CN107785380B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于2016年8月26日提出的日本专利申请第2016-165946号，并主张享有其优先权；其全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
显示装置具有用于显示图像的多个像素、用于驱动像素的驱动电路等。像素、驱动电路具有作为开关元件的薄膜晶体管。这种薄膜晶体管存在使用例如由多晶硅形成的多晶半导体层、或由氧化物形成的氧化物半导体层而构成的情况。
近年来，开发了具备具有多晶半导体层的薄膜晶体管、和具有氧化物半导体层的薄膜晶体管这两者的显示装置。在具有多晶半导体层的薄膜晶体管中，在形成用于将多晶半导体层与电极连接的接触孔时，存在在从接触孔露出的多晶半导体层的表面形成氧化膜的情况。因而，为除去该氧化膜，在形成接触孔后，例如存在进行使用了氢氟酸的洗涤处理的情况。
另一方面，氧化物半导体层对氢氟酸的耐性小，暴露于氢氟酸的氧化物半导体层存在其至少一部分消失的情况。因而，当在同一基板上形成具有多晶半导体层的薄膜晶体管、和具有氧化物半导体层的薄膜晶体管这两者的情况下，存在由于使用例如氢氟酸的洗涤处理而使具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的电气特性劣化的情况，存在可靠性的确保变得困难的情况。
发明内容
通过本实施方式，提供一种显示装置，具有：绝缘基板；第1晶体管，所述第1晶体管具有在所述绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在所述第1半导体层的上方设置的第1电极；在所述第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，所述第2晶体管具有在所述第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在所述第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于所述第2半导体层与所述绝缘基板之间且与所述第2半导体层电连接的导电层，和第2绝缘层，所述第2绝缘层在所述第1绝缘层及所述第2半导体层的上方设置，其中，所述第1半导体层由硅形成，所述第2半导体层由氧化物半导体形成，所述第1电极在至少贯通所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的第1贯通孔中与所述第1半导体层电连接，所述第2电极在至少贯通所述第2绝缘层的第2贯通孔中与所述导电层接触。
根据本实施方式，提供能够使薄膜晶体管的电气特性稳定的显示装置。
附图说明
图1是示出第1实施方式涉及的显示装置的构成及等效电路的俯视图。
图2是示出图1所示的显示装置的阵列基板的一部分的剖面图。
图3是示出图1所示的显示装置的其他例子的剖面图。
图4是示出图1所示的显示装置的制造工序的一例的剖面图。
图5是概略地示出接着图4的制造工序的剖面图。
图6是概略地示出接着图5的制造工序的剖面图。
图7是概略地示出接着图6的制造工序的剖面图。
图8是示出第2实施方式涉及的显示装置的阵列基板的一部分的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图说明实施方式。需要说明的是，公开的仅为例子，本领域技术人员可容易想到的、本发明的主旨的范围内的适当变形当然包含在本发明的范围内。另外，为了使表述更为清楚，与实际情形相比，有时在附图中示意性地示出各部件的宽度、厚度、形状等。然而，示意性的说明仅为例子，不限定对发明的解释。另外，在说明书及附图中，对与参照既出附图而说明的结构单元的功能相同或相似的结构单元标注相似的附图标记，除必要外，省略重复说明。
[第1实施方式]
本实施方式的显示装置例如能够用于智能手机、平板终端，手机终端，笔记本型个人电脑，游戏机等的各种装置。本实施方式公开的主要构成可应用于液晶显示装置、有机电致发光显示装置等自发光型显示装置、具有电泳元件等的电子纸型显示装置，应用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems(微机电系统))的显示装置、或应用了电致变色的显示装置等。
