倍的丁酮混合,形成预聚体硅溶胶与丁酮的混合物,混合物中二者的比例是1:3,在100℃条件下脱水凝胶并老化3~15天形成湿凝胶,在酮凝胶中添加甲酰胺两者添加比例为1:0.3防止干燥成膜后出现开裂缺陷,最终形成酮化气凝胶溶液。
在网状空隙层上设置第一吸水材料和第一吸水层,该步骤与上述实施例1相同。
在第一吸水层上制备第二吸水层,该步骤与上述实施例1相同。
最后,形成至少一层密封阻挡层,该步骤与上述实施例1相同,得到封装结构。
从以上的描述中,可以看出,本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
1)、本申请中的封装结构,采用从下至上分别为基板、发光器件、阻液层、网状空隙层、第一吸水层以及密封阻挡层的封装结构,将发光器件密封在各层与基板之间的空间内,利用密封阻挡层隔离外部大部分水汽,通过第一吸水层将渗透进来的水汽进一步去除,并且其正面阻挡水汽效果很好,而水汽从密封阻挡层与基板的接触处进入密封空间内的几率较大,由于侧面的第一吸水层(即与基板密封连接的部分)会先吸水饱和,饱和部分的水汽浓度变高,高浓度水汽会向低浓度水汽区域(即网状空隙层和第一吸水层的中心区域)扩散,而网状空隙层具有多空隙结构,相比第一吸水层中更容易扩散,大部分水汽通过多空隙的通道扩散在网状空隙层中,又由于中心区域的第一吸水层较为干燥且具有较强的水汽吸附力,在其吸引作用下水汽通过空隙通道进入中心区域的第一吸水层,使空隙中的水汽被吸入中心区域的第一吸水层中,从而实现引导水汽从第一吸水层的边缘位置进入到中心区域,使水汽更好的被第一吸水层吸收,提高了第一吸水层的利用率;含有气凝胶的网状空隙层还具有隔热作用,可以降低后续工艺过程中的高热量对发光器件的影响,及减少温度变化产生的形变,从而相对于利用现有技术中利用反应温度较高的工艺方法设置阻水汽层来说,在提高封装结构吸收水汽效率的同时,减少了热量以及热应力对发光器件的影响。通过采用上述技术方案,解决了现有技术中发光器件的封装结构对水汽的密封效果差的问题,实现了提高吸水层的利用率,有效地保护发光器件免于外界水汽侵蚀和减少了热量的不良影响的效果。
2)、本申请中的封装方法,在制备网状空隙层前先在发光器件上设置阻液层,以保护发光器件受到气凝胶的原料中溶剂的侵蚀,并通过设置的网状空隙层和其网状空隙中的第一吸水材料,以及网状空隙层表面上的第一吸水层,可以实现隔热和吸水的双重效果,通过在网状空隙层的远离发光器件的一侧制作至少一层密封阻挡层,网状空隙层可以把密封阻挡层的热量隔离掉,从而密封阻挡层可以更好的发挥保护发光器件的作用。
3)、本申请的光电设备中具有上述的封装结构,可以使得光电设备不容易受水汽的影响,保证了光电设备具有较长的寿命。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
基板(1);
发光器件(2),设置在所基板(1)的一侧表面上;
阻液层(3),覆盖设置在所述发光器件(2)的外露表面上;
网状空隙层(4),设置在所述阻液层(3)远离所述基板(1)的表面上,所述网状空隙层的材料包括气凝胶;
第一吸水层(5),设置在所述网状空隙层(4)的远离所述阻液层(3)的表面上,且所述第一吸水层(5)与所述基板(1)密封连接;
至少一层密封阻挡层(6),与所述基板密封连接,以形成一密封空间,所述第一吸水层(5)、所述网状空隙层(4)、所述阻液层(3)及所述发光器件(2)设置于所述密封空间内。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述网状空隙层(4)与所述基板(1)密封连接,以密封所述发光器件(2)。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述网状空隙层(4)为单组分气凝胶或多组分气凝胶,优选形成所述单组分气凝胶的原料选自SiO2纳米颗粒、Al2O3纳米颗粒、V2O5纳米颗粒与TiO2纳米颗粒中的一种或多种,形成所述多组分气凝胶的原料选自Al2O3/SiO2纳米颗粒、TiO2/SiO2纳米颗粒、Fe/SiO2纳米颗粒、Pt/TiO2纳米颗粒、(C60/C70)-SiO2纳米颗粒与CaO/MgO/SiO2纳米颗粒中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述网状空隙层(4)的厚度在60nm~5um之间。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一吸水层(5)的吸水材料为第一吸水材料,所述第一吸水材料还设置在所述网状空隙层(4)的网状空隙内。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,形成所述第一吸水材料的原料包括液态干燥剂,所述液态干燥剂具有光固化或热固化的性质。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一吸水层(5)为固态干燥剂层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:
第二吸水层(8),设置在所述第一吸水层(5)和所述密封阻挡层(6)之间。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第二吸水层(8)的吸水材料为第二吸水材料,所述第二吸水材料选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,形成所述阻液层(3)的原料包括纳米颗粒墨水,所述纳米颗粒墨水中的纳米颗粒选自金属氧化物、金属氮化物、金属氟化物、非金属氧化物与非金属氮化物中的一种或多种;或者,所述阻液层(3)为有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构。
11.一种封装方法,其特征在于,所述封装方法包括如下步骤:
S1,在基板的一侧表面上设置发光器件;
S2,在所述发光器件的远离所述基板的外露表面上设置阻液层;
S3,在所述阻液层的远离所述基板的表面上设置气凝胶原料,以形成网状空隙层;
S4,在所述网状空隙层的远离所述阻液层的表面上设置第一吸水层,使所述第一吸水层与所述基板表面密封连接;
S5,在所述第一吸水层、所述网状空隙层、所述阻液层及所述发光器件的外露表面上设置至少一层密封阻挡层,使所述密封阻挡层与所述基板密封连接。
12.根据权利要求11所述的封装方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
在所述发光器件的远离所述基板的外露表面上设置纳米颗粒墨水,在干燥后形成预阻液层,闪灯烧结所述预阻液层形成致密的所述阻液层;或者,
在所述发光器件的远离所述基板的外露表面上设置有机聚合物层和无机物层交叠设置的多层结构,以形成所述阻液层。
13.根据权利要求12所述的封装方法,其特征在于,所述步骤S3包括:
对形成气凝胶的原料溶液进行老化处理,得到气凝胶老化溶液;
在所述预阻液层或所述阻液层的远离所述基板的外露表面上设置所述气凝胶老化溶液,干燥后形成网状空隙层,优选所述气凝胶老化溶液的干燥工艺为超临界干燥工艺。
14.根据权利要求11所述的封装方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
在所述网状空隙层的远离所述阻液层的表面上设置第一吸水材料,加热后形成所述第一吸水层,其中,形成第一吸水材料的原料包括含铝基材的烃类有机溶剂,优选所述加热温度在60~80℃之间;或者,
