CN107799628B - 碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 - Google Patents
碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107799628B CN107799628B CN201710395869.4A CN201710395869A CN107799628B CN 107799628 B CN107799628 B CN 107799628B CN 201710395869 A CN201710395869 A CN 201710395869A CN 107799628 B CN107799628 B CN 107799628B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zno
- carbon fiber
- fiber paper
- carbon
- precursor liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 title claims abstract description 25
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 16
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- DBJUEJCZPKMDPA-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O DBJUEJCZPKMDPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 6
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 6
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007832 Na2SO4 Substances 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000005945 translocation Effects 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及碳纤维纸上制备ZnO/ZnS异质结阵列可见光电探测器方法。本发明醋酸锌粉末溶于乙醇中得前驱液，碳纸放置于前驱液中反应，碳纤维纸放到马弗炉中退火，配置生长液，放到烘箱中预热，将碳纤维纸置于反应液中并在烘箱中反应，将纳米级碳粉、硫代乙酰胺混合并研磨至均匀，放入双坩埚中，将ZnO置于坩埚中，将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围下反应。本发明克服了光吸收和光生载流子的传输效率低、光电子复合少等缺陷。本发明工艺简单，合成温度低，制备所需原材料便宜，合成量大，拓展了光电工作的区间，优越的可见光下性能。
Description
技术领域
本发明属于光电功能材料领域，特别涉及碳纤维纸上制备ZnO/ZnS异质结阵列可见光电探测器方法。
背景技术
传统的光电探测器主要基于半导体薄膜材料，在薄膜材料上通过物理方法沉积电极材料构建固态光电探测器。传统的固态光电探测器制备工艺繁琐，制备成本高。近些年发展起来的固液界面的光电探测器不需要在样品表面蒸镀电极，通过电化学方法组装三电极就可以实现光电响应，成本低廉利于推广。
作为电化学光电探测器的光阳极材料需要具备几个特征：(1)如何构建具备优越的光吸收性能的微纳结构，能让入射光在光阳极材料中能进行多次散射，增加入射光的光程。(2)如何实现光阳极材料到电荷收集极能有很好的电子传输通道，减少光生电子的散射。(3)如何解决光生载流子的光阳极材料表面的复合概率，增加光生载流子的有效收集。
在本发明之前，如何从材料设计到构建合适的物理模型来提高光吸收和光生载流子的传输效率、减少光电子复合，从而有效的增加电化学光电探测器的光电响应是当下该领域的技术瓶颈，也是一个急需的课题，也是能将该新型结构光电探测器推向应用的关键技术。
发明内容
本发明的目的就在于克服上述缺陷，研制碳纤维纸上制备ZnO/ZnS异质结阵列可见光电探测器方法。
本发明的技术方案是：
碳纤维纸上制备ZnO/ZnS异质结阵列可见光电探测器方法，其主要技术特征在于步骤如下：
(1)配置前驱液：将醋酸锌粉末溶于乙醇中搅拌；
(2)将碳纸放置于前驱液中反应；
(3)将浸泡上前驱液的碳纤维纸放到马弗炉中退火；
(4)配置生长液：将六亚甲基四胺、醋酸锌、适量的PEI溶于去离子水中搅拌；
(5)配置好的反应液放到烘箱中预热待用；
(6)将碳纤维纸置于反应液中并在烘箱中反应；
(7)将纳米级碳粉、硫代乙酰胺混合并研磨至均匀；
(8)将研磨好的纳米碳粉与硫带乙酰胺放入自设计的双坩埚中，并将事先生长好的ZnO置于坩埚中；
(9)将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围下反应。
所述步骤(1)中称取醋酸锌粉末1.098g，溶于100ml的乙醇中搅拌。
所述步骤(4)中称取六亚甲基四胺0.561g，醋酸锌0.878g和适量的PEI，溶于100ml去离子水中搅拌。
所述步骤(7)中称取纳米级碳粉0.6g和硫代乙酰胺0.4g，混合并研磨至均匀。
本发明的优点在于合成柔性的ZnO/ZnS异质结阵列光电探测器，制备工艺简单，合成温度低，制备所需原材料便宜，合成量大，原料价格亲民，利用ZnO/ZnS 异质结阵之间的电荷转移就能在可见光下工作。可以说不仅降低了成本还极大的拓展了光电工作的区间，优越的可见光下性能，可推广并应用于工业领域。
本发明的具体优越之处在下面的附图说明和具体实施方式中将进一步进行阐述。
附图说明
图1——本发明实例所制备ZnO/ZnS阵列低倍下扫描电镜示意图。
图2——本发明实例所制备ZnO/ZnS阵列高倍下扫描电镜示意图。
图3——本发明实例所制备的样品的X-射线衍射示意图。
图4——本发明实例所制备的样品紫外可见吸收示意图。
图5——本发明实例所制备的样品在可见光下的光电探测器的三电极固液光电探测器测试示意图。
图6——本发明实例所制备的样品在在可见光下的光电探测器的光电性能示意图。
具体实施方式
本发明的技术思路是：
该申请从材料形貌设计到物理模型始终围绕如何提高光吸收、光生载流子的传输、光电子复合三个关键问题，多角度提高电化学光电探测器的光电响应。
基于上述考虑，本项目首次提出在碳纤维纸上组装ZnO/ZnS异质结“试管刷”状阵列充当光阳极材料，具备以下三点创新性：
(1)“试管刷”状阵列结构不但吸收不同方向的入射光还能让入射光在该结构中实现多次散射，从而有效的实现增加入射光的吸收效率。
(2)一维结构的纳米线组装于导电性优越的碳纤维的物理结构是一个天然优越的电子传输通道，能有效地减少光生电子的散射。
(3)ZnO/ZnS异质结能很好实现光生载流子的有效分离，进一步减少光生载流子的光阳极材料表面的复合，从而有效提高光生载流子的有效概率。
基于设计想法，采用一步水热法在碳纤维上组装ZnO纳米线阵列结构，通过离子扩散技术实现了对ZnO阵列的硫化，该异质结构在可见光区实现了有效的吸收增强效果。光电响应结果显示该结构在可见光下具备良好的光电响应性能、响应灵敏且性能稳定。
下面具体说明本发明。
本发明的技术步骤如下：
(1)配置前驱液：将醋酸锌粉末溶于乙醇中搅拌；
(2)将碳纸放置于前驱液中反应；
(3)将浸泡上前驱液的碳纤维纸放到马弗炉中退火；
(4)配置生长液：将六亚甲基四胺、醋酸锌、适量的PEI溶于去离子水中搅拌；
(5)配置好的反应液放到烘箱中预热待用；
(6)将碳纤维纸置于反应液中并在烘箱中反应；
(7)将纳米级碳粉、硫代乙酰胺混合并研磨至均匀；
(8)将研磨好的纳米碳粉与硫带乙酰胺放入自设计的双坩埚中，并将事先生长好的ZnO置于坩埚中；
(9)将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围下反应。
1.样品制备
(1)配置前驱液：称取醋酸锌粉末1.098g，溶于100ml的乙醇中搅拌。
(2)将碳纸放置于前驱液中反应。
(3)将浸泡上前驱液的碳纤维纸放到290℃马弗炉中退火25min。
(4)配置生长液：称取六亚甲基四胺0.561g，醋酸锌0.878g和适量的PEI，溶于100ml去离子水中搅拌。
(5)配置好的反应液放到95℃的烘箱中预热待用。
(6)将碳纤维纸置于反应液中并在95℃烘箱中反应1h。
(7)称取纳米级碳粉0.6g和硫代乙酰胺0.4g，混合并研磨至均匀。
(8)将研磨好的纳米碳粉与硫带乙酰胺放入自设计的双坩埚中，并将事先生长好的ZnO置于坩埚中。
(9)将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围，500摄氏度下反应3h。
2.三电极光电探测器的组装和测试
使用由德国Zanner CIMPS电化学工作站控制的三电极电化学电池进行基于固液异质结的可见光驱动检测器。光电化学测量在0.2M Na2SO4中进行，使用Pt线作为对电极，Ag/AgCl在饱和KCl中作为参比电极。使用碳纸负载的ZnO/ZnS纳米阵列作为工作电极，并放置在暴露于电解质的1×1cm2面积的电池中。在可见光光谱范围(564±60nm)中采用适当波长的LED照射被用作直接辐射于放置在石英光电化学电池中的光电阳极表面的照明源。
实施例：
本发明是关于首次合成具有可见光的锌基氧化物光电探测器。选取醋酸锌粉末1.098g，溶于100ml的乙醇中制成前驱液并将碳纸放置于前驱液中反应5min；取出碳纤维纸后放于290℃马弗炉中退火25min；取六亚甲基四胺0.561g，醋酸锌0.878g和适量的PEI制成反应液；把配置好的反应液放到烘箱中95℃预热1h；把退火后的碳纤维纸放到预热好的反应液中并置于烘箱中反应15h，即可得到基于碳纤维纸上ZnO纳米阵列。然后把碳纤维纸用去离子水清洗并放到烘箱中干燥以备使用。
称量纳米碳粉0.6g，硫带乙酰胺0.4g；并研磨至均匀。研磨好的纳米碳粉与硫带乙酰胺放入自设计的双坩埚中，并将事先生长好的ZnO置于坩埚中。将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围，500摄氏度下反应3小时。
如图2，图3，图4，图5，图6所示，采用日立公司(日本)的S4800 II型 FESEM(FESEM，s-4800 II，Hitachi)对所制备样品的形貌进行观察。采用D8 ADVANCE型XRD测定所制备样品的晶相结构。采用德国ZANNER公司的CIMPS-2 可控强度调制光电化学谱仪对所制备的样品进行光电测试。
试验结果表明：
图1：本发明实例所制备的柔性的ZnO阵列低倍下扫描电镜照片图。从该图可知：ZnO阵列均匀、高密度生长于碳纤维上。