图1为示出第1实施方式涉及的显示装置的构成及等效电路的图。
图中所示的第1方向X、第2方向Y、及第3方向Z彼此正交，但第1方向X与第2方向Y还可以90度以外的角度交叉。第1方向X及第2方向Y相当于与构成显示装置1的基板的主表面平行的方向，例如，第1方向X与显示装置1的短边平行，第2方向Y与显示装置1的长边平行。第3方向Z相当于显示装置1的厚度方向。
在以下说明中，将第3方向Z称为上方(或，简称为上)，将与第3方向Z相对的方向称为下方(或，简称为下)。在“第1部件的上方的第2部件”及“第1部件的下方的第2部件”的情况下，第2部件既可与第1部件接触，或者可位于从第1部件分开的位置。在后者的情况下，在第1部件与第2部件之间可存在第3部件。另一方面，在“第1部件之上的第2部件”及“第1部件之下的第2部件”的情况下，第2部件与第1部件接触。
图1中，示出了与由第1方向X与第2方向Y规定的X-Y平面平行的平面。
如图1所示，显示装置1具有显示图像的显示区域(有源区)DA、和显示区域的外侧的非显示区域(边框区域)NDA。显示装置1使用阵列基板AR构成。在显示区域DA中，阵列基板AR具有n根扫描线G(G1～Gn)、m根信号线S(S1～Sm)，及m×n个矩阵状的像素PX。各像素PX由例如相邻的2根扫描线G与相邻的2根信号线S来划分。
扫描线G在第1方向X上大致平行地延伸。信号线S在第2方向Y上大致平行地延伸。信号线S与扫描线G交叉，且与例如扫描线G大致正交。需要说明的是，扫描线G及信号线S并非一定要以直线延伸，其一部分可以弯曲。扫描线G及信号线S由例如钼、铬、钨、铝、铜、钛、镍、钽、银或它们的合金形成，但没有特别限定，也可由其他金属、合金、或它们的层叠体形成。
各扫描线G及各信号线S不仅延伸至显示区域DA、还延伸至非显示区域NDA。各扫描线G与扫描线驱动电路GD连接。各信号线S与信号线驱动电路SD连接。
各像素PX具有薄膜晶体管TR、像素电极PE等。薄膜晶体管TR与扫描线G及信号线S电连接。像素电极PE经由膜晶体管TR而与信号线S电连接。需要说明的是，各像素PX可具有2个以上的薄膜晶体管TR。另外，各像素PX可经由扫描线G及信号线S以外的布线而被施以信号。
像素PX的薄膜晶体管TR利用从扫描线驱动电路GD经由扫描线G而施加的控制信号，而切换为导通状态(ON)或非导通状态(OFF)。从信号线驱动电路SD输出的影像信号经由信号线S及像素的导通状态的薄膜晶体管TR而施加至对应的像素电极PE。
扫描线驱动电路GD及信号线驱动电路SD在非显示区域中形成。扫描线驱动电路GD及信号线驱动电路SD分别具有多个薄膜晶体管TR。
图2为示出本实施方式涉及的显示装置的阵列基板AR的一部分的剖面图，并且是示出薄膜晶体管TR的图。这里，示出由第1方向X和第3方向Z规定的X-Z平面切剖的剖面图。需要说明的是，图2仅对阵列基板AR之中的、说明所必要的主要部分进行了图示。图1所示的薄膜晶体管TR分别由图2所示的第1晶体管TR1及第2晶体管TR2的任一者形成。需要说明的是，各像素PX、扫描线驱动电路GD及信号线驱动电路SD可具有第1晶体管TR1及第2晶体管TR2这两者。
阵列基板AR使用例如由玻璃、树脂等透明的绝缘材料形成的第1绝缘基板10而构成。在图示的例子中，第1绝缘基板10的主表面与由第1方向X及第2方向Y规定的X-Y平面平行。阵列基板AR在第1绝缘基板10上具有第1晶体管TR1、第2晶体管TR2、绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13、绝缘层14、绝缘层15、绝缘层16等。
绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13、绝缘层14、绝缘层15、及绝缘层16依序在第1绝缘基板10之上层叠。绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13、绝缘层14、及绝缘层15由例如氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)等无机绝缘材料形成。绝缘层16既可由无机绝缘材料形成，也可由有机绝缘材料形成。需要说明的是，绝缘层11也可以省略。
第1晶体管TR1为顶栅型的薄膜晶体管。第1晶体管TR1具有第1半导体层SC1、第1栅电极GE1、第1电极E1、及第2电极E2。
第1半导体层SC1形成在绝缘层11之上。第1半导体层SC1由硅、具体而言由作为多晶半导体层的多晶硅形成。在形成有第1晶体管TR1的区域中，绝缘层12覆盖第1半导体层SC1，且也在绝缘层11之上形成。第1栅电极GE1在与第1半导体层SC1重叠的区域内在绝缘层12之上形成。绝缘层13覆盖第1栅电极GE1，且也形成在绝缘层12之上。
第1电极E1及第2电极E2形成在绝缘层16之上。第1电极E1及第2电极E2经接触孔CH1及CH2而分别与第1半导体层SC1电连接，其中，接触孔CH1及CH2贯通绝缘层16、绝缘层15、绝缘层14、绝缘层13、及绝缘层12直至第1半导体层SC1。在图示的例子中，第1电极E1及第2电极E2在接触孔CH1及CH2中分别与第1半导体层SC1直接接触。
第2晶体管TR2为顶栅型的薄膜晶体管。第2晶体管TR2具有第2半导体层SC2、第2栅电极GE2、第3电极E3、第4电极E4、及转接电极(导电层)RE1及RE2。
第2半导体层SC2位于绝缘层14之上、与绝缘层14接触。第2半导体层SC2例如由包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)的至少一种氧化物的氧化物半导体来形成。第2半导体层SC2例如由透明无定形氧化物半导体(TAOS：transparent amorphous oxidesemiconductor)来形成。
需要说明的是，当绝缘层13例如由氮化硅等氮化物形成的情况下，绝缘层14由氧化硅形成。由此，能够抑制绝缘层13所含的氢向由氧化物半导体形成的第2半导体层SC2扩散。即，能够抑制第2半导体层SC2的还原、能够抑制第2半导体层SC2的电阻值的变动。
转接电极RE1及RE2在第2半导体层SC2的下方、即2半导体层SC2与第1绝缘基板10之间形成。在图示的例子中，转接电极RE1及RE2位于绝缘层12与绝缘层13之间的位置，并沿第1方向X而彼此分开。
转接电极RE1及RE2具有位于形成有第2半导体层SC2的区域的正下的第1部分RE1a及RE2a、和向形成有第2半导体层SC2的区域的外侧延伸出的第2部分RE1b及RE2b。具体而言，转接电极RE1的位于第1方向X的一端侧的位置的第1部分RE1a与第2半导体层SC2重叠，位于另一端侧的第2部分RE1b向第1方向X的相反侧延伸出、且不与第2半导体层SC2重叠。转接电极RE2的位于第1方向X的一端侧的第2部分RE2b向第1方向X延伸出、且不与第2半导体层SC2重叠，位于另一端侧的第1部分RE2a与第2半导体层SC2重叠。
当转接电极RE1及RE2形成在绝缘层12与绝缘层13之间的情况下，转接电极RE1及RE2可与第1晶体管TR1的第1栅电极GE1同时形成。即，转接电极RE1及RE2可由与第1栅电极GE1相同的材料形成。
在转接电极RE1及RE2与第2半导体层SC2之间，存在绝缘层13及绝缘层14。绝缘层13覆盖转接电极RE1及RE2、并且还形成在绝缘层12之上。绝缘层14形成在绝缘层13之上。在第2半导体层SC2与转接电极RE1的第1部分RE1a重叠的区域中，形成将绝缘层14及绝缘层13贯通直至转接电极RE1的接触孔CH6。在第2半导体层SC2与转接电极RE2的第1部分RE2a重叠的区域中，形成将绝缘层14及绝缘层13贯通直至转接电极RE2的接触孔CH7。第2半导体层SC2还在接触孔CH6及CH7内形成，其分别与转接电极RE1及RE2接触。由此，第2半导体层SC2分别与转接电极RE1及RE2电连接。
绝缘层15覆盖第2半导体层SC2，且也形成在绝缘层14之上。在本实施方式中，第2半导体层SC2的上表面SC2A整体与绝缘层15接触。即，在绝缘层15之中的、与第2半导体层SC2的上表面SC2A接触的区域中，没有形成贯通孔。需要说明的是，虽然没有详细说明，但第2半导体层SC2的侧面也与绝缘层15接触。
第2栅电极GE2在与第2半导体层SC2重叠的区域内在绝缘层15之上形成。绝缘层16覆盖第2栅电极GE2，并且还在绝缘层15之上形成。在图示的例子中，在第2栅电极GE2的正上的绝缘层16之上设置有布线WR。布线WR经将绝缘层16贯通直至第2栅电极GE2的接触孔CH5而与第2栅电极GE2接触。
第3电极E3及第4电极E4在绝缘层16之上形成。第3电极E3及第4电极E4经将绝缘层16、绝缘层15、绝缘层14、及绝缘层13贯通直至转接电极RE1及RE2的接触孔CH3及CH4，从而与转接电极RE1的第2部分RE1b及转接电极RE2的第2部分RE2b接触。
在图示的例子中，第3电极E3和第2半导体层SC2均与转接电极RE1的上表面RE1A接触。接触孔CH3与接触孔CH6在第1方向X上分开。在图示的例子中，在第1方向X上，在第3电极E3与第2半导体层SC2之间，存在绝缘层13、绝缘层14、及绝缘层15。同样的，第4电极E4和第2半导体层SC2均与转接电极RE2的上表面RE2A接触。接触孔CH4与接触孔CH7在第1方向X上分开。在图示的例子中，在第1方向X上，在第4电极E4与第2半导体层SC2之间，存在绝缘层13、绝缘层14、及绝缘层15。需要说明的是，上表面RE1A及RE2A在一个例子中与X-Y平面大致平行。
第1晶体管TR1的第1栅电极GE1、及第2晶体管TR2的第2栅电极GE2由与图1所示的扫描线G相同的材料形成，且例如包含钼(Mo)、钨(W)等。第1电极E1、第2电极E2、第3电极E3、第4电极E4、及布线WR由与图1所示的信号线S相同的材料形成，例如具有钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)依序层叠而成的层构造。
在图示的例子中，在第2半导体层SC2的下方设置遮光层LS。遮光层LS被配置成在与第2半导体层SC2重叠的区域之中、至少与转接电极RE1与转接电极RE2之间的区域重叠。在图示的例子中，遮光层LS在绝缘层11与绝缘层12之间设置，但也可以在第1绝缘基板10与绝缘层11之间形成。这种遮光层LS可与第1晶体管TR1的第1半导体层SC1同时形成。即，遮光层LS可与第1半导体层SC1由同一材料形成。
图3为示出第1实施方式的其他例的剖面图。图3中，仅示出了第2晶体管TR2。
图3所示的例子中，转接电极RE1及RE2在绝缘层14之上形成。在第2半导体层SC2与转接电极RE1及RE2之间不存在绝缘层。也就是说，第2半导体层SC2与转接电极RE1及RE2直接接触。第2半导体层SC2在转接电极RE1的第1部分RE1a、及转接电极RE2的第1部分RE2a之上形成，并且还在转接电极RE1与转接电极RE2之间的绝缘层14之上形成。需要说明的是，在图3所示的例子中，绝缘层13例如由氮化硅等氮化物形成的情况下，绝缘层14由氧化硅形成。
第3电极E3及第4电极E4经将绝缘层16及绝缘层15贯通直至转接电极RE1及RE2的接触孔CH3及CH4，从而与转接电极RE1的第2部分RE1b、及转接电极RE2的第2部分RE2b接触。
接下来，参照图4至图7，对具有图2所示的阵列基板AR的显示装置1的制造方法的一例进行说明。
如图4所示，在第1绝缘基板10之上形成绝缘层11，然后，形成例如由多晶硅形成的多晶半导体层。然后，通过利用光刻法及蚀刻而将晶半导体层图案化，从而形成第1半导体层SC1及遮光层LS。接下来，在第1半导体层SC1、遮光层LS、及绝缘层11之上形成绝缘层12。接下来，在绝缘层12之上，形成例如由包含钼和钨的金属材料形成的第1金属层。之后，利用光刻法及蚀刻而将第1金属层图案化，从而形成第1栅电极GE1、和转接电极RE1及RE2。
接下来，在第1栅电极GE1、转接电极RE1及RE2、及绝缘层12之上形成由例如氮化硅形成的绝缘层13。接下来，在绝缘层13之上形成由例如氧化硅形成的绝缘层14。接下来，在绝缘层14之上形成经图案化的第1抗蚀剂膜R1。之后，以第1抗蚀剂膜R1为掩膜进行蚀刻，从而形成将绝缘层14及绝缘层13贯通直至转接电极RE1及RE2的接触孔CH6及CH7。
接下来，如图5所示，在将第1抗蚀剂膜R1除去后，在绝缘层14之上形成氧化物半导体层，利用光刻法及蚀刻而将氧化物半导体层图案化，从而形成第2半导体层SC2。此时，由于氧化物半导体层还在接触孔CH6及CH7内形成，因此，第2半导体层SC2与转接电极RE1及RE2直接接触。接下来，在第2半导体层SC2及绝缘层14之上形成绝缘层15。接下来，在绝缘层15之上形成由包含例如钼和钨的金属材料形成的第2金属层。之后，利用光刻法及蚀刻而将第2金属层图案化，从而形成第2栅电极GE2。接下来，在绝缘层15及第2栅电极GE2之上形成绝缘层16。
接下来，如图6所示，在绝缘层16之上形成经图案化的第2抗蚀剂膜R2，以第2抗蚀剂膜R2为掩膜进行蚀刻，从而形成接触孔CH1、CH2、CH3、CH4、及CH5。即，在形成有第1半导体层SC1的区域中，形成将绝缘层16、绝缘层15、绝缘层14、绝缘层13、及绝缘层12贯通直至第1半导体层SC1的接触孔CH1及CH2。在形成有转接电极RE1及RE2的区域中，形成将绝缘层16、绝缘层15、绝缘层14、及、绝缘层13贯通直至转接电极RE1及RE2的接触孔CH3及CH4。在形成有第2栅电极GE2的区域中，形成将绝缘层16贯通直至第2栅电极GE2的接触孔CH5。需要说明的是，此时，存在在第1半导体层SC1的表面形成氧化膜的情况。
接下来，通过使用了例如氢氟酸(HF)的洗涤，而将从接触孔CH1及CH2露出的第1半导体层SC1的表面洗涤。由此，将在第1半导体层SC1的表面形成的氧化膜除去，从而抑制在之后的工序中被连接的第1电极及第2电极与第1半导体层SC1之间的电阻的增加。需要说明的是，在洗涤时，从接触孔CH3及CH4露出的转接电极RE1及RE2、及从接触孔CH5露出的第2栅电极GE2也暴露于氢氟酸，但由于它们由与第2半导体层SC2相比对氢氟酸的耐性更大的金属材料形成，因此对电阻的影响小。
接下来，如图7所示，在将第2抗蚀剂膜R2除去后，在绝缘层16之上形成由例如钛、铝、钛的层叠构造形成的第3金属层M3。由此，接触孔CH1、CH2、CH3、CH4、及CH5被第3金属层M3埋入。之后，利用光刻法及蚀刻而将第3金属层M3图案化，由此形成第1电极E1、第2电极E2、第3电极E3、第4电极E4、及布线WR，从而形成图2所示的显示装置1。
通过本实施方式，在第2半导体层SC2的下方设置转接电极RE1及RE2，第2半导体层SC2的下表面侧分别与转接电极RE1及RE2接触，第3电极E3及第4电极E4分别连接于转接电极RE1及RE2。即，第2半导体层SC2的上表面SC2A的整体被绝缘层15覆盖。第3电极E3所经过的接触孔CH3、及第4电极E4所经过的接触孔CH4形成在设置有与第2半导体层SC2相比而言对氢氟酸的耐性更大的转接电极RE1及RE2的区域。
因而，当在同一第1绝缘基板10之上、形成有对氢氟酸的耐性大的第1半导体层SC1、和对氢氟酸的耐性小的第2半导体层SC2的情况下，即便与接触孔CH1及CH2同时地形成接触孔CH3及CH4、并使用氢氟酸进行第1半导体层SC1的洗涤处理，第2半导体层SC2也不会暴露于氢氟酸，从而能够避免对第2半导体层SC2的损伤。由此，能够使具有第2半导体层SC2的第2晶体管TR2的电气特性变得稳定，能够确保可靠性。
另一方面，在形成贯通至第2半导体层SC2的接触孔CHX、第3电极E3和第4电极E4分别与第2半导体层SC2连接的比较例中，接触孔CHX不能与接触孔CH1及CH2同时形成，而需要在进行使用了氢氟酸的洗涤处理后形成接触孔CHX。因而，通过本实施方式，与上述比较例比较而言，由于能够同时形成接触孔CH1、CH2、CH3、及、CH4，因此能够削减制造工序数。另外，与此相伴，还能够降低制造成本。
另外，转接电极RE1及RE2能够与第1晶体管TR1的第1栅电极GE1同时形成。即，无需用于形成转接电极RE1及RE2的新工序。因而，通过本实施方式，能够抑制制造工序数的增加。
[第2实施方式]
图8为示出第2实施方式涉及的显示装置的阵列基板AR的一部分的剖面图。第2实施方式在以下方面与第1实施方式不同：在第1晶体管TR1中，在第1半导体层SC1与第1电极E1之间、及第1半导体层SC1与第2电极E2之间，设置有导电部件C1及C2。
在图示的例子中，导电部件C1及C2在将绝缘层14、绝缘层13、及绝缘层12贯通直至第1半导体层SC1的接触孔CH8及CH9中，分别与第1半导体层SC1接触。第1电极E1及第2电极E2在将绝缘层16及绝缘层15贯通直至导电部件C1及C2的接触孔CH1及CH2中，分别与导电部件C1及C2接触。
接触孔CH8及CH9既可以与用于将第2晶体管TR2的第2半导体层SC2与转接电极RE1及RE2连接的接触孔CH6及CH7同时形成，也可以通过其他工序形成。另外，接触孔CH8及CH9可贯通绝缘层15。在接触孔CH8及CH9贯通绝缘层15、绝缘层14、绝缘层13、及绝缘层12的情况下，导电部件C1及C2能够与第2栅电极GE2同时形成。即，导电部件C1及C2可与第2栅电极GE2由同一材料形成。
在本实施方式中，也能够获得与第1实施方式同样的效果。此外，通过本实施方式，设置第1电极E1及第2电极E2的接触孔CH1及CH2的深度(第3方向Z的大小)比第1实施方式中的接触孔CH1及CH2的深度小。因而，第1电极E1及第2电极E2在接触孔CH1及CH2中不易中断。由此，能够使第1晶体管TR1的电气特性变得稳定、能够确保可靠性。
在以上实施方式中，第1晶体管TR1相当于第1晶体管，第1半导体层SC1相当于第1半导体层，第1电极E1相当于第1电极，第1栅电极GE1相当于第1栅电极。第2晶体管TR2相当于第2晶体管，第2半导体层SC2相当于第2半导体层，第3电极E3相当于第2电极，第2栅电极GE2相当于第2栅电极，转接电极RE1相当于导电层。绝缘层12相当于第1绝缘层，绝缘层15相当于第2绝缘层，绝缘层13相当于第3绝缘层，绝缘层14相当于第4绝缘层。接触孔CH1相当于第1贯通孔，接触孔CH3相当于第2贯通孔，接触孔CH6相当于第3贯通孔。
描述了某些实施方式，但上述实施方式仅作为例子的方式示出，并非旨在限定发明的范围。实际上，本文所述的新颖的实施方式可以各种其他形式实施；此外，在不脱离发明的主旨的范围内，可对本文描述的实施方式的形式进行各种省略、置换和变更。所附权利要求书及其同等范围旨在包涵这些落入发明的范围和主旨之内的形式和变更。

Claims (11)

1.一种显示装置，具有：
绝缘基板，
第1晶体管，所述第1晶体管具有在所述绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在所述第1半导体层的上方设置的第1电极，
在所述第1半导体层的上方设置的第1绝缘层，
第2晶体管，所述第2晶体管具有在所述第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在所述第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于所述第2半导体层与所述绝缘基板之间且与所述第2半导体层电连接的导电层，
第2绝缘层，所述第2绝缘层设置在所述第1绝缘层及所述第2半导体层的上方，
第3绝缘层，所述第3绝缘层位于所述导电层与所述第2半导体层之间，和
第4绝缘层，所述第4绝缘层位于所述第3绝缘层与所述第2半导体层之间、且与所述第2半导体层接触，
其中，所述第1半导体层由硅形成，
所述第2半导体层由氧化物半导体形成，
所述第1电极在至少贯通所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的第1贯通孔中与所述第1半导体层电连接，
所述第2电极在至少贯通所述第2绝缘层的第2贯通孔中与所述导电层接触，
所述第2半导体层在贯通所述第3绝缘层和所述第4绝缘层的第3贯通孔中与所述导电层接触，
所述第3绝缘层由氮化硅形成，
所述第4绝缘层由氧化硅形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第2晶体管具有在所述第2绝缘层之上设置的第2栅电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第1晶体管具有在所述第1绝缘层之上设置的第1栅电极，
所述导电层形成在所述第1绝缘层之上，由与所述第1栅电极相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第2半导体层的上表面整体与所述第2绝缘层接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第2半导体层和所述第2电极接触于所述导电层的上表面。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第2半导体层与所述第2电极沿与所述上表面平行的第1方向而分开，
所述第2绝缘层存在于所述第2电极与所述第2半导体层之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置具有导电部件，所述导电部件位于所述第1电极与所述第1半导体层之间、且与所述第1电极和所述第1半导体层接触。
8.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置具有导电部件，所述导电部件位于所述第1电极与所述第1半导体层之间、且与所述第1电极和所述第1半导体层接触，且所述导电部件由与所述第2栅电极相同的材料形成。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置在所述导电层与所述绝缘基板之间、且与所述第2半导体层重叠的区域中具有遮光层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述遮光层由与所述第1半导体层相同的材料形成。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1电极与所述第2电极由同一材料形成。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102432344B1 (ko) * 2017-09-22 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110190069B (zh) * 2019-05-22 2021-08-03 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
TW202204995A (zh) * 2020-03-20 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
WO2021250782A1 (ja) * 2020-06-09 2021-12-16 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR20220007756A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548382A (zh) * 2006-12-07 2009-09-30 汤姆森特许公司 具有集成上电源电极的有机发光二极管面板
CN101997025A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4151194B2 (ja) 2000-04-17 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 トランジスタアレイ基板および電気光学装置
JP2003338628A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置、電気光学装置、電子機器、薄膜半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
KR102227474B1 (ko) * 2013-11-05 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 유기발광표시장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
CN103698955A (zh) * 2013-12-13 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、阵列基板及其制造方法和显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548382A (zh) * 2006-12-07 2009-09-30 汤姆森特许公司 具有集成上电源电极的有机发光二极管面板
CN101997025A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法

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