在所述网状空隙层的远离所述阻液层的表面上设置固态干燥剂,形成所述第一吸水层。
15.根据权利要求11所述的封装方法,其特征在于,在所述步骤S4之后,所述封装方法还包括:
在所述第一吸水层的外露表面上,采用化学气相沉积法、真空蒸镀法或原子层沉积法设置第二吸水材料,形成第二吸水层,其中,所述第二吸水材料选自钙、金属氧化物、硫酸盐与有机金属氧化物中的一种或多种。
16.一种光电设备,其特征在于,包括权利要求1至10中任一项所述的封装结构。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611100980.8A CN106449553A (zh) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | 封装结构、封装方法和光电设备 |
CN2016111009808 | 2016-12-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107819081A true CN107819081A (zh) | 2018-03-20 |
CN107819081B CN107819081B (zh) | 2020-09-08 |
Family
ID=58223650
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611100980.8A Pending CN106449553A (zh) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | 封装结构、封装方法和光电设备 |
CN201711089375.XA Active CN107819081B (zh) | 2016-12-05 | 2017-11-08 | 封装结构、封装方法和光电设备 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611100980.8A Pending CN106449553A (zh) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | 封装结构、封装方法和光电设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (2) | CN106449553A (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108615819A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板制造方法及显示终端 |
CN111312931A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板 |
CN111697153A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
CN112578605A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-30 | 义乌清越光电科技有限公司 | 一种电子纸封装结构、封装方法及电子器件 |
US11088351B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-08-10 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panels and display devices |
CN113261108A (zh) * | 2019-03-29 | 2021-08-13 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性电子装置的制作方法及柔性电子装置 |
CN113725381A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-30 | 广东志慧芯屏科技有限公司 | 一种显示模组及制备方法 |
US11289677B2 (en) | 2018-04-25 | 2022-03-29 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel and display device having a protective pattern |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106848105B (zh) * | 2017-04-17 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN108962023B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-04-16 | Tcl科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件及其制备方法 |
CN108735102B (zh) * | 2018-05-26 | 2021-07-02 | 矽照光电(厦门)有限公司 | 一种柔性显示屏及其生产方法 |
CN111330155B (zh) * | 2020-03-11 | 2020-10-16 | 微智医疗器械有限公司 | 植入装置、封装方法及脑皮层刺激视觉假体 |
CN112718413B (zh) * | 2020-12-05 | 2023-04-07 | 富联裕展科技(深圳)有限公司 | 复合件的密封方法及密封装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1416299A (zh) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | 精工爱普生株式会社 | 层压膜的制造方法、用该层压膜的装置及其制造方法 |
CN104505468A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 昆山国显光电有限公司 | 发光器件及其封装方法 |
US20150357601A1 (en) * | 2011-06-21 | 2015-12-10 | Youlchon Chemical Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN105679962A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-06-15 | 纳晶科技股份有限公司 | 封装结构、封装方法与光电设备 |
-
2016
- 2016-12-05 CN CN201611100980.8A patent/CN106449553A/zh active Pending
-
2017
- 2017-11-08 CN CN201711089375.XA patent/CN107819081B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1416299A (zh) * | 2001-10-30 | 2003-05-07 | 精工爱普生株式会社 | 层压膜的制造方法、用该层压膜的装置及其制造方法 |