图2：本发明实例所制备的柔性的ZnO/ZnS异质结阵列高倍下扫描电镜照片图。从该图可知：干法硫化后形成ZnO/ZnS异质结阵列中单根纳米线的表面形成粗糙的多孔结构。
图3：本发明实例所制备样品的X-射线衍射图。ZnO晶型(空间群P63mc，PDF： 36-1451)，ZnS晶型(P63mc，PDF：75-0576)。
图4：本发明实例所制备样品的紫外可见吸收谱。从该图可知：ZnO/ZnS异质结阵列相比ZnO在可见光(400-800nm)下吸收显著增强。
图5：本发明实例所制备的柔性的ZnO/ZnS异质结阵列在可见光下的光电探测器的三电极光电探测器的组装和测试示意图。
图6：本发明实例所制备的柔性的ZnO/ZnS异质结阵列在可见光下的光电探测器的光电性能图。从该图可知：ZnO/ZnS异质结阵列相比ZnO在该波段(564±60 nm)LED灯下光暗电流比有接近10倍的增强，并且光响应灵敏，光暗电流比大等优点。
Claims (1)
1.碳纤维纸上制备ZnO/ZnS异质结阵列可见光电探测器方法，其特征在于步骤如下：
(1)配置前驱液：称取醋酸锌粉末1.098g，溶于100ml的乙醇中搅拌；
(2)将碳纸放置于前驱液中反应；
(3)将浸泡上前驱液的碳纤维纸放到马弗炉中退火；
(4)配置生长液：称取六亚甲基四胺0.561g，醋酸锌0.878g和适量的PEI，溶于100ml去离子水中搅拌；
(5)配置好的反应液放到烘箱中预热待用；
(6)将碳纤维纸置于反应液中并在烘箱中反应；
(7)称取纳米级碳粉0.6g和硫代乙酰胺0.4g，混合并研磨至均匀；
(8)将研磨好的纳米碳粉与硫代 乙酰胺放入自设计的双坩埚中，并将事先生长好的ZnO置于坩埚中；
(9)将双坩埚放入管式炉中，在高纯氩气氛围下反应。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710395869.4A CN107799628B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710395869.4A CN107799628B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107799628A CN107799628A (zh) | 2018-03-13 |
| CN107799628B true CN107799628B (zh) | 2019-08-20 |
Family
ID=61531167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710395869.4A Active CN107799628B (zh) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107799628B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110639556A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-03 | 扬州大学 | 一种复合光催化剂及其制备工艺 |
| CN111952462A (zh) * | 2020-07-11 | 2020-11-17 | 复旦大学 | 一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法 |
| CN113054056A (zh) * | 2021-03-10 | 2021-06-29 | 中国石油大学(华东) | 一种基于树突状硫化铅的柔性光电探测器件的制备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101607689A (zh) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 国家纳米科学中心 | 氧化锌和硫化锌纳米带复合异质结材料和制备方法 |
| CN102060263A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-05-18 | 东华大学 | 一种微通道内ZnO/ZnS/Ag纳米棒阵列的制备 |
| CN102345162A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-02-08 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法 |
-
2017
- 2017-05-25 CN CN201710395869.4A patent/CN107799628B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101607689A (zh) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 国家纳米科学中心 | 氧化锌和硫化锌纳米带复合异质结材料和制备方法 |
| CN102060263A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-05-18 | 东华大学 | 一种微通道内ZnO/ZnS/Ag纳米棒阵列的制备 |
| CN102345162A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-02-08 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法 |
Non-Patent Citations (7)
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107799628A (zh) | 2018-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107799628B (zh) | 碳纤维纸上制备ZnO／ZnS异质结阵列可见光电探测器方法 | |
| Ka et al. | An ultra-broadband perovskite-PbS quantum dot sensitized carbon nanotube photodetector | |
| CN102886270B (zh) | SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用 | |
| Soejima et al. | Alkaline vapor oxidation synthesis and electrocatalytic activity toward glucose oxidation of CuO/ZnO composite nanoarrays | |
| Wang et al. | Reversible electron storage in tandem photoelectrochemical cell for light driven unassisted overall water splitting | |
| Yang et al. | Constructing CsPbBr x I 3− x nanocrystal/carbon nanotube composites with improved charge transfer and light harvesting for enhanced photoelectrochemical activity | |
| CN103441154B (zh) | 一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法 | |
| CN105731820A (zh) | 一种原位电极二硫化钼的溶剂热制备方法 | |
| CN102013331A (zh) | 一种光电极的制备方法 | |
| CN106391055A (zh) | ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法 | |
| CN105810442A (zh) | 一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法 | |
| Sönmezoğlu et al. | Fast production of ZnO nanorods by arc discharge in de-ionized water and applications in dye-sensitized solar cells | |
| CN105568313B (zh) | 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法 | |
| CN104264211B (zh) | 单晶亚微米级Cu2ZnSnS4颗粒的高温溶剂热制备方法及应用 | |
| CN113644249B (zh) | 一种高分散性硅碳负极锂离子电池电极材料的制备方法及应用 | |
| CN108091732B (zh) | 一种FTO衬底上自组装CuO纳米片的可见光电探测器的制备方法 | |
| Li et al. | High-yield synthesis of single-crystalline zinc oxide nanobelts and their applications in novel Schottky solar cells | |
| Lu et al. | Integration of bacteriorhodopsin with upconversion nanoparticles for NIR-triggered photoelectrical response | |
| CN104843769B (zh) | 用金属离子可控制备硫化铟超薄二维纳米材料的方法及该材料的用途 | |
| CN107732014B (zh) | 一种基于三元无机体型异质结薄膜的太阳电池及其制备方法 | |
| CN108545960A (zh) | 一种Y掺杂ZnO纳米棒阵列制备方法 | |
| Ai et al. | Composition-optimized TiO2/CdSxSe1-x core/shell nanowire arrays for photoelectrochemical hydrogen generation | |
| Ling et al. | Template synthesis and photovoltaic application of CdS nanotube arrays | |
| CN110194780B (zh) | 一种具有光电导效应的有机无机杂化材料晶体及其应用 | |
| CN110357160B (zh) | 一种网络状非晶氧化钼纳米材料及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |