CN107818966A - 单一引线‑框架堆叠的芯片电流绝缘子 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及单一引线‑框架堆叠的芯片电流绝缘子。本发明描述用于在不同电压下运行的两个电路之间提供电绝缘的绝缘子,其中包括绝缘组件和两个电路的组件的多个半导体芯片堆叠在彼此顶部,以提供横向紧凑的布置。绝缘屏障电气分离两个电路,并且绝缘子可以提供用于在两个电路之间传送信息和/或电力的通信信道。绝缘子可包括在具有堆叠的芯片配置的集成器件中,其中第一半导体芯片包括两个电路的第一电路的绝缘子和组件,并且位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片包括两个电路的第二电路的组件。绝缘子的两个部件可以形成在第一半导体芯片的分开的层中。

Description

单一引线-框架堆叠的芯片电流绝缘子

技术领域

[0001] 本申请涉及在电路之间提供电流绝缘的电流绝缘子。

背景技术

[0002] 绝缘子在彼此通信的电路之间提供电绝缘。在某些情况下,彼此通信的电路在不 同的电压下操作,例如一个在相对较高的电压,另一个在相对较低的电压。在某些情况下, 电路参考不同的电接地电位,使得电路之一中的电压与另一电路中的电压不同。绝缘子用 于将在相对较高的电压域中操作的第一电路与在相对较低的电压域中工作的第二电路进 行电隔离,或者电隔离参考不同接地电位的电路。绝缘屏障被证明在两电路之间,以防止不 必要的电压交叉。绝缘子提供跨绝缘屏障的通信。

发明内容

[0003]本发明描述用于在不同电压下运行的两个电路之间提供电绝缘的绝缘子,其中包 括绝缘组件和两个电路的组件的多个半导体芯片堆叠在彼此顶部,以提供横向紧凑的布 置。绝缘屏障电气分离两个电路,并且绝缘子可以提供用于在两个电路之间传送信息和/或 电力的通信信道。绝缘子可包括在具有堆叠的芯片配置的集成器件中,其中第一半导体芯 片包括两个电路的第一电路的绝缘子和组件,并且位于所述第一半导体芯片上的第二半导 体芯片包括两个电路的第二电路的组件。绝缘子的两个部件可以形成在第一半导体芯片的 分开的层中。

[0004]在一些实施方案中,提供集成绝缘装置。集成绝缘装置包括:第一半导体芯片,包 括:至少一种第一电路;和至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝 缘组件和位于第一半导体芯片的第二层中的第二绝缘组件。集成绝缘装置还包括位于所述 第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第二半导体芯片具有至少一种第二电路。

[0005]在一些实施方案中,提供一种制造具有绝缘子的集成器件的方法。该方法包括在 第一半导体芯片的第一层中形成第一绝缘组件。第一半导体芯片包括至少一种第一电路。 该方法还包括在第一半导体芯片的第二层中形成第二绝缘组件,并且将第二半导体芯片定 位在第一半导体芯片上。第二半导体芯片包括至少一种第二电路。

[0006]在^些实施方案中,系统包括:第一半导体芯片和位于所述第一半导体芯片上的 第二半导体芯片。第一半导体芯片包括:至少一种第一电路,被构造为在第一电压域下运 行;和至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝缘组件和位于第一 半导体芯片的第二层中的第二绝缘组件。第二半导体芯片具有至少一种第二电路,被构造 为在与第一电压域不同的第二电压域下运行。

附图说明 _7]齡考以下附图描述本申请的各个方面和实施例。应当理解,酬不一定按比例 绘制。出现在多个图中的项目在其出现的所有图中由相同的附图标记表示。

[0008] 图1是具有堆叠的构造的集成绝缘装置的图。

[0009] 图2A是具有堆叠的构造的集成绝缘装置的剖视图,其中堆叠在第一半导体芯片上 的第二半导体芯片不重叠第一半导体芯片的绝缘子。

[0010] 图2B是图2A中所示的集成绝缘装置的平面视图。

[0011] 图2C是具有定位在另一半导体芯片上的两个半导体芯片的集成绝缘装置的平面 视图,其中形成绝缘子。

[0012] 图3A是具有堆叠的构造的集成绝缘装置的剖视图,其中堆叠在第一半导体芯片上 的第二半导体芯片重叠第一半导体芯片的绝缘子。

[0013] 图3B是图3A中所示的集成绝缘装置的平面视图。

[0014]图4A是具有堆叠的构造的集成绝缘装置的剖视图,其中第二半导体芯片堆叠在第 一半导体芯片上,并且通孔形成通过第二半导体芯片。

[0015] 图4B是具有堆叠的构造的集成绝缘装置的剖视图,包括位于第一半导体芯片和第 二半导体芯片之间的支柱。

[0016] 图4C是图4A中所示的集成器件的平面视图。

[0017]图5是制造具有堆叠的构造的本文所述类型的集成绝缘装置的示例性方法。

具体实施方式

[0018]电绝缘子和它们隔离的电路可以在半导体芯片上微加工。为了与半导体芯片上的 电气部件进行电连接,芯片通常放置在引线框架上,引线框架是具有可以连接到半导体芯 片上的电触点的电触点的支撑结构。本申请的各方面提供了电(电流)绝缘子,其与隔离的 电路的至少一些部件一起形成在彼此顶部堆叠的多个半导体芯片上,允许使用单引线框 架,用于与堆叠的半导体芯片电连接。因此,在一些实施方案中,在堆叠的半导体芯片结构 中设置包括电绝缘体和隔离电路部件的集成电气装置,该堆叠的半导体芯片结构设置在单 引线框架上。堆叠的芯片绝缘子配置可以应用于各种类型的绝缘子技术,包括电感耦合绝 缘子,电容耦合绝缘子和射频耦合绝缘子,通过在堆叠的芯片结构的半导体芯片之一中形 成不同类型的绝缘组件。

[0019] 在相同引线框架上具有绝缘子和两个电路的集成器件的堆叠芯片配置的优点在 于,这种配置可以允许集成器件的表面积减小和/或集成器件的减少的封装脚印。这又可以 通过减少用于形成集成器件的一些材料的数量以及通过节省使用单引线框架的空间来降 低制造成本。而且,在单引线框架上具有集成器件可以在包括引线框架和封装焊盘或引脚 的导电部件之间,同时遵循下面进一步描述的期望的爬电距离的同时减小封装集成器件的 覆盖区。例如,与具有两个或多个引线框架的隔离设备相比,本申请的技术可以允许最多大 约40%的封装尺寸减小。在一些实施方案中,集成器件的尺寸可以在1.5mm至5圆的范围内。 集成绝缘子器件所占据的表面积可以在6mm2至12mm2的范围内。因此,可实现紧凑绝缘子结 构。

[0020] 符合一个或多个爬电距离值以减少或消除静电放电可能会影响集成器件的占地 面积,特别是用于隔离连接到不同电压域的电路的设备。爬电距离可能适用于两个电触点 之间的距离,包括在不同电压下工作的电气点之间的距离。当装置的两个点之间的距离等 于或大于预定值时,集成器件可以被认为符合爬电距离值,其可以根据一个或多个因素而 变化,所述因素包括在所得装置中使用的包装材料的类型,市场或行业(例如医疗,消费者) 标准和/或国家标准。外部爬电可以指作为输入的电触点(例如封装焊盘或引脚)之间的距 离,作为集成器件的输出的电触点。电触点之间的外部爬电导线可能需要几毫米的距离(例 如在2mm至6mm的范围内)。内部爬电可以指集成器件或引线框架的两个引线框架与集成器 件的封装或引脚之间的距离。内部爬电线可能需要几百微米的距离(例如在300到800微米 的范围内)。使用多个引线框架形成一个绝缘子通常比单引线框架占据更大的覆盖面,这不 仅仅是因为引线框架的大小和形状,而是因为引用框架架至少有一些应用程序。因此,虽然 引线框架的尺寸可以适应外部爬电价值,但是设备的占地面积可能受到内部爬电距离的限 制。本申请的方面包括具有单个引线框架的集成绝缘装置,其与至少一些实施方案相比,具 有多个引线框架的装置相比,提供了集成绝缘装置的缩小的占地面积。对于具有单个引线 框架的设备,由于引线框架的一个或多个维度可能变得小于外部爬电距离,因此对占位面 积的限制可能符合外部爬电距离值。因此,本申请的方面涉及适用于具有单个引线框架的 设备的符合爬电价值(包括外部和内部)的集成器件。

[0021]图1示出了形成在引线框架102上的集成绝缘装置100。集成绝缘装置100包括第一 半导体芯片104和第二半导体芯片112。第一半导体芯片具有电路106和具有部件108和110 的绝缘子。绝缘屏障116位于电路106和电路114之间,并且可以提供电流隔离以减少或阻止 电路106和电路114之间的完全电流流动。绝缘屏障116可能有一层或多层。尽管图1中示出 了一个绝缘子,但是应当理解,在第一半导体芯片中可以形成多个绝缘子。在第一半导体芯 片中的第一绝缘子可以与第二半导体芯片耦合,第一半导体芯片中的第一绝缘子可以与第 三半导体芯片耦合。在这些实施方案中,第二和第三半导体芯片可能位于第一半导体芯片 之上。

[0022] 电路106和114可以作为绝缘子的输入和输出电路。在一些实施方案中,电路106可 以包括发射器,并且电路114可以包括接收器,使得功率和/或信息从第一半导体芯片104的 电路106传送到第二半导体芯片112的电路114。在其他实施方案中,电路114可包括发射器, 电路106可包括接收器。在一些实施方案中,电路106和114可以是收发器。在一些实施方案 中,电路106和114可以是接收器。电路106和114可以被构造为在不同的电压下操作或者可 以参考不同的接地电位,并且绝缘子可以允许电路106和114交换信息。所得到的集成器件 可以应用于绝缘子可以使用的各种应用(例如工业、医疗、消费者),包括绝缘子控制开关和 隔离电源控制器。例如,工业机械可以在高电压下工作,并由其它控制设备的计算机控制, 其操作电压低得多,两个通孔通孔是所示类型的绝缘子。电路106和114可以与两个不同的 电源和/或电路电耦合,电路106和114可以与单独的接地参考电耦合。在一些实施方案中, 电路106可以耦合到与引线框架102分离的接地参考或信号触点,诸如集成器件的封装或引 脚。在其他实施方案中,电路106可以与引线框架102的接地参考电耦合。电路114可以与引 线框架102分开的接地参考或信号触点耦合,例如封装焊盘或引脚。

[0023] 绝缘组件108和110形成在第一半导体芯片104的两层中,绝缘组件1〇8形成在第一 半导体芯片104的第一层中,绝缘组件110形成在第一半导体芯片104的第二层中一半导体 芯片104。在一些实施方案中,绝缘子可以是变压器被构造为通过线圈之间的电感耦合来提 供通信,绝缘组件108和110是这样的线圈。在一些实施方案中,绝缘子可以是电容绝缘子被 构造为通过电容板之间的电容耦合来提供通信,绝缘组件108和110是电容器板。在一些实 施方案中,绝缘子可以是射频绝缘子,被构造为通过天线之间的射频耦合提供通信,绝缘组 件108和110各自为天线。

[0024] 位于第一半导体芯片104的绝缘组件108和110之间的绝缘屏障116可以在电路106 和114之间提供期望水平的电流隔离,同时允许发生绝缘组件108和110之间的耦合。为了允 许发生耦合(例如电感耦合,电容耦合或射频耦合),绝缘组件108和110可以相对靠近地定 位。因此,绝缘屏障116的一个或多个特性(例如材料,厚度)除了绝缘组件108和110之间的 耦合外,还可允许电路106和114之间的电流隔离。绝缘屏障116可以通过电路106和114之间 的绝缘子平衡电流隔离水平与信号损耗。绝缘屏障116可能影响集成绝缘装置100的性能, 使得集成器件116不受用于通过绝缘子补偿信号损失的功率级别的限制。绝缘屏障116的合 适材料的实例包括一种或多种聚酰亚胺。绝缘屏障116的厚度可以在5微米至50微米的范围 内,或在该范围内的任何值或范围的值。

[0025] 集成绝缘装置100的性能可能受到由不同电气部件的相对接近而产生的静电放电 和其它损耗的影响。在实施方案中,第二半导体芯片1112耦合到单独的触点(例如引线框 架、焊盘、引脚),引线框架102与独立触点之间的距离可以满足内部爬电兼容性,并且距离 可以至少为350微米,350微米和1毫米,或任何其他合适的价值。在一些实施方案中,引线框 架与联系人之间的距离约为400微米。集成绝缘装置(例如集成绝缘装置100)的执行中的另 一个考虑因素是从第二芯片112到引线框架102的距离。根据特定应用的指定爬电参数维持 该距离可能会降低不希望的静电放电的可能性。在一些实施方案中,第二芯片112与引线框 架102之间的距离可以至少为3邪微米,35〇微米至1mm之间,或任何其它合适的值。在一些实 施方案中,第二芯片112与引线框架102之间的距离约为400微米。集成绝缘装置(例如集成 绝缘装置1〇〇)的执行中的另一个考虑是耦合到第二半导体芯片112的电路114的绝缘组件 110与引线框架102之间的距离。绝缘组件110和引线框架102之间的距离可以在300微米至 450微米的范围内,或该范围内的任何值或值范围。在一些实施方案中,距离可能至少为300 微米。

[0026] 图2A示出了具有位于引线框架102上的第一半导体芯片104和第二半导体芯片112 的集成绝缘装置的剖视图。在图2A和2B所示的实施方案中,第二半导体芯片112可以与绝缘 组件110和108不重叠。第一半导体芯片104可以包括具有电路106的电路层122,其可以包括 发射器(TX)和/或接收器(RX)以及钝化层124。电路层122可以包括一个或多个连接128,其 将电路106电耦合到位于钝化层124中的绝缘子108。在一些实施方案中,电路层122可以包 括定位成减少信号损失并提高集成器件的性能的一个或多个屏蔽组件126。在一些实施方 案中,屏蔽组件126可位于绝缘组件108和连接128之间。第一半导体芯片1〇4可以包括钝化 层134,其中绝缘组件110位于钝化层134中。绝缘屏障116可以位于钝化层124和钝化层134 之间。触点120可以是集成绝缘装置外部的任何合适的触点,包括外部引脚或焊盘。触点120 可以与第一半导体芯片104的触点138电耦合(例如,线接合)。触点120可以为包括其电路 (例如电路106)的第一半导体芯片104提供电接地参考,或者可以是用于第一半导体芯片 104的信号连接。线接头146可以将触点120耦合到触点138。尽管图2A中未示出,但是触点 138可以电耦合(例如,线接合)到引线框架1〇2,并且引线框架可以在一些实施方案中为第 一半导体芯片104提供电接地参考。触点138可以通过去除钝化层124的一部分并沉积一种 或多种金属而形成,或者可以以任何其它合适的方式形成。在一些实施方案中,引线框架 102和电路层122之间的物理接触可以提供电接地参考,这可以消除对触点138和120之间的 电连接的需要。

[0027] 第二半导体芯片112可以包括具有电路114的钝化层132和电路层130,电路层130 可以包括发射器(TX)和/或接收器(RX)。第二半导体芯片112的触点140和142可以电耦合到 电路层130,并且可以用于将电路114连接到集成器件的其他部件。触点140可以电耦合(例 如引线键合)到绝缘组件110。触点142可以电耦合到电路层130并且用于将电路114连接到 触点136。触点136可以是集成绝缘装置外部的任何合适的触点,包括外部引脚或焊盘。线接 合144可以将触点142连接到触点136。

[0028] 图2B是图2A所示的集成器件的平面视图。在图2B中可以看出,第二半导体芯片112 在第一半导体芯片104的顶部的定位使得第一半导体芯片中的绝缘子不被第二半导体芯片 覆盖。如图2A和2B所示,距离X是集成件的引线框架102和触点136之间的距离,可以选择以 满足内部爬电规格。内部爬电规格可以包括集成器件的导电点(例如胶合接头)之间的最小 距离,并且最小距离可以取决于在集成器件的包装中使用的工业标准和/或包装材料。符合 内部爬电规格可能包括距离X等于或大于最小距离。在一些实施方案中,距离X可以在350微 米到750微米的范围内,或在该范围内的任何值或范围的值。距离Y是集成器件的触点120和 I36之间的距离。距离Y可能具有选定的值以符合外部爬坡规格。外部蠕变指定可以包括集 成器件的焊盘和/或引脚之间的最小距离,其可以取决于在集成器件的封装中使用的工业 标准和/或封装材料。符合外部爬电规格可能包括距离Y等于或大于最小距离。在一些实施 方案中,距可以在0.5mm至15mm的范围内,或在该范围内的任何值或范围的值。

[0029]本申请的一些实施方案涉及具有位于形成有绝缘子的第一半导体芯片上的多个 次级芯片的集成绝缘装置。在这些实施方案中,集成器件可以在第一半导体芯片和第二半 导体芯片之间提供多于一个的电流隔离。也就是说,第一半导体芯片可以包括多个绝缘子。 多个次级芯片的尺寸和形状可以用于封装和兼容。在一些实施方案中,可以安排封装焊盘 和/或引脚以满足一个或多个爬电兼容值。

[0030]图2C示出了具有并排配置并且位于具有钝化层134和124的半导体芯片上的两个 半导体芯片的集成器件的示例性平面视图。两个并排半导体芯片可以各自具有钝化层132 和电路层130,如上参照图2A所讨论的。如图2C所示,钝化层132a用于两个并排半导体芯片 中的一个,钝化层132b用于另一个半导体芯片。距离Y1、Y2和Y3可以假设符合板级外部蠕变 $格阶直,以为集成器件提供所需量的隔离。距离Y1是集成器件的触点120b和136之间的距 离。距离Y2是触点120a和136a之间的距离。距离Y3是触点136a和136b之间的距离。触点 120&、12(^、136&和13613可以是集成器件的焊盘和/或引脚。在一些实施方案中,距离¥1、丫2 和Y3可以在0.5mm至15mm的范围内,或在该范围内的任何值或范围的范围。距离XI和X2可能 具有符合内部爬电指南的值。距离)(1是触点136b与引线框架102之间的距离。触点136b可以 电^合到具有钝化层13213的半导体芯片的触点。距离X2是触点136a和引线框架1〇2之间的 距离。触点l36a可以电耦合到具有钝化层132a的半导体芯片的触点。距离幻和似可以在350 微米至75〇微>1^的范围内,或在该范围内的任何值或范围的值。距离z表示两个并排半导体 芯片之间的距离,可以具有选择的值,以减少芯片之间的放电,并减少或消除半导体芯片之 间电击穿的风险。

[0031]图2C的集成绝缘装置可以提供多个绝缘子。例如,可以提供一个绝缘子以从半导 体芯片104上的电路隔离具有钝化层132a的半导体芯片上的电路。可以提供一个单独的绝 缘子来隔离半导体芯片104上的电路与具有钝化层132b的半导体芯片上的电路。以这种方 式,可以提供多个绝缘子,同时仍然在单个引线框架上提供堆叠的集成绝缘装置。绝缘子可 能在某些实施方案中的半导体芯片104上。

[0032]在半导体芯片中具有绝缘子的堆叠的集成绝缘装置的一些实施方案中,所述第二 半导体芯片的一部分可以与所述绝缘子中的一些或全部重叠第一半导体芯片。具有这种配 置的集成器件的优点是,第二半导体芯片可能占据额外的表面积,否则可能用于形成绝缘 子的表面接触。与第二半导体芯片与绝缘子不重叠的位置相比,这种配置可以允许集成器 件具有更大的第二半导体芯片,例如图2A所示的集成绝缘装置。第二半导体芯片可能占据 的附加表面积的量可以取决于第一半导体芯片的表面积和/或第二半导体芯片与第一半导 体芯片之间的距离(例如,顶表面的距离的第二半导体芯片和第一半导体芯片的导电部分) 以符合爬电指南。例如,与绝缘子重叠的第二半导体芯片可能具有比不与绝缘子重叠的集 成器件大约10%的表面积,例如图2A所示的器件。

[0033] 在实施方案中,第二半导体芯片与绝缘子的一些或全部重叠,第一半导体芯片可 以包括位于绝缘屏障和绝缘组件被构造为与第二半导体芯片耦合的氧化层。氧化层可以包 括将绝缘组件连接到第一半导体芯片的触点的一个或多个电连接。图3A示出了集成绝缘装 置的剖视图,其中第二半导体芯片112定位成与第一半导体芯片104上的绝缘组件110和108 重叠。在该实施方案中,图3A所示的第一半导体芯片104包括位于钝化层134和绝缘屏障116 之间的氧化层3〇2 (例如热氧化娃)。氧化层302可以包括一个或多个电连接304,其可以充当 通过氧化层302和耦合绝缘组件110到触点306的下路。电连接304可以由一种或多种金属形 成。触点306可以通过引线键308与第二半导体芯片112的触点140导线接合。触点310可以将 电路层(例如电路114)电耦合到触点136,例如通过引线接合。

[0034]图3B示出了图3A所示的集成绝缘装置的平面视图。除了上述距离Y和X之外,可通 过引线键连接的两个半导体芯片的触点之间的距离W可以具有被选择为允许两个半导体芯 片之间的接合和/或符合网络规格的值。例如,距离可以在第一半导体芯片104的触点306和 第二半导体芯片112的触点140之间。距离W可以提供期望的距离,以允许两个半导体芯片之 间的电线接合,例如通过向下键合。距离W可以在50微米到250微米的范围内,或在该范围内 的任何值或范围的范围。在一些实施方案中,距离W也许约150微米。符合漏电指南可能是允 许在两个半导体芯片的触点(例如触点140和306)之间达到期望水平的电绝缘的额外考虑。 第二半导体芯片112的垂直尺寸或高度可以具有选择为符合爬电线指导的值。第二半导体 芯片112的垂直尺寸可以在100微米到400微米的范围内,或在该范围内的任何值或范围的 范围。

[0035] 虽然图3A示出了实施方案,其中一个半导体芯片中的绝缘子与另一个半导体芯片 重叠并且通过引线键耦合到上覆半导体芯片,但是也可以使用其它技术将绝缘子耦合到上 覆的半导体芯片。在一些实施方案中,可以通过第二半导体芯片的电路层形成一个或多个 通孔(例如硅通孔,例如硅通孔(TSV),并且可以将绝缘子电耦合所述第二半导体芯片的触 点。作为示例,图4A示出了集成绝缘装置的剖视图,其中第二半导体芯片112包括通孔402。 通孔402可以延伸通过电路层130并将绝缘组件110连接到触点404。通孔402可以包括硅,尽 管可以实现其他材料。触点404可以与电路层130 (例如电路114)电耦合。

[0036] 在一些实施方案中,一个或多个支柱(例如铜支柱)可以位于堆叠的芯片设备的第 二半导体芯片和第一半导体芯片之间。在这些实施方案中,第二半导体芯片可以与第一半 导体芯片定位一段距离,使得空气或其他合适的材料填充第一和第二半导体芯片之间的空 间。支柱可将第一半导体芯片的绝缘子电耦合到所述第二半导体芯片的触点。支柱可以电 耦合两个半导体芯片的触点,这可以简化引线接合到外部接触,例如在封装期间。

[0037]图4B示出了具有支柱410和414的集成绝缘装置的剖视图。支柱410可以将绝缘组 件110电耦合到触点412。支柱414可以将第二半导体芯片112的触点416电耦合到第一半导 体芯片的触点41S,其可以被引线键合到与引线框架1〇2分开定位的触点136。支柱414可以 允许电路层13〇和触点136之间的功率和/或数据/信息的交换。例如,支柱414可以将来自第 二半导体芯片112的电路114的信号路由到触点136。形成支柱414可以减轻触点416和触点 136之间的电连接的制造,因为可能将引线接合触点136中的挑战直接接触到可被认为是 “上接合”的触点416。支柱414消除了这些挑战,因为触点136可以结合到触点418,例如通过 “向下键合”过程。支柱410和414可以包括金属(例如铜),尽管可以实现其他材料。由于第二 半导体芯片112相对于第一半导体芯片1〇4定位,使得钝化层132和134彼此靠近,所以图4B 所示的集成绝缘装置可以被认为具有片上芯片组合。在一些实施方案中,可能存在位于第 一半导体芯片上的多个第二半导体芯片,并且附加支柱被构造为将第二半导体芯片中的每 一个电耦合到第一半导体芯片。

[0038]图4C示出了图4A所示的集成器件的平面视图。触点142可以电耦合到触点136,并 且触点I38可以电耦合到触点120。图4C示出了集成器件的几个平面尺寸,包括上面讨论的X 和Y。图4C所示的尺寸可以应用于图4B所示的集成器件。第一半导体芯片可以沿着第一半导 体芯片的触点(例如触点138)与所述第二半导体芯片的触点之间的线的方向具有尺寸,例 如图4C所示的触点142或图4B所示的集成器件的触点418。如图4C所示,尺寸D可以是层124 的尺寸。第一半导体芯片104的尺寸D可以在0• 5圓至2mm的范围内,或在该范围内的任何值 或范围的范围。集成器件可以在集成器件的相对侧上的触点之间的线(例如焊盘和/或引 脚)之间具有尺寸L,例如触点120和136之间的线。集成器件的尺寸L可以在1.5mm至3.5mm, 或该范围内的任何值或范围值。集成器件可以沿着集成器件的一侧具有与侧面上的多个触 点(例如焊盘和/或引脚)相交的尺寸H,例如触点136。集成器件的尺寸H可以在3mm至5mm的 范围内,或在该范围内的任何值或范围的值。

[0039]本申请的一些实施方案涉及根据本文描述的技术形成具有堆叠的构造的集成器 件的方法。图5示出了制造5〇0的示例性方法。在动作510,电路可以形成在第一半导体芯片 中。第一半导体芯片的电路可以包括发射器和/或接收器。在一些实施方案中,第一半导体 芯片的电路可以形成在芯片的电路层中。在动作520,可以在第一半导体芯片中形成绝缘 子。绝缘子包括绝缘组件,其类型可能取决于所需隔离的类型(例如线圈,板,天线)。绝缘组 件可以形成在第一半导体芯片的不同层中,使得第一绝缘组件形成在第一层中,并且第二 绝缘组件形成在第二层中。在一些实施方案中,绝缘组件可以形成在钝化层中,例如本文先 前描述的钝化层1M和1:34。绝缘屏障可以在绝缘组件之间形成。在一些实施方案中,可以在 第一半导体芯片的氧化层内形成一个或多个电连接,例如本文先前描述的电连接3〇4。一个 或多个电连接可以用作下路径,并将第二绝缘组件连接到诸如本文先前描述的触点306的 触点。在动作530,电路可以形成在第二半导体芯片中。第二半导体芯片的电路可以包括发 射器和/或接收器。在一些实施方案中,通孔可以形成为延伸穿过第二半导体芯片的一个或 多个层。通孔可以延伸穿过第二半导体芯片的电路层。通孔可以将第二绝缘组件电耦合到 所述第二半导体芯片的触点。通孔可以包括硅。

[0040] 在动作540,第二半导体芯片可以位于第一半导体芯片上。在一些实施方案中,第 二半导体芯片可以被定位成不与第一半导体芯片的绝缘子重叠。在一个实施方案中,第二 半导体芯片可以定位成与第一半导体芯片的第二绝缘组件重叠。在一些实施方案中,第二 半导体芯片可接触第一半导体芯片。在一些实施方案中,第二半导体芯片和第一半导体芯 片可能在它们之间有空气或其他材料的空间。在一个实施方案中,在将第二半导体芯片定 位在第一半导体芯片之前,可以将第一半导体芯片连接到引线框架(例如,桨、塾)。

[0041] 在一些实施方案中,第二半导体芯片和第一半导体芯片可以具有倒装芯片芯片配 置,其中第二半导体芯片被翻转,使得第一和第二半导体芯片的钝化层接近彼此,如图4B所 示的集成器件的钝化层132和134。在这些实施方案中,位于第一和第二半导体芯片之间的 支柱可以将绝缘子电耦合到所述第二半导体芯片的触点。支柱可以由一种或多种金属形成 (例如铜)。支柱可以形成在第二半导体芯片上,(例如通过在第二半导体芯片的表面上生长 支柱),之前将第二半导体芯片定位在第一半导体芯片上。在实施方案中,支柱生长在第二 半导体芯片的表面上,第二半导体芯片位于第一半导体芯片之上,使得具有支柱的表面接 近第一半导体芯片。在实施方案中,支柱生长在第二半导体芯片的表面上,第二半导体芯片 位于第一半导体芯片之上,使得具有支柱的表面接近第一半导体芯片。例如,形成图4B所示 的集成器件的方法可以包括在第二半导体芯片112上形成支柱410和414,并且在第一半导 体芯片104的触点418和触点之间形成电连接(例如引线键合)在将第二半导体芯片112定位 在第一半导体芯片104之前。

[0042]在动作550,集成器件的封装可以包括形成电连接,包括触点和引线接合到触点, 引脚和/或焊盘,可以使用任何合适的技术来制造。可以在第一和第二半导体芯片(例如,第 二绝缘组件到第二半导体芯片的触点)之间以及芯片与一个或多个封装焊盘或引线之间形 成电连接。在一些实施方案中,集成器件的封装可以包括将第一和第二半导体芯片的堆叠 的芯片配置定位在单个引线框架上。

[0043]本文所述集成绝缘装置可用于各种应用(例如工业、医疗、消费者)。例如,电流联 盟隔离系统之间的数据传输和/或电力传输可以用本文所述集成绝缘装置完成。例如,正在 执行医疗程序的房间中的医疗设备可以与控制室中的控制系统电流隔离。例如,在执行该 过程的房间中的一块医疗成像设备和/或监视器可以与控制成像设备和/或显示器的操作 的系统隔离。绝缘子可以是这里描述的任何类型的集成绝缘装置,并且隔离信号路径可以 是模拟或数字的。

[0044]作为另一示例,工业设备可以与控制设备的控制系统隔离。例如,高功率电机可以 与通过本文所述类型的集成绝缘装置控制其操作的控制系统隔离。控制系统可以以比工业 设备使用的高功率电动机低的瓦数工作。绝缘子可以设置在电路板上,在电路板上包括连 接到电机和/或控制设备的各种电路部件。

[0045]本文所述集成绝缘装置的其他用途也是可能的,因为所描述的这些示例是非限制 性的。

[0046]如所描述的,一些方面可以被体现为一种或多种方法。作为方法的一部分执行的 动作可以以任何适当的方式订购。因此,实施万案可以被构造成以不同于图示的顺序执行 动作,其可以包括同时执行某些动作,即使在说明性实施方案中示出为顺序动作。

[0047]在一些实施方案中,“约”和“大约”这两个术语可能用于指标值的±20%,在目标 值的± 10%内,在一些实施方案中,在一些实施方案中在目标值的±5%内,但在某些实施 方案中的目标值的± 2 %以内。术语“约”和“大约,,可以包括目标值。

Claims (20)