US20150357601A1 (en) * | 2011-06-21 | 2015-12-10 | Youlchon Chemical Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN104505468A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-08 | 昆山国显光电有限公司 | 发光器件及其封装方法 |
CN105679962A (zh) * | 2016-01-26 | 2016-06-15 | 纳晶科技股份有限公司 | 封装结构、封装方法与光电设备 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108615819A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板制造方法及显示终端 |
CN108615819B (zh) * | 2018-04-25 | 2020-02-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板制造方法及显示终端 |
US11289677B2 (en) | 2018-04-25 | 2022-03-29 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel and display device having a protective pattern |
US11088351B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-08-10 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panels and display devices |
CN111697153A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
CN111697153B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-03-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
CN113261108A (zh) * | 2019-03-29 | 2021-08-13 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性电子装置的制作方法及柔性电子装置 |
CN111312931A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-19 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板 |
CN111312931B (zh) * | 2020-04-08 | 2022-07-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板 |
CN112578605A (zh) * | 2020-11-23 | 2021-03-30 | 义乌清越光电科技有限公司 | 一种电子纸封装结构、封装方法及电子器件 |
CN113725381A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-30 | 广东志慧芯屏科技有限公司 | 一种显示模组及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107819081B (zh) | 2020-09-08 |
CN106449553A (zh) | 2017-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107819081A (zh) | 封装结构、封装方法和光电设备 | |
JP4786999B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
KR100838073B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
WO2016045250A1 (zh) | Oled显示面板及其封装方法和oled显示装置 | |
US8652566B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
JP2008130449A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
US20050218795A1 (en) | Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof | |
CN104505468B (zh) | 发光器件及其封装方法 | |
CN104882565B (zh) | 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置 | |
CN1832222B (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
KR20100122834A (ko) | 광투과성 게터층을 갖는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2011508437A (ja) | 平坦な面を有する電子デバイス用封入アセンブリ | |
JP2002018227A (ja) | 感湿性電子装置の乾燥方法 | |
TW201217444A (en) | Sealing film and organic light emitting diode using same | |
CN1820547A (zh) | 用于电致发光显示器的密封结构与密封方法 | |
JP2007180014A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
CN109745839A (zh) | 干燥剂、密封结构体及有机el元件 | |
CN106654042B (zh) | 柔性oled显示器及其制作方法 | |
CN106571345A (zh) | 一种封装结构、其制备方法与包含其的光电设备 | |
Tu et al. | Dual-encapsulation for highly stable all-inorganic perovskite quantum dots for long-term storage and reuse in white light-emitting diodes | |
CN105552248A (zh) | 一种电致发光器件的封装结构及其封装方法 | |
CN104064674A (zh) | 有机电致发光器件 | |
CN108711592A (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示器件及其制作方法 | |
JP2007149578A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN106984144A (zh) | 干燥剂、密封结构及有机el元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |