CN107799269B - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在具备由三个线圈构成的共模滤波器的电子部件中，能够调整线圈之间的差动阻抗的电子部件。电子部件具备：主体，包括在层叠方向上层叠的多个绝缘体层；1次线圈，配置于主体内，包括1个以上的1次线圈导体层；2次线圈，配置于主体内，包括1个以上的2次线圈导体层；以及3次线圈，配置于主体内，包括1个以上的3次线圈导体层。多个绝缘体层包括：第一绝缘体层，包括由1次线圈导体层与2次线圈导体层所夹持的部分；第二绝缘体层，包括由2次线圈导体层与3次线圈导体层所夹持的部分；以及第三绝缘体层，包括由3次线圈导体层与1次线圈导体层所夹持的部分，存在第一绝缘体层、第二绝缘体层以及第三绝缘体层中的、与其他绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及具备共模滤波器的电子部件。

背景技术

作为与现有的共模滤波器相关的发明，例如已知有专利文献1所记载的共模扼流线圈。图12是专利文献1所记载的共模扼流线圈510的截面构造图。

共模扼流线圈510具备主体512和线圈514、516、518。线圈514、516、518在从图12的纸面上侧观察时，呈边顺时针地卷绕边从外周侧朝向内周侧的漩涡状，并且相互重叠。另外，线圈518通过线圈514和线圈516被从上下两侧夹持。在这样的共模扼流线圈510中，向线圈514、516传送高频信号，将线圈518与接地电位连接。

专利文献1：日本专利4209851号公报。

然而，本申请发明者探讨了在以专利文献1所记载的共模扼流线圈510为一个例子的具备三个线圈的电子部件中，例如，分别向线圈514、516、518传送高频信号，并从高频信号中去除共模噪声的情况以及此时的课题。

首先，在共模扼流线圈510中，如将在以下说明那样，在线圈514、516、518之间的差动阻抗中产生差异。如图12所示，线圈514与线圈518接近地对置，线圈516与线圈518接近地对置，而由于线圈514与线圈516之间存在线圈518，线圈514与线圈516分离较远。因此，在线圈514与线圈516之间产生的电容小于在线圈514与线圈518之间产生的电容以及在线圈516与线圈518之间产生的电容。其结果是，线圈514与线圈516之间的差动阻抗大于线圈514与线圈518之间的差动阻抗以及线圈516与线圈518之间的差动阻抗。

因此，为了改进共模扼流线圈510的结构，使传送的高频信号的波形不发生紊乱，进行了如下研究：使线圈514-线圈516之间的电容接近线圈514-线圈518之间的电容以及线圈516-线圈518之间的电容。但是，本申请发明者如将在以下说明那样，想到了并不是只要使这些电容单纯地一致即可。

在上述的情况下，将共模扼流线圈510安装于将在以下说明的电路基板。图13是安装有共模扼流线圈510的电路基板600的俯视图。图14是安装有共模扼流线圈510的电路基板600的X-X截面构造图。电路基板600具备基板主体602、信号线604、606、608以及接地导体层610。基板主体602是板状的绝缘基板。信号线604、606、608设置于基板主体602的上侧主面，是彼此平行地延伸的线状的导体层。接地导体层610设置于基板主体602的下侧主面，与信号线604、606、608重叠。由此，信号线604、606、608以及接地导体层610构成微带线构造。

若在如上所述的电路基板600安装共模扼流线圈510，则从其外部电极(端子电极)的位置开始，连接信号线604与线圈514，连接信号线606与线圈518，连接信号线608与线圈516。在该情况下，若未将线圈514、516、518之间的三个差动阻抗、与信号线604、606、608之间的三个差动阻抗整合为上述连接关系，则导致在电路基板600与共模扼流线圈510之间产生高频信号的反射。

这里，在电路基板600中，如将在以下说明那样，在信号线604、606、608之间的差动阻抗中产生差异。如图13及图14所示，信号线604与信号线606相邻，信号线606与信号线608相邻。另一方面，在信号线604与信号线608之间存在信号线606，因此信号线604与信号线608分离较远。因此，在信号线604与信号线608之间产生的电容小于在信号线604与信号线606之间产生的电容以及在信号线606与信号线608之间产生的电容。因此，信号线604与信号线608之间的差动阻抗大于信号线604与信号线606之间的差动阻抗以及信号线606与信号线608之间的差动阻抗。

发明内容

因此，在改进共模扼流线圈510时，优选不仅考虑线圈之间的差动阻抗的相互的差异，还考虑与在如上述那样的电路基板的信号线之间所产生的差动阻抗的差异的整合，并在此基础之上设置线圈之间的差动阻抗。根据该点，本申请发明者想到了能够调整线圈之间的差动阻抗的差异的电子部件。

因此，本公开的课题在于提供一种在具备由三个线圈构成的共模滤波器的电子部件中，能够调整线圈之间的差动阻抗的差异的电子部件。

为了解决上述课题，本公开的一个实施方式所涉及的电子部件具备：

主体，其包括在层叠方向上层叠的多个绝缘体层；1次线圈，其配置于上述主体内，且包括1个以上的1次线圈导体层；2次线圈，其配置于上述主体内，且包括1个以上的2次线圈导体层；以及3次线圈，其配置于上述主体内，且包括1个以上的3次线圈导体层，

上述多个绝缘体层包括：第一绝缘体层，其包括由上述1次线圈导体层与上述2次线圈导体层所夹持的部分；第二绝缘体层，其包括由上述2次线圈导体层与上述3次线圈导体层所夹持的部分；以及第三绝缘体层，其包括由上述3次线圈导体层与上述1次线圈导体层所夹持的部分，

上述第一绝缘体层、上述第二绝缘体层以及上述第三绝缘体层中存在与其他绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。

根据上述的电子部件，能够使在对置的线圈导体层之间所产生的寄生电容发生变化。因此，能够调整线圈之间的差动阻抗的差异。

另外，在一个实施方式的电子部件中，还具备：

第一外部电极，其与上述1次线圈的一端电连接；第二外部电极，其与上述2次线圈的一端电连接；以及第三外部电极，其与上述3次线圈的一端电连接，上述第一外部电极、上述第二外部电极以及上述第三外部电极在上述主体的一面，沿与上述层叠方向正交的规定方向依次排列，上述第三绝缘体层的介电常数与上述第一绝缘体层的介电常数以及上述第二绝缘体层的介电常数不同。

根据上述的电子部件，能够针对在电路基板中在与其他信号线之间的差动阻抗不同的信号线之间所对应的1次线圈与3次线圈之间，调整差动阻抗。

另外，在一个实施方式的电子部件中，还具备：

第四外部电极，其与上述1次线圈的另一端电连接；第五外部电极，其与上述2次线圈的另一端电连接；以及第六外部电极，其与上述3次线圈的另一端电连接，上述第四外部电极、上述第五外部电极以及上述第六外部电极在上述主体的一面，沿上述规定方向依次排列，上述1次线圈的从上述第一外部电极朝向上述第四外部电极的卷绕方向、上述2次线圈的从上述第二外部电极朝向上述第五外部电极的卷绕方向以及上述3次线圈的从上述第三外部电极朝向上述第六外部电极的卷绕方向全部相同。

根据上述的电子部件，例如在以第一～第三外部电极为输入端子，以第四～第六外部电极为输出端子来传送高频信号时，1次～3次线圈正磁耦合，因此能够将电子部件作为共模滤波器来发挥功能。此外，这与在以第一～第三外部电极为输出端子，以第四～六外部电极为输入端子的情况相同。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

上述1个以上的1次线圈导体层包括自然数n个串联1次线圈导体层以及一个并联1次线圈导体层，上述1个以上的2次线圈导体层包括n个2次线圈导体层，上述1个以上的3次线圈导体层包括n个3次线圈导体层，上述并联1次线圈导体层相对于上述n个串联1次线圈导体层中的规定的串联1次线圈导体层以并联的方式电连接，上述第三绝缘体层包括第四绝缘体层，该第四绝缘体层包括由上述3次线圈导体层与上述并联1次线圈导体层所夹持的部分。

根据上述的电子部件，能够抑制对1次线圈的电特性带来的影响，并使1次线圈与3次线圈之间的差动阻抗接近1次线圈与2次线圈之间的差动阻抗以及2次线圈与3次线圈之间的差动阻抗。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

上述串联1次线圈导体层、上述2次线圈导体层以及上述3次线圈导体层逐个从上述层叠方向的一侧向另一侧依次排列而成的线圈导体层群配置为从上述层叠方向的一侧向另一侧排列n个，上述并联1次线圈导体层相对于设置于上述层叠方向的最靠另一侧的规定的上述3次线圈导体层，设置于该层叠方向的另一侧。

根据上述的电子部件，1次线圈与2次线圈之间的对置部分、2次线圈与3次线圈之间的对置部分、以及3次线圈与1次线圈之间的对置部分依次均衡地出现，因此能够容易地调整各线圈之间的差动阻抗的差异。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

上述并联1次线圈导体层与上述规定的3次线圈导体层之间的上述层叠方向上的间隔大于在上述n个线圈导体层群中在上述层叠方向上相邻的线圈导体层之间的间隔。

根据上述的电子部件，能够使在3次线圈导体层与并联1次线圈导体层之间所产生的电容小于在串联1次线圈导体层与2次线圈导体层之间所产生的电容以及在2次线圈导体层以及3次线圈导体层之间所产生的电容，从而能够调整线圈之间的差动阻抗的差异。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

在上述n个线圈导体层群中，在上述层叠方向上相邻的线圈导体层之间的间隔是均等的。

根据上述的电子部件，能够实现n个线圈导体层群中的层叠条件的均等化，从而能够提高电子部件的可靠性，并实现制造工序的合理化。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

在从上述层叠方向观察时，上述并联1次线圈导体层与上述规定的串联1次线圈导体层为相同的形状。

根据上述的电子部件，在以并联的方式电连接的规定的串联1次线圈导体层与并联1次线圈导体层之间，电流路径的长度相等，因此能够减小对1次线圈的电特性带来的影响。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

上述1次线圈、上述2次线圈以及上述3次线圈具有彼此相同的电流路径的长度，若将除了上述规定的串联1次线圈导体层之外的(n-1)个上述串联1次线圈导体层设为其他串联1次线圈导体层，则上述其他串联1次线圈导体层的截面积全部相同，上述规定的串联1次线圈导体层的截面积与上述并联1次线圈导体层的截面积的总和，与上述其他串联1次线圈导体层的截面积相同。

根据上述的电子部件，能够使规定的串联1次线圈导体层以及并联1次线圈导体层的合成电阻接近其他1次线圈导体层的电阻。

另外，在一个实施方式的电子部件中，上述规定的串联1次线圈导体层的截面积与上述并联1次线圈导体层的截面积相同。

根据上述的电子部件，能够使规定的串联1次线圈导体层与并联1次线圈导体层的电阻接近。另外，由于能够将规定的串联1次线圈导体层以及并联1次线圈导体层的层叠条件设为相同，因此能够实现减少因厚度的差异所引起的应力集中、提高可靠性、以及工序合理化。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

上述n个2次线圈导体层以及上述n个3次线圈导体层的截面积全部相同，上述规定的串联1次线圈导体层的截面积与上述并联1次线圈导体层的截面积的总和，与上述2次线圈导体层的截面积和上述3次线圈导体层的截面积相同。

根据上述的电子部件，能够使规定的串联1次线圈导体层的电阻值与并联1次线圈导体层的电阻值的合成电阻接近2次线圈导体层和3次线圈导体层的电阻。另外，由于能够将2次线圈导体层以及3次线圈导体层的层叠条件设为相同，因此能够实现减少因厚度的差异所引起的应力集中、提高可靠性、以及工序合理化。

另外，在一个实施方式的电子部件中，

构成上述1次线圈的导体的体积、构成上述2次线圈的导体的体积、以及构成上述3次线圈的导体的体积彼此相同。

根据上述的电子部件，能够使1次线圈、2次线圈以及3次线圈的电特性接近。

根据作为本公开的一个实施方式的电子部件，在具备由三个线圈构成的共模滤波器的电子部件中，能够调整线圈之间的差动阻抗的差异。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式的电子部件10的外观的立体图。

图2是图1的电子部件10的分解立体图。

图3A是沿图1的A-A线切断时的剖视图。

图3B是图3A的示意图。

图4是表示第一模型的模拟结果的图表。

图5是表示第二模型的模拟结果的图表。

图6是表示第三模型的模拟结果的图表。

图7A是表示电子部件10的线圈导体层30a、32a、34a、36的位置关系的示意图。

图7B是表示电子部件10a的线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、36a的位置关系的示意图。

图8A是电子部件10a的层叠体22a的分解立体图。

图8B是电子部件10a的示意剖视图。

图9是表示电子部件10b的线圈导体层30a-1、30a-2、32a、34a、30b、32b-1、32b-2、34b-1、34b-2、36a的位置关系的示意图。

图10是电子部件10c的示意剖视图。

图11是电子部件10d的示意剖视图。

图12是专利文献1所记载的共模扼流线圈510的截面构造图。

图13是安装有共模扼流线圈510的电路基板600的俯视图。

图14是安装有共模扼流线圈510的电路基板600的截面构造图。

附图标记说明：

10、10a～10d…电子部件；12…主体；14a～14f…外部电极；16a～16f…连接部；22…层叠体；26a～26h…绝缘体层；30a～30f、30a-1、30a-2、32a、32b、32b-1、32b-2、34a、34b、34b-1、34b-2…线圈导体层；36…并联线圈导体层；40a、40b、42a、42b、44a、44b、46、46’、60、62、64…引出导体层；50～57、53’～56’…引出部；70a～70f…连接导体；Ga～Gc…线圈导体层群；L1…1次线圈；L2…2次线圈；L3…3次线圈；v1～v3、v11～v13…层间连接导体。

具体实施方式

以下，利用图示的实施方式对本公开的一个实施方式详细地进行说明。

(第一个实施方式)

(电子部件的结构)

图1是表示本公开的一个实施方式的电子部件10的外观的立体图，图2是图1的电子部件10的分解立体图，图3A是沿图1的A-A线切断时的剖视图，图3B是图3A的示意图。以下，将电子部件10的层叠方向定义为上下方向，将在从上下方向观察时，长边延伸的方向定义为前后方向，将短边延伸的方向定义为左右方向。另外，上下方向、前后方向以及左右方向相互正交。另外，为了方便说明，以图3A为基准定义上下左右，将图3A的纸面近前侧设为前侧，将纸面里面侧设为后侧，但不需要这些方向与电子部件10的实际的使用方式中的上下左右前后一致。此外，层叠方向是指层叠后述的绝缘体层的方向。

如图1～图3B所示，电子部件10具备主体12、外部电极14a～14f、连接部16a～16f、引出部50～55、1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3。

主体12如图1及图2所示呈长方体状，并且包括磁性体基板20a、20b、层叠体22以及磁性体层24。磁性体基板20a、磁性体层24、层叠体22以及磁性体基板20b从上侧向下侧依次层叠。

磁性体基板20a、20b是在从上侧观察时呈长方形的板状部件。在磁性体基板20b的四个角分别设置有从上侧观察时中心角为90度的呈扇形的切口。在磁性体基板20b的两条长边的中央分别设置有从上侧观察时呈半圆的切口。六个切口以从磁性体基板20b的上侧主面到达下侧主面的方式，在磁性体基板20b的侧面沿上下方向延伸。

磁性体基板20a、20b例如是烧结铁氧体陶瓷而成的基板。另外，磁性体基板20a、20b可以是使在由树脂等构成的粘合剂中含有铁氧体煅烧粉末、金属粉末等磁性体粉的磁性糊固化而成的基板，也可以通过将磁性糊涂覆在氧化铝等陶瓷基板而制成的基板。

外部电极14a～14f设置于磁性体基板20b的下侧主面上，且呈长方形。更加详细而言，外部电极14a、14b、14c设置于位于磁性体基板20b的下侧主面的各个左后、左中央、左前的角，并且从后侧向前侧依次排列。外部电极14d、14e、14f设置于位于磁性体基板20b的下侧主面的各个右后、右中央、右前的角，并且从后侧向前侧依次排列。外部电极14a～14f通过溅射法将例如以Cu、Ag、Au、Ni、Cu、Ti等为主要成分的材料成膜而制成。此外，外部电极14a～14f可以通过对含有上述材料的糊进行印刷以及烧结来制成，也可以通过蒸镀、电镀法将上述材料成膜来制成。另外，外部电极14a～14f也可以是层叠有多个不同的材料而成的元件。

连接部16a～16f分别设置于磁性体基板20b的六个切口。连接部16a～16f设置于位于磁性体基板20b的各个左后、左中央、左前、右后、右中央、右前的切口，在其下端分别与外部电极14a～14f连接。连接部16a～16f例如通过与外部电极14a～14f相同的材料/方法而制成。外部电极14a～14f与连接部16a～16f可以是单独部件，也可以构成一体化。

层叠体22包括层叠于磁性体基板20b的上侧主面上的绝缘体层26a～26f(多个绝缘体层的一个例子)，并且在从上侧观察时呈长方形。绝缘体层26a～26f以从上侧向下侧依次排列的方式层叠，在其主面具有与磁性体基板20b的上侧主面大致相同的外形。另外，在从上侧观察时，绝缘体层26b～26f的四个角以及两条长边的中央被切开切口。

绝缘体层26a～26f例如使用丙烯酸系树脂、硅系树脂、氟系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、脂环式烯烃系树脂、以及环氧类树脂、苯并环丁烯等绝缘性树脂、玻璃陶瓷、氮化硅、二氧化硅SiO₂(silica)等绝缘性无机材料等来制成。此外，从后述的介电常数的设定的观点来看，也可以不使用上述的材料而使用公知的材料。

磁性体层24设置于层叠体22与磁性体基板20a之间，使层叠体22的上侧主面平坦化，并接合层叠体22与磁性体基板20a。磁性体层24例如由上述的磁性糊制成。

1次线圈L1设置于主体12内，且包括1次线圈导体层30a、36。1次线圈导体层30a、36分别设置于绝缘体层26f、26b的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边顺时地针卷绕边从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，1次线圈导体层30a、36具有约4周的量的长度。1次线圈导体层30a、36的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。此外，1次线圈导体层30a、36为相同的形状，且以并联的方式电连接。因此，在本实施方式中，1次线圈导体层36相当于并联1次线圈导体层，1次线圈导体层30a相当于规定的串联1次线圈导体层。但是，颠倒上述对应关系也成立，也可以是1次线圈导体层36为串联1次线圈导体层，1次线圈导体层30a为并联1次线圈导体层。

引出部50连接1次线圈L1的一端(1次线圈导体层30a、36的外周侧的端部)和外部电极14a。引出部50包括引出导体层40a、46以及连接导体70a。连接导体70a是设置于位于绝缘体层26b～26f的左后的角的三棱柱状的导体。此外，在图2中，为了容易理解，将连接导体70a分割成五个来记述，但连接导体70a可以是被分割的部件，也可以是构成为一体化的部件。后述的连接导体70b～70f也与连接导体70a同样地被分割成五个来记述。连接导体70a从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16a连接。

引出导体层40a、46分别设置于绝缘体层26f、26b的上侧主面上，与1次线圈导体层30a、36的外周侧的端部连接且与连接导体70a连接。引出导体层40a、46在从上侧观察时不呈漩涡状，而分别从1次线圈导体层30a、36的外周侧的端部朝向左侧延伸。1次线圈导体层30a、36与引出导体层40a、46的边界如图2的放大图所示，该边界是引出导体层40a、46从1次线圈导体层30a、36所形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。由此，1次线圈L1的一端(1次线圈导体层30a、36的外周侧的端部)与外部电极14a经由引出部50(引出导体层40a、46以及连接导体70a)以及连接部16a而电连接。

引出部53连接1次线圈L1的另一端(1次线圈导体层30a、36的内周侧的端部)和外部电极14d。引出部53包括层间连接导体v1、引出导体层60以及连接导体70d。连接导体70d是设置于位于绝缘体层26b～26f的右后的角的三棱柱状的导体。连接导体70d从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16d连接。

层间连接导体v1是在上下方向上贯通绝缘体层26b～26f的导体，并且在从上侧观察时，呈沿左右方向延伸的线状。层间连接导体v1在从上侧观察时，设置于绝缘体层26b～26f的后半部分的区域，并且与1次线圈导体层30a、36的内周侧的端部连接。

引出导体层60设置于绝缘体层26c的上侧主面上，并且在从上侧观察时不呈漩涡状。另外，引出导体层60中继1次线圈导体层30a、36的内周侧的端部与外部电极14d之间的连接，具体而言，其与层间连接导体v1连接且与连接导体70d连接。由此，1次线圈L1的另一端(1次线圈导体层30a、36的内周侧的端部)与外部电极14d经由引出部53(层间连接导体v1、引出导体层60以及连接导体70d)以及连接部16d而电连接。因此，1次线圈L1的从外部电极14a朝向外部电极14d的卷绕方向在从上侧观察时为顺时针方向。

2次线圈L2设置于主体12内，且包括2次线圈导体层32a。2次线圈导体层32a设置于绝缘体层26e的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边顺时针地卷绕边从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，2次线圈导体层32a具有约4周的量的长度。2次线圈导体层32a的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。

引出部51连接2次线圈L2的一端(2次线圈导体层32a的外周侧的端部)和外部电极14b。引出部51包括引出导体层42a以及连接导体70b。连接导体70b是设置于位于绝缘体层26b～26f的左侧的长边的中央的四棱柱状的导体。连接导体70b从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16b连接。

引出导体层42a设置于绝缘体层26e的上侧主面上，与2次线圈导体层32a的外周侧的端部连接且与连接导体70b连接。引出导体层42a在从上侧观察时不呈漩涡状，而从2次线圈导体层32a的外周侧的端部朝向左侧延伸。由此，2次线圈L2的一端(2次线圈导体层32a的外周侧的端部)与外部电极14b经由引出部51(引出导体层42a以及连接导体70b)以及连接部16b而电连接。

引出部54连接2次线圈L2的另一端(2次线圈导体层32a的内周侧的端部)和外部电极14e。引出部54包括层间连接导体v2、引出导体层62以及连接导体70e。连接导体70e是设置于位于绝缘体层26b～26f的右侧的长边的中央的四棱柱状的导体。连接导体70e从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16e连接。

层间连接导体v2是在上下方向上贯通绝缘体层26b～26e的导体，在从上侧观察时呈沿左右方向延伸的线状。层间连接导体v2在从上侧观察时设置于绝缘体层26b～26e的中央，并且与2次线圈导体层32a的内周侧的端部连接。

引出导体层62设置于绝缘体层26c的上侧主面上，在从上侧观察时不呈漩涡状。另外，引出导体层62中继2次线圈导体层32a的内周侧的端部与外部电极14e之间的连接，具体而言，引出导体层62与层间连接导体v2连接且与连接导体70e连接。由此，2次线圈L2的另一端(2次线圈导体层32a的内周侧的端部)与外部电极14e经由引出部54(层间连接导体v2、引出导体层62以及连接导体70e)以及连接部16e而电连接。因此，2次线圈L2的从外部电极14b朝向外部电极14e的卷绕方向在从上侧观察时为顺时针方向。

3次线圈L3设置于主体12内，且包括3次线圈导体层34a。3次线圈导体层34a设置于绝缘体层26d的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边顺时针地卷绕边从外周侧朝向内周侧的漩涡状。在本实施方式中，3次线圈导体层34a具有约4周的量的长度。3次线圈导体层34a的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。

这里，线圈导体层30a、32a、34a、36如图2所示，在从层叠方向观察时相互重叠。特别是由1次线圈导体层30a、36围起的区域(1次线圈L1的内磁路)、由2次线圈导体层32a的围起区域(2次线圈L2的内磁路)、以及由3次线圈导体层34a的围起区域(3次线圈L3的内磁路)在从层叠方向观察时重叠。由此，1次线圈L1、2次线圈L2、以及3次线圈L3磁耦合。此外，为了引出部50、53、引出部51、54、以及引出部52、55不干扰，使从层叠方向观察时的1次线圈导体层30a、36的两端的位置、2次线圈导体层32a的两端的位置、以及3次线圈导体层34a的两端的位置不同。具体而言，2次线圈导体层32a的外周侧的端部位于比1次线圈导体层30a、36的外周侧的端部更靠顺时针方向的上游侧。另外，3次线圈导体层34a的外周侧的端部位于比2次线圈导体层32a的外周侧的端部更靠顺时针方向的上游侧。同样地，2次线圈导体层32a的内周侧的端部位于比1次线圈导体层30a、36的内周侧的端部更靠顺时针方向的上游侧。并且，3次线圈导体层34a的内周侧的端部位于比2次线圈导体层32a的内周侧的端部更靠顺时针方向的上游侧。由此，线圈导体层30a、36、32a、34a的长度在实际上相同。此外，为了使1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3磁耦合，只要使在从层叠方向观察时线圈L1～L3的内磁路重叠即可，而不需要线圈导体层30a、线圈导体层32a、以及线圈导体层32a彼此在整个长度上重叠。

引出部52连接3次线圈L3的一端(3次线圈导体层34a的外周侧的端部)和外部电极14c。引出部52包括引出导体层44a以及连接导体70c。连接导体70c是设置于位于绝缘体层26b～26f的左前的角的三棱柱状的导体。连接导体70c从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16c连接。

引出导体层44a设置于绝缘体层26d的上侧主面上，与3次线圈导体层34a的外周侧的端部连接且与连接导体70c连接。引出导体层44a在从上侧观察时不呈漩涡状，而从3次线圈导体层34a的外周侧的端部朝向前侧延伸。由此，3次线圈L3的一端(3次线圈导体层34a的外周侧的端部)与外部电极14c经由引出部52(引出导体层44a以及连接导体70c)以及连接部16c而电连接。

引出部55连接3次线圈L3的另一端(3次线圈导体层34a的内周侧的端部)和外部电极14f。引出部55包括层间连接导体v3、引出导体层64以及连接导体70f。连接导体70f是设置于位于绝缘体层26b～26f的右前的角的三棱柱状的导体。连接导体70f从绝缘体层26b的上侧主面至绝缘体层26f的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16f连接。

层间连接导体v3是在上下方向上贯通绝缘体层26b～26d的导体，在从上侧观察时呈沿左右方向延伸的线状。层间连接导体v3在从上侧观察时设置于绝缘体层26b～26d的前半部分的区域，并与3次线圈导体层34a的内周侧的端部连接。

引出导体层64设置于绝缘体层26c的上侧主面上，在从上侧观察时不呈漩涡状。另外，引出导体层64中继3次线圈导体层34a的内周侧的端部与外部电极14f之间的连接，具体而言，与层间连接导体v3连接且与连接导体70f连接。由此，3次线圈L3的另一端(3次线圈导体层34a的内周侧的端部)与外部电极14f经由引出部55(层间连接导体v3、引出导体层64以及连接导体70f)以及连接部16f而电连接。因此，3次线圈L3的从外部电极14c朝向外部电极14f的卷绕方向在从上侧观察时为顺时针方向。

即，在电子部件10中，1次线圈L1的从外部电极14a(第一外部电极的一个例子)朝向外部电极14d(第四外部电极的一个例子)的卷绕方向、2次线圈L2的从外部电极14b(第二外部电极的一个例子)朝向外部电极14e(第五外部电极的一个例子)的卷绕方向以及3次线圈L3的从外部电极14c(第三外部电极的一个例子)朝向外部电极14f(第六外部电极的一个例子)的卷绕方向全部相同。此外，根据电子部件10的对称性，从各个外部电极14d、14e、14f朝向各个外部电极14a、14b、14c的卷绕方向全部相同。

这里，1次线圈导体层36相对于设置于线圈导体层30a、32a、34a中的最靠上侧的3次线圈导体层34a(规定的3次线圈导体层的一个例子)以及引出导体层60、62、64设置于上侧。

线圈导体层30a、32a、34a、36、引出导体层40a、42a、44a、46、60、62、64以及连接导体70a～70f例如通过与外部电极14a～14f相同的材料/方法制成。此外，线圈导体层30a、32a、34a、36与引出导体层40a、42a、44a、46、60、62、64可以构成为一体化，可以是同时形成的导体层，也可以是分别形成的不同的导体层。

如上所述，在1次线圈L1中，1次线圈导体层30a、36为相同的形状且彼此并联地连接。另外，线圈导体层30a、32a、34a、36的各长度彼此在实际上相同。因此，1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3具有彼此在实际上相同的电流路径的长度。电流路径的长度在实际上相同是指如上所述通过将引出部50～55配置为彼此不干扰，而对于在线圈导体层30a、32a、34a、36的长度中产生的差而言并不是实际的差的意思。

接下来，如图3A所示，电子部件10是具备主体12的电子部件，该主体12包括在上下方向(层叠方向)上层叠的多个绝缘体层26a～26f。详细而言，在电子部件10中，多个绝缘体层26a～26f包括以下三种绝缘体层：绝缘体层26e(第一绝缘体层的一个例子)，其包括由1次线圈导体层30a与2次线圈导体层32a夹持的部分；绝缘体层26d(第二绝缘体层的一个例子)，其包括由2次线圈导体层32a与3次线圈导体层34a夹持的部分；以及绝缘体层26b、26c(第三绝缘体层的一个例子)，其包括由3次线圈导体层34a与1次线圈导体层36夹持的部分。

在电子部件10中，上述的三种绝缘体层26b、26c、绝缘体层26d、以及绝缘体层26e中存在与其他两种绝缘体层介电常数不同的绝缘体层。

另外，在电子部件10中，1次线圈导体层30a的截面积与1次线圈导体层36的截面积的总和、与2次线圈导体层32a的截面积、3次线圈导体层34a的截面积实际上相同。更加详细而言，如图3B所示，线圈导体层30a、32a、34a、36的线宽为w1且相互在实际上相同。但是，线圈导体层32a、34a的厚度为d1，线圈导体层30a、36的厚度为d2。d2是d1的一半。因此，线圈导体层30a、36的截面积彼此在实际上相同，为线圈导体层32a、34a的截面积的一半。即，1次线圈导体层30a、36的截面积的总和与2次线圈导体层32a的截面积、3次线圈导体层34a的截面积在实际上相同。此时，1次线圈导体层30a、36的电阻值是线圈导体层32a、34a的电阻值的2倍。因此，1次线圈导体层30a与1次线圈导体层36以并联的方式电连接。由此，在1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3的各电流路径中，1次线圈L1的截面积、2次线圈L2的截面积、以及3次线圈L3的截面积在实际相同。因此，1次线圈L1的电阻值、2次线圈L2的电阻值、以及3次线圈L3的电阻值彼此在实际上相同。

上述说明中的线圈导体层的截面积是指与线圈导体层的延伸方向正交的截面中的截面积的意思。另外，线圈导体层的厚度是指线圈导体层的上下方向上的厚度。另外，线圈导体层的线宽是指在与线圈导体层的延伸方向正交的截面中，与线圈导体层的上下方向正交的方向上的宽度。

另外，在上下方向上相邻的两个1次线圈导体层30a与2次线圈导体层32a的间隔、在上下方向上相邻的两个2次线圈导体层32a与3次线圈导体层34a的间隔都为D1，且彼此实际上相同。即，若将线圈导体层30a、32a、34a设为一个线圈导体层群，则在该线圈导体层群中在上下方向上相邻导体层彼此的间隔实际上是均等的。但是，3次线圈导体层34a与1次线圈导体层36之间的间隔为D2，大于D1。这是由于引出导体层60、62、64在上下方向上设置于1次线圈导体层36与3次线圈导体层34a之间。如上所述，在电子部件10中，在线圈导体层30a、32a、34a、线圈导体层36中在上下方向上相邻的线圈导体层彼此的间隔是不均等的。此外，线圈导体层的间隔是指两个线圈导体层的彼此对置的面之间的距离。另外，间隔不均等并不限定于所有的间隔都不同的情况，只要至少一个间隔与剩余的间隔不同即可。并且，剩余的间隔可以全部相同。

以下对如上所述构成的电子部件10的动作进行说明。以下为了说明方便，假设将外部电极14a～14c用作输入端子，假设将外部电极14d～14f用作输出端子，但颠倒其关系亦可。这里，1次线圈L1的从外部电极14a朝向第四外部电极14d的卷绕方向、2次线圈L2的从外部电极14b朝向外部电极14e的卷绕方向以及3次线圈L3的从外部电极14c朝向外部电极14f的卷绕方向在从上侧观察时都是顺时针方向，且全部相同。因此，在从输入端子(外部电极14a～14c)朝向输出端子(外部电极14d～14f)流过电流的情况下在线圈L1～L3产生的磁通量为相同方向(例如，在流过具有正值的电流的情况下，在线圈L1～L3的内径从上侧朝向下侧产生磁通量)。

分别向外部电极14a、14b、14c输入第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3。假设可以考虑如下那样的第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3。第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3分别取高(H)、中(M)、低(L)的相互不同的任意的3个值的电压值，并且在相同的时钟下在H、M、L的3个值之间迁移。另外，在某个信号取H的值的时刻，剩余两个信号中的一个取M的值、另一个取L的值。即，第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3排他地在H、M、L的3个值之间迁移。此时，第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3的电压值的总和几乎始终是恒定(H+M+L)的，且由迁移带来的电压的“总”变化量几乎为0。因此，在1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3中产生的电流的“总”变化量也几乎为0，并且在电子部件10中产生的磁通量的变化量几乎为“0”(虽然在1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3单独的情况下产生磁通量发生变化，但这些变化相互抵消)。这样，在大致没有磁通量的变化的情况下，由于实际上在电子部件10中未产生阻抗，因此电子部件10不对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3带来影响。

另一方面，根据上述的线圈L1～L3的卷绕方向的关系，相对于共模噪声、即第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3所包含的同相的噪声，1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3分别产生的磁通量变化是同方向的，且这些磁通量变化不相互抵消而加强。因此，电子部件10对于共模噪声具有较大的阻抗，从而能够减少共模噪声。如上所述，电子部件10不对第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3带来影响，且能够减少共模噪声，1次线圈L1、2次线圈L2以及3次线圈L3相对于第一信号S1、第二信号S2以及第三信号S3构成共模滤波器。

(电子部件的制造方法)

以下，参照附图对电子部件10的制造方法的一个例子进行说明。以下，以制造一个电子部件10的情况为例进行说明，但实际上，通过层叠大片的母磁性体基板以及母绝缘体层来制成母主体，切割母主体来同时形成多个电子部件10。

首先，对磁性体基板20b的上侧主面上的整个面涂覆作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂。接下来，对与绝缘体层26f的四个角以及两个长边的中央对应的位置进行遮光、曝光。由此，未被遮光的部分的聚酰亚胺树脂固化。然后，通过有机溶剂去除光刻胶，进行显影，然后去除未固化的聚酰亚胺树脂，进行热固化。由此形成绝缘体层26f。

接下来，通过溅射法在从绝缘体层26f以及绝缘体层26f露出的磁性体基板20b上成膜Ag膜。接下来，在形成有1次线圈导体层30a、引出导体层40a、连接导体70a～70f以及层间连接导体v1的部分上形成光刻胶。然后，通过蚀刻方法，去除除了形成有1次线圈导体层30a、引出导体层40a、连接导体70a～70f以及层间连接导体v1的部分(即，由光刻胶覆盖的部分)之外的Ag膜。然后，通过借助有机溶剂去除光刻胶，形成1次线圈导体层30a、引出导体层40a、连接导体70a～70f的一部分(1层的量)以及层间连接导体v1。

通过反复与以上的工序相同的工序来形成绝缘体层26a～26e以及线圈导体层32a、34a、36、引出导体层42a、44a、46、60、62、64、连接导体70a～70f的剩余的部分以及层间连接导体v2、v3。

接下来，在层叠体22上涂覆成为磁性体层24的磁性体糊，并将磁性体基板20a压焊于磁性体层24上。

接下来，通过喷砂方法，在磁性体基板20b形成六个切口。此外，切口除了喷砂方法之外，可以通过激光加工法来形成，也可以通过喷砂方法以及激光加方法的组合来形成。

最后，通过电解电镀法以及光刻法的组合，在磁性体基板20b的切口的内周面形成导体层，从而形成连接部16a～16f以及外部电极14a～14f。

(效果)

根据本实施方式所涉及的电子部件10，能够调整线圈L1～L3之间的差动阻抗的差异。差动阻抗在流过测定电流(或者差动信号)时，在将包括线圈在内的电子部件10整体的电感值设为L，将电容值设为C的情况下，表示为

C包括线圈导体层之间的电容(寄生电容)。因此，在电子部件10中，如上所述三种绝缘体层26b、26c、绝缘体层26d、以及绝缘体层26e中存在与其他两种绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。例如，可以考虑使绝缘体层26e的介电常数大于其他两种绝缘体层26b、26c、26d的介电常数的情况。此时，由于在夹着绝缘体层26e的1次线圈导体层30a与2次线圈导体层32a之间所产生的电容比在绝缘体层26e具有与绝缘体层26b、26c、26d相同的介电常数的情况下大，因此能够减小1次线圈L1与2次线圈L2之间的差动阻抗(以下，简称为I12。)。同样地，在绝缘体层26e的介电常数小于其他两种绝缘体层26b、26c、26d的介电常数的情况，能够提高I12。即，在绝缘体层26e的介电常数与其他两种绝缘体层26b、26c、26d的介电常数不同的情况下能够调整I12。根据相同的理由，在绝缘体层26d的介电常数与其他两种绝缘体层26b、26c、26e的介电常数不同的情况下，能够调整2次线圈L2与3次线圈L3之间的差动阻抗(以下，简称为I23。)。另外，在绝缘体层26b、26c中的至少一个的介电常数与其他两种绝缘体层26d、26e的介电常数不同的情况下，能够调整1次线圈L1与3次线圈L3之间的差动阻抗(以下，简称为I31。)。

另外，根据电子部件10，如将在以下说明那样，绝缘体层26b、26c中的至少一个或者双方的介电常数与绝缘体层26d、26e的介电常数不同，因此例如，在将电子部件10安装于图13、14所示的电路基板600的情况下能够得到线圈L1～L3之间的差动阻抗与信号线604、606、608之间的差动阻抗的整合。

在电子部件10中具备：与1次线圈L1的一端、另一端分别电连接的外部电极14a、14d；与2次线圈L2的一端、另一端分别电连接的外部电极14b、14e；以及与3次线圈L3的一端、另一端分别电连接的外部电极14c、14f。另外，在电子部件10中，外部电极14a、14b、14c以及外部电极14d、14e、14f在主体12的下面(磁性体基板20b的下侧主面)，沿从后侧朝向前侧的方向依次排列。

此时，根据外部电极14a～14f的排列与电路基板600中的信号线604、606、608的排列之间的关系，将1次线圈L1与信号线604连接，将2次线圈L2与信号线606连接，将3次线圈L3与信号线608连接。

在电子部件10中，1次线圈导体层36相对于线圈导体层30a、32a、34a中的设置于最靠上侧的3次线圈导体层34a设置于上侧。由此，使在3次线圈导体层34a与1次线圈导体层36之间也产生电容。因此，与没有1次线圈导体层36的情况相比，能够使1次线圈L1与3次线圈L3之间的电容接近1次线圈L1与2次线圈L2之间的电容以及2次线圈L2与3次线圈L3之间的电容。即，I12、I23、I31接近。

但是，信号线604与信号线608之间的差动阻抗(以下，简称为I84。)大于信号线604与信号线606之间的差动阻抗(以下，简称为I46。)以及信号线606与信号线608之间的差动阻抗(以下，简称为I68。)。因此，若使I12、I23、I31相等，在整合I12与I46、整合I23与I68的情况下，导致I31小于I84。在该情况下，存在高频信号在电子部件10与电路基板600之间反射，而使高频信号的波形变形的担忧。

因此，在电子部件10中，3次线圈导体层34a与1次线圈导体层36之间的间隔(D2)大于1次线圈导体层30a与2次线圈导体层32a之间的间隔、以及2次线圈导体层32a与3次线圈导体层34a之间的间隔(D1)。由此，在3次线圈L3与1次线圈L1之间所产生的电容小于在1次线圈L1与2次线圈L2之间所产生的电容以及在2次线圈L2以及3次线圈L3之间所产生的电容。因此，I31高于I12、I23。其结果是，能够得到I31与I84的整合。

但是，在进行这样的整合时，优选能够进行微妙的差动阻抗的调整。关于该点，在电子部件10中，绝缘体层26b、26c中的至少一个或者双方的介电常数与绝缘体层26d、26e的介电常数不同，因此能够调整I31。由此，在电子部件10中，能够更加容易地得到I12、I23、I31与I46、I68、I84的整合。此外，根据电子部件10以及电路基板600的对称性，将1次线圈L1与信号线608连接，将2次线圈L2与信号线606连接，将3次线圈L3与信号线604连接的情况也相同。

本申请发明者为了明确在电子部件10中，能够调整差动阻抗，而进行了以下用于说明的计算机模拟。更加详细而言，作为比较例的第一模型，在与电子部件10相同的构造中，将上述的绝缘体层26a～26f的介电常数统一设定为3。另外，作为实施例的第二模型，将绝缘体层26b的介电常数设定为10，将其他绝缘体层26a、26c、26d、26e、26f的介电常数设定为3，并使绝缘体层26b的介电常数与绝缘体层26d、26e的介电常数不同。然后，在第一模型以及第二模型中，运算I12、I23、I31。在运算中，例如在运算I12时，向1次线圈L1和2次线圈L2输入差动信号，并将3次线圈L3以50Ω相对于接地电位设为终端。

图4是表示第一模型的模拟结果的图表。图5是表示第二模型的模拟结果的图表。在图4以及图5中，纵轴表示差动阻抗，横轴表示频率。

如图4以及图5所示，在绝缘体层26e(第一电介质层)、绝缘体层26d(第二绝缘体层)、26b、26c(第三绝缘体层)中的、绝缘体层26b的介电常数与其他绝缘体层26d、26e的介电常数不同的第二模型中，相对于第一模型，能够使I31接近I12、I23。换句话说，在电子部件10的结构中，能够调整I31、I23、I12的差异。

(第一变形例)

在本实施方式中，虽然仅将上述的绝缘体层26a～26f中的一个绝缘体层的介电常数设定为较大，但是作为本公开的一个实施方式的电子部件并不限定于此。例如，可以通过使上述的绝缘体层26a～26f中的多个绝缘体层的介电常数变化来调整I31、I23、I12。以下，针对第一变形例进行说明。

在本变形例中，将绝缘体层26a～26c、26f的介电常数形成为比其他绝缘体层26d、26e大。即，绝缘体层26d的介电常数以及绝缘体层26e的介电常数小于其他绝缘体层26a～26c、26f的介电常数。

本申请发明者为了明确在第一变形例中，能够调整差动阻抗，进行了以下用于说明的计算机模拟。更加详细而言，作为第一变形例所涉及的第三模型构成为如下结构：在与电子部件10相同的构造中，将与上述的绝缘体层26a～26c、26f的介电常数设定为10，将绝缘体层26e的介电常数设定为2，将绝缘体层26d的介电常数设定为2.5，使多个绝缘体层的介电常数不同。然后，在第三模型中，对I12、I23、I31进行了运算。在运算中，例如在对I12进行运算时，向1次线圈L1和2次线圈L2输入差动信号，将3次线圈L3以50Ω相对于接地电位设为终端。

图6是表示第三模型的模拟结果的图表。在图6中，纵轴表示差动阻抗，横轴表示频率。如图4及图6所示，在绝缘体层26e(第一电介质层)、绝缘体层26d(第二绝缘体层)、26b、26c(第三绝缘体层)中的、绝缘体层26d、26e的介电常数与其他绝缘体层26b、26c的介电常数不同的第三模型中，相对于第一模型，能够使I31接近I12、I23。换句话说，即使是第一变形例的结构，也能够调整差动阻抗I31、I23、I12。然后，如图5及图6所示，在构成第三绝缘体层的所有的绝缘体层(绝缘体层26b、26c)的介电常数都大于其他绝缘体层26d、26e的介电常数的第三模型中，由于相对于第二模型，能够进一步增大差动阻抗I31的下降幅度，因此能够使差动阻抗I31、I23、I12进一步接近。这样，在三种绝缘体层中的、某绝缘体层由多个绝缘体层构成的情况下，能够通过对多个绝缘体层中的、具有与其他两种绝缘体层的介电常数不同的介电常数的绝缘体层的数量进行调整来调整差动阻抗的差异。

另外，如图5及图6所示，在绝缘体层26e(第一电介质层)的介电常数与绝缘体层26d(第二绝缘体层)的介电常数不同的第三模型中，相对于绝缘体层26d、26e的介电常数相同的第二模型，能够使I12和I23接近。这样，在电子部件10中，能够通过使绝缘体层26b～26e中的多个绝缘体层的介电常数变化，来更大地调整差动阻抗。

(第二变形例)

以下，参照附图对第二变形例所涉及的电子部件10a的结构进行说明。此外，在电子部件10a中，对具有与电子部件10基本相同的结构的部分标注与电子部件10相同的附图标记，并省略一部分说明。图7A是表示电子部件10的线圈导体层30a、32a、34a、36的位置关系的示意图。图7B是表示电子部件10a的线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、36a的位置关系的示意图。

在电子部件10中，1次线圈L1包括一个串联1次线圈导体层30a以及一个并联1次线圈导体层36，2次线圈L2包括一个2次线圈导体层32a，3次线圈L3包括一个3次线圈导体层34a。另一方面，在电子部件10a中，1次线圈L1a包括两个串联1次线圈导体层30a、30b以及一个并联1次线圈导体层36a，2次线圈L2a包括两个2次线圈导体层32a、32b，3次线圈L3a包括两个3次线圈导体层34a、34b。因此，如将在以下说明那样，在电子部件10a中，针对线圈导体层30b、32b、34b、36a，存在与电子部件10的不同点。

在电子部件10中，如图7A所示，配置有一个串联1次线圈导体层30a、2次线圈导体层32a以及3次线圈导体层34a逐个从下侧向上侧依次排列的线圈导体层群Ga。而且，1次线圈导体层36呈与规定的串联1次线圈导体层30a相同的形状，并相对于规定的串联1次线圈导体层30a以并联的方式电连接，并且，相对于设置于最靠上侧的3次线圈导体层34a设置于上侧。

另一方面，在电子部件10a中，如图7B所示，构成有串联1次线圈导体层30a、2次线圈导体层32a以及3次线圈导体层34a逐个从下侧向上侧依次排列的线圈导体层群Ga。另外，构成有串联1次线圈导体层30b、2次线圈导体层32b以及3次线圈导体层34b逐个从下侧向上侧依次排列的线圈导体层群Gb。并且，两个线圈导体层群Ga、Gb配置为从下侧向上侧排列。另外，并联1次线圈导体层36a呈与规定的串联1次线圈导体层30b相同的形状，并相对于规定的串联1次线圈导体层30b以并联的方式电连接，并且，相对于设置于最靠上侧的3次线圈导体层34b(规定的3次线圈导体层)设置于上侧。

以下，边参照附图边对电子部件10a的结构更加详细地进行说明。图8A是电子部件10a的层叠体22a的分解立体图。但是，在图8A中，省略了相当于电子部件10的绝缘体层26a的绝缘体层26aa。图8B是电子部件10a的示意剖视图。图8B的截面相当于图3的截面。此外，电子部件10a的外观与电子部件10相同。

层叠体22a包括绝缘体层26aa～26ha，在从上侧观察时呈长方形状。电子部件10a的绝缘体层26aa、26ca～26ha的形状、材料与电子部件10的绝缘体层26a～26f的形状、材料相同。绝缘体层26ba从上侧观察时的形状、材料与绝缘体层26aa、26ca～26ha相同，但厚度大于绝缘体层26aa、26ca～26ha的厚度。

1次线圈L1a设置于层叠体22a内，且包括1次线圈导体层30a、30b、36a以及层间连接导体v11。除了电子部件10a的1次线圈导体层30a设置于绝缘体层26ha的上侧主面上的点之外，与电子部件10的1次线圈导体层30a相同。另外，电子部件10a的引出部50a除了连接导体70a跨设于绝缘体层26ba～26ha的点、引出导体层40a设置于绝缘体层26ha的上侧主面上的点以及不包括引出导体层46的点之外，与电子部件10的引出部50相同。

1次线圈导体层30b、36a分别设置于绝缘体层26ea、26ba的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边顺时针(规定方向的一个例子)地卷绕边从内周侧朝向外周侧的漩涡状。在本实施方式中，1次线圈导体层30b、36a具有约4周的量的长度。1次线圈导体层30b、36a的中心在从上侧观察时与电子部件10a的中心(对角线交点)大致一致。此外，1次线圈导体层30b、36a为相同的形状，并以并联的方式电连接。因此，在本变形例中，1次线圈导体层30a相当于其他串联1次线圈导体层，1次线圈导体层36a相当于并联1次线圈导体层，1次线圈导体层30b相当于规定的串联1次线圈导体层。但是，1次线圈导体层36a可以是规定的串联1次线圈导体层，1次线圈导体层30b可以是并联1次线圈导体层。

层间连接导体v11是在上下方向上贯通绝缘体层26ba～26ha的导体，在从上侧观察时，呈沿左右方向延伸的线状。层间连接导体v11在从上侧观察时，设置于绝缘体层26ba～26ha的后半部分的区域，并且连接1次线圈导体层30a的内周侧的端部与1次线圈导体层30b、36a的内周侧的端部。

引出部53a连接1次线圈L1a的另一端(1次线圈导体层30b、36a的外周侧的端部)和外部电极14d。引出部53a包括引出导体层40b、46a以及连接导体70d。连接导体70d是设置于位于绝缘体层26ba～26ha的右后的角的三棱柱状的导体。连接导体70d从绝缘体层26ba的上侧主面至绝缘体层26ha的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16d连接。

引出导体层40b、46a分别设置于绝缘体层26ea、26ba的上侧主面上，与1次线圈导体层30b、36a的外周侧的端部连接且与连接导体70d连接。引出导体层40b、46a在从上侧观察时，不呈漩涡状，而分别从1次线圈导体层30b、36a的外周侧的端部朝向右侧延伸。由此，1次线圈L1a的另一端(1次线圈导体层30b、36a的外周侧的端部)与外部电极14d经由引出部53a(引出导体层40b、46a以及连接导体70d)以及连接部16d而电连接。

2次线圈L2a设置于层叠体22a内，且包括2次线圈导体层32a、32b以及层间连接导体v12。电子部件10a的2次线圈导体层32a除了设置于绝缘体层26ga的上侧主面上的点之外与电子部件10的线圈导体层32a相同。另外，电子部件10a的引出部51a除了连接导体70b跨设于绝缘体层26ba～26ha的点、引出导体层42a设置于绝缘体层26ga的上侧主面上的点之外与电子部件10的引出部51相同。

2次线圈导体层32b设置于绝缘体层26da的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边沿顺时针卷绕边从内周侧朝向外周侧的漩涡状。在本实施方式中，2次线圈导体层32b具有约4周的量的长度。2次线圈导体层32b的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。

层间连接导体v12是在上下方向上贯通绝缘体层26da～26ga的导体，在从上侧观察时，呈在左右方向上延伸的线状。层间连接导体v12在从上侧观察时，设置于绝缘体层26da～26ga的中央，并且连接2次线圈导体层32a的内周侧的端部与2次线圈导体层32b的内周侧的端部。

引出部54a连接2次线圈L2a的另一端(2次线圈导体层32b的外周侧的端部)和外部电极14e。引出部54a包括引出导体层42b以及连接导体70e。连接导体70e是设置于位于绝缘体层26ba～26ha的右侧的长边的中央的四棱柱状的导体。连接导体70e从绝缘体层26ba的上侧主面至绝缘体层26ha的下侧主面在上下方向上延伸，并在其下端与连接部16e连接。

引出导体层42b设置于绝缘体层26da的上侧主面上，并且与2次线圈导体层32b的外周侧的端部连接且与连接导体70e连接。引出导体层42b在从上侧观察时，不呈漩涡状，而从2次线圈导体层32b的外周侧的端部朝向右侧延伸。由此，2次线圈L2a的另一端(2次线圈导体层32b的外周侧的端部)与外部电极14e经由引出部54a(引出导体层42b以及连接导体70e)以及连接部16e而电连接。

3次线圈L3a设置于层叠体22a内，且包括3次线圈导体层34a、34b以及层间连接导体v13。电子部件10a的3次线圈导体层34a除了设置于绝缘体层26fa的上侧主面上的点之外与电子部件10的线圈导体层34a相同。另外，电子部件10a的引出部52a除了连接导体70c跨设于绝缘体层26ba～26ha的点、引出导体层44a设置于绝缘体层26fa的上侧主面上的点之外与电子部件10的引出部52相同。

3次线圈导体层34b设置于绝缘体层26ca的上侧主面上，并且在从上侧观察时，呈边顺时针地卷绕边从内周侧朝向外周侧的漩涡状。在本实施方式中，3次线圈导体层34b具有约4周的量的长度。3次线圈导体层34b的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。

这里在电子部件10a中，线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、36a如图8A所示，在从层叠方向观察时相互重叠。特别是1次线圈L1a的内磁路、2次线圈L2a的内磁路、以及3次线圈L3a的内磁路在从层叠方向观察时重叠。由此，1次线圈L1a、2次线圈L2a、以及3次线圈L3a磁耦合。此外，为了引出部50a、53a、引出部51a、54a、以及引出部52a、55a不干扰，使从层叠方向观察时的线圈导体层30a、32a、34a的两端的位置不同，使线圈导体层30b、36a、32b、34b的两端的位置不同。例如，2次线圈导体层32b的外周侧的端部位于比1次线圈导体层30b、36a的外周侧的端部更靠顺时针方向的下游侧。另外，3次线圈导体层34b的外周侧的端部位于比2次线圈导体层32b的外周侧的端部更靠顺时针方向的下游侧。同样地，2次线圈导体层32b的内周侧的端部位于比1次线圈导体层30b、36a的内周侧的端部更靠顺时针方向的下游侧。另外，3次线圈导体层34b的内周侧的端部位于比2次线圈导体层32b的内周侧的端部更靠顺时针方向的下游侧。由此，线圈导体层30b、36a、32b、34b的长度实际上相同。

层间连接导体v13是在上下方向上贯通绝缘体层26ca～26fa的导体，并且在从上侧观察时呈沿左右方向延伸的线状。层间连接导体v13在从上侧观察时，设置于绝缘体层26ca～26fa的前半部分的区域，连接3次线圈导体层34a的内周侧的端部和3次线圈导体层34b的内周侧的端部。

引出部55a连接3次线圈L3a的另一端(3次线圈导体层34b的外周侧的端部)和外部电极14f。引出部55a包括引出导体层44b以及连接导体70f。连接导体70f是设置于位于绝缘体层26ba～26ha的右前的角的三棱柱状的导体。连接导体70f从绝缘体层26ba的上侧主面至绝缘体层26ha的下侧主面沿上下方向延伸，并在其下端与连接部16f连接。

引出导体层44b设置于绝缘体层26ca的上侧主面上，与3次线圈导体层34b的外周侧的端部连接且与连接导体70f连接。引出导体层44b在从上侧观察时，不呈漩涡状，而从3次线圈导体层34b的外周侧的端部朝向前侧延伸。由此，3次线圈L3a的另一端(3次线圈导体层34b的外周侧的端部)与外部电极14f经由引出部55a(引出导体层44b以及连接导体70f)以及连接部16f而电连接。

这里，1次线圈导体层36a相对于设置于线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b中的最靠上侧的3次线圈导体层34b设置于上侧。

另外，如图8A所示，电子部件10a是具备包括在上下方向(层叠方向)上层叠的多个绝缘体层26aa～26ha的主体(磁性体基板20a、20b、层叠体22a、磁性体层24)的电子部件。详细而言，在电子部件10a中，多个绝缘体层26aa～26fa包括如下三种绝缘体层：绝缘体层26da、26ga(第一绝缘体层的一个例子)，包括由1次线圈导体层30a、30b与2次线圈导体层32a、32b所夹持的部分；绝缘体层26ca、26fa(第二绝缘体层的一个例子)，包括由2次线圈导体层32a、32b与3次线圈导体层34a、34b所夹持的部分；以及绝缘体层26ba、26ea(第三绝缘体层的一个例子)，包括由3次线圈导体层34a、34b与1次线圈导体层30b、36a所夹持的部分。

另外，在电子部件10a中，上述的三种绝缘体层26ba、26ea、绝缘体层26ca、26fa、以及绝缘体层26da、26ga中存在与其他两种绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。由此，在电子部件10a中，与电子部件10同样地，能够调整线圈L1a～L3a之间的差动阻抗。

另外，如图8B所示，线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、36a的线宽为w1且彼此相同。但是，线圈导体层30a、32a、34a、32b、34b的厚度为d1，1次线圈导体层30b、36a的厚度为d2。d2是d1的一半。因此，1次线圈导体层30b与1次线圈导体层36a的截面积的总和与、1次线圈导体层30a的截面积、2次线圈导体层32a、32b的截面积、3次线圈导体层34a、34b的截面积实际上相同。

另外，绝缘体层26aa、26ca～26ha的厚度是均等的。因此，在线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b中在上下方向上相邻的线圈彼此的间隔D1实际上是均等的。但是，绝缘体层26ba的厚度大于绝缘体层26aa、26ca～26ha的厚度。因此，1次线圈导体层36a与3次线圈导体层34b之间的间隔D3大于间隔D1。

如上所述在具备与电子部件10相同的结构的电子部件10a中，也能够起到与电子部件10相同的作用效果。

另外，在电子部件10a中，由于各线圈L1a～L3a具有多个线圈导体层30a～36a，因此能够得到较高的电感值。

另外，在电子部件10a中，虽然具备呈漩涡状的线圈导体层30a、32a、34a、30b、32b、34b、36a，但是由于在各线圈L1a～L3a中，以串联的方式电连接的线圈导体层为两个(偶数个)，因此不需要像电子部件10的引出导体层60、62、64那样的连接线圈导体层的漩涡状的内周端与外部电极的引出导体层。

此外，电子部件10a虽然具有两个线圈导体层群Ga、Gb，但在本公开的一个实施方式电子部件中，也可以具有三个以上的线圈导体群。以下，针对电子部件具有n个(n为自然数)线圈导体层群Ga、Gb…的情况进行说明。

在电子部件具有n个线圈导体层群的情况下，1次线圈包括n个串联1次线圈导体层和一个并联1次线圈导体层，2次线圈包括n个2次线圈导体层，3次线圈包括n个线圈导体层。而且，串联1次线圈导体层、2次线圈导体层、3次线圈导体层逐个从下侧向上侧依次排列的线圈导体层群Ga配置为从下侧向上侧排列n个。

另外，在该情况下，并联1次线圈导体层呈与n个串联1次线圈导体层中的规定的串联1次线圈导体层相同的形状，并且相对于该规定的串联一次线圈导体层以并联的方式电连接。并且，并联1次线圈导体层相对于设置于最靠上侧的规定的3次线圈导体层设置于上侧。

此时，在线圈导体层呈漩涡状的情况下，若n为偶数，则与电子部件10a同样地，在各线圈中，能够不需要连接线圈导体层的漩涡状的内周端与外部电极的引出导体层。

(第三变形例)

以下，参照附图对第三变形例的电子部件10b的结构进行说明。图9是表示电子部件10b的线圈导体层30a-1、30a-2、32a、34a、30b、32b-1、32b-2、34b-1、34b-2、36a的位置关系的示意图。

在电子部件10a中，如图7B所示，1次线圈导体层30b与1次线圈导体层36a以并联的方式电连接。在电子部件10b中，如图9所示，1次线圈导体层30a-1与1次线圈导体层30a-2、2次线圈导体层32b-1与2次线圈导体层32b-2、3次线圈导体层34b-1与3次线圈导体层34b-2、1次线圈导体层30b与1次线圈导体层36a的四个分别以并联的方式电连接。作为本公开的一个实施方式的电子部件，这样可以在多处将线圈导体层以并联的方式连接。此外，在电子部件10b中，例如，1次线圈导体层30a-1(或者1次线圈导体层30a-2)相当于其他串联1次线圈导体层、1次线圈导体层30b相当于规定的串联1次线圈导体层、1次线圈导体层36a相当于并联1次线圈导体层、3次线圈导体层34b-2相当于规定的3次线圈导体层。

此时，虽省略图示，但电子部件10b具备包括在上下方向(层叠方向)上层叠的多个绝缘体层的主体，多个绝缘体层包括以下三种绝缘体层：绝缘体层(第一绝缘体层的一个例子)，其包括由1次线圈导体层30a-1、30a-2、30b与2次线圈导体层32a、32b-1、32b-2所夹持的部分；绝缘体层(第二绝缘体层的一个例子)，其包括由2次线圈导体层32a、32b-1、32b-2与3次线圈导体层34a、34b-1、34b-2所夹持的部分；以及绝缘体层(第三绝缘体层的一个例子)，其包括由3次线圈导体层34a、34b-1、34b-2与1次线圈导体层30a-2、30b、36a所夹持的部分。

另外，在电子部件10b中，上述的三种绝缘体层中存在与其他两种绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。由此，在电子部件10b中，与电子部件10同样地，能够调整线圈之间的差动阻抗。

(第四变形例)

以下，参照附图对第四变形例的电子部件10c的结构进行说明。图10是电子部件10c的示意剖视图。图10的截面相当于图3的截面。此外，电子部件10c的外观与电子部件10相同。

对于电子部件10c而言，在1次线圈导体层30ac、36c的厚度上与电子部件10不同。更加详细而言，在电子部件10中，如图3B所示，1次线圈导体层30a、36的厚度相同均为d2。

另一方面，在电子部件10c中，如图10所示，1次线圈导体层30ac的厚度为d3，1次线圈导体层36c的厚度为d4，且厚度不同。d4例如为d3的1/3左右，d3与d4的总和与d1实际上是相同的。线圈导体层30ac、36c的线宽与线圈导体层32a、34a相同均为w1，因此1次线圈导体层30ac与1次线圈导体层36c的截面积的总和与2次线圈导体层32a的截面积以及3次线圈导体层34a的截面积实际上是相同的。

在如上所述在电子部件10c中，也能够起到与电子部件10相同的作用效果。

此外，在电子部件10c中，厚度d4也可以大于厚度d3。

(第五变形例)

以下，参照附图对第五变形例的电子部件10d的结构进行说明。图11是电子部件10d的示意剖视图。电子部件10d的外观与电子部件10相同。

电子部件10d虽然具有与电子部件10a相同的结构，但在未设置1次线圈导体层36a的点上与电子部件10a不同。

在电子部件10d中，虽然未设置1次线圈导体层36a，但具备包括在上下方向(层叠方向)上层叠的多个绝缘体层的主体，多个绝缘体层包括以下三种绝缘体层：绝缘体层(第一绝缘体层的一个例子)，其包括由1次线圈导体层30a、30b与2次线圈导体层32a、32b所夹持的部分；绝缘体层(第二绝缘体层的一个例子)，其包括由2次线圈导体层32a、32b与3次线圈导体层34a、34b所夹持的部分；以及绝缘体层(第三绝缘体层的一个例子)，其包括由3次线圈导体层34a与1次线圈导体层30b所夹持的部分。

另外，在电子部件10d中，上述的三种绝缘体层中存在与其他两种绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。由此，在电子部件10d中，与电子部件10同样地，能够调整线圈之间的差动阻抗。

如上所述，在作为本公开的一个实施方式的电子部件中，并联1次线圈导体层不是必须的，且通过线圈导体层之间的间隔来调整差动阻抗也不是必须的。但是，如电子部件10那样，1次线圈导体层包括并联1次线圈导体层，第三绝缘体层包括由3次线圈导体层与并联1次线圈导体层所夹持的第四绝缘体层(电子部件10的绝缘体层26b、26c等)的情况下，能够使各线圈之间的差动阻抗接近，进而进行调整。

(其他实施方式)

本公开的一个实施方式的电子部件并不限定于电子部件10、10a～10d，而能够在其主旨的范围内变更，例如可以任意组合电子部件10、10a～10d所包括的各结构。

此外，在上述的实施方式的各电子部件中，虽然线圈导体层的厚度并不是均等的，但线圈导体层的厚度并不限定于此。例如，线圈导体层的厚度也可以是彼此实际上相同(均等)的。

此外，电子部件10通过光刻方法而制成，但是例如，也可以通过在层叠了印刷有线圈导体层的生片等绝缘体层之后进行烧制的层叠方法来制作。另外，线圈导体层的形成方法不仅可以是上述的减色法、印刷法，也可以是全添加法、半加成法。

此外，在上述的各实施方式中，虽然对根据第一绝缘体层、第二绝缘体层、第三绝缘体层的介电常数，使各线圈之间的差动阻抗的差异接近的调整进行了说明，但也可以以加大各线圈之间的差动阻抗的差异的方式来调整介电常数。也存在优选通过电路基板来加大这样的差动阻抗的差异的电子部件的情况。

此外，在上述的各实施方式中，对在从层叠方向观察时，并联连接的并联1次线圈导体层、与规定的串联1次线圈导体层为相同的形状的例子进行了说明，但在作为本公开的一个实施方式的电子部件并不限定于该结构，并联1次线圈导体层与、规定的串联1次线圈导体层不为相同的形状的情况亦可。另外，在作为本公开的一个实施方式的电子部件中，1次线圈、2次线圈、3次线圈的形状(电流路径的长度、截面积、圈数、内径、外径)、材料不需要是相同的。

另外，在上述的各实施方式中，虽然线圈导体层呈漩涡(平面螺旋、螺旋)状，但作为本公开的一个实施方式的电子部件也可以是螺旋卷(立体螺旋)状。

Claims (11)

1.一种电子部件，其中，具备：

主体，其包括在层叠方向上层叠的多个绝缘体层；

1次线圈，其配置于所述主体内，且包括1个以上的1次线圈导体层；

2次线圈，其配置于所述主体内，且包括1个以上的2次线圈导体层；以及

3次线圈，其配置于所述主体内，且包括1个以上的3次线圈导体层，

所述多个绝缘体层包括：第一绝缘体层，其包括由所述1次线圈导体层与所述2次线圈导体层所夹持的部分；第二绝缘体层，其包括由所述2次线圈导体层与所述3次线圈导体层所夹持的部分；以及第三绝缘体层，其包括由所述3次线圈导体层与所述1次线圈导体层所夹持的部分，

所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层以及所述第三绝缘体层中存在介电常数与其他绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层，

所述电子部件还具备：

第一外部电极，其与所述1次线圈的一端电连接；

第二外部电极，其与所述2次线圈的一端电连接；以及

第三外部电极，其与所述3次线圈的一端电连接，

所述第一外部电极、所述第二外部电极以及所述第三外部电极在所述主体的一面，沿与所述层叠方向正交的规定方向依次排列，

所述第三绝缘体层的介电常数与所述第一绝缘体层的介电常数以及所述第二绝缘体层的介电常数不同。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，还具备：

第四外部电极，其与所述1次线圈的另一端电连接；

第五外部电极，其与所述2次线圈的另一端电连接；以及

第六外部电极，其与所述3次线圈的另一端电连接，

所述第四外部电极、所述第五外部电极以及所述第六外部电极在所述主体的一面，沿所述规定方向依次排列，

所述1次线圈的从所述第一外部电极朝向所述第四外部电极的卷绕方向、所述2次线圈的从所述第二外部电极朝向所述第五外部电极的卷绕方向以及所述3次线圈的从所述第三外部电极朝向所述第六外部电极的卷绕方向全部相同。

3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，

所述1个以上的1次线圈导体层包括n个串联1次线圈导体层以及一个并联1次线圈导体层，

所述1个以上的2次线圈导体层包括n个2次线圈导体层，

所述1个以上的3次线圈导体层包括n个3次线圈导体层，

所述并联1次线圈导体层相对于所述n个串联1次线圈导体层中的规定的串联1次线圈导体层以并联的方式电连接，

所述第三绝缘体层包括第四绝缘体层，该第四绝缘体层包括由所述3次线圈导体层与所述并联1次线圈导体层所夹持的部分，其中n为自然数。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其中，

所述串联1次线圈导体层、所述2次线圈导体层以及所述3次线圈导体层逐个从所述层叠方向的一侧向另一侧依次排列而成的线圈导体层群配置为从所述层叠方向的一侧向另一侧排列n个，

所述并联1次线圈导体层相对于设置于最靠所述层叠方向的另一侧的规定的所述3次线圈导体层，设置于该层叠方向的另一侧。

5.根据权利要求4所述的电子部件，其中，

所述并联1次线圈导体层与所述规定的3次线圈导体层之间的所述层叠方向上的间隔大于在所述n个线圈导体层群中在所述层叠方向上相邻的线圈导体层之间的间隔。

6.根据权利要求4或5所述的电子部件，其中，

在所述n个线圈导体层群中在所述层叠方向上相邻的线圈导体层之间的间隔是均等的。

7.根据权利要求6所述的电子部件，其中，

在从所述层叠方向观察时，所述并联1次线圈导体层与所述规定的串联1次线圈导体层为相同的形状。

8.根据权利要求7所述的电子部件，其中，

所述1次线圈、所述2次线圈以及所述3次线圈具有彼此相同的电流路径的长度，

若将除了所述规定的串联1次线圈导体层之外的n-1个所述串联1次线圈导体层设为其他串联1次线圈导体层，

则所述其他串联1次线圈导体层的截面积全部相同，

所述规定的串联1次线圈导体层的截面积与所述并联1次线圈导体层的截面积的总和，与所述其他串联1次线圈导体层的截面积相同。

9.根据权利要求7或8所述的电子部件，其中，

所述规定的串联1次线圈导体层的截面积与所述并联1次线圈导体层的截面积相同。

10.根据权利要求7或8所述的电子部件，其中，

所述n个2次线圈导体层以及所述n个3次线圈导体层的截面积全部相同，

所述规定的串联1次线圈导体层的截面积与所述并联1次线圈导体层的截面积的总和，与所述2次线圈导体层的截面积和所述3次线圈导体层的截面积相同。

11.根据权利要求7或8所述的电子部件，其中，

构成所述1次线圈的导体的体积、构成所述2次线圈的导体的体积、以及构成所述3次线圈的导体的体积彼此相同。

Images