1. 集成绝缘装置,包括: 第一半导体芯片,包括: 至少一种第一电路;和 至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝缘组件和位于第一半 导体芯片的第二层中的第二绝缘组件;和 位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片具有至少一 种第二电路。
2. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第一绝缘组件被构造为在第一电压下运 行,并且所述第二绝缘组件被构造为在与第一电压不同的第二电压下运行。
3. 权利要求2所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种第一电路被构造为在第一电压 下运行,并且至少一种第二电路被构造为在第二电压下运行。
4. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种第一电路包括发射器或接收器, 并且至少一种第二电路包括发射器或接收器。
5. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述集成器件还包括引线框架,并且所述第一 半导体芯片安装在所述引线框架上。
6. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种绝缘子包括变压器,并且第一绝 缘组件和第二绝缘组件是线圈。
7. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第二半导体芯片和所述绝缘子是不重叠 的。
8. 权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第二半导体芯片位于所述绝缘子上。
9. 权利要求8所述的集成绝缘装置,还包括通过所述第二半导体芯片的至少一种通孔, 其中所述至少一种通孔使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。
10. 权利要求8所述的集成绝缘装置,还包括位于所述第一半导体芯片和所述第二半导 体芯片之间的至少一种支柱,其中所述至少一种支柱使所述第二绝缘组件电耦合所述第二 半导体芯片的触点。
11. 一种制造具有绝缘子的集成器件的方法,该方法包括: 在第一半导体芯片的第一层中形成第一绝缘组件,其中所述第一半导体芯片包括至少 一种第一电路; 在所述第一半导体芯片的第二层中形成第二绝缘组件;和 在所述第一半导体芯片上定位第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片包括至少一 种第二电路。
12. 权利要求11所述的方法,其中在所述第一半导体芯片上定位第二半导体芯片包括 定位所述第二半导体芯片以重叠所述第一半导体芯片的第二绝缘组件。
13. 权利要求11所述的方法,还包括在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之 间形成支柱。
14. 权利要求13所述的方法,其中形成支柱包括形成支柱以使所述第二绝缘组件电耦 合所述第二半导体芯片的触点。
15. 权利要求11所述的方法,还包括通过所述第二半导体芯片的电路层形成通孔,以使 所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。
16. 系统,包括: 第一半导体芯片,包括: 至少一种第一电路被构造为在第一电压域下运行;和 至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝缘组件和位于第一半 导体芯片的第二层中的第二绝缘组件;和 位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片具有至少一 种第二电路,被构造为在与第一电压域不同的第二电压域下运行。
17. 权利要求16所述的系统,还包括其上设置第一半导体芯片的第一引线框架,其中所 述第一半导体芯片上的电触点电耦合所述第一引线框架上的电触点,并且其中所述第二半 导体芯片上的电触点电耦合所述第二引线框架上的电触点。
18. 权利要求16所述的系统,其中所述第二半导体芯片位于所述绝缘子上。
19. 权利要求18所述的系统,还包括通过所述第二半导体芯片的至少一种通孔,其中所 述至少一种通孔使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。
20.权利要求18所述的系统,还包括位于所述第一半导体芯片和所述第^半导体芯片 之间的至少一种支柱,其中所述至少一种支柱使所述第二绝缘组件电耦合所述第一半导体 芯片的触点。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137090A1 (ja) * 2009-05-28 2010-12-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2011082212A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Renesas Electronics Corp マイクロトランス素子、信号伝達回路、及び半導体装置
CN103988296A (zh) * 2011-11-14 2014-08-13 美光科技公司 具有多个热路径的堆叠半导体裸片组合件及相关联系统和方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230287B2 (ja) * 1992-08-17 2001-11-19 富士電機株式会社 モノリシック電源装置
DE10232642B4 (de) 2002-07-18 2006-11-23 Infineon Technologies Ag Integrierte Transformatoranordnung
US7489526B2 (en) 2004-08-20 2009-02-10 Analog Devices, Inc. Power and information signal transfer using micro-transformers
US9105391B2 (en) 2006-08-28 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. High voltage hold-off coil transducer
JP5045219B2 (ja) 2007-04-27 2012-10-10 富士電機株式会社 マイクロトランスの製造方法
US20080278275A1 (en) 2007-05-10 2008-11-13 Fouquet Julie E Miniature Transformers Adapted for use in Galvanic Isolators and the Like
ITTO20070325A1 (it) 2007-05-11 2008-11-12 St Microelectronics Srl Isolatore galvanico integrato utilizzante trasmissione wireless
JP2009295750A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp 半導体装置
US8446243B2 (en) 2008-10-31 2013-05-21 Infineon Technologies Austria Ag Method of constructing inductors and transformers
JP5238562B2 (ja) * 2009-03-13 2013-07-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2012204575A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Panasonic Corp 半導体装置
DE102013100622B4 (de) 2013-01-22 2018-03-01 Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg Leiterplatte im Lagenaufbau
US9466413B2 (en) 2013-06-28 2016-10-11 Freescale Semiconductor, Inc. Die-to-die inductive communication devices and methods
US20150280785A1 (en) * 2014-03-26 2015-10-01 Fred T. Brauchler Systems and devices with common mode noise suppression structures and methods
CN104022113B (zh) 2014-06-16 2018-09-11 中国科学院自动化研究所 一种基于微型变压器的堆叠式数字隔离器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010137090A1 (ja) * 2009-05-28 2010-12-02 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2011082212A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Renesas Electronics Corp マイクロトランス素子、信号伝達回路、及び半導体装置
CN103988296A (zh) * 2011-11-14 2014-08-13 美光科技公司 具有多个热路径的堆叠半导体裸片组合件及相关联系统和方法

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