CN107801289B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体提供其内部空间作为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件之类的电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般包括腔室主体、载置台和等离子体源。腔室主体将其内部空间提供为腔室。载置台构成为保持载置在其上的被加工物。等离子体源将用于使供给到腔室的气体激发的能量供给到腔室内。在等离子体处理装置中，利用在腔室内生成的等离子体产生的离子和/或自由基之类的活性种处理被加工物。
在等离子体处理中，为了抑制离子所导致的被加工物的损伤或者为了将被加工物形成为期望的形状，有时抑制对离子的被加工物的照射。为了这种等离子体处理，一般在腔室内设置等离子体捕获机构。例如专利文献1和专利文献2记载了具有等离子体捕获机构的等离子体处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/129643号
专利文献2：日本特开2014-209622号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
在具有等离子体捕获机构的等离子体处理装置中，实质上由能够通过等离子体捕获机构的自由基处理被加工物。但是，需要在一个等离子体处理装置中不仅要实现仅由自由基处理被加工物，而且还要实现由具有各种能量的离子处理被加工物。即，需要对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
在一个方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体将其内部空间提供为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。
在一个方式的等离子体处理装置中，能够由电势调节部将在第一空间中生成的等离子体的电势从低电势到高电势任意地变更。当等离子体的电势设定为低电势时，阻止或抑制对第二空间的离子供给。另外，当等离子体的电势设定为高电势时，离子从第一空间通过等离子体捕获机构供给到第二空间。进而，通过在比较高的电势范围内调节等离子体的电势，能够调节入射到被加工物的离子的能量。因此，该等离子体处理装置具有优异的对被加工物的离子能量的控制性。
在一实施方式中，等离子体处理装置为电感耦合型的等离子体处理装置。在该实施方式中，等离子体源具有与高频电源连接的天线。等离子体处理装置还包括设置在天线和第一空间之间的电介质窗。电势调节部的电极为设置在天线与电介质窗之间的法拉第屏障。另外，优选天线与法拉第屏障彼此不接触。电势调节部还具有连接在该电势调节部的电极与大地之间的包括可变电抗元件的阻抗调节电路。在该实施方式中，由供给到天线的高频在电势调节部的电极产生高频。该高频的电压的峰值能够由阻抗调节电路调节。通过该峰值的调节能够调节等离子体的电势。
在一个实施方式中，电势调节部还具有电容器，电容器的一端与天线连接。电容器的另一端连接在阻抗调节电路和电势调节部的电极之间。根据该实施方式，供给到等离子体源的天线由电容器电容分压的高频电压被施加到电势调节部的电极。
在一个实施方式中，等离子体处理装置还包括从上方划定出第一空间的的电介质窗。等离子体源具有将微波隔着电介质窗导入第一空间的天线。电势调节部还具有阻抗调节电路和高频电源。阻抗调节电路包括可变电抗元件，并连接在电势调节部的电极和大地之间。高频电极与电势调节部的电极连接。在该实施方式中，微波用于等离子体的生成，所以无法像电感耦合型的等离子体处理装置那样利用供给到天线的高频，调节等离子体的电势。因此，在该实施方式中，为了将高频供给到电势调节部电极，使用高频电源。
在一个实施方式中，电势调节部还具有检测器和控制部。检测器检测电势调节部的电极的电压的峰值。控制部通过参照入射到载置在载置台上的被加工物的离子的能量与电势调节部的电极的电压的峰值的预定关系，取得与所输入的离子的能量的设定值对应的该电极的电压的峰值，并控制阻抗调节电路的可变电抗元件，以使所取得的该峰值与由检测器检测的该电极的电压的峰值(Vpp)之差减少。另外，替代电压的峰值(Vpp)，也可以使用自偏置电位(Vdc)或离子能量。即，也可以由检测器检测Vdc，控制部控制阻抗调节电路的可变电抗元件，使得通过参照离子的能量与Vdc的预定关系，取得所输入的离子的能量的设定值所对应的Vdc，减少所取得的Vdc与由检测器检测的Vdc之差。或者，也可以由检测器检测离子的能量，控制部控制阻抗调节电路的可变电抗元件，以减少所输入的离子的能量与所检测的离子的能量之差。
发明效果
如上所说明的方式，能提供对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。
附图说明
图1是概略地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。
图2是概略地表示另一实施方式的等离子体处理装置的图。
图3是概略地表示另一实施方式的等离子体处理装置的图。
图4是表示实验结果的曲线图。
附图标记说明
10、10A、10B······等离子体处理装置
12······腔室主体
12c······腔室
S1······第一空间
S2······第二空间
14······等离子体捕获机构
16······载置台
20······下部电极
22······静电吸盘
36······电介质窗
38······天线
42······高频电源
50、50B······电势调节部
52、52B······电极
54······阻抗调节电路
54a······可变电容电容器
56······检测器
58······控制部
59······电容器；
60······天线
62······微波发生器
80······窗
82······高频电源。
具体实施方式
以下，参照附图，详细对各种实施方式进行说明。另外，各附图中，对相同或对应的部分标注相同的附图标记。
图1是概略示出一个实施方式的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置10是电感耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置10包括腔室主体12。腔室主体12例如由铝之类的导体形成，接地。在一个实施方式中，腔室主体12具有大致筒状。腔室主体12的中心轴线与在铅垂方向延伸的轴线AX大致一致。该腔室主体12将其内部空间提供为腔室12c。
在腔室12c内设置有等离子体捕获机构14。等离子体捕获机构14设置在腔室12c的铅垂方向上的中间，将腔室12c分为第一空间S1和第二空间S2。第一空间S1为腔室12c所包含的空间，且为等离子体捕获机构14的上方的空间。第二空间S2为腔室12c所包含的空间，且为等离子体14的下方的空间。等离子体捕获机构14防止或抑制在第一空间S1中生成的等离子体流入到第二空间S2。等离子体捕获机构14包括大致板状的一个以上的部件。等离子体捕获机构14形成有多个开口(贯通孔)，例如多个狭缝。等离子体捕获机构14不受限制，但可以由石英之类的电介质形成。该等离子体捕获机构14由腔室主体12支承。
在一个实施方式中，等离子体捕获机构14包括大致板状的两个部件14a、14b。部件14a和部件14b彼此稍微间隔配置，大致水平延伸。部件14a在比部件14b靠上方的位置延伸。部件14a和部件14b两者形成有上述的多个开口。在一个实施方式中，部件14a的多个开口相对于部件14b的多个开口在与轴线AX正交的方向上偏离。另外，等离子体捕获机构14可以仅由部件14a或部件14b之类的一个部件构成。
在等离子体捕获机构14的下方的第二空间S2设置有载置台16。载置台16由支承体18支承。支承体18由绝缘体形成，具有大致筒状。支承体18从腔室主体12的底部向上方延伸。支承体18在其上端部支承载置台16。载置台16构成为保持搬入到第二空间S2的被加工物W。另外，被加工物W可以具有如晶圆那样的圆盘状。
在一个实施方式中，载置台16具有下部电极20和静电吸盘22。下部电极20由铝之类的导体形成，具有大致圆盘形状。在一个实施方式中，下部电极20经由匹配器24与高频电源26连接。高频电源26供给到下部电极20的高频。该高频具有适于离子被引入被加工物W的频率。该高频的频率例如可以为13.56MHz以下的频率。匹配器24包括用于使高频电源26侧的阻抗和负载侧(腔室主体12侧)的阻抗匹配的匹配电路。另外，下部电极20可以不与高频电源26连接而接地。
静电吸盘22设置在下部电极20上。静电吸盘22在圆盘形状的绝缘体层内内置膜状的电极22a。该电极22a经由开关28与直流电源30连接。来自直流电源30的电压被施加于电极22a时，静电吸盘22产生静电力。通过该静电力，静电吸盘22保持载置在其上的被加工物W。在该静电吸盘22的周围且下部电极20上以包围被加工物W的边缘的方式配置聚焦环FR。另外，载置台16也可以不具有静电吸盘22。
在腔室主体12的侧壁形成有通往第二空间S2的开口12p。该开口12p为用于将被加工物W搬入第二空间S2内切从第二空间S2搬出的开口。开口12p能够由闸阀12g开闭。
在腔室主体12的底部连接有配管32，以与第二空间S2连通。在腔室主体12的外侧，配管32与排气装置34连接。排气装置34包括压力调节阀、以及涡轮分子泵和/或干式泵之类的真空泵。由该排气装置34对腔室12c减压。
腔室主体12的上端部形成有开口。该开口被电介质窗36封闭。电介质窗36设置在后述的天线38与第一空间S1之间，从上方划定出第一空间S1。电介质窗36例如由石英之类的电介质形成。
腔室主体12的外侧且电介质窗36之上设置有天线38。天线38为线圈，以轴线AX为中心以螺旋状延伸。天线38的一端经由匹配器40与高频电源42连接。天线38的另一端连接到大地。高频电源42产生供给到天线38的高频。由高频电源42产生的高频的频率为适于生成等离子体的频率，可以是比由高频电源26产生的频率高的频率。匹配器40包括用于使高频电源42侧的阻抗和负载侧(腔室主体12侧)的阻抗匹配的匹配电路。另外，天线38和高频电源42构成一个实施方式的等离子体源。
等离子体处理装置10还包括将气体供给到第一空间S1的气体供给部44。气体供给部44构成为控制来自一个以上气体源的气体的流量，将流量被控制的一种以上的气体供给到第一空间S1。例如，气体供给部44可以包括一个以上的流量控制器(例如，质量流量控制器或压力控制式的流量控制器)和一个以上的阀门。
在等离子体处理装置10中，来自气体供给部44的气体供给到第一空间S1。另外，由排气装置34将腔室12c减压。而且，来自高频电源42的高频被供给到天线38。高频被供给到天线38，由此在第一空间S1内产生感应磁场。由该感应磁场在第一空间S1内激发气体。由此，在第一空间S1内生成等离子体。通过来自这样生成的等离子体的活性种处理载置在载置台16上的被加工物W。
等离子体处理装置10还包括电势调节部50。电势调节部50具有电极52和阻抗调节电路54。电极52由导体形成。电极52设置在腔室主体12的外侧(大气侧)，构成为与在第一空间S1生成的等离子体电容耦合。另外，电极52也可以设置在天线38与电介质窗36之间、电介质窗36的内部或第一空间S1(天线室)。
电极52在本实施方式中为法拉第屏障。在该实施方式中，电极52大致为板状。电极52设置在天线38与电介质窗36之间，大致水平延伸。另外，天线38和法拉第屏障优选彼此不直接接触。电极52形成有多个开口。电极52的多个开口在其板厚方向贯通电极52。另外，电极52的多个开口例如相对于轴线AX在放射方向延伸，相对于轴线AX在周向上排列。
通过从高频电源42供给到天线38的高频在电极52中产生高频。该电极52与大地之间连接有阻抗调节电路54。阻抗调节电路54在电极52和大地之间调节阻抗。由此，能够调节在电极52产生的高频的电压的峰值(Vpp)。阻抗调节电路54包括可变电抗元件。在一个实施方式中，阻抗调节电路54包括可变电容器54a作为可变电抗元件。另外，阻抗调节电路54还包括线圈54b。线圈54b和可变电容电容器54a在电极52和大地之间串联连接。另外，只要能够调节电极52和大地之间的阻抗，阻抗调节电路54的电路结构可以是任意的结构。
在一个实施方式中，电势调节部50还可以具有检测器56和控制部58。检测器56连接到电极52。检测器56检测电极52中的高频的电压的峰值(Vpp)。检测器56例如可以为高电压探针。
由检测器56检测的峰值被输入到控制部58。控制部58保存入射到被加工物W的离子的能量和电极52的电压的峰值(Vpp)的预定关系。该关系以表格形式或函数形式保存。控制部58通过参照该关系取得与所输入的离子的能量的设定值对应的电极52的电压的峰值。控制部58控制阻抗调节电路54的可变电抗元件，以减少所取得的峰值和由检测器56检测的峰值(Vpp)之差。即，控制部58例如控制阻抗调节电路54的可变电容电容器54a的静电电容，使得由检测器56检测的峰值(Vpp)成为预先设定的峰值(Vpp)。
另外，替代电压的峰值(Vpp)，也可以利用自偏置电位(Vdc)或离子能量。即，当具有等离子体处理装置10将偏置电压施加至下部电极20的结构时或者当具有阻抗调节电路与下部电极连接的结构时，也可以预先求取与可变电容电容器54a的静电电容相应的离子的能量和由检测器检测的聚焦环FR(或下部电极20)的Vdc的关系，控制部58控制可变电容电容器54a的静电电容，使得通过参照该关系，取得与所输入的离子的能量对应的Vdc，减少所取得的Vdc和由检测器检测的Vdc之差。或者也可以由检测器检测离子的能量，控制部58控制阻抗调节电路54的可变电抗元件，以减少所输入的离子的能量与检测到的离子的能量之差。
在一个实施方式中，控制部58可以是包括处理器、存储器之类的存储装置、显示器、和键盘之类的输入装置的计算机装置。上述的表格形式或函数形式的关系作为数据保存在存储装置中。处理器通过参照该关系，取得与经由输入装置输入的离子的能量的设定值对应的电极52的电压的峰值。处理器例如控制阻抗调节电路54的可变电容电容器54a的静电电容，使得由检测器56检测的峰值(Vpp)成为预先设定的峰值(Vpp)。
控制部58也可以在等离子体处理装置10中执行的等离子体处理中控制该等离子体处理装置10的各部。在该状况下，控制部58的存储装置中存储有控制程序和处理方案数据。控制部58的处理器通过按照控制程序和处理方案动作，控制等离子体处理装置10的各部。
在等离子体处理装置10中，能够由电势调节部50将第一空间S1中生成的等离子体的电势从低的电势至高的电势任意变更。当等离子体的电势设定为低的电势时，阻止或抑制从第一空间S1至第二空间S2的离子的供给。因此，被加工物W由能够通过等离子体捕获机构14的自由基处理。另外，当等离子体的电势设定为高的电势时，离子从第一空间S1通过等离子体捕获机构14供给到第二空间S2。因此，能够由离子处理被加工物W。另外，通过在比较高的电势的范围内调节等离子体的电势，能够调节入射到被加工物W的离子的能量。因此，该等离子体处理装置10具有优异的对被加工物W的离子能量的控制性。
以下，对另一实施方式的等离子体处理装置进行说明。图2是概略表示另一实施方式的等离子体处理装置的图。图2所示的等离子体处理装置10A在电势调节部50还具有电容器59这一点，与等离子体处理装置10不同。
电容器59的一端与天线38连接。在一个实施方式中，电容器59连接到天线38的一端与另一端之间的中间部分。电容器59的另一端连接到电极52。在一个实施方式中，电容器59的另一端与电极52与阻抗调节电路54之间的节点连接。
在等离子体处理装置10中，天线38与电极52电容耦合，高频被供给到天线38，由此在电极52产生高频。另一方面，在等离子体处理装置10A中，供给到天线38由电容器59电容分压的的高频的电压被施加到电极52。在该等离子体处理装置10A中，由电势调节部50能够调节第一空间S1内的等离子体的电势，能够控制对被加工物W的离子的能量。
以下，对又一实施方式的等离子体处理装置进行说明。图3概略表示又一实施方式的等离子体处理装置的图。图3所示的等离子体处理装置10B具有与等离子体处理装置10、10A的等离子体源不同的等离子体源。等离子体处理装置10B的等离子体源是利用微波生成等离子体的等离子体源。以下，对等离子体处理装置10B与等离子体处理装置10不同这一点进行说明。
等离子体处理装置10B包括天线60和微波发生器62。天线60设置在电介质窗36上。天线60为大致平板状，由导体形成。天线60形成有在板厚方向上贯通该天线60的多个狭槽孔。该天线60被供给来自微波发生器62的微波。由微波发生器62产生的微波的频率为吉赫兹波段的频率，例如为2.45GHz。供给到天线60的微波从该天线60的多个狭槽孔隔着电介质窗36导入第一空间S1。导入第一空间S1的微波激发供给到该第一空间S1的气体。由此在第一空间S1中生成等离子体。
在一个实施方式中，天线60可以为径向线缝隙天线。作为径向线缝隙天线的天线60形成有多个狭槽孔对。多个狭槽孔对沿着以轴线AX为中心的一个圆或多个同心圆排列。多个狭槽孔对中各个狭槽孔对包括两个狭槽孔。两个狭槽孔为彼此在正交或交叉的方向延伸的长孔，在板厚方向上贯通天线60。
另外，在天线60为径向线缝隙天线的实施方式中，等离子体处理装置10B还可以包括调谐器64、导波管66、模式转换器68、同轴导波管70、电介质板72、和冷却套(jacket)74。微波发生器62经由调谐器64、导波管66、和模式转换器68连接到同轴导波管70的上端部。同轴导波管70包括外侧导体70a和内侧导体70b。外侧导体70a具有筒状，其中心轴线与轴线AX大致一致。内侧导体70b设置在外侧导体70a的内侧，在轴线AX上延伸。外侧导体70a的下端部连接到具有导电性的表面的冷却套74。内侧导体70b的下端部连接到天线60。天线60和冷却套74之间设置有电介质板72。电介质板72具有缩短在该电介质板72内传播的微波的波长的功能。
由微波发生器62产生的微波经由调谐器64和导播管66传播到模式转换器68。在模式转换器68中，转换微波的模式。转换了模式的微波经由同轴导波管70和电介质板72供给到天线60。供给到天线60的微波如上所述从该天线60的多个狭槽孔隔着电介质窗36导入第一空间S1，在第一空间S1激发气体。
在等离子体处理装置10B中，腔室主体12的划定出第一空间S1的侧壁至少部分由窗80构成。窗80由石英之类的电介质形成。窗80相对于轴线AX在周向延伸。在一实施方式中，窗80也可以具有大致筒状。窗80的内侧(轴线AX侧)的面80a与第一空间S1相接。与面80a相对的窗80的面80b面向腔室主体12的外侧。
等离子体处理装置10B具有电势调节部50B。电势调节部50B与电势调节部50一样具有阻抗调节电路54、检测器56和控制部58。电势调节部50B还具有电极52B和高频电源82。
电极52B为与在第一空间S1生成的等离子体电容耦合的电极。电极52B设置在腔室主体12的外侧，沿着窗80的面80b延伸。电极52B与检测器56连接，以检测该电极52B中的高频的电压的峰值。
另外，电极52B与阻抗调节电路54连接。进而，电极52B经由匹配器84与高频电源82连接。在一个实施方式中，高频电源82经由匹配器连接到电极52B和阻抗调节电路54之间的节点。高频电源82发生高频。该高频为用于调节等离子体的电势的高频，可以具有与高频电源42的高频同样的频率。匹配器84包括用于进行高频电源82侧的阻抗与负载侧的阻抗的匹配的匹配电路。
在等离子体处理装置10B中，将微波用于等离子体的生成，所以无法如电感耦合型的等离子体处理装置10、10A那样利用供给到天线的高频，调节等离子体的电势。因此，在等离子体处理装置10B中，为了将高频供给到电极52B，使用高频电源82。在等离子体处理装置10B中，通过调节从高频电源82供给的高频的电压的峰值，调节等离子体的电势。通过能够控制对被加工物W的离子的能量。电极52B也可以设置在电介质窗36之类的顶板内。
以下，对为了评价等离子体处理装置10而进行的实验进行说明。在该实验中，以电极52中电压的峰值(Vpp)为可变的参数，求取照射到离子的能量和载置台16中的离子电流。另外，峰值(Vpp)通过调节可变电容电容器64a的静电电容变化。以下表示实验中的各种设定。
<实验的设定>
·供给到第一空间的气体
O2气体：300sccm
Ar气体：10sccm
·高频电源42的高频的电功率：650W
·高频电源42的高频的频率：13.56MHz
·电介质窗36与载置台16之间的隙长：135mm
·等离子体捕获机构14的部件的数量：1个
·电介质窗36和等离子体捕获机构14之间的隙长：70mm
图4示出实验结果的曲线图。在图4的曲线图中，横轴表示电极52的电压的峰值(Vpp)，左侧的纵轴表示离子能量的最大值Eimax，右侧的纵轴表示离子电流Ic。如图4所示，已确认，随着电极52的峰值(Vpp)增加，Eimax增加。另外，当电极52的峰值(Vpp)为至400V的值时，离子电流为大致0。即，已确认，当电极52的峰值(Vpp)为至400V的值时，离子几乎不到达载置台16，主要是自由基到达载置台。另外，当使电极52的峰值(Vpp)在400V以上的范围增加时，随着其增加，离子电流增加。因此，已确认，当电极52的峰值(Vpp)为某值以上时，离子通过等离子体捕获机构14导入第二空间S2。另外，已确认：随着某值以上的范围内的峰值(Vpp)的增加，能够增加离子的能量。即，能够任意调节入射到被加工物W的离子的能量。
以上，对各实施方式进行了说明，不限于上述的实施方式，能够构成各种变形方式。例如，上述的等离子体捕获机构14由电介质形成，但等离子体捕获机构14也可以由导体形成。另外，当等离子体捕获机构14为导体时，为了离子能够适当通过该等离子体捕获机构14，该等离子体捕获机构14也可以不接地。另外，构成等离子体捕获机构14的板状的部件的个数、形成在等离子体捕获机构14中的开口的个数和该开口的大小也可以根据所使用的气体、腔室12c的压力、气体的流量、等离子体生成用的高频的电力等适当优化。

Claims (4)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔室主体；
设置在由所述腔室主体提供的腔室内，将该腔室分为第一空间和第二空间的等离子体捕获机构；
设置在所述第二空间的载置台；
使供给到所述第一空间的气体激发的等离子体源；和
电势调节部，其具有与在所述第一空间生成的等离子体电容耦合的电极，对该等离子体的电势进行调节，
所述电势调节部还具有：
连接在所述电极与大地之间的包括可变电抗元件的阻抗调节电路；
检测所述电极的电压的峰值的检测器；和
控制部，通过参照入射到被载置在所述载置台上的被加工物的离子的能量与所述电极的电压的峰值的预定关系，取得与所输入的离子的能量的设定值对应的所述电极的电压的峰值，并控制所述阻抗调节电路的可变电抗元件，以使所取得的该峰值与由所述检测器检测出的所述电极的电压的峰值之差减少，
所述电势调节部能够使所述第一空间中生成的等离子体的电势在低的电势至高的电势之间变更，通过将等离子体的电势设定为低的电势，来阻止或抑制从所述第一空间至所述第二空间的离子的供给，使得由可通过所述等离子体捕获机构的自由基来处理载置于所述载置台上的被加工物，通过将等离子体的电势设定为高的电势，使离子从所述第一空间通过所述等离子体捕获机构而供给到所述第二空间，使得由离子来处理被加工物，从而对载置于所述载置台上的所述被加工物实施利用自由基进行的处理和利用离子进行的处理。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体处理装置为电感耦合型的等离子体处理装置，
所述等离子体源具有与高频电源连接的天线，
所述等离子体处理装置还包括设置在所述天线和所述第一空间之间的电介质窗，
所述电极为设置在所述天线与所述电介质窗之间的法拉第屏障。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述电势调节部还包括电容器，该电容器包括与所述天线连接的一端和连接在所述阻抗调节电路和所述电极之间的另一端。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体处理装置还包括从上方划定出所述第一空间的电介质窗，
所述等离子体源具有将微波隔着所述电介质窗导入所述第一空间的天线，
所述电势调节部还包括与所述电极连接的高频电源。
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