CN105810442A - 一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法 - Google Patents
一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105810442A CN105810442A CN201610149829.7A CN201610149829A CN105810442A CN 105810442 A CN105810442 A CN 105810442A CN 201610149829 A CN201610149829 A CN 201610149829A CN 105810442 A CN105810442 A CN 105810442A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solaode
- tio2
- light anode
- room temperature
- spin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 3
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 2
- 241000416536 Euproctis pseudoconspersa Species 0.000 claims 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- DYAHQFWOVKZOOW-UHFFFAOYSA-N Sarin Chemical compound CC(C)OP(C)(F)=O DYAHQFWOVKZOOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000013742 energy transducer activity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 light anode Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2045—Light-sensitive devices comprising a semiconductor electrode comprising elements of the fourth group of the Periodic System (C, Si, Ge, Sn, Pb) with or without impurities, e.g. doping materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种g‑C3N4增强型太阳能电池的制造方法，该方法首先制备类石墨烯结构的C3N4(g‑C3N4)，后将g‑C3N4旋涂在棒状TiO2光阳极上，之后负载CdS量子点，并与对电极一起组装成量子点敏化太阳能电池。该方法利用了g‑C3N4增强光谱响应范围，同时降低了光生载流子复合的特点，提高了电池的开路电压和短路电流。光电转换增强效果明显，制备方法简单。
Description
技术领域
本发明涉及一种增强型量子点敏化太阳能电池制备工艺过程，特别涉及一种类石墨烯结构的C3N4增强型太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能是解决人类面临的环境问题和能源问题的理想新能源，目前人类已经开发出了多种太阳能电池结构。其中量子点敏化太阳能电池是以染料敏化太阳能电池为基础而构造的，包括透明导电玻璃，光阳极，光敏剂，电解质，对电极5个部分。作为新一代太阳能电池，量子敏化太阳能电池具有吸收广、多激子和稳定的优势吸引广泛的关注。
TiO2是最主要的光阳极材料，自从1991年首次使用在染料敏化太阳能电池之后，多种不同结构的TiO2被开发和应用在光阳极材料中。其中，以单晶棒状结构的TiO2光阳极结构性能最为突出，同时具有较好的载流子分离、传输的性质以及高的光子捕获能力。量子点材料主要为无极半导体，例如：CdS，CdSe，CdTe，PbS以及Bi2S3等。CdS是一种宽带隙半导体材料，室温下它的禁带宽度为2.42eV，具有优良的光电性能，而且CdS的光吸收系数高，非常适合作薄膜太阳能电池的吸收层。此外CdS的导带边与TiO2相比更高，有利于CdS被光照激发的电子注入。因此被广泛应用于量子点敏化太阳能电池的开发过程中。
但是，目前量子点敏化太阳能电池的转换效率还很低，面临电子、空穴对复合、光生电子传输的问题需要解决。在光阳极材料上引入一个阻挡层可有效的抑制电子与电解液的复合，如果此材料同时兼有合适的带隙能级，可进一步优化光生载流子的传输通道，大大提高电池转换效率。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提出一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法。
本发明包括以下步骤：
1)、单晶棒状TiO2光阳极在透明导电玻璃(FTO)上的制备：
在透明导电玻璃(FTO)上沉积单晶棒状TiO2，控制TiO2纳米棒的长度、直径及密度；
2)、类石墨烯结构C3N4(g-C3N4)的制备：
用煅烧法制备类石墨烯结构的C3N4，调整g-C3N4分子结构大小以及微观片层结构厚度。
3)、g-C3N4片层结构旋涂在TiO2光阳极上：
将g-C3N4片层结构混合搅拌制备淡黄色的糊状浆料，之后旋涂在TiO2光阳极上，在450℃，保温半个小时，自然冷却至室温，取出备用。
4)、对电极制备：
制备CdS对电极材料，组装成量子点敏化太阳能电池。
本发明的有益效果是：
本发明在量子点敏化太阳能电池的光阳极上引入类石墨烯结构的C3N4，一方面g-C3N4可以作为阻挡层减少光生载流子的复合，另一方面通过调整g-C3N4的带隙能级，优化载流子的传输路径，提高量子点敏化太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为光阳极结构示意图。
具体实施方式
本发明包括以下步骤
1)、单晶棒状TiO2光阳极在透明导电玻璃(FTO)上的制备：
取15ml的浓盐酸，15ml的去离子水，0.5-0.7ml钛酸四丁酯，放在烧杯中混合均匀，然后和清洗干净的FTO玻璃倾斜放到聚四氟乙烯内衬反应釜中，在反应釜温度为150°的烘箱中加热反应12小时待反应釜空气中自然冷却后，将导电玻璃取出，用去离子水清洗，在导电玻璃的表面生成一层白色的薄膜，然后将样品在空气中经450°退火半小时，缓慢冷却后得到了金红石相二氧化钛纳米棒阵列。
2)、类石墨烯结构C3N4(g-C3N4)的制备：
三聚氰胺和尿素以质量比4：3的比例混合，放入研钵中，充分研磨得到白色的均匀混合物，将混合物移入坩埚中，加盖然后转移到马弗炉中煅烧，经x时间加热到550℃，其中x＝(550-室温)/10，在550℃条件下保温两小时，自然冷却至室温，得到淡黄色的团块固体，用研钵充分研磨得到粉末，得到g-C3N4。
3)、g-C3N4片层结构旋涂在TiO2光阳极上：
0.1g乙基纤维素，0.1gg-C3N4片层结构粉末，0.81125g松油醇，2.125ml无水乙醇加入25ml小烧杯中，搅拌和超声交替进行24小时，得到淡黄色的糊状浆料，使用匀胶机以4000r/min的转速将g-C3N4片层结构旋涂在TiO2光阳极上，60℃烘箱中保温二十分钟，然后转移到马弗炉中，以5℃/min的升温速度升至450℃，保温半个小时，自然冷却至室温，取出备用。如图1所示，为光阳极结构示意图。
4)、对电极制备：
1M的硫酸铜水溶液和1M的硫代硫酸钠水溶液以体积比为1:4的比例混合；用醋酸调节PH到2；洗净的FTO导电玻璃导电面向上，在70℃下浸泡3小时；用去离子水清洗，在空气中干燥；130℃空气中加热30分钟，取出，自然冷却至室温。
5)、配制多硫电解液
1、甲醇与去离子水按体积比7:3配制10mL混合溶液；
2、称取2.4g硫化钠药品,加入上面混合液中，配置1M的硫化钠溶液，超声至硫化钠完全溶解，得到均匀混合溶液；
3、称取0.32g升华硫，加入上述混合溶液，使硫的浓度为1M；超声1小时左右直至升华硫完全溶解，室温下密封保存待用。
6)、电池封装
用面积为7mm×7mm和厚度60μm的沙林膜作为隔开层，将阳极膜和CuS对电极隔开。用铁夹将两者固定紧并在电极间隙注入电解液，从而完成了电池组装。
Claims (3)
1.一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤：
1)、单晶棒状TiO2光阳极在透明导电玻璃上的制备：
取15ml的浓盐酸，15ml的去离子水，0.5-0.7ml的钛酸四丁酯，放在烧杯中混合均匀，然后和清洗干净的透明导电玻璃倾斜放到的聚四氟乙烯内衬反应釜中，在反应釜温度为150°的烘箱中加热反应12小时待反应釜空气中自然冷却后，将导电玻璃取出，用去离子水清洗，在导电玻璃的表面生成一层白色的薄膜，然后将样品在空气中经450°退火半小时，缓慢冷却后得到了金红石相二氧化钛纳米棒阵列；
2)、类石墨烯结构C3N4的制备：
三聚氰胺和尿素以质量比4:3的比例混合放入研钵中，充分研磨得到白色的均匀混合物，将混合物移入坩埚中，加盖然后转移到马弗炉中煅烧，经x时间加热到550℃，其中x＝(550-室温)/10，在550℃条件下保温两小时，自然冷却至室温，得到淡黄色的团块固体，用研钵充分研磨得到粉末，得到g-C3N4；
3)、g-C3N4片层结构旋涂在TiO2光阳极上：
0.1g乙基纤维素，0.1gg-C3N4片层结构粉末，0.81125g松油醇，2.125ml无水乙醇加入25ml小烧杯中，搅拌和超声交替进行24小时，得到淡黄色的糊状浆料，使用匀胶机以4000r/min的转速将g-C3N4片层结构旋涂在TiO2光阳极上，60℃烘箱中保温二十分钟，然后转移到马弗炉中，以5℃/min的升温速度升至450℃，保温半个小时，自然冷却至室温，取出备用；
4)、对电极制备：
1M的硫酸铜水溶液和1M的硫代硫酸钠水溶液以体积比为1:4的比例混合；用醋酸调节PH到2；洗净的FTO导电玻璃导电面向上，在70℃下浸泡3小时；用去离子水清洗，在空气中干燥；130℃空气中加热30分钟，取出，自然冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法，其特征在于：电池转换效率增强的材料是C3N4。
3.根据权利要求1所述的一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述的步骤2)中，g-C3N4是旋涂在棒状TiO2结构上的，作为量子点敏化太阳能电池的光阳极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610149829.7A CN105810442B (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种g‑C3N4增强型太阳能电池的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610149829.7A CN105810442B (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种g‑C3N4增强型太阳能电池的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105810442A true CN105810442A (zh) | 2016-07-27 |
| CN105810442B CN105810442B (zh) | 2018-02-27 |
Family
ID=56468523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610149829.7A Expired - Fee Related CN105810442B (zh) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 一种g‑C3N4增强型太阳能电池的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105810442B (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106350830A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-01-25 | 北京科技大学 | 一种TiO2/C3N4/CQDs复合光阳极及其制备方法 |
| CN106521547A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-03-22 | 江苏大学 | 一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法及用途 |
| CN106672924A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-05-17 | 河南科技大学 | 用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法 |
| CN106848494A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-13 | 陕西师范大学 | 一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法 |
| CN107675200A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-02-09 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种改性g‑C3N4量子点/TiO2纳米线光阳极及其应用 |
| CN107758734A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-06 | 福州大学 | 一种分等级结构二氧化钛空心微米球的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用 |
| CN107887511A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-06 | 苏州大学 | 一种基于二维材料石墨烯相氮化碳制备钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN108630442A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-09 | 长春工业大学 | 一种c3n4增强型超级电容器的制备方法 |
| CN109560169A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-04-02 | 辽宁大学 | 一种高性能光阳极材料TiO2/g-C3N4光电极薄膜的制备方法 |
| CN110656350A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-07 | 苏州大学 | 铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法 |
| CN114199956A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-03-18 | 东莞理工学院 | 用于免疫反应检测人体前列腺特异型抗原的光电传感器 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100319759A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | John Fisher | Nanostructure and methods of making the same |
| US20120326128A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene-layered structure, method of preparing the same, and transparent electrode and transistor including graphene-layered structure |
| CN103657699A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-26 | 上海师范大学 | 一种g-C3N4量子点修饰的氧化钛纳米管催化剂及其制备方法和应用 |
| CN103745836A (zh) * | 2013-12-29 | 2014-04-23 | 渤海大学 | g-C3N4/碳量子点复合电极的制备方法 |
| CN104167298A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-11-26 | 复旦大学 | 一类石墨烯-蛋白质衍生碳超级电容器材料及其制备方法 |
| CN104588061A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-05-06 | 华中科技大学 | 基于g-氮化碳复合的二氧化钛光触媒活性炭的制备方法 |
| CN104772157A (zh) * | 2015-01-13 | 2015-07-15 | 华东理工大学 | 一种g-C3N4表面生长TiO2纳米晶的方法与应用 |
| CN105336498A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-02-17 | 江南大学 | 一种新型稳定的g-C3N4/NiO光电阴极的制备方法 |
-
2016
- 2016-03-16 CN CN201610149829.7A patent/CN105810442B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100319759A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | John Fisher | Nanostructure and methods of making the same |
| US20120326128A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene-layered structure, method of preparing the same, and transparent electrode and transistor including graphene-layered structure |
| CN103657699A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-26 | 上海师范大学 | 一种g-C3N4量子点修饰的氧化钛纳米管催化剂及其制备方法和应用 |
| CN103745836A (zh) * | 2013-12-29 | 2014-04-23 | 渤海大学 | g-C3N4/碳量子点复合电极的制备方法 |
| CN104167298A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-11-26 | 复旦大学 | 一类石墨烯-蛋白质衍生碳超级电容器材料及其制备方法 |
| CN104588061A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-05-06 | 华中科技大学 | 基于g-氮化碳复合的二氧化钛光触媒活性炭的制备方法 |
| CN104772157A (zh) * | 2015-01-13 | 2015-07-15 | 华东理工大学 | 一种g-C3N4表面生长TiO2纳米晶的方法与应用 |
| CN105336498A (zh) * | 2015-10-21 | 2016-02-17 | 江南大学 | 一种新型稳定的g-C3N4/NiO光电阴极的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JIAN XU ETC.: "g-C3N4 modified TiO2 nanosheets with enhanced photoelectric conversion efficiency in dye-sensitized solar cells", 《JOURNAL OF POWER SOURCES》 * |
| 刘红艳等: "g-C3N4的制备及可见光催化性能研究", 《功能材料》 * |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106350830A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-01-25 | 北京科技大学 | 一种TiO2/C3N4/CQDs复合光阳极及其制备方法 |
| CN106350830B (zh) * | 2016-09-13 | 2018-06-12 | 北京科技大学 | 一种TiO2/C3N4/CQDs复合光阳极及其制备方法 |
| CN106521547A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-03-22 | 江苏大学 | 一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法及用途 |
| CN106521547B (zh) * | 2016-10-19 | 2019-08-02 | 江苏大学 | 一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法及用途 |
| CN106672924B (zh) * | 2017-01-25 | 2019-02-22 | 河南科技大学 | 用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法 |
| CN106672924A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-05-17 | 河南科技大学 | 用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法 |
| CN106848494A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-13 | 陕西师范大学 | 一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法 |
| CN106848494B (zh) * | 2017-02-21 | 2019-06-28 | 陕西师范大学 | 一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法 |
| CN107675200A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-02-09 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种改性g‑C3N4量子点/TiO2纳米线光阳极及其应用 |
| CN107675200B (zh) * | 2017-08-23 | 2019-01-25 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种改性g-C3N4量子点/TiO2纳米线光阳极及其应用 |
| CN107758734B (zh) * | 2017-10-26 | 2019-07-09 | 福州大学 | 一种分等级结构二氧化钛空心微米球的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用 |
| CN107758734A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-06 | 福州大学 | 一种分等级结构二氧化钛空心微米球的制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用 |
| CN107887511A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-06 | 苏州大学 | 一种基于二维材料石墨烯相氮化碳制备钙钛矿太阳能电池的方法 |
| CN108630442A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-09 | 长春工业大学 | 一种c3n4增强型超级电容器的制备方法 |
| CN108630442B (zh) * | 2018-04-28 | 2019-09-24 | 长春工业大学 | 一种c3n4增强型超级电容器的制备方法 |
| CN109560169A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-04-02 | 辽宁大学 | 一种高性能光阳极材料TiO2/g-C3N4光电极薄膜的制备方法 |
| CN110656350A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-07 | 苏州大学 | 铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法 |
| CN110656350B (zh) * | 2019-11-13 | 2021-11-19 | 苏州大学 | 铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法 |
| CN114199956A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-03-18 | 东莞理工学院 | 用于免疫反应检测人体前列腺特异型抗原的光电传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105810442B (zh) | 2018-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105810442A (zh) | 一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法 | |
| Luo et al. | Highly efficient core–shell CuInS 2–Mn doped CdS quantum dot sensitized solar cells | |
| CN104332560B (zh) | 一种氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料的制备方法 | |
| CN110350089B (zh) | Bi2O2S修饰SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
| Deng et al. | Highly bright Li (Gd, Y) F4: Yb, Er upconverting nanocrystals incorporated hole transport layer for efficient perovskite solar cells | |
| CN105244445B (zh) | 一种杂化异质结太阳能电池的制备方法 | |
| CN101901693A (zh) | 石墨烯复合染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法 | |
| CN106299139B (zh) | 一种离子掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制造方法 | |
| CN105428537A (zh) | 基于二氧化钛/钙钛矿新型复合纳米结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
| CN106128772B (zh) | 一种硫化铅量子点光伏电池的制备方法 | |
| CN109065727A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN104810159B (zh) | 一种锡掺杂磷化铟量子点敏化太阳能电池的制备方法 | |
| CN108172401A (zh) | 染料敏化电池用复合对电极及其制备方法和应用 | |
| CN102222572A (zh) | 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 | |
| CN104465810B (zh) | 具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN107093670B (zh) | 一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池 | |
| CN108899421A (zh) | 基于聚苯胺和氧化锌光活化层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
| CN106299141A (zh) | 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法 | |
| CN108922971A (zh) | 一种快速提升基于有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池性能的工艺 | |
| CN102254702A (zh) | 一种复合光阳极材料及在染料敏化电池制备中的应用 | |
| Zhao et al. | Three-dimensional ZnO/ZnxCd1− xS/CdS nanostructures modified by microwave hydrothermal reaction-deposited CdSe quantum dots for chemical solar cells | |
| CN107633951A (zh) | 一种利用四氯化钛水解制备同质阻挡层/骨架结构的方法及其应用 | |
| CN103366961A (zh) | 一种掺杂的二氧化钛及其制备方法、染料敏化太阳能电池 | |
| CN108597879B (zh) | 一种TiO2纳米线/NiO纳米片/卟啉复合材料的制备方法 | |
| CN106847951B (zh) | 一种碳量子点负载硫氰酸亚铜光电薄膜及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180227 Termination date: 20190316